专利名称：半导体激光器部件、用于该半导体激光器部件的光学装置以及用于制造该光学装置的方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体激光器部件，其具有设置用于产生辐射的半导体激光器芯片和用于半导体激光器芯片的外部光学谐振器的外部反射器。
为了在具有外部谐振器的半导体激光器部件的工作中，使激光器有效地运行，经常必须相对于半导体激光器芯片对外部反射器进行昂贵的空间调整。
本发明的任务是说明一种具有半导体激光器芯片和用于外部光学谐振器的外部反射器的半导体激光器部件，其中外部反射器相对于半导体激光器芯片可简化地调整。此外，本发明的任务是说明一种用于这种半导体激光器部件的光学装置，借助该光学装置使构造特别小的且紧凑的半导体激光器部件的结构变得容易。此外，本发明的任务是说明一种用于光学装置的制造方法。
该任务通过一种具有权利要求1所述特征的半导体激光器部件以及根据权利要求28所述的一种用于制造光学装置的方法以及一种根据权利要求32所述的光学装置来解决。本发明的一些有利扩展方案和改进方案是从属权利要求的主题。
根据本发明的半导体激光器部件包括设置用于产生辐射的半导体激光器芯片和光学装置，该光学装置包括支承体、设置在该支承体上的辐射偏转元件和设置在支承体上的反射器，其中反射器构造为用于半导体激光器芯片的外部光学谐振器的外部反射器，辐射偏转元件设置在谐振器内，辐射偏转元件构造为用于偏转由半导体激光器芯片所产生的和被外部反射器所反射的辐射的至少一部分，支承体具有横向的主延伸方向并且半导体激光器芯片在垂直于横向的主延伸方向的方向上设置在支承体之后。
有利地，用于谐振器的外部反射器的调整可以至少部分被移入光学装置的制造过程中。特别是，辐射偏转元件和外部反射器已可以根据谐振器而相互预调整。外部反射器相对于半导体激光器芯片的昂贵的三维调整可以通过对光学装置的元件的合适预调整过渡到光学装置与半导体激光器芯片之间的有利地被简化的平面调整。
优选地，辐射偏转元件将谐振器中的辐射引向基本上平行于支承体的横向的主延伸方向走向的方向。特别优选的是，辐射偏转元件使由外部反射器所反射的辐射至少部分朝着半导体激光器芯片偏转，半导体激光器芯片产生辐射并且可在用于激光辐射的谐振器中被放大。
借助辐射偏转元件可以折叠谐振器，其中外部反射器优选形成谐振器端部反射器。由此，有利地使构造半导体激光器部件的小的紧凑结构变得容易。
在本发明的一种优选的扩展方案中，辐射偏转元件和/或支承体上的外部反射器例如分别借助通过阳极接合、粘合或者焊接构造的连接来固定。
根据本发明的另一种优选的扩展方案，辐射偏转元件和外部反射器横向并排地设置。此外，这种设置也称作“横向设置”。优选地，在此辐射偏转元件这样地构造，使得在半导体激光器芯片中产生的辐射朝外部反射器的方向偏转。
在本发明的另一种优选的扩展方案中，外部反射器在垂直于横向的主延伸方向上与支承体间隔。优选地，为此辐射偏转元件设置在支承体与外部反射器之间。此外，这种设备也称作“垂直设置”。
根据本发明的另一种优选的扩展方案，半导体激光器芯片是表面发射的半导体激光器芯片，与边发射的激光器相反，该半导体激光器芯片优选地具有与半导体激光器芯片的表面基本上垂直的发射方向。例如，半导体激光器芯片构造为VECSEL(垂直外腔面发射激光器)或者半导体圆盘激光器。优选地，这样地构造光学装置，使得辐射偏转元件使由半导体激光器芯片(特别是垂直地)所发射的辐射向基本上平行于支承体的横向的主延伸方向的方向朝着外部反射器偏转。
为了在有源区中产生辐射，半导体激光器芯片可以借助一个或者多个泵浦辐射源来光泵浦。合乎目的的是，泵浦辐射的波长小于由半导体激光器芯片所发射的辐射。优选地，半导体激光器芯片被横向地(基本上平行于半导体激光器芯片的发射表面)光泵浦。构造为边发射的半导体激光器的泵浦辐射源特别适合于半导体激光器芯片的光泵浦。
在本发明的一种优选的扩展方案中，泵浦辐射源和半导体激光器芯片的待泵浦的有源区单片地集成在半导体激光器芯片中。在此，限定半导体激光器芯片和泵浦辐射源的结构借助外延制造在共同的生长衬底上。例如，首先在生长衬底上生长具有待泵浦的有源区的层结构，并且接下来局部地与生长衬底分离，其中在被分离的区域中可以在生长衬底上生长泵浦辐射源。半导体激光器芯片的有源区例如可以设置在泵浦辐射源的谐振器内部或者外部。
必要时，也可以借助外部的、未集成在半导体激光器芯片中的泵浦辐射源(例如外部激光器)来光泵浦半导体激光器芯片。与发射表面成小于大约45°角射到半导体激光器芯片的泵浦辐射证明是特别适合的。
在本发明的另一种优选的扩展方案中，支承体借助至少一个间隔元件，优选多个间隔元件与半导体激光器芯片间隔。间隔元件优选可以在安装或调整光学装置之前固定在支承体上或者构造在支承体中。间隔元件例如可以包含玻璃、硅或者陶瓷。
例如阳极接合、粘合或者焊接适于将间隔元件固定在支承体上。如果将间隔元件构造在支承体中，则这可以通过相应地结构化支承体来实现。例如支承体包含玻璃或者半导体材料，例如Si或者GaAs。
为了结构化间隔元件，特别是例如喷砂方法尤其适于玻璃，或者刻蚀方法尤其适于半导体材料，例如Si。此外，借助锯开从支承体中结构化间隔元件。必要时，在结构化过程之后还借助打磨和/或抛光来处理间隔元件。借助这种方法可在支承体中构造用于半导体激光器芯片的腔，其中腔的壁构成间隔元件。
在本发明的一种有利的改进方案中，光学装置构造为用于半导体激光器芯片的壳体的壳体件。半导体激光器芯片通过壳体有利地免受有害的外部影响。
在本发明的另一种优选的扩展方案中，半导体激光器芯片预先安装在芯片支承体上，芯片支承体例如包括散热器和/或用于电接触半导体激光器芯片或者泵浦辐射源的端子，并且光学装置在预先安装之后设置在半导体激光器芯片之后。优选地，借助接合连接、粘合连接或者焊接连接将光学装置固定在芯片支承体上。特别优选的是，光学装置通过该间隔元件或者一些间隔元件固定在芯片支承体上。DBC衬底(Direct Bond Copper直接键合铜)特别适合作为芯片支承体。
在本发明的另一种优选的扩展方案中，辐射偏转元件和外部反射器设置在支承体的朝半导体激光器芯片的侧上。通过这种方式，半导体激光器芯片与辐射偏转元件的距离可以保持得有利地小，并且因此使构造有利地紧凑且小的结构的半导体激光器部件变得容易。
根据本发明的另一种优选的扩展方案，辐射偏转元件和外部反射器设置在支承体的背离半导体激光器芯片的侧上。优选地，在此支承体透射半导体激光器芯片中所产生的辐射。为此，支承体例如可以具有相应地设置在半导体激光器芯片上的凹陷，例如孔或者间隙，例如可以借助刻蚀、喷水切割或者钻孔将凹陷引入支承体中。通过这样地设置外部反射器和辐射偏转元件使从外面到达谐振器更容易。
在本发明的另一种优选的扩展方案中，用于频率变换、优选用于频率数倍增加的非线性光学元件设置在谐振器中。非线性的光学元件优选设置在支承体上，或者例如借助焊接或者粘合固定在支承体上。通过在谐振器中和/或在支承体上设置非线性的光学元件，进一步有利于具有非线性的光学元件的半导体激光器部件的小的、紧凑构型。
优选构造非线性的光学元件用于谐振器中的辐射的频率变换。例如，构造非线性的光学元件用于倍增(SHGSecond Harmonic Generation二次谐波生成)。优选地，非线性的光学元件用于将不可见的例如红外辐射频率变换为可见辐射。借助基于AlGaAs或者GaAs的半导体激光器部件可以用外部谐振器特别有效地产生不可见的特别是红外的辐射。
在本发明的一种有利的改进方案中，非线性的光学元件设置在外部反射器与支承体之间。这种设置特别适于垂直设置。在此，非线性的光学元件特别优选地设置在外部反射器与辐射偏转元件之间和/或外部反射器借助非线性的光学元件与支承体间隔。
在本发明的另一种优选的扩展方案中，非线性的光学元件设置在外部反射器与辐射偏转元件之间。因此，从辐射偏转元件朝外部反射器偏转的辐射可以在非线性光学元件中也变换成与由外部反射器所反射的辐射相同的频率。对于横向设置，合乎目的的是非线性的光学元件在横向方向上与辐射偏转元件间隔。
在本发明的一种有利的改进方案中，非线性的光学元件可通过优选构造为加热电阻的调温元件来加热和/或使温度稳定。优选地，调温元件集成在支承体中。如果支承体包含半导体材料，则加热电阻可以实施为集成在半导体材料中的pn结。通过调温元件可以减小温度造成的非线性的光学元件的折射率波动的危险。因此，可以有利地使频率变换过的辐射的频率稳定。
在本发明的另一种优选的扩展方案中，构造用于从谐振器中耦合输出辐射、优选为频率变换过的辐射的辐射偏转元件或者外部反射器。为此，相应地辐射偏转元件或者外部反射器可以构造成对于待耦合输出的辐射是高反射或者高透射的。例如，这可以通过外部反射器或者辐射偏转元件的表面的相应涂层，例如含金属的和/或介电涂层来实现。
在本发明的一种有利的改进方案中，通过辐射偏转元件在辐射偏转元件中的内部的全反射下进行从谐振器中的辐射耦合输出。
辐射偏转元件构造为棱镜或者分束器，优选为二色性的分束器。例如辐射偏转元件包含玻璃。
必要时，也可以在谐振器中设置另一些元件如用于射束成形的光学元件例如透镜，用于偏振选择的元件例如布鲁斯特元件，或者用于波长选择的元件例如波长滤波器、波长选择的涂层或者色散元件。
借助透镜或者借助带有优选地被弯曲的折叠反射器(Faltungsspiegel)的谐振器的另一折叠可以实现谐振器中的辐射的有利的小射束腰部(Strahltaille)。
有利地，这种元件可以设置和/或固定在支承体上。除辐射偏转元件的折叠之外，谐振器的另一折叠优选基本上平行于支承体的横向的主延伸方向来进行。
在一种根据本发明的用于制造光学设备的方法中，首先提供支承体，其中该光学设备设置为用于上述类型的半导体激光器部件的谐振器顶盖(Resonatoraufsatz)。接着，将辐射偏转元件和外部反射器设置在支承体上，并且优选相互调整。于是完成了光学装置。
辐射偏转元件和外部反射器优选借助阳极接合固定在支承体上。
在辐射偏转元件与外部反射器之间，可以将非线性的光学元件设置和/或固定在支承体上。例如，将非线性的光学元件粘合或者焊接在支承体上。
在本方法的一种优选的扩展方案中，构造用于同时制造多个光学装置的方法。
为此，根据本发明的一种有利的改进方案，首先提供支承体层，如片状的支承体层，在支承体层上设置并且优选固定有为构造多个辐射偏转元件所设置的辐射偏转条和为了构造多个外部反射器所设置的反射条。辐射偏转条和反射条优选在固定之前在支承体层上根据光学谐振器来相互调整。接着，具有支承体层、辐射偏转条和反射器条的复合结构可以被分隔为多个具有辐射偏转元件和外部反射器的光学装置。在分隔时，光学装置的支承体由支承体层构成、辐射偏转元件由辐射偏转条构成并且外部反射器由反射条构成。
非线性的光学元件同样可以以条形或者作为单个元件设置和/或固定在复合结构中的支承体层上，或者分隔之后作为单个元件设置和/或固定在支承体上。
根据本发明的光学装置包括支承体，设置在支承体上的辐射偏转元件和设置在该支承体上的外部反射器，其中光学装置设置为用于半导体激光器部件、特别是上述类型的半导体激光器部件的谐振器顶盖。
设置为优选预先安装在芯片支承体上的半导体激光器芯片的顶盖的这种光学装置，有利地提高了在类似半导体芯片的情况下在构造谐振器或频率变换方面的变化可能性的数量。半导体激光器芯片可以以有效的自动化的工艺预先安装在芯片支承体上，接着分别个性化的光学装置作为谐振器顶盖可设置和/或固定在芯片支承体上。特别是，根据相应的非线性的光学元件，可以利用类似的半导体激光器芯片构造具有所发射辐射的各种波长的半导体激光器部件。
其它上面结合根据本发明的半导体激光器部件所描述的特征也涉及根据本发明的方法或者根据本发明的光学装置，反之亦然，因为光学装置优选为这种半导体激光器部件而设置或者根据该方法来制造。
从结合附图对以下实施例的描述中得到本发明的另一些扩展方案、优点和合乎目的性。
其中
图1借助图1A中的示意性截面图和图1B中的示意性俯视图示出了根据本发明的半导体激光器部件的第一实施例，图2借助图2A中的示意性截面图和图2B中的示意性俯视图示出了根据本发明的半导体激光器部件的第二实施例，
图3借助图3A中的示意性截面图和图3B中的示意性俯视图示出了根据本发明的半导体激光器部件的第三实施例，图4借助图4A中的示意性截面图和图4B中的示意性俯视图示出了根据本发明的半导体激光器部件的第四实施例，图5借助图5A中的示意性截面图和图5B中的示意性俯视图示出了根据本发明的半导体激光器部件的第五实施例，图6借助图6A中的示意性截面图和图6B中的示意性俯视图示出了根据本发明的半导体激光器部件的第六实施例，图7示出了根据本发明的半导体激光器部件的第七实施例的示意性截面图，图8示出了根据本发明的半导体激光器部件的第八实施例的示意性截面图，图9借助图9A中的示意性截面图和图9B中的示意性俯视图示出了根据本发明的半导体激光器部件的第九实施例，图10示出了根据本发明的半导体激光器部件的第十实施例的示意性截面图，图11示出了根据本发明的半导体激光器部件的第十一实施例的示意性截面图，图12示出了根据本发明的半导体激光器部件的第十二实施例的示意性截面图，图13借助图13A中的变形方案和图13B中的变形方案的示意性细节截面图示出了根据本发明的半导体激光器部件的第十三实施例的一部分的示意性截面图，图14示出了根据本发明的半导体激光器部件的第十四实施例的示意性截面图，图15借助图15A中的示意性截面图和图15B中的示意性俯视图示出了用于制造光学装置的根据本发明的方法的实施例。
在这些附图中，相同、类似和作用相同的元件标有相同的参考标记。
在图1中，借助图1A中的截面图和图1B中的俯视图示出了根据本发明的半导体激光器部件的第一实施例。
半导体激光器芯片1设置在芯片支承体上，该芯片支承体包括散热器2、电隔离层3以及第一端子4和第二端子5。
在垂直方向上光学装置设置在半导体激光器芯片1之后并且借助间隔元件6与半导体激光器芯片间隔，该光学装置包括支承体7、设置在支承体的背离半导体激光器芯片1的侧上的辐射偏转元件8和设置在支承体的相同侧上的外部反射器9。
在半导体芯片1中，泵浦的有源区与一个或者多个横向光泵浦半导体激光芯片1的泵浦辐射源(例如边发射激光器)一起单片地集成。为了电接触泵浦辐射源，接合线11与第二端子5导电地相连，并且半导体芯片例如通过焊接连接(Lotverbindung)、例如借助硬焊固定在第一端子4上并且导电地与其相连，其中焊接连接不仅用于固定而且用于导电的连接。半导体激光器芯片1预先安装在芯片支承体上。
端子4、5包含例如铜和/或保证在半导体激光器芯片上工作时所产生的热通过隔离层充分散热，隔离层朝向散热器2例如包含陶瓷例如氮化铝。氮化铝的特色在于有利的高导热性。散热器2包含例如铜。因此，芯片支承体优选实施为DBC衬底(DBCDirect Bond Copper(直接键合铜))。
与支承体7一样，间隔元件6例如可以包含玻璃或者硅，或者由它们构成。间隔元件优选在将光学装置设置在芯片支承体上之前预先安装在支承体上，或者通过结构化支承体来成型。例如由玻璃构成的间隔元件适于预先安装，间隔元件借助阳极接合、粘合或者焊接固定在支承体上。特别是锯出(Saegen)适于从支承体中结构化间隔元件，其中该锯出带有随后的、对间隔元件的相应表面的打磨和抛光间隔元件工艺。
辐射偏转元件和/或外部反射器阳极地接合、粘合或者焊接到支承体上。光学装置优选通过间隔元件固定在芯片支承体上。例如粘合或者焊接适合于此。
在半导体激光器芯片1中借助半导体激光器芯片的有源区的光泵浦所产生的、并且垂直于半导体激光器芯片的表面12所发射的辐射13在穿过支承体7的凹陷14之后通过辐射偏转元件8向外部反射器9偏转。该凹陷例如可以刻蚀进或者钻孔进支承体中并且优选实施为间隙，或者如图1B中所示在俯视图中实施为基本上圆形。
在此，辐射偏转元件8构造为玻璃棱镜，其例如在反射器表面80侧上设置有对由半导体激光器芯片所发射的辐射的高反射涂层，例如金属的或者介电的涂层。
在本发明的一种优选的扩展方案中，外部反射器与另一优选构造为集成在半导体激光器芯片中的布拉格反射器的反射器一起形成半导体激光器部件的谐振器的边界。优选地，布拉格反射器具有99.9％的反射率。
在根据图1的实施例中，外部反射器构造为来自谐振器的激光辐射的耦合输出反射器，并且为此具有例如96％或者更大的反射率。优选地，反射器凹形弯曲地实施。在球形的弯曲的情况下，反射器的弯曲半径优选地为20mm，特别优选为10mm或者更小，由此谐振器中的辐射的射束半径可以有利地保持很小。
在半导体激光器芯片中所产生的辐射借助半导体激光器芯片的有源区中的感应发射来增强，并且部分通过外部反射器9耦合输出。通过外部反射器的弯曲半径和谐振器中的光行程可以使谐振器中的射束半径匹配于有源区的大小。通过射束半径的合适的匹配，必要时可以强制半导体激光器部件的基模工作(Grundmodenbetrieb)，例如其方式是调节使辐射横截面适当地大于有源区。因为辐射成分在有源区外未被增强，所以因此更高的模式仅仅可相应减弱地起振。
辐射偏转元件8使从半导体激光器芯片出来射到辐射偏转元件上的辐射优选在平行于支承体的主面15的方向上朝外部反射器9偏转。
在本发明的另一种优选的扩展方案中，支承体和半导体激光器芯片这样地相互设置，使得由半导体激光器芯片垂直发射的辐射基本上垂直于支承体的主延伸方向或者主面发射并且被辐射偏转元件偏转到平行于支承体的主面的、优选平行于其主延伸方向的方向上。优选地，为此基本上相互平行地设置半导体激光器芯片的表面12和支承体。特别优选的是，支承体7的主面15基本平行于半导体芯片1的表面12和/或将半导体激光器芯片1这样地预先安装在芯片支承体上，使得表面12基本上平行于芯片支承体延伸。
此外，辐射偏转元件使入射的辐射优选偏转90°角，并且为此例如这样地构造，使得反射面80与支承体的主面15夹大约45°角。
通过谐振器在辐射偏转元件8上折叠，使构造紧凑构型的半导体激光器部件和谐振器变得容易。
因为优选预制了光学装置并且辐射偏转元件和外部反射器已相应地相互为谐振器协调一致，所以仅仅需要将用于光学谐振器的外部反射器相对于半导体激光器芯片调整。光学装置可以为预安装的半导体激光器芯片作为谐振器顶盖而安置并且固定在芯片支承体上。外部反射器相对于半导体芯片的调整可以有利地在光学装置的安装平面、优选在芯片支承体的平面中进行。可以有利地省去反射器在空间中的昂贵的三维调整。
在本发明的另一种优选的扩展方案中，根据半导体圆盘激光器或者VECSEL构造半导体激光器芯片。半导体激光器芯片中所产生的辐射的波长特别优选地在红外光谱区域，例如在900nm与1100nm之间，包括两端点，以及可以为大约920nm、1000nm或者1040nm。为此，半导体激光器芯片优选地基于GaAs或者AlGaAs。
在本发明的一种有利的改进方案中，半导体激光器芯片包含或者基于III-V半导体材料系，如InxGayAl1-x-yP、InxGayAl1-x-yN或者InxGayAl1-x-yAs，其中0≤x≤1、0≤y≤1且x+y≤1。由材料系INxGayAl1-x-yAs构成的材料特别适于有效地产生红外光谱范围中的辐射。
在图2中借助图2A中的截面图和图2B中的俯视图示意性地表示了根据本发明的半导体激光器部件的第二实施例。
基本上，该实施例与图1中所示的实施例相应。与此不同，根据图2用于频率变换的非线性光学元件16设置在光学谐振器中并且通过辐射偏转元件进行耦合输出。
在半导体激光器芯片中所产生或增强的辐射13射到辐射偏转元件8，该辐射偏转元件例如通过反射面80的相应的涂层构造为对辐射13是高反射的，该辐射13在反射面80上偏转并且穿过非线性光学元件16，在非线性光学元件中辐射13的一部分转换成频率变换过的辐射160。在通过非线性光学元件之后，未变换的辐射13和频率变换过的辐射160射到外部反射器9，外部反射器优选对这两个辐射13、160是高反射的(例如具有99.9％或者更高的反射率)，并且与图1相反，不是构造用于耦合输出。在外部反射器9上，朝着辐射偏转元件向回反射辐射13和频率变换过的辐射160，并且再一次穿过非线性光学元件，其中辐射13的又一部分被变换成该频率。
在重新穿过非线性光学元件16之后，辐射13和变换过的辐射160射到辐射偏转元件8，辐射偏转元件构造为对辐射13是高反射的并且对频率变换过的辐射160是高透射的。对此，优选对发射面80进行相应地涂覆。因此，辐射13输送给半导体芯片1用于进一步增强，并且频率变换过的辐射160通过辐射偏转元件从谐振器中耦合输出。优选地，频率变换过的辐射这样地耦合输出，使得其基本上平行于支承体的主延伸方向被发射。
在此，辐射偏转元件实施为棱镜。在辐射耦合输出时，辐射160在辐射偏转元件的背离支承体的表面81上内部全反射并且在辐射偏转元件的背离非线性光学元件的侧从谐振器中耦合输出。为了有效的全反射，辐射偏转元件在表面81侧优选相应光滑地抛光。
非线性光学元件16例如构造用于半导体芯片中增强的辐射的频率倍增(SHG)。例如，非线性光学元件从红外辐射中产生绿色辐射或者蓝色辐射。920nm波长的辐射例如可以被变换成460nm波长的辐射。优选地，非线性光学元件例如借助粘合或者焊剂固定在支承体上。
用于频率倍增特别是为了产生蓝色或者绿色光的、合适的非线性光学元件例如可以包括非线性晶体例如LBO(例如三硼酸锂(Lithiumtriborat))或者BiBO(例如硼酸铋(Wismuthtriborat))晶体。
此外，非线性光学元件还可以具有周期极化(PPPeriodically Poled)准相位匹配(QPMQuasi Phase Matching)结构，例如PP-KTP(例如KTiOPO4)、PP-LN(例如PP-LiNbO3)或者PP-LT(例如PP-LiTaO3)。
PP-QPM结构必要时也可以使用在MgO掺杂的或者其它不同于上面所述的化学计算的材料变形方案中。特别是，也可以使用不同于上面所述的化学计算的材料变形方案，例如不同于LiNbO3和LiTaO3的变形方案。
通过使用QPM材料，由于双折射造成的效应例如偏移(walk-off)(来自非线性光学元件的频率变换过的辐射的出射方向与进入该元件中的辐射入射方向的偏差)有利地被减小。
此外，QPM材料的特色在于，即使在非线性光学元件中辐射的射束腰部比较高，频率变换时也是高效率的。在晶体中的频率变换中，效率经常强烈地受到射束腰部影响并且通常随着射束腰部扩大而减小。为了晶体中的效率提高，待变换的辐射可以通过光学元件聚焦到晶体上。然而，在QPM材料中由于提高的材料相关的效率而可以忽略这种聚焦。此外，有利的是，多个PP-QPM-结构可以简化地同时在片复合结构中被制造。
有利的是，通过合适的周期极化，这种非线性光学元件可以简化地匹配半导体激光器芯片的特殊的特性。特别是，这种非线性光学元件的频率变换的光谱的和/或热的接受宽度(Akzeptanzbreite)可以适于半导体芯片或者由该半导体芯片所产生的辐射。
必要时，也可以使用非周期极化的QPM结构作为非线性光学元件来频率变化。该结构相对于周期极化的结构的特色经常是提高的光谱的接受范围，使得在待变换的辐射的频率轻微(例如温度造成的)波动中并不会决定性地提高非线性光学元件中频率变换的效率减小的危险。
不同于图2，在图3中借助图3A中的截面图和图3B中的俯视图示意性地示出的第三实施例中，辐射偏转元件8实施为分束器(Strahlteiler)。
优选地，分束器构造为二色性的分束器。
在表面82侧，分束器优选用对辐射13和频率变换过的辐射160的抗反射涂层来涂覆，反之在构造在分束器的耦合面上的反射面80上，朝半导体芯片反射辐射13并且透射频率变换过的辐射160。这例如可以通过分束器的反射面80侧的相应高反射或者高透射的涂层来实现。在朝半导体芯片的表面或者对置于表面82的表面侧，分束器优选对相应的辐射设置有抗反射涂层。
与图1和2中所示的实施例相反，图3中的辐射偏转元件被频率变换过的辐射160和未频率变换的辐射13透射，其中辐射入射侧相同，而辐射出射侧不同。此外，凹陷14优选完全被辐射偏转元件8遮盖。
在图4中参照图4A中的截面图和图4B中的俯视图示意性地表示了根据本发明的半导体激光器部件的第四实施例。
与图3不同，辐射偏转元件8、非线性光学元件16和外部反射器9都设置在支承体7的朝着半导体芯片的侧上。
通过辐射偏转元件8进行来自谐振器的辐射耦合输出。优选通过间隔元件6的区域从半导体激光器部件中射出辐射，在间隔元件的该区域中根据目的地设置有用于辐射耦合输出的窗17。
通过将谐振器元件和非线性光学元件设置在支承体的朝半导体芯片1的侧上，使构造与上述附图中所表示的实施例相比更小且更紧凑的构型容易。
此外，可以省去支承体中的凹陷，由此有利地提高了保护半导体激光器芯片免受有害的外部影响。
间隔元件6可包含例如硅、玻璃或者陶瓷或者由它们构成。窗17优选地借助钻孔、刻蚀或者锯出作为凹陷引入间隔元件6中。
窗有利地构造为间隔元件中的钻孔、被刻蚀的孔、或者被锯出的间隙或者构造为两个相邻的间隔元件之间的空隙。
在图5中参照图5A中的截面和图5B中的俯视图示意性地表示了根据本发明的半导体激光器部件的第五实施例，并且与图4中所示的实施例主要的不同在于，光学装置构造为用于半导体激光器部件的壳体的壳体部分。
在此，支承体7构造为壳体盖而间隔元件6构造为壳体壁。
支承体优选完全伸展在半导体芯片之上并且还超过半导体激光器芯片而突出。
如图5B中所表示的那样，间隔元件6优选在所有侧环绕半导体激光器芯片1。由此，有利地提高了保护半导体激光器芯片免受有害的外部影响。
在此，辐射偏转元件8、非线性光学元件16和外部反射器9都可以设置在支承体7的朝半导体激光器芯片的侧上，例如如图5A中所示，或者设置在支承体的背离半导体芯片的侧上，例如对应于图2。
在第一种情况中，优选通过窗17进行来自谐振器的辐射的耦合输出，该窗可以构造在间隔元件中或者在两个间隔元件之间。
在后一种情况中，如在图2中那样例如可以在支承体中设置凹陷，并且辐射在背离半导体激光器芯片的侧上从谐振器中耦合输出。
为了进一步防止湿气或者灰尘，可以用密封剂例如粘合剂来密封在两个间隔元件之间存在的、并不用作窗的间隙，如间隙18。
在本发明的一种优选的扩展方案中，从支承体中例如通过喷砂或者刻蚀而结构化出间隔元件6。因此，支承体和间隔元件可以构造为一体式的结构。因此，可以减小间隔元件之间的间隙的数量。
优选地，间隔元件构造为一体式并且无间隙。特别是，可以在支承体中结构化用于半导体激光器芯片的腔。由此，可以使壳体的基本不透气的密封(例如防尘或者湿气)变得容易。
半导体激光器部件的壳体包括芯片支承体、间隔元件6和支承体7，其中支承体7形成壳体盖、间隔元件形成壳体壁以及芯片支承体形成半导体激光器部件的壳体底部。为了构造为壳体盖，支承体的横向伸展优选与芯片支承体的伸展配合。因此，使半导体激光器部件的比较平的表面的构造变容易。
图6中参照图6A中的截面图和图6B中的俯视图示意性表示的根据本发明的半导体激光器部件的第七实施例基本上与图2中所示的实施例相应。不同于图2中所表示的实施例，设置有用于对非线性光学元件调温的调温元件19。调温元件19优选导热地与非线性光学元件相连、设置在非线性光学元件下方和/或直接紧靠非线性光学元件。
调温元件19在本实施例中作为加热电阻集成在支承体7中。合乎目的的是，为此，支承体包含半导体材料，例如硅，并且调温元件借助合适的掺杂实施为pn结，该pn结可以作为加热电阻工作。针对pn结，例如相应地掺杂支承体的表面区域。
替换地或者附加地，可以设置外部未集成在支承体中的调温元件，该调温元件优选设置在支承体与非线性光学元件之间。例如包含Pt的金属薄层电阻，特别适于此。
由于折射率的温度相关性，非线性光学元件的温度波动会导致频率变换过的辐射160的频率的波动。这种波动的危险可以通过借助调温元件19对非线性光学元件的调温来减小。
调温元件19不仅可以设置在支承体的朝着非线性光学元件的侧上，而且可以设置在支承体的背离非线性光学元件的侧上。例如如图4或者5中所示，当非线性光学元件设置在支承体的朝着半导体激光器芯片的侧上时，后者是特别有利的。这样，可以使半导体激光器部件工作中电控制调温元件变得容易。
在本发明的一种有利的改进方案中，在半导体激光器芯片与辐射偏转元件之间特别是距反射面80的间距、特别是光通路为大约2mm，辐射偏转元件距非线性光学元件的朝着辐射偏转元件的表面的间距为1.0mm，
并且在非线性光学元件的朝着外部反射器的表面与外部反射器之间的间距为大约0.5mm。
对具有临界相位匹配的晶体，例如BiBO，非线性光学元件的有利的伸展例如为4mm，或者对PP-QPM结构、例如PP-LN，为3mm。
如果这种谐振器中的端面反射器以20mm的半径球形凹面地弯曲，则对谐振器中的射束半径大约得到了以下值在半导体激光器芯片上为53μm、在辐射偏转元件上为55μm、在非线性光学元件的朝着辐射偏转元件的侧上为56μm、在非线性光学元件的朝着外部反射器的表面上为62μm和在外部反射器上为63μm。
图7中借助截面图示意性表示的根据本发明的半导体激光器部件的第七实施例基本上与图2中所示的实施例相应。与此不同的是，用于射束成形的光学元件20和波长滤波器21设置在谐振器中的光路中。此外，外部反射器9固定在保持元件22上。
光学元件20优选地设置在支承体7上并且固定在那里。例如，光学元件在谐振器中的光路中设置在支承体的背离半导体激光器芯片的或者朝着半导体激光器芯片的侧上。优选地，光学元件设置在凹陷14中。
波长滤波器21设置在支承体的朝着半导体激光器芯片1的侧上并且优选固定在支承体上。光学元件20优选构造为减小待变换的辐射13的射束腰部。通过聚焦在非线性光学元件的范围中，可以在非线性光学元件、特别是在非线性双折射的晶体中实现特别有效的频率变换。
此外，可以提高频率变换的效率，其方式是通过波长滤波器21减小待变换的辐射的、优选红外辐射的光谱的光谱宽度。
光学元件例如可以构造为透镜、特别是具有焦点的透镜，例如构造为传统的凸透镜或者为GRIN-(梯度折射率GRadienten INdex)、Fresnel-、或者衍射透镜。
透镜或者波长滤波器的主面可以平行于或者垂直于支承体的横向主延伸方向设置。
用于波长选择的波长滤波器21例如可以实施为介电滤波器、双折射滤波器或者校准器(Etalon)。替换地，波长选择作用必要时也可以通过光学元件20的相应的、优选单侧的和/或介电的涂层来实现。
外部反射器9设置为谐振器端面反射器不用于耦合输出辐射，并且合乎目的地构造为对辐射13和频率变换过的辐射160是高反射的。辐射偏转元件8在反射面80侧对频率变换过的辐射160是高透射的而对辐射13是高反射的。光学元件20和波长滤波器21优选构造为对辐射13是高透射的。这些反射特性和透射特性可以通过外部反射器、辐射偏转元件、光学元件和/或波长滤波器的的相关表面的合适涂层来实现。
外部反射器9例如可以基本上实施为平坦的或者凹面的。这通过外部反射器9中的虚线示意性地表示，该虚线表示凹面外部反射器。由于通过光学元件射束成形有利地使平坦的实施变得容易，因为射束半径通过光学元件有利地保持为小并且可以省去通过外部反射器的射束成形。
借助图8中的截面图示意性表示的根据本发明的半导体激光器部件的第八实施例基本上与图7中所表示的实施例相应。不同在于，波长滤波器21设置在支承体7的背离半导体激光器芯片1的侧上。此外，与图7不同，辐射耦合输出并非通过辐射偏转元件8来进行，而是通过外部反射器9来进行。
为此，外部反射器对辐射13构造为高反射的，而对辐射160构造为高透射的。辐射偏转元件8的反射面80构造为对辐射13是反射的。波长滤波器21的表面、优选朝着非线性光学元件的表面210构造为对频率变换过的辐射160是高反射的而对辐射13是高透射的，使得由于在波长滤波器上的反射而有利地提高了通过外部反射器9被耦合输出的频率变换过的辐射160的部分。合乎目的的是，波长滤波器对辐射160设置有反射涂层或者对辐射13设置有抗反射涂层。
图9中借助图9A中的截面图和图9B中的俯视图示意性表示的根据本发明的半导体激光器部件的第九实施例基本上与图8中所示的实施例相应。不同在于，省去了用于射束成形的光学元件20。
在该实施例中，为了射束成形，设置有谐振器的另一种折叠。由此，也可以实现对在非线性光学元件16中有效的频率变换足够小的射束半径。
合乎目的地，为了减小射束腰部而将外部反射器9凹面弯曲，并且同时构造为耦合输出反射器和折叠反射器(Faltungsspiegel)。谐振器通过另一外部反射器23来形成边界，该外部反射器优选设置在支承体7上和/或凹面弯曲。非线性光学元件设置在反射器9和23之间的光路中。
合乎目的地，反射器23构造为对辐射160和13是高反射的。发射方向由于谐振器的另一折叠而与由辐射偏转元件朝外部反射器9方向引导的辐射的方向偏差。有利地，另一折叠基本上在平行于支承体7的平面中进行。通过在平行于支承体的平面中的这种折叠，与其它上面所描述的实施例相比，半导体激光器部件必要时可以实施得更紧凑和更小。
图10中借助截面图示意性表示的根据本发明的半导体激光器部件的第十实施例基本上与图1中所示的实施例相应。不同在于，设置有非线性光学元件16，并且在反射面80上反射之前辐射偏转元件被部分透射。频率变换过的辐射160通过外部反射器9从谐振器中耦合输出。在辐射偏转元件的表面84上施加有图10中用点表示的、波长选择的、优选介电的涂层。反射面80上的反射可以在内部全反射的情况下或者借助合适的高反射涂层来实现。这种涂层在图10中交叉地表示。
在图11中借助截面图示意性表示的根据本发明的半导体激光器部件的第十一实施例中，不同在于，波长选择的涂层在反射面80侧施加在辐射偏转元件8上。
图12中借助截面图示意性表示的根据本发明的半导体激光器部件的第十二实施例基本上与图11中所示的实施例相应。与图11的不同在于，在辐射偏转元件8与非线性光学元件16之间，用于波长选择的波长选择元件24(例如棱镜)设置在支承体上。
波长选择例如可以通过波长选择元件24的表面的相应涂层或者通过色散来实现。通过折射率的波长相关性，在辐射穿过波长选择元件24时可以这样提高谐振器中对某些模式的损耗，使得这些模式在半导体激光器芯片中不再被增强。
波长选择的涂层例如可以在光入射侧设置，如在图12中示意性用点在表面241中所表示的那样，和域设置在表面242的光出射侧上，这未在图12中示出。在此，光入射侧和光出射侧针对来自辐射偏转元件的射到波长选择元件的辐射。
在图13中，借助图13A中的第一变形方案和图13B中的第二变形方案的详细截面图示意性地示出根据本发明的半导体激光器部件的第十三实施例。
与图12不同的是，图13中的波长选择元件24设置在来自半导体激光器芯片1的入射到辐射偏转元件8的辐射的光路中。辐射13在表面240侧射到波长选择元件，在那里被折射，横穿波长选择元件并从光出射侧在表面241上转向辐射偏转元件。
除通过在波长选择元件24中的色散的波长选择的作用之外，波长选择元件也可以构造用于偏振选择。为此，合乎目的的是，这样构造表面240，使得辐射13至少大概在布鲁斯特角下地射到该表面。因此，与p-偏振的光相比，s-偏振的光在表面240经受反射损耗。因此，增多的p-偏振的光被导向辐射偏转元件8(s-偏振表示垂直于入射面的线性偏振而p-偏振表示平行于入射面的线性偏振)在根据图13A的变形方案中，波长选择元件24在辐射偏转元件侧设置在支承体7上，优选在辐射偏转元件与支承体之间。
在根据图13B的变形方案中，波长选择元件24固定在支承体7的对置于辐射偏转元件的侧上，并且例如可以完全遮盖凹陷14。在图13B中的变形方案中，波长选择元件24也可以同时构造为偏振选择元件。
谐振器中辐射的偏振状态通过箭头示意性地表示，其中在由半导体激光器芯片所发射的辐射中较早未偏振的状态占优势，而在辐射在布鲁斯特角下射到波长选择元件之后或者在穿过波长选择元件之后p偏振占优势。
在本发明的另一种优选的扩展方案中，辐射偏转元件具有不平的、优选弯曲的表面，该表面用于射束成形。例如，该表面实施为球形、非球形、凹面或者凸面弯曲，并且例如可以借助刻印、打磨、刻蚀或者模制在辐射偏转元件上产生。特别优选地，表面以各种曲率半径、特别是双径向地(biradial)弯曲实施，以便防止谐振器中的辐射的散光。双径向的实施在球形弯曲时证明是特别有利的。因此可以避免小于45°入射角出现的散光。
必要时，根据本发明的一种有利的改进方案，在非线性光学元件的端面上也可以设置弯曲表面，通过反射、也许利用相应的涂层来用于射束成形和/或辐射偏转。特别是，外部反射器可以通过非线性光学元件的端面的相应(部分)反射涂层来构造。
在图14中，借助截面图示意性地表示根据本发明的半导体激光器部件的第十四实施例。
与上述对光学装置的基本上横向的设置示出的实施例不同，在图14中示出了具有垂直于支承体7间隔的外部反射器9的、垂直布置的光学装置。
外部反射器与支承体通过优选实施为分束器的辐射偏转元件8和非线性光学元件16间隔。在半导体激光器芯片1中所产生的辐射13通过辐射偏转元件和非线性光学元件射向外部反射器9，频率变换过的辐射160和辐射13在外部反射器上被反射并且在重新穿过非线性光学元件之后，频率变换过的辐射通过在反射面80上反射(优选与入射方向成大约90°)并且从辐射偏转元件出射，优选基本上平行于支承体7的主延伸方向从谐振器中耦合输出。辐射13输送给半导体激光器芯片1以进一步增强。
在图15中，借助图15A中的截面图和图15B中的俯视图示意性地表示根据本发明的制造方法的实施例。
图15示出了一种用于同时制造多个光学装置的方法。对此，在支承体层700(例如6”硅片)上，为构造多个偏转元件而设置的辐射偏转条800和为构造多个外部反射器而设置的反射器条900设置在支承体层700上，并且借助阳极接合来固定。
此外，在支承体层中，必要时已在辐射偏转条800或者反射器条900的安装之前引入多个为以后的光学装置设置的凹陷14，例如钻孔、被锯出的间隙或者刻蚀孔。在支承体层上的复合结构中，辐射偏转条800和反射器条900有利地已根据以后的光学装置设置在支承体层700上并且相互校准。优选地，辐射偏转条和反射器条在固定在支承体层上之前相互根据以后的光学装置校准。凹陷优选在将元件设置在支承体层上之前引入支承体层中。
此外，在本方法中，非线性光学元件也可以作为根据以后的光学装置为构造多个非线性光学元件而设置的条1600或者作为单个非线性光学元件16设置并且固定在支承体层上。例如，非线性光学元件或条可以粘合或者焊接到支承体层上。通过焊接连接，可以实现将非线性光学元件特别有效地热耦合到优选集成在支承体层中的调温元件上。
间隔元件，例如作为由硅支承体层中形成的台(Meseten)，可以从支承体层中通过对背离辐射偏转条和反射器条的侧的刻蚀结构化出来，或者作为分离的元件固定在支承体层上。
为了制造反射器条，例如首先可以(例如由玻璃)预制二维平面的反射器结构，譬如通过相应地刻印到衬底中，以及可能预制(部分)反射的涂层。随后，从反射器结构中可以获得多个反射器条。
如在图15B中借助俯视图示意性地表示的那样，在将单个的元件固定之后，可以沿着箭头分离为多个分别具有辐射偏转元件8和外部反射器9以及必要时具有非线性光学元件16的光学装置。例如，该分离可以通过锯来实现。
必须注意到，在支承体层上当然可以设置多个辐射偏转条或者反射器条。
总之，通过该方法使有效地制造多个光学元件变得容易。
本专利申请要求2004年7月30日的德国专利申请DE102004037019.2和2004年10月14日的德国专利申请DE 102004050118.1的优先权，它们的所有公开内容通过引用结合于此。
本发明并非通过参照实施例而受限。更准确地说，本发明包括任何新的特征以及特征的任意组合，特别是特征的任意组合包含在专利权利要求中，即使该特征或者组合本身未明确地在专利权利要求或者实施形式中说明。
权利要求
1.一种半导体激光器部件，其具有设置用于产生辐射的半导体激光器芯片(1)和光学装置，所述光学装置包括支承体(7)、设置在所述支承体上的辐射偏转元件(8)和设置在所述支承体上的反射器，其中-所述反射器构造为用于所述半导体激光器芯片(1)的外部光学谐振器的外部反射器(9)，-所述辐射偏转元件设置在所述谐振器内，-所述辐射偏转元件构造为用于偏转由所述半导体激光器芯片(1)所产生的且被所述外部反射器所反射的辐射(13，160)的至少一部分，-所述支承体具有横向的主延伸方向，以及-所述半导体激光器芯片(1)在垂直于所述横向主延伸方向的方向上设置所述支承体之后。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述辐射偏转元件使所述谐振器中的辐射(13，160)偏转到基本上平行于所述支承体(7)的横向主延伸方向的方向上。
3.根据权利要求1或者2所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述外部反射器(9)形成谐振器端部反射器。
4.根据上述权利要求中的至少一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述谐振器借助所述辐射偏转元件(8)来折叠。
5.根据上述权利要求中的至少一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述辐射偏转元件(8)和/或所述外部反射器(9)固定在所述支承体(7)上。
6.根据上述权利要求中的至少一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述辐射偏转元件(8)设置在支承体(7)与外部反射器(9)之间。
7.根据权利要求1至5中的至少一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述辐射偏转元件(8)和所述外部反射器(9)横向并排地设置。
8.根据上述权利要求中的至少一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述半导体激光器芯片(1)是表面发射的半导体激光器芯片。
9.根据权利要求8所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述辐射偏转元件(8)使由所述半导体激光器芯片(1)所发射的辐射基本上平行于所述支承体(7)的横向主延伸方向地朝着所述外部反射器(9)偏转。
10.根据上述权利要求中的至少一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述用于产生辐射的半导体激光器芯片(1)借助一个或者多个泵浦辐射源被光泵浦。
11.根据权利要求10所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述泵浦辐射源和所述半导体激光器芯片(1)的待泵浦的有源区被单片集成进所述半导体激光器芯片(1)中。
12.根据上述权利要求中的至少一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述支承体(7)借助至少一个间隔元件(6)，优选为多个间隔元件与所述半导体激光器芯片(1)间隔。
13.根据上述权利要求中的至少一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述支承体(7)包含玻璃或者半导体材料，优选Si。
14.根据上述权利要求中的至少一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述光学装置构造为用于所述半导体激光器部件的壳体的壳体部分。
15.根据上述权利要求中的至少一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述半导体芯片(1)预先安装在芯片支承体上，并且所述光学装置设置在所述半导体激光器芯片(1)之后和/或固定在所述芯片支承体上。
16.根据上述权利要求中的至少一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述辐射偏转元件(8)和所述外部反射器(9)设置在所述支承体(7)的朝着所述半导体激光器芯片(1)的侧上。
17.根据权利要求1至15中的至少一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述辐射偏转元件(8)和所述外部反射器(9)设置在所述支承体(7)的背离所述半导体激光器芯片(1)的侧上。
18.根据上述权利要求中的至少一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，在所述谐振器中设置有用于频率变换，优选用于频率数倍增加的非线性光学元件(16)。
19.根据权利要求18所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述非线性光学元件(16)设置和/或固定在所述支承体(7)上。
20.根据权利要求18或者19所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述非线性光学元件(16)设置在所述外部反射器(9)与所述支承体(7)之间。
21.根据权利要求18至20中的至少一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述非线性光学元件(16)设置在所述外部反射器(9)与所述辐射偏转元件(8)之间。
22.根据权利要求18至21中的至少一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述非线性光学元件(16)可通过调温元件(19)来调温。
23.根据权利要求22所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述调温元件(19)优选作为加热电阻集成在所述支承体(7)中。
24.根据上述权利要求中的至少一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述辐射偏转元件(8)构造用于将辐射、优选为频率变换过的辐射(160)从所述谐振器中耦合输出。
25.根据权利要求24所述的半导体激光器部件，其特征在于，从所述谐振器中的辐射耦合输出通过所述辐射偏转元件(8)在辐射偏转元件中的内部全反射的情况下进行。
26.根据上述权利要求中的至少一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述辐射偏转元件(8)是棱镜。
27.根据上述权利要求中的至少一项所述的半导体激光器部件，其特征在于，所述辐射偏转元件(8)是分束器。
28.一种用于制造光学装置的方法，所述光学装置设置为用于根据上述权利要求中的至少一项所述的半导体激光器部件的谐振器顶盖，其特征在于以下步骤-提供支承体(7)，-将辐射偏转元件(8)设置在所述支承体上，-将外部反射器(9)设置在所述支承体上以及-完成所述光学装置。
29.根据权利要求28所述的方法，其特征在于，所述辐射偏转元件(8)和/或所述外部反射器(9)借助阳极接合固定在所述支承体(7)上。
30.根据权利要求28或者29所述的方法，其特征在于，在所述辐射偏转元件(8)与所述外部反射器(9)之间将非线性光学元件设置和/或固定在所述支承体(7)上。
31.根据权利要求28至30中的至少一项所述的方法，其特征在于，所述方法构造为用于同时制造多个光学装置。
32.一种光学装置，其具有支承体(7)、设置在所述支承体上的辐射偏转元件(8)和设置在所述支承体上的反射器，其特征在于，所述光学装置设置为用于半导体激光器部件的谐振器顶盖。
33.根据权利要求32所述的光学装置，其特征在于，构造所述根据上述权利要求中的至少一项所述的光学装置。
全文摘要
本发明涉及一种半导体激光器部件，其具有设置用于产生辐射的半导体激光器芯片(1)和光学装置，所述光学装置包括支承体(7)、设置在所述支承体上的辐射偏转元件(8)和设置在所述支承体上的反射器，其中所述反射器构造为用于所述半导体激光器芯片(1)的外部光学谐振器的外部反射器(9)，所述辐射偏转元件设置在所述谐振器内，所述辐射偏转元件构造为用于偏转由所述半导体激光器芯片(1)所产生的且被所述外部反射器所反射的辐射(13，160)的至少一部分，所述支承体具有横向的主延伸方向，并且所述半导体激光器芯片(1)在垂直于横向主延伸方向的方向上设置所述支承体之后。
文档编号H01S5/022GK1989667SQ200580025254
公开日2007年6月27日 申请日期2005年6月24日 优先权日2004年7月30日
发明者米夏埃尔·屈内尔特, 托马斯·施瓦茨, 弗兰克·辛格, 乌尔里希·施特格米尔 申请人:奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司