专利名称：集成电路场效应管的结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种场效应管的结构。
背景技术：
现如今，随着集成电路技术的飞速发展，对于电路元器件的集成度的要求也越来越高，在有限的空间里，要求能够设置尽可能多的元器件，以提高集成电路的性能。
现有的场效应管的结构可参见图1所示，图中带状的漏源区域1间隔平行排列，在相邻的漏源区域之间还包括有间隔区域2，直条状的栅极区域3与所述漏源区域1正交排列，所述漏源区域1包括漏极区域11和源极区域12，漏极区域11和源极区域12分别位于所述栅极区域3的两侧。这种集成电路场效应管的结构，使得栅极区域的面积不可能太大，而且使的集成电路的集成度和性能非常有限。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种集成电路场效应管的结构，能够使场效应管的栅极面积增大，使集成电路场效应管的集成度大大提高，从而提升集成电路的整体性能。
为解决上述技术问题，本发明一种集成电路场效应管的结构的技术方案是，包括横向的漏源区域和纵向的栅极区域，所述漏源区域包括漏极区域和源极区域，所述栅极区域与所述漏源区域相交叉，所述漏极区域和所述源极区域分别位于所述栅极区域的两侧，相邻的漏源区域之间还有间隔区域，所述栅极区域在相邻的两漏源区域上的位置相互错开，所述栅极区域延伸至间隔区域后发生弯折，该弯折部分将位于相邻的漏源区域上相互错开栅极区域相连接。
本发明通过使栅极区域发生弯折，不仅使栅极区域在间隔区域的面积增大了，而且还提高了集成电路的集成度，从而提升了集成电路的性能。
下面结合附图和实施例对本发明作进一步描述图1为现有的集成电路场效应管的结构示意图；图2为本发明集成电路场效应管的单个场效应管的结构示意图；图3为本发明集成电路场效应管的整体结构示意图。
图中附图标记为，1.漏源区域；11.漏极区域；12.源极区域；2.间隔区域；3.栅极区域；31.栅极区域在间隔区域上的弯折部分。
具体实施例方式
本发明所述的集成电路的单个场效应管的结构如图2所示，而集成之后的结构如图3所示。本发明包括横向的漏源区域1和纵向的栅极区域3，所述漏源区域1包括漏极区域11和源极区域12，所述栅极区域3与所述漏源区域1相交叉，所述漏极区域11和所述源极区域12分别位于所述栅极区域3的两侧，相邻的漏源区域1之间还有间隔区域2，所述栅极区域3在相邻的两漏源区域1上的位置相互错开，所述栅极区域3延伸至间隔区域2后发生弯折，该弯折部分31将位于相邻的漏源区域1上相互错开栅极区域3相连接。由于所述栅极区域3在所述间隔区域2上发生了弯折，因此与现有的集成电路场效应管相比，本发明的场效应管的栅极区域3在间隔区域4上具有更大的面积。
另外，本发明所提供的集成电路场效应管的集成度也大大提高。如图3所示，相邻的栅极区域3相互呈纵向轴对称排列。在保证栅极区域3占有足够大的面积之后，本发明的场效应管可以在芯片中集成更多的数量，因此能够大大的提高集成电路的性能。
权利要求
1.一种集成电路场效应管的结构，包括横向的漏源区域和纵向的栅极区域，所述漏源区域包括漏极区域和源极区域，所述栅极区域与所述漏源区域相交叉，所述漏极区域和所述源极区域分别位于所述栅极区域的两侧，相邻的漏源区域之间还有间隔区域，其特征在于，所述栅极区域在相邻的两漏源区域上的位置相互错开，所述栅极区域延伸至间隔区域后发生弯折，该弯折部分将位于相邻的漏源区域上相互错开栅极区域相连接。
2.根据权利要求1所述的集成电路场效应管的结构，其特征在于，所述相邻的栅极区域相互呈轴对称。
全文摘要
本发明公开了一种集成电路场效应管的结构，包括横向的漏源区域和纵向的栅极区域，所述漏源区域包括漏极区域和源极区域，所述栅极区域与所述漏源区域相交叉，所述漏极区域和所述源极区域分别位于所述栅极区域的两侧，相邻的漏源区域之间还有间隔区域，所述栅极区域在相邻的两漏源区域上的位置相互错开，所述栅极区域延伸至间隔区域后发生弯折，该弯折部分将位于相邻的漏源区域上相互错开栅极区域相连接。本发明通过使栅极区域发生弯折，不仅使栅极区域在间隔区域的面积增大了，而且还提高了集成电路的集成度，从而提升了集成电路的性能。
文档编号H01L27/085GK101034707SQ20061002457
公开日2007年9月12日 申请日期2006年3月10日 优先权日2006年3月10日
发明者朱振东, 朱英姿, 吴镔 申请人:科圆半导体(上海)有限公司