专利名称：沉积阴影掩膜保护的多层阴影掩膜结构及其制造和使用方法
技术领域：
本发明涉及一种用于在基片上形成电子元件的阴影掩膜，更具体地讲，涉及一种用于真空沉积处理的多层阴影掩膜结构。
背景技术：
有源矩阵底板广泛使用在平板显示器中，用于将信号发送到显示器的像素从而产生看得见的画面。目前，经由光刻(photolithography)制造处理来形成平板显示器的这些有源矩阵底板，在市场中对越来越高的分辨率显示器的需要推动该光刻制造处理，而使用其它制造处理不能够形成这样的显示器。光刻是一种图案形成技术，该技术使用诸如紫外线(UV)辐射技术的电磁辐射来将沉积在基片表面上的抗蚀层进行曝光。用于产生有源矩阵底板的示例性光刻处理步骤包括涂覆光致抗腐蚀、预焙、浸泡、焙、对齐/曝光、洗印、冲洗、焙、沉积层、剥离抗腐蚀、擦洗/冲洗和干燥。可以看出，该有源矩阵制造处理包括多个沉积和蚀刻步骤，从而形成恰当的底板图案。
在微电子制造领域中，真空沉积阴影掩膜处理已经使用多年。该真空沉积阴影掩膜处理与光刻处理相比，成本显著降低并且不复杂。因此，通过使用更有成本效率的真空沉积阴影掩膜处理而非高成本的光刻处理来开发制造大面积显示器的底板的方法是更加有益的。
在阴影掩膜真空沉积处理中，通过每个沉积事件蒸发物层累积在阴影掩膜上，因此随着多个沉积事件进行多层蒸发物累积。然而，随着阴影掩膜上的蒸发物进行累积，由于蒸发物材料在阴影掩膜上的累积，该阴影掩膜开始变形即卷曲或弯曲。更具体地讲，由于来自冷却的收缩该沉积的蒸发物材料通常产生张应力，这会导致阴影掩膜受到压应力。具有一层或多层的累积的蒸发物材料(表面拉伸)的阴影掩膜(表面收缩)的合成系统会因此歪曲或弯曲从而来均衡总应力。这种弯曲会使得蒸发物材料底切该阴影掩膜，即在一个或多个孔的边缘在阴影掩膜与基片之间伸展，这会导致沉积的图案的不规则甚至会导致电路短路。结果，阴影掩膜需要有规则地改变或清洗例如#10沉积事件来避免这个问题。然而，在连续流动系统中有规则的改变或清洗是不实际的，这是因为会花费大量时间并且成本升高。此外，清洗会去除少量的阴影掩膜材料自身，所以清洗会轻微地改变一个或多个孔的尺寸。将对照图1、2A和2B来更加详细地示出该问题。
图1示出了传统沉积掩膜110的俯视图，该沉积掩膜110是适于用于标准阴影掩膜真空沉积处理的标准阴影掩膜的代表例子。不受到限制，传统的沉积掩膜110由一张镍、铬、钢或其它金属的薄片形成。在传统沉积掩膜110内形成有孔112的图案，该孔112是根据相关联的电路布局的预定尺寸、形状和位置的开口。众所周知，在标准阴影掩膜真空沉积处理中，蒸发物材料通过孔112沉积在基片上(图2A和2B所示)。传统沉积掩膜110的全部尺寸由用户定义，并且沉积掩膜110的厚度通常在例如20到40微米的范围内，但是也可以在10到100微米的范围内。
公开阴影掩膜和形成以及使用该阴影掩膜的方法的出版物包括第4919749、5139610、5154797、6156217、6187690和6696371号美国专利以及第2003/0193285号美国专利申请。
图2A示出了沿图1的线A-A剖开的传统沉积掩膜110的截面图，该传统沉积掩膜110与基片210接触并且是在经历沉积事件之前。基片210由阳极氧化铝、柔性钢箔、玻璃或塑料形成而不受到限制。图2A示出传统沉积掩膜110包括第一表面114和第二表面116，该第一表面114与基片210紧密接触，该第二表面116面对沉积源(未示出)，该沉积源提供蒸发物材料，该蒸发物材料不受限制例如是经由蒸发处理沉积的金属、半导体、绝缘体或有机场致发光材料。
图2B示出了沿图1的线A-A剖开的传统沉积掩膜110的截面图，该沉积掩膜110与基片210接触并且是在经历过一个或多个沉积事件之后，该沉积事件将蒸发材料的膜或层212置于传统沉积掩膜110的第二表面116之上。传统沉积掩膜110的第二表面116变成不通过孔112的蒸发物的“着陆区域”，从而层212形成其上。层212是在一个或多个沉积事件期间浓缩并凝固在传统沉积掩膜110的第二表面116之上的蒸发物材料的代表例子。
图2B示出了作为一个或多个沉积事件在孔112之间变形的传统沉积掩膜110的问题。具体地讲，在孔112之间，传统沉积掩膜110卷曲或弯曲，从而孔112的边缘与基片210的表面分离。传统沉积掩膜110(表面收缩)和沉积在掩膜110之上的层212(表面拉伸)之间的应力差导致这种卷曲或弯曲。
结果，孔112的开口变形，从而不再是期望的尺寸。此外，蒸发物能够涌入传统沉积掩膜110的第一表面114和基片210之间形成的间隙。这种涌入也称作“底切”。因此，在最终产品中会出现不期望的不规则，这是因为沉积在基片210之上的产生结构不是期望的几何形状或尺寸。
因此，现有技术中所需要和未公开的是用于增加沉积事件的数目使得阴影掩膜能够容忍而不会弯曲的方法，从而提高连续流动阴影掩膜真空沉积处理的效率和成本效益。
发明内容
本发明是一种多层阴影掩膜，包括沉积掩膜，具有至少一个通孔；以及牺牲掩膜，具有至少一个通孔。所述牺牲掩膜与所述沉积掩膜结合在一起，所述牺牲掩膜的所述一个孔与所述沉积掩膜的所述一个孔对齐。所述牺牲掩膜与所述沉积掩膜以一种方式结合，所述方式为紧挨着其一个孔，所述牺牲掩膜自由离开所述沉积掩膜以在它们之间形成间隙。
响应于在所述牺牲掩膜上沉积的材料的累积，紧挨着其一个孔，所述牺牲掩膜离开所述沉积掩膜并且在它们之间形成间隙。
当所述沉积掩膜和所述牺牲掩膜由相同材料形成时，所述沉积掩膜的所述一个孔和所述牺牲掩膜的所述一个孔的尺寸和形状相同。当所述沉积掩膜和所述牺牲掩膜由不同材料形成时，所述沉积掩膜的所述一个孔和所述牺牲掩膜的所述一个孔的尺寸和形状不同。
本发明还提供了一种阴影掩膜沉积方法，包括步骤(a)提供具有至少一个通孔的沉积掩膜；(b)提供具有至少一个通孔的牺牲掩膜；(c)以使得所述牺牲掩膜的所述一个孔与所述沉积掩膜的所述一个孔对齐的彼此接触的方式和紧挨着其一个孔所述牺牲掩膜自由离开所述沉积掩膜的方式，将所述牺牲掩膜和所述沉积掩膜进行结合；(d)将与所述牺牲掩膜相对的所述沉积掩膜的表面定位为与基片的表面相接触；以及(e)在经由与所述沉积掩膜的所述一个孔对齐的所述牺牲掩膜的所述一个孔暴露的基片的表面上以及与所述沉积掩膜相对的所述牺牲掩膜的表面上沉积材料，从而响应于在所述牺牲掩膜上沉积的材料的累积，紧挨着其一个孔，所述牺牲掩膜离开所述沉积掩膜并且在它们之间形成间隙。
响应于在所述牺牲掩膜上沉积的材料的累积，紧挨着其一个孔，所述沉积掩膜相对所述基片保持固定。
所述方法还包括每次使用不同基片将步骤(d)和(e)重复多次。
所述方法还能够包括(f)使与所述牺牲掩膜相对的所述沉积掩膜的表面与所述基片的表面脱离接触；(g)将所述牺牲掩膜与所述沉积掩膜分离；(h)提供具有至少一个通孔的新的牺牲掩膜；(i)以所述新的牺牲掩膜的所述一个孔与所述沉积掩膜的所述一个孔对齐的彼此接触的方式以及紧挨着其一个孔所述新的牺牲掩膜自由离开所述沉积掩膜的方式，将所述新的牺牲掩膜与所述沉积掩膜进行结合；(j)将与所述新的牺牲掩膜相对的所述沉积掩膜的表面定位为与另一基片的表面接触；以及(k)在经由与所述沉积掩膜的所述一个孔对齐的所述新的牺牲掩膜的所述一个孔而暴露的所述另一基片的表面上以及与所述沉积掩膜相对的所述新的牺牲掩膜的表面上沉积材料，从而响应于所述牺牲掩膜上沉积的材料的累积，紧挨着其一个孔，所述新的牺牲掩膜离开所述沉积掩膜并且在它们之间形成间隙。
所述牺牲掩膜和所述沉积掩膜能够由相同的材料形成。
所述沉积材料能够经由蒸发处理而沉积。所述沉积材料能够是金属、半导体、绝缘体和场致发光材料。
本发明还提供了一种多层阴影掩膜，包括已经结合在一起的多个堆叠的阴影掩膜；以及多个孔，穿过所述多个堆叠的阴影掩膜而形成。所述堆叠的阴影掩膜以一种方式结合在一起，所述方式为紧挨着至少一个孔，一个阴影掩膜自由离开相邻的阴影掩膜以在它们之间形成间隙。
响应于在所述一个阴影掩膜上的材料的沉积，紧挨着其一个孔，所述一个阴影掩膜离开所述相邻的阴影掩膜并且在它们之间形成间隙。
所述阴影掩膜能够由相同材料形成，不受限制，这些相同材料诸如镍、铬、钢、铜、Kovar和Invar。
最后，本发明还提供了一种阴影掩膜沉积方法，包括步骤(a)将多个堆叠的阴影掩膜结合在一起，所述堆叠的阴影掩膜形成了至少一个通孔；(b)将所述堆叠的阴影掩膜定位为与基片的表面接触；以及(c)在经由所述一个孔暴露的所述基片的表面上和与所述基片相对的所述堆叠的阴影掩膜的表面上沉积材料，从而响应于在所述一个阴影掩膜上沉积的材料的累积，紧挨着一个孔，接收材料的沉积的一个阴影掩膜离开相邻的阴影掩膜，从而在它们之间形成间隙。
响应于在所述一个阴影掩膜上沉积的材料的累积，紧挨着一个孔，所述相邻的阴影掩膜相对所述基片保持固定。
所述方法还能够包括每次采用不同基片将步骤(b)和步骤(c)重复多次。
所述方法还能够包括(d)用新的阴影掩膜来替换所述一个阴影掩膜；(e)将包括所述新的阴影掩膜的所述堆叠的阴影掩膜的表面定位为与另一基片的表面接触；以及(g)在经由所述一个孔暴露的所述另一基片的表面上和所述新的阴影掩膜上沉积材料，从而响应于在所述新的阴影掩膜上的沉积的材料的累积，紧挨着一个孔，所述新的阴影掩膜离开相邻的阴影掩膜，从而在它们之间形成间隙。
图1是适于用于传统阴影掩膜真空沉积处理中的现有阴影掩膜的俯视图；
图2A是沿图1中的线A-A剖开的现有阴影掩膜的截面图，该现有阴影掩膜与基片接触并且是在经历沉积事件之前；图2B是沿图1中的线A-A剖开的现有阴影掩膜的截面图，该现有阴影掩膜与基片接触并且是在经历一个或多个沉积事件之后；图3A是根据本发明的多层阴影掩膜的分解透视图；图3B是本发明的多层阴影掩膜的俯视图；图3C是本发明的多层阴影掩膜的侧视图；图4A是沿图3B中的线A-A剖开的本发明的多层阴影掩膜的截面图，该多层阴影掩膜是在经历沉积事件之前；图4B是沿图3B中的线A-A剖开的本发明的多层阴影掩膜的截面图，该多层阴影掩膜是在经历一个或多个沉积事件之后；以及图5是在标准阴影掩膜真空沉积过程中制造并使用本发明的多层阴影掩膜的方法的流程图。
具体实施例方式
对照图3A，根据本发明一个实施例的多层阴影掩膜300包括沉积掩膜310和牺牲掩膜312。沉积掩膜310包括第一表面314和第二表面316。牺牲掩膜312包括第一表面318和第二表面320。沉积掩膜310和牺牲掩膜312都包括相同的孔322的图案。
对照图3B和3C以及继续对照图3A，沉积掩膜310和牺牲掩膜312定向为牺牲掩膜312的第一表面318与沉积掩膜310的第二表面316接触，并且沉积掩膜310和牺牲掩膜312的孔322的图案彼此对齐。
本发明的多层阴影掩膜不限于诸如图3A、3B和3C所示的多层阴影掩膜300的两个掩膜结构。其它实施例可以包括与沉积掩膜310组合的多于一个牺牲掩膜312。
沉积掩膜310和牺牲掩膜312的每个能够由一张镍、铬、钢、铜、Kovar、Invar或其它材料形成而不受限制。Kovar和Invar是可从例如ESPICorp公司(Ashland、Oregon)获得的低热膨胀系数(CTE)材料。在美国，Kovar是目前由Wilmington、Delaware的CRS Holdings公司持有的第337962号注册商标，Invar是当前由法国Imphy S.A.公司持有的第63970号注册商标。
孔322是根据相关联的电路布局的预定尺寸、形状和位置的开口。沉积掩膜310和牺牲掩膜312的全部尺寸由用户定义。不受到限制，沉积掩膜310和牺牲掩膜312的每个厚度通常在20到40微米的范围内，但是可以在10到100微米的范围内。
为了匹配沉积掩膜310和牺牲掩膜312的热膨胀系数(CTE)，最好用相同的材料来形成沉积掩膜310和牺牲掩膜312。CTE定义为每单位温度变化材料的线性尺寸变化。或者，沉积掩膜310和牺牲掩膜312能够由具有不同CTE值的不同材料所形成。然而，沉积掩膜310的孔322的尺寸和牺牲掩膜312的孔322的尺寸可以稍微不同，从而补偿不同的CTE值。
对照图4A，在第一沉积事件之前，沉积掩膜310的第一表面314与基片210紧密接触，牺牲掩膜312的第一表面318与沉积掩膜310的第二表面316紧密接触，并且牺牲掩膜312的第二表面320面对沉积源(未示出)，该沉积源提供蒸发物材料，该蒸发物材料例如是经由蒸发处理沉积的金属、半导体、绝缘体或有机场致发光材料。
对照图4B，响应于经历一个或多个沉积事件的多层阴影掩膜300和基片210，层212(对照图2B描述)形成于牺牲掩膜312的第二表面320之上。牺牲掩膜312的第二表面320变成不通过孔322的蒸发物材料的着陆区域，从而在一个或多个沉积事件期间通过浓缩且凝结层212形成其上。
图4B示出作为一个或多个沉积事件的结果在孔322之间的牺牲掩膜312如何变形同时孔322之间的沉积掩膜310不变形。具体地讲，孔322之间或与孔322相邻的牺牲掩膜312从沉积掩膜310的第二表面316卷曲或弯曲，从而仅仅牺牲掩膜312的孔322的边缘与沉积掩膜310的第二表面316分离。孔322之间的牺牲掩膜312的材料卷曲，这是因为牺牲掩膜312(表面收缩)和沉积在牺牲掩膜312之上的层212(表面拉伸)之间的应力差。然而，即使蒸发物材料会涌入牺牲掩膜312的第一表面318与沉积掩膜310的第二表面316之间的间隙，也能够保持沉积掩膜310的第一表面314与基片210的紧密接触。尽管蒸发物材料充满这个间隙，对沉积掩膜310也不会产生卷曲效果，这是因为在孔322之间沉积掩膜310的第二表面316不是连续延伸的从而不会累积蒸发物材料。结果，沉积掩膜310的第一表面314仍然与基片210紧密接触。因此，由于通过层212的负面效应由牺牲掩膜312屏蔽沉积掩膜310，所以沉积掩膜310的孔322的几何形状和尺寸保持不变。
对照图5，在标准阴影掩膜真空沉积处理中制造和使用本发明的多层阴影掩膜300的方法500的流程图包括步骤510，其中，采用任何用户定义的尺寸以及任何用户定义的孔322的图案，由镍、铬、钢、铜、Kovar、Invar或其它适合材料形成多层阴影掩膜300的沉积掩膜310，而不受限制。
该方法然后进入到步骤512，其中，不受限制，采用与在步骤510中的沉积掩膜310相同的用户定义的尺寸以及与在步骤510中的沉积掩膜310相同的孔322的用户定义图案，由镍、铬、钢、铜、Kovar、Invar或其它适合材料形成多层阴影掩膜300的牺牲掩膜312。
该方法然后进入步骤514，其中，围绕沉积掩膜310的第二表面316和牺牲掩膜312的第一表面318的周界不受限制地使用粘合剂，将沉积掩膜310的第二表面316和牺牲掩膜312的第一表面318进行机械或光学对齐和粘合。或者，沉积掩膜310和牺牲掩膜312通过超声波来对齐和缝合。
该方法然后进入步骤516，其中，通过任何传统技术将沉积掩膜310的第一表面314与基片210紧密接触和固定。
最后，该方法进入到步骤518，其中，执行诸如引证于此以资参考题目为“Active-matrix backplane for controlling controlled elements andmethod of manufacture thereof”的第2003/0228715号美国专利申请所公开的沉积处理之类的沉积处理。该美国专利申请描述了一种由沉积在基片上的电子元件形成的电子器件。通过将基片移入多个沉积真空室，将该电子元件沉积在基片上，其中，该沉积真空室内部具有至少一个材料沉积源和阴影掩膜。来自每个沉积真空室中的至少一个材料沉积源的材料通过该沉积真空室中的阴影掩膜而沉积在基片上，从而在该基片上形成由电子器件阵列形成的电路。通过在基片上材料的连续沉积而单独地形成该电路。
总而言之，本发明的多层阴影掩膜300特别适于用于连续流动阴影掩膜真空沉积处理，这是因为与诸如图1、图2A和2B的传统沉积掩膜110相比，多层沉积掩膜300能够经受增加数目的沉积事件而不会变形。更具体地讲，牺牲掩膜312将沉积掩膜310与诸如层212的蒸发物的累积进行屏蔽，从而防止了由于在沉积掩膜310上冷却和凝固的蒸发物材料的材料应力所导致的孔322之间的沉积掩膜310变形。结果，在连续流动阴影掩膜真空沉积系统中，本发明的多层阴影掩膜300的寿命增加，同时，通过使用多层阴影掩膜300避免了制造不规则。
如果期望，则在一些沉积事件之后，在层212的厚度已经形成足以对未来沉积事件产生负面影响时，能够从沉积真空室中移走包括牺牲掩膜312的第二表面320上的层212的多层阴影掩膜300。一旦从沉积真空室中移走多层阴影掩膜300时，包括其上的层212的牺牲掩膜312能够与沉积掩膜310分离。其后，缺少层212的新的牺牲掩膜以上述方式连同牺牲掩膜312能够结合到原始沉积掩膜310，从而形成新的多层阴影掩膜300。其后，新的多层阴影掩膜300的沉积掩膜310的第一表面314能够经由任何传统技术与基片210紧密接触并且固定，用于接下来的沉积事件。因此，能够将单个沉积掩膜310和多个不同牺牲掩膜312一起使用。
已经对照优选实施例描述了本发明。当阅读和理解前述的详细描述时，会想到显然的变型和修改。本发明应该解释为包括所附权利要求及其等同物范围内的所有这些变型和修改。
权利要求
1.一种多层阴影掩膜，包括沉积掩膜，其具有至少一个通孔；以及牺牲掩膜，其具有至少一个通孔，其中所述牺牲掩膜与所述沉积掩膜结合在一起，所述牺牲掩膜的所述一个孔与所述沉积掩膜的所述一个孔对齐；并且所述牺牲掩膜与所述沉积掩膜以一种方式结合，所述方式为紧挨着其一个孔，所述牺牲掩膜自由离开所述沉积掩膜以在它们之间形成间隙。
2.如权利要求1所述的多层阴影掩膜，其中，响应于在所述牺牲掩膜上材料的累积，紧挨着其一个孔，所述牺牲掩膜离开所述沉积掩膜并且在它们之间形成间隙。
3.如权利要求1所述的多层阴影掩膜，其中，所述沉积掩膜和所述牺牲掩膜由相同材料形成。
4.如权利要求3所述的多层阴影掩膜，其中，所述沉积掩膜的所述一个孔和所述牺牲掩膜的所述一个孔的尺寸和形状相同。
5.如权利要求1所述的多层阴影掩膜，其中，所述沉积掩膜和所述牺牲掩膜由不同材料形成。
6.如权利要求5所述的多层阴影掩膜，其中，所述沉积掩膜的所述一个孔和所述牺牲掩膜的所述一个孔具有不同的尺寸。
7.一种阴影掩膜沉积方法，包括步骤(a)提供具有至少一个通孔的沉积掩膜；(b)提供具有至少一个通孔的牺牲掩膜；(c)以使得所述牺牲掩膜的所述一个孔与所述沉积掩膜的所述一个孔对齐的彼此接触的方式和紧挨着其一个孔所述牺牲掩膜自由离开所述沉积掩膜的方式，将所述牺牲掩膜和所述沉积掩膜进行结合；(d)将与所述牺牲掩膜相对的所述沉积掩膜的表面定位为与基片的表面相接触；以及(e)在经由与所述沉积掩膜的所述一个孔对齐的所述牺牲掩膜的所述一个孔暴露的基片的表面上以及与所述沉积掩膜相对的所述牺牲掩膜的表面上沉积材料，从而响应于在所述牺牲掩膜上沉积的材料的累积，紧挨着其一个孔，所述牺牲掩膜离开所述沉积掩膜并且在它们之间形成间隙。
8.如权利要求7所述的方法，其中，响应于在所述牺牲掩膜上沉积的材料的累积，紧挨着其一个孔，所述沉积掩膜相对所述基片保持固定。
9.如权利要求7所述的方法，还包括每次使用不同基片将步骤(d)和(e)重复多次。
10.如权利要求9所述的方法，还包括步骤(f)使与所述牺牲掩膜相对的所述沉积掩膜的表面与所述基片的表面脱离接触；(g)将所述牺牲掩膜与所述沉积掩膜分离；(h)提供具有至少一个通孔的新的牺牲掩膜；(i)以所述新的牺牲掩膜的所述一个孔与所述沉积掩膜的所述一个孔对齐的彼此接触的方式以及紧挨着其一个孔所述新的牺牲掩膜自由离开所述沉积掩膜的方式，将所述新的牺牲掩膜与所述沉积掩膜进行结合；(j)将与所述新的牺牲掩膜相对的所述沉积掩膜的表面定位为与另一基片的表面接触；以及(k)在经由与所述沉积掩膜的所述一个孔对齐的所述新的牺牲掩膜的所述一个孔而暴露的所述另一基片的表面上以及与所述沉积掩膜相对的所述新的牺牲掩膜的表面上沉积材料，从而紧挨着其一个孔所述新的牺牲掩膜离开所述沉积掩膜并且在它们之间形成间隙。
11.如权利要求7所述的方法，其中，所述牺牲掩膜和所述沉积掩膜由相同的材料形成。
12.如权利要求7所述的方法，其中所述沉积材料经由蒸发处理而沉积；以及所述沉积材料是金属、半导体、绝缘体和场致发光材料之一。
13.一种多层阴影掩膜，包括多个堆叠的阴影掩膜，其已经结合在一起；以及多个孔，穿过所述多个堆叠的阴影掩膜而形成，其中，所述堆叠的阴影掩膜以一种方式结合在一起，所述方式为紧挨着至少一个孔，一个阴影掩膜自由离开相邻的阴影掩膜以在它们之间形成间隙。
14.如权利要求13所述的多层阴影掩膜，其中，响于应在所述一个阴影掩膜上的材料的沉积，紧挨着其一个孔，所述一个阴影掩膜离开所述相邻的阴影掩膜并且在它们之间形成间隙。
15.如权利要求13所述的多层阴影掩膜，其中，所述阴影掩膜由相同材料形成。
16.如权利要求15所述的多层阴影掩膜，其中，所述材料是镍、铬、钢、铜、Kovar和Invar中的至少一个。
17.一种阴影掩膜沉积方法，包括(a)将多个堆叠的阴影掩膜结合在一起，所述堆叠的阴影掩膜限定了至少一个通孔；(b)将所述堆叠的阴影掩膜定位为与基片的表面接触；以及(c)在经由所述一个孔暴露的所述基片的表面上和与所述基片相对的所述堆叠的阴影掩膜的表面上沉积材料，从而响应于在所述一个阴影掩膜上沉积的材料的累积，紧挨着一个孔，接收材料的沉积的一个阴影掩膜离开相邻的阴影掩膜，从而在它们之间形成间隙。
18.如权利要求17所述的方法，还包括每次采用不同基片将步骤(b)和步骤(c)重复多次。
19.如权利要求17所述的方法，还包括步骤(d)用新的阴影掩膜来替换所述一个阴影掩膜；(e)将包括所述新的阴影掩膜的所述堆叠的阴影掩膜的表面定位为与另一基片的表面接触；以及(g)在经由所述一个孔暴露的所述另一基片的表面上和所述新的阴影掩膜上沉积材料，从而响应于在所述新的阴影掩膜上的沉积的材料的累积，紧挨着一个孔，所述新的阴影掩膜离开相邻的阴影掩膜，从而在它们之间形成间隙。
20.如权利要求17所述的方法，其中，紧挨着一个孔，所述相邻的阴影掩膜相对所述基片保持固定。
全文摘要
本发明提供了一种多层阴影掩膜及其使用方法。所述多层阴影掩膜包括与沉积掩膜结合的牺牲掩膜。所述牺牲掩膜对沉积掩膜上蒸发物的累积提供保护以防止沉积掩膜变形。
文档编号H01L21/02GK101065827SQ200580040111
公开日2007年10月31日 申请日期2005年11月22日 优先权日2004年11月23日
发明者杰弗里·W·康拉德 申请人:阿德文泰克全球有限公司