专利名称：低电感晶片型电阻器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电阻器，特别涉及一种低电感晶片型电阻器。
背景技术：
现有的晶片型电阻器，如图1所示，包括一块以氧化铝陶土材料、氮化铝材料或是蓝宝石玻璃制成的绝缘基板1，基板上规划出预定数目相互垂直排列或水平排列的多数矩形区块11、12，每一区块11、12均具有相同的长与宽，基板1经过清洗干净后，以喷溅或真空蒸散方式于基板1上形成电阻层，然后，利用微影技术在电阻层上形成成对电极21、22，再经过形成金属层、于金属层上形成光感抗蚀层、置光罩、侵蚀金属层等步骤，形成在每个成对电极之间的电阻部份23。
基于电阻值(R)＝电阻系数(ρ)×[长度(L)/宽度(W)]的公式，一般多以在电阻部份23上设置修正沟槽使电流路径延长而提高电阻值，实施的方式有，如图2所示，是在电阻部份23表面上以雷射切割出与轴方向上相互垂直的两个水平修整沟槽24、25，藉由二条水平修整沟槽24、25同方向间隔设置，使电流的流通路径因受到修整沟槽24、25的影响而延长(即长度L增加)，由此达到提高电阻值的目的。或，如图3所示，则是利用将两个水平修整沟槽24’、25’，分别从电阻部份的左侧及右侧向内延伸切割，透过水平修整沟槽24’、25’相对反向设置，使电子流动的路径呈现波浪状，达到因为流动路径的延长而提高电阻值。或，如图4所示，亦有在电阻部份23表面，形成呈L弧形的修整沟槽26，透过一方面缩短电阻部份的宽度，一方面又藉由局部水平修整沟槽，来增加电流流动的路径长度。或，如图5所示，是在电阻部份23表面，形成呈正L形的修整沟槽27。或，如图6所示，直接在在电阻部份23表面，形成单一条与电阻部份轴方向相互垂直的水平修整沟槽28。
但上述由于电阻部份23表面设置修整沟槽的方式，虽然能达到调整电阻值的目的，但是，其有一共同的问题，即修整沟槽的端点A均形成在电阻部份23的表面，如此，因为端点A的关系，使得电流流经该端点A时，会使电子流产生乱流或集聚的作用，使得该处的阻抗值相对增加，而形成热点(hot spot)，并产生许多无法控制的高阻抗问题，甚至通过电流功率略高，导致晶片电阻器烧毁，增加使用于此被动元件的不稳定因素，同时影响到电子产品的品质。
实用新型内容本实用新型的主要目的为提供一种低电感晶片型电阻器，具有至少一对的第一电极和第二电极，以及一设于第一电极和第二电极之间的电阻部份，其中，于电阻部份表面所设的电阻值修整沟槽，包括至少一条与电阻部份轴方向相互平行的直线型沟槽，且该直线型沟槽的两端系分别连接至第一电极和第二电极。
依本实用新型的此种低电感晶片型电阻器，由在电阻器的电阻部份设置与电阻部份轴方向相互平行的直线型沟槽，在具备可对电阻部份的电阻值适当调整下，可同时避免热点的产生，为本实用新型的次一目的。
依本实用新型的此种低电感晶片型电阻器，除了在电阻器的电阻部份设置与电阻部份轴方向相互平行的直线型槽外，于直线型槽接近第一电极或第二电极的位置复可设置与电阻部份轴方向相互垂直的水平线型沟槽，藉由直线型沟槽与水平线型沟槽相互连接的位置(折点)因为极为靠近第一电极或第二电极，使电流从第一电极流到第二电极的初始位置即通过折点，达到缩短宽度及延长电流流动路径的双重优点下，同时避免热点的产生，为本实用新型的再一目的。
本实用新型是采用以下技术手段实现的一种低电感晶片型电阻器，具有至少一对的第一电极和第二电极，以及一设于第一电极和第二电极之间的电阻本体部份，其电阻本体部份表面，设有电阻值修整沟槽，该电阻值修整沟槽，系使得电阻本体部份的两侧缘部份成为电流不流通的区域。
前述的该电阻值修整沟槽，包括至少一条与电阻本体部份轴方向相互平行的直线型沟槽，且该直线型沟槽的两端分别延伸至第一电极和第二电极。
前述的直线型沟槽，于靠近进入电流的电极处，复可连接一条从电阻本体部份外侧缘向内延伸的横向沟槽。
前述的直线型沟槽与电阻本体边缘之间的电阻本体部份，得予以括除。
本实用新型与现有技术相比具有明显的优势和有益效果本实用新型在电阻本体部份设置连接第一电极及第二电极的直线型沟槽，能兼顾电阻值的调整，以及减少电阻本体部份表面热点的发生。确能有效克服现有热点的问题，得在不影响电子流通路径下，达到电阻调整的目的。
图1为现有晶片型电阻器的制造表示图；图2为现有晶片型电阻器设置修整槽的第一种实施示意图；图3为现有晶片型电阻器设置修整槽的第二种实施示意图；图4为现有晶片型电阻器设置修整槽的第三种实施示意图；
图5为现有晶片型电阻器设置修整槽的第四种实施示意图；图6为现有晶片型电阻器设置修整槽的第五种实施示意图；图7为本实用新型的实施示意图；图8为图7的刮除部份表示意图；图9为本实用新型的第二实施示意图。
具体实施方式
为了更好的对本实用新型加以了解，现结合附图对本实用新型的具体实施例进一步加以说明。
本实用新型的此种低电感晶片型电阻器，如图7所示，具有至少一对的第一电极3和第二电极4，以及一设于第一电极和第二电极之间的电阻本体部份5，其电阻本体部份5表面，设有电阻值修整沟槽，该电阻值修整沟槽，系在电阻本体部份5的两侧，接近两侧缘的位置，分别形成一条与电阻本体部份5轴方向相互平行的直线型沟槽6，且该直线型槽沟6的两端系分别延伸至第一电极3和第二电极4，使电阻本体部份5表面区隔成长条矩形电流流通区域5B及长条矩形电流不流通区域5A。
请参照图8，上述于电阻本体部份5表面，形成两条接近外侧缘的直线型沟槽6后，由于将整个使电阻本体部份5表面区隔成长条矩形电流流通区域5B及长条矩形电流不流通区域5A，而长条矩形电流不流通区域(括除部份)得予刮除，使电流仅能在宽度大为缩小的长条矩形流通区域5B内流动，电流从第一电极流3到第二电极4时，因为没有受到端点的干扰，故不虞有热点的产生，达到在调升电阻值的同时，整体的稳定性不受影响。
如图9所示，系本实用新型的另一实施例，从图式中明显可见，在电阻本体部份表面，除了在靠近两侧缘的位置设置一条连接第一电极71和第二电极72的直线型修整沟槽6外，在靠近进入电流的电极(第一电极71)端处，与第一电极很小的距离内，仍可设置第二条修整沟槽，该第二修整沟槽，系一与电阻本体部份轴方向相互垂直的水平线型沟槽8，水平线型沟槽8从电阻部份3的一侧边进入至与直线型沟槽6相互连接，形成折点8A相当接近进入电极的L形修整沟槽，如此，因为折点8A相当接近进入电极，使电流经第一电极71流出时可以很快地通过该折点8A，避免因热点所产生的问题。
由上述两种实施方式，可以清楚得知，本实用新型在电阻本体部份5设置连接第一电极及第二电极的直线型沟槽6，确能有效克服现有热点的问题，得在不影响电子流通路径下，达到电阻调整的目的。
本实用新型上述的低电感晶片型电阻器，藉由使用了与电阻本体部份轴方向上相互平行且连接至第一电极和第二电极的直线型槽，确能兼顾电阻值的调整，以及减少电阻本体部份表面热点的发生。
最后应说明的是以上实施例仅用以说明本实用新型而并非限制本实用新型所描述的技术方案；因此，尽管本说明书参照上述的各个实施例对本实用新型已进行了详细的说明，但是，本领域的普通技术人员应当理解，仍然可以对本实用新型进行修改或等同替换；而一切不脱离实用新型的精神和范围的技术方案及其改进，其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。
权利要求1.一种低电感晶片型电阻器，具有至少一对的第一电极和第二电极，以及一设于第一电极和第二电极之间的电阻本体部份，其特征在于在所述电阻本体部份表面，设有电阻值修整沟槽。
2.根据权利要求1所述的低电感晶片型电阻器，其特征在于该电阻值修整沟槽，包括至少一条与电阻本体部份轴方向相互平行的直线型沟槽，且该直线型沟槽的两端系分别延伸至第一电极和第二电极。
3.根据权利要求2所述的低电感晶片型电阻器，其特征在于所述的直线型沟槽，于靠近进入电流的电极处，复可连接一条从电阻本体部份外侧缘向内延伸的横向沟槽。
4.根据权利要求3所述的低电感晶片型电阻器，其特征在于所述的直线型沟槽与电阻本体边缘之间的电阻本体部份予以括除。
专利摘要本实用新型公开了一种低电感晶片型电阻器，该电阻器至少具有一对的第一电极和第二电极，以及一个设于第一电极和第二电极之间的电阻本体部分，其电阻本体部分表面，设有电阻值修整沟槽，其中，该电阻值修整沟槽，包括至少一条与电阻本体部分轴方向相互平行的直线型沟槽，且该直线型沟槽的两端分别延伸至第一电极和第二电极，使电阻本体部分的两侧缘部分成为电流不流通的区域。
文档编号H01C7/00GK2821810SQ200520114180
公开日2006年9月27日 申请日期2005年7月20日 优先权日2005年7月20日
发明者郑原辉 申请人:均钰科技股份有限公司