光刻装置、部件制造方法及其所制造的部件的制作方法

专利名称：光刻装置、部件制造方法及其所制造的部件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种光刻投影装置，其包括·用于提供辐射投影光束的辐射系统；·用于保持掩模的掩模台；·用于保持基底的基底台；·用于将掩模的辐射部分成像在基底的靶部上的投影系统。
这类光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，掩模(调制盘)可含有对应于IC单个层的电路图案，该图案能成像在已涂敷了光敏材料(抗蚀剂)层的基底(硅晶片)的靶区域上(芯片)。一般地，单个晶片包含相邻芯片的整个网格，通过调制盘来逐个辐射这些相邻的芯片。在一类光刻投影装置中，通过将全部调制盘图案一次曝光在芯片上而辐射每一芯片；这类装置通常称作晶片步进器。在另一种装置中(通常称作分步扫描装置)，通过在投影光束下沿给定的基准方向(“扫描”方向)依次扫描调制盘图案、同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一芯片；因为投影系统有一个放大系数M(通常＜1)，所以对晶片台的扫描速度v应当是对调制盘台扫描速度的M倍。关于如这里所述的光刻装置的更多信息可以从国际专利申请WO97/33205中获得。
直到最近为止，这类装置还是包括单个掩模台和单个基底台。而现在，至少两个独立地活动的基底台已经通用于设备中；例如可参看国际专利申请WO98/28665和WO98/40791中所描述的多级装置。这类多级装置的基本操作原理是，当第一基底台在投影系统下面以曝光位于其上的第一基底时，第二基底台能到达加载位置，卸下已曝光的基底，装上新的基底，在该新基底上进行一些初始对准测量，然后作为备用，待第一基底曝光完成，就移动该新基底至投影系统下面的曝光位置，由此不断循环；以这种方式，能实现设备生产量的相当大的增长，而又降低了设备成本。
目前通用的光刻装置中，采用的辐射通常是紫外(UV)光，其由例如准分子激光器或汞灯得到；这类装置使用具有365nm或248nm波长的UV光。然而急速发展的电子工业不断要求光刻装置能实现更高的分辨率，其迫使该行业期望有更短波长的辐射，尤其是具有193nm或157nm的UV光。除此之外还有一些可能的情况，包括远UV光带(EUV波长～50nm或更小，例如13.4nm、13.5nm或11nm)、X射线、离子束或电子束的使用。所有这些所谓的下一代辐射在空气中都会被吸收，因此必须将使用这些辐射的环境至少部分地抽真空。这引起了大量的问题。
例如，在J.B.Murphy等人在Applied Optics 32(24)，pp6920-6929(1993)的文章中，能找到光刻投影装置中EUV的使用的常规讨论。在US5,079,112和US5,260,151，以及在EP-A98201997.8(P-0113.000-EP)中，能找到关于电子束光刻的类似的讨论。
作为参考引入本申请的欧洲专利申请EP 0 957 402 A2描述了一种光刻装置，其投影系统通过一介入空间与基底台分隔开。该介入空间能至少部分地被抽真空。该介入空间包括一中空管，其不断被气流冲洗，以减少基底台和投影系统之间的交叉污染。该气体基本上不吸收EUV辐射。根据EP 0 957 402 A2，该气体为Ar或Kr。在使用期间，辐射穿过管，从投影系统射向基底台保持的基底。使用氩气的优势在于，氩气的“可移动性”或“可泵性”相对较好。例如，在光刻装置使用的常规的真空泵，如涡轮分子泵中，与诸如氢气(分子量2)这类很轻的气体的泵速、或像氙气(分子量131)这类很重的气体的泵速相比较，氩气(分子量40)的泵速相对较大。
作为参考引入本申请的国际申请WO01/84241 A1描述了一种光刻装置和方法，其包括使用清洗气的非接触型密封室。其中，在光源表面与光学目标表面之间提供一清洗过的光路，以及在光源表面与光学目标表面之间提供相对移动。使用控制纯度的清洗气。
本发明的目的是要改进在开始的段落中所述的，兼用于真空或半真空环境中的光刻投影装置。特别是，本发明的目的是这类装置应当与使用包括EUV、带电粒子或X射线的辐射相容。更具体地，本发明的目的是这类装置应当不会受到由于投影系统的劣化导致的操作性能下降所产生的严重“停工时间”的损失。本发明的还一个目的是提供至少一个用于密封彼此不同的装置区域的密封室，该密封室帮助防止这些区域间的交叉污染。
实现这些目的的基本装置包括在开始的段落中所详细说明的装置，包括下列特征a)通过介入空间将投影系统与基底台分离，该介入空间至少能部分地被抽真空，并由固体表面在投影系统的位置处界定，所采用的辐射从该位置处射向基底台；b)介入空间包括位于所述固体表面和基底台之间并围绕辐射路径设置的中空管，该管的形状和尺寸是这样的使得投影系统聚焦在基底台上的辐射不会与该中空管壁交叉。
c)提供用于利用气流连续冲洗中空管内部的部件。
例如在US6,459,472B1中，描述了一种公知的动态气栓。此外，下文中将描述装置的改进特征。
在(a)点下被提及的“固体表面”是，例如，投影系统中的末端反射镜，辐射从这里射向基底，或是由玻璃质材料构成的(薄)光学平面(即光学窗口)。术语玻璃质的在这里应该被解释为包括这样的材料，例如硅酸盐、石英、各种透明的氧化物和氟化物(例如氟化镁)以及其它耐火材料。
在导致本发明的试验中，本发明人制造了一个样机装置，其中的辐射系统发出EUV(具有大约13.4nm的波长)。投影系统(包括各种反射镜)用于将激光辐射聚焦在基底台上，该台上可以安装测试晶片。提供一围绕投影系统的基本上抽真空的盒子，其一端由激光的出口孔界定，另一端由基底台界定，以使得辐射源至基底的辐射路径基本上没有空气，因此在投影系统和基底台之间包括介入空间。该介入空间由投影系统中的末端反射镜(以上所述的“固体表面”)界定在面向基底台的一边。这种抽真空是必须的，因为EUV在空气中会被大量吸收，并且抽真空目的还在于要避免在基底水平面的实质的光损失。
在样机系统的工作过程中，本发明人观察到投射到基底台上的涂覆有抗蚀剂的晶片上的精细(亚微米尺寸)图案的分辨率和清晰度的急速下降。经过探寻和研究这一问题的许多种不同的可能原因，发明人最终观察到投影系统中的末端光学表面(反射镜)已经被污染到不能接受。此外分析表明，污染物是因为存在有机材料的伪(spurious)涂覆所产生的，其随后确认为是由来自晶片上的抗蚀剂层的碎屑和副产物所构成。显然，这类材料是由EUV束从晶片上“溅射”释放出来的，并且晶片和投影系统之间的抽真空的介入空间允许释放出的材料不经历实质散射或偏移，而朝投影系统(和其它邻近表面)迁移。一旦到达投影系统，这些材料就被吸附到系统的高精确度的光学表面上，从而导致所述的光学表面劣化。
在努力克服该问题的过程中，本发明人增大了基底台和投影系统之间的距离，但仍然可以观察到投影系统的末端光学表面的急速污染。随后的计算(参看下文的“抗蚀剂污染物”)显示，事实上这种方法一定是不能令人满意的，需要一种更根本的抗污染的方法。最终，在尝试了各种其它方法之后，本发明人得出了如上述步骤(b)和(c)所述的解决方法。在本发明的解决方法中，气体清洗可防止抗蚀剂碎屑到达第一位置中的投影系统。
清洗中所采用的气体应该是基本上不吸收投影光束中的辐射(如EUV)，同时对于污染物具有相当低的扩散常数的物质。这类用于动态气栓的气体的例子有Ar和Kr。
因此根据本发明的第一个方面，提供了一种用于将图案从构图部件投射到基底上的光刻装置，该光刻装置包括至少一个气体清洗的、在该装置的不同区域之间延伸的密封孔，其中该装置包括至少一个用于将轻气体供给密封孔的供给器。
使用诸如Ar这类气体的动态气栓描述在US6,198,792B1中，其描述了在膜中的一个孔，该膜将投影系统区域与基底区域分离，该孔用于允许所投射的辐射照射在基底上。惰性气流穿过该辐射束的传输方向。
在US6,683,936B2、US 6,642,996B2和EP 0 532 968 A1中描述了一种动态气栓，该气栓描述了一种沿着与所投射的辐射相同方向进行的流动，其还具有投射的辐射必须通过它传输的膜或窗口。这些最近文献的引导惰性气体的中空管可以是锥形的，并且用一层膜覆盖在其顶部，在照射到基底上之前，辐射必须穿过该膜而传播。该膜防止惰性气体向上朝着投影系统流动。
具有防止惰性气体朝上流动的膜的问题在于，穿过该膜的所投射的辐射量不可避免地会被吸收或偏移。典型的损失量是EUV辐射强度的一半。使用重的气体例如Ar的问题在于，由于要移动更大的分子量，因此需要更大的压力以使得更重的气体发生所希望的流动。
本发明要设法避免EUV辐射的损失，同时充分利用动态气栓的益处。
本发明的装置可以包括锥形的中空管，其内锥角从所述的固体表面向基底台方向延伸。由于投影系统用于将图像聚焦在基底上，由投影系统形成的辐射将形成朝向晶片上的最终图像的锥形。如果所采用的中空管是模拟所述锥形的圆锥形，则该管必须具有最小容积以密封所述出射幅射。其优点在于，因为最小化了需要产生有效冲洗的气流量，所以导致节省了材料；此外，减少了加载到系统的气体。
气体可以通过管壁中的至少一个开口被引入中空管中。或者，气体也能，例如越过该管的顶边缘而被引入。在前者的实施方案的具体方式中，开口是对于所用气体来说是多孔的区域。
中空管中的气体冲洗可以至少部分地朝向基底台。完全存在于基底和投影系统之间的气体(无论静态还是动态)对来自基底的碎屑提供了散射障碍。然而如果这种气体还朝向基底，则能提供防备那些碎屑到达投影系统的保护。应当注意，清洗不需要全部朝向基底；例如，如果气体通过位于管壁的上下边界(边缘)之间的某些点(如中间)处的开口引入，则部分气体能从孔朝上(朝投影系统)流动，剩下的气体能朝下(朝基底)流动。
动态气栓可以按照如上所述的方式提供，其中所用的气体为氢气、重氢或氚、氘化的氢，或气体轻气体。
动态气栓可以不具有使介入空间与包括中空管的空间分隔开的部件，并且该中空管可以包括一个区域，其中来自基底的污染流的流动与气体的流动是相反的。
固体表面可以是一个反射表面，并且从该反射表面至保持在基底台上的基底的靶部分的光路可以仅横穿流体；即，可以没有将介入空间与包括中空部件的空间分隔开的部件。
第二实施方案基于这一发明构思与单独使用氩气相比较，至少包括氩气和氢气的清洗气体混合物能提供密封孔的特别好的密封效果。与使用纯氩气相比较而言，按照本发明的经适当选择的氩气和氢气的混合物能提供关于孔的密封性的相对较高的优值，同时该混合物还能更容易的从装置中泵出。此外，通过使用氢气和氩气的混合物，能增加密封气体的导热性。通过本发明大概也能猝灭因使用纯氩气所产生的电离效果。当选择使流入系统的气体达到一特定的密封性水平时，适当选择的氩气和氢气的混合物能产生比单独使用氩气或氢气更低的照射能量的吸收。
类似地，在其中可以考虑氩气的真空应用中，由于氢气的猝灭作用，可以有利地使用氢气和氩气的混合物。这类应用包括用来减少污染的气帘、在真空室内的背景含量的惰性气体的使用，以及用于清洗的惰性气体的使用。
本发明也基于这一发明构思既不使用纯氩气也不使用纯氢气作为密封气体是有利的。根据本发明，使用氩气和氢气的适当的混合物，其综合了使用纯氢气和氩气的优点并减少了其缺点。令人惊讶地是，这种混合物减少了例如潮气和烃的交叉污染，同时，甚至当采用相对较高的氢气和氩气供给速率时，该混合物也能例如通过一个或多个涡轮分子泵，相对容易且有效地从装置中除去。例如，作为非限制性例子，对于常规的涡轮分子泵，氩气的泵速约为2800升/秒，而相应的氢气的泵速仅为约1800升/秒。为了达到一个好的近似值，50％/50％的两种气体混合物的泵速将为它们的平均值，即大约2300升/秒。
能通过以下发明构思来解释本发明。第一，密封部件的特性，在其它因素之中，取决于所用的密封气体的种类及其流速。而且，密封气体物质具有特征质量的分子量以及与污染物质碰撞的横截面，例如通过该密封气体物质能够阻挡这些污染物质或将其除去。特征质量和碰撞横截面，与所述的流速一样，能决定用于抑制污染流的密封气体的效果。通过扩散常数D将每种气体的效果定量化。
第二，根据本发明，用于密封所述孔的气体越多，则能被气体以特定泵排量所吸收的辐射，例如EUV辐射越多。例如，过多的气流量能导致不期望的EUV投影辐射的衰减。
因此，根据本发明，密封气体物质的优值Fm能按照Fm＝1/(22.5.α.Dc)被计算。由此得出结论，根据本发明的氩气对于孔的密封具有相对较低的优值。当投影光束具有短波长如EUV束时，氢气具有至少高于氩气的相对较高的优值。
然而，氢气具有相对较低的分子量。因此，例如当使用一个或多个对低分子量具有低压缩比的涡轮分子泵时，氢气与氩气相比较，较难从装置中除去。但是低分子量的氢气会使得装置内的气流具有更小的传导损耗(conductanceloss)因此，适合的氢气和氩气的混合物被用作密封流体，其混合物在给定吸收率处提供了比氩气本身更好的密封性，并且比氢气本身能更好的去除。在本发明之前，没有一项发明使用氩气和氢气的混合物作为密封气体混合物来达到这一单纯构思。优选地，该混合物包括一定含量的氩气，并且该混合物包括尽可能多的氢气，其中还要防止氢气爆炸的可能。
根据本发明的进一步的实施方案，提供了一种制造部件的方法，包括在光刻装置中的基底上投射图案化的辐射束，其中该装置的至少两个区域由至少一个气体清洗的密封孔彼此密封，其特征在于该方法还包括，通过氢气、氦气、氘化的氢、氘或重氢、或至少含氩气和氢气的混合物中的至少一种，来清洗所述的孔。
根据本发明的进一步的实施方案，提供了一种用于光刻装置的密封室，包括在装置的两个区域之间延伸的气体清洗的密封孔，其中该密封室具有至少一个用于将轻气体供给给密封孔的供给器。
本发明的进一步的实施方案提供了氢气、氦气、氘化的氢，氘或重氢、或基本上含氢气和氩气的混合物中的至少一种用于冲洗光刻投影装置的密封孔的用途。
根据本发明的进一步的实施方案，提供了一种包括一个或多个由描述上述方法的机器可读指令组成的序列的计算机程序以及其中存储有这种计算机程序的数据存储介质。
在使用依照本发明的光刻投影装置的制造工艺中，掩模中的图案在基底上成像，该基底至少部分地被能量敏感的材料(抗蚀剂)层所覆盖。在该成像步骤之前，基底可以经过各种处理，如涂底漆、涂敷抗蚀剂和软烘烤。曝光之后，可以对基底进行其它的处理，如曝光后烘烤(PEB)、显影、硬烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础，使例如IC的部件的单层形成图案。然后可以对这种图案化的层进行各种处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学—机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每一新层重复全部步骤或者其变化。最终，在基底(晶片)上出现部件阵列。然后采用例如切割或者锯断的技术将这些部件彼此分开，可以将单个部件安装在载体上，与管脚等连接。关于这些步骤的进一步信息可从例如Peter van Zant的“微型集成电路片制造半导体加工实践入门(Microchip FabricationAPractical Guide to Semiconductor Processing)”一书(第三版，McGraw HillPublishing Co.，1997，ISBN 0-07-067250-4)中获得。
尽管具体参考本发明上面所提到的装置用于制造IC，但是应该明确理解这些装置可能具有其它应用。例如，它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示板、薄膜磁头等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，在说明书中任何术语“调制盘”、“晶片”或者“芯片”的使用应认为分别可以由更普通的术语“掩模”、“基底”和“靶部”代替。
尽管本文中的讨论比较集中在使用EUV上，但是应当明确注意，本发明也可应用于采用其它辐射类型的系统。例如，就采用UV光结合(部分)抽真空的环境的光刻装置而言(针对例如减少基底污染物)，本发明能防止在UV投影光学系统上的抗蚀剂碎屑的聚集。类似地，就电子束或离子束光刻而言，本发明能防止在场镜(field-lens)电极上的基底产生的碎屑的聚集。就所有情况而言，本发明都能防止来自基底的碎屑迁移至掩模、辐射源等上。
借助于实例性的实施方案和示意性的附图将进一步阐述本发明及其所带来的益处，其中

图1表示光刻投影装置的示意图；图2表示图1所示装置的部分横截面图；图3表示第二种光刻投影装置的示意图；图4表示图2所示装置的部分横截面图。
图中，同样的附图标记表示对应的特征。
装置概览图1提供了适于本发明使用的光刻投影装置的示意性透视图。该装置包括·辐射系统SO、IL，用于提供辐射投影光束PB(例如，10-15nm范围波长的EUV光，或电子、离子或X射线通量)；·掩模台MT，用于保持并定位掩模MA(例如调制盘)；·基底台WT，用于保持并定位基底W(例如抗蚀剂涂覆的硅晶片)；·投影系统PS(例如反射系统(反射镜组)或场镜)，用于将掩模MA的辐射部分成像在基底W的靶部分C(芯片)上。
辐射系统包括产生辐射束的光源SO(例如同步加速器、波动器或激光器、或带电粒子或X射线源)。该光束穿过光束成形系统IL，以致于所形成的光束PB是基本上准直的并且在整个横截面上是均匀强度的。
光源与光刻装置可以是单独的构件，例如当光源为受激准分子激光器时。在这种情况下，不认为该光源是构成光刻装置的一部分，并且借助于包括例如适合的定向镜和/或光束扩展器的光束传送系统，辐射束从光源SO到达照明器IL。在其它情况下该光源可以是该装置整体的一部分，例如当光源为汞灯时。光源SO和照明器IL，以及如果需要的话，加上光束传送系统一起被称作辐射系统。
照明器IL可以包括用于调整辐射束角强度分布的调整器。一般至少能够调整照明器光瞳平面中的强度分布的外径和/或内径范围(通常分别称为σ-外和σ-内)。此外，照明器IL一般还包括其它各种元件，例如积分器IN和聚光器CO。这种照明器用于调节辐射束，使之在其横截面具有预期的均匀性和强度分布。
随后，光束PB入射到保持在掩模台MT上的掩模架内的掩模MA上。穿过掩模MA后，光束PB再穿过投影系统PL，由其将光束PB聚焦于基底W的靶部分C上。
借助于第二定位部件PW和位置传感器IF2(如干涉仪部件、线性编码器或电容传感器)，能够很精确地移动基底台WT，例如在辐射束PB的路径中定位不同的靶部分C。类似地，例如在从掩模库中机械取出掩模后或在扫描期间，可以使用第一定位部件PM和其它位置传感器IF1将掩模MA相对于辐射束PB的路径进行精确定位。一般地，借助于构成第一定位部件PM的长冲程模块(粗略定位)和短冲程模块(精确定位)，可以实现掩模台MT的移动。类似地，使用构成第二定位部件PW的长冲程模块(粗略定位)和短冲程模块(精确定位)可以实现基底台MT的移动。在步进器的情形中(与扫描器相对)，掩模台MT只能与短冲程致动装置连接或者固定。使用掩模对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2，可以对准掩模MA和基底W。尽管所述基底对准标记占用了专用的靶部，但是它们也可以定位在靶部的间隔中(通称为划道对准标记)。类似地，在掩模MA上有一个以上芯片的情况下，掩模对准标记可以位于这些芯片之间。
所述的装置能按照二种不同模式使用·在步进模式中，将掩模台MT固定，整个掩模图像被一次投影(即单“闪”)到靶部C上。然后基底台WT沿x和/或y方向移动，以使不同的靶部C能够由(固定)光束PB照射；·在扫描模式中，基本为相同的情况，但是给定的靶部C没有暴露在单“闪”中。取而代之的是，掩模台MT沿给定的方向(所谓的“扫描方向，例如x方向”)以速度v移动，以使投影光束PB扫描整个掩模图像；同时，基底台WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同时移动，其中M是投影系统PS的放大率(例如M＝1/4或1/5)。这样可以曝光更大的靶部分C，而不损害分辨率。
支承结构支承也即承受构图部件的重量。它保持构图部件的方式取决于构图部件的方向、光刻装置的设计和其它条件，例如构图部件是否保持在真空环境中。支承结构可以使用机械、真空、静电或者其它固定技术来保持构图部件。支承结构可以是例如框架或者工作台，它可以根据需要固定或者移动。该支承结构可以确保构图部件位于例如相对于投影系统所需的位置。可以认为这里的术语“调制盘”或者“掩模”的任何使用与更通用的术语“构图部件”是同义的。
这里使用的术语“构图部件”应广义地理解为能够给辐射束的截面赋予图案从而在基底靶部形成图案的任何部件。应注意的是，赋予辐射束的图案可以不和基底靶部所要的图案完全一致，例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征。一般，赋予辐射束的图案与在靶部中形成的部件如集成电路这样的特殊功能层相对应。
构图部件可以是透射型或者反射型的。构图部件的例子包括掩模、程控反射镜阵列和程控LCD面板。掩模在光刻领域是公知的，掩模类型包括如二元型、交替相移型和衰减相移型，以及各种混合掩模类型。程控反射镜阵列的一个例子采用了小型反射镜的矩阵设置，每个反射镜可以单独倾斜从而能够反射不同方向入射的辐射束。这种倾斜的反射镜将图案赋予由镜面矩阵所反射的辐射束。
这里使用的术语“投影系统”应广义地理解为各种类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性、电磁性和静电光学系统或其组合，只要其适合于使用曝光辐射，或者其它因素如使用浸液或者使用真空。这里使用的术语“投影透镜”应理解为与更普通的术语“投影系统”同义。
这里所述的装置是反射型的(例如采用反射掩模)。或者，该装置也可以是透射型的(例如采用透射掩模)。
光刻装置可以为具有两个(双级)或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)的类型。在这种“多级式”装置中，可以并行使用辅助台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，同时使用一个或者多个其它台进行曝光。
光刻装置也可以是这种类型，其中至少部分基底由具有相对较高折射率的液体如水所覆盖，以填满投影系统和基底之间的空间。浸液也能应用于光刻装置的其它空间内，例如在掩模和投影系统之间。浸没技术在现有技术中公知的是用于增加投影系统的数值孔径。这里所用的术语“浸没”不是指诸如基底这类结构必须被淹没在液体中，而仅是指在曝光期间，液体位于投影系统和基底之间。
如果投影光束PB包括诸如EUV、带电粒子或X射线这类的辐射，则通常需要至少沿着光束PB从光源SO至晶片W的路径，至少部分抽真空所述装置。这类抽真空存在缺陷，即其允许来自晶片W的抗蚀剂碎屑越过相对较长的距离而迁移至投影系统PL，因此这类碎屑能聚集在光学表面(例如反射镜)并导致其质量严重劣化。
已知为了防止碎屑聚集到那些光学表面上，需要提供一窗口或透明膜以将基底与投影系统的光学表面分隔开。然而，但取而代之的是，碎屑会聚集到膜上，辐射因该膜而削弱，所以用这种方法不能真正解决该问题。
使用本发明的例如后面所述的实施方案能解决该问题。
抗蚀剂污染物上述抗蚀剂污染物能分为两部分溶剂和曝光产物。用于将抗蚀剂旋转涂覆至晶片上的溶剂是必须的，但是经过在例如160-175℃量级的温度下的几个小时的烘烤之后，一般它们会蒸发掉。因为分子量太高，所以不太可能抗蚀剂的全部分子都在曝光期间蒸发。然而，在曝光期间被光束裂解后可能有部分抗蚀剂分子会蒸发。
当抗蚀剂被能量辐射照射时，抗蚀剂分子的长链会交联或断裂，这取决于所使用的抗蚀剂的类型负型或正型抗蚀剂。烘烤时，将产生短链的有机材料，并且这些短链的有机分子可以从抗蚀剂中蒸发。在真空系统中，这些粒子自由穿过系统并到达投影系统的那些光学元件上，这能从被照射的晶片上“看到”，甚至抗蚀剂和光学元件之间的距离可能会非常大(例如约0.5米)。含碳和氧的分子更容易吸附在反射镜表面上。
污染物分子的平均自由程为
λ=(kBT)/(2pπd2)]]>其中kB＝波尔兹曼常数[1.38×10-23J/K]T＝气体温度[例如300K]p＝照相机内的背景气体的压力[Pa]d＝污染物分子的有效直径平均起来，如果环境压力低于3×10-4毫巴，碎屑分子能到达0.5m处的表面而没有散射。该压力等于，或高于EUV系统内的压力，所以我们可以认为碎屑分子能到达末端投影系统反射镜，而没有阻碍。假设污染物分子以cos(θ)角度分布。因此，至少所有的以与EUV束同样的立体角发射的分子将会到达末端反射镜。对于NA(数值孔径)＝0.1，它占总产额的分数为 其中α是EUV束的张角的一半[NA0.1α～5.5°]。到达末端反射镜的这部分分子将被吸附。吸附的结果会减少反射镜的反射率和/或降低其表面光滑度，其导致EUV光散射的增强。
总积分散射(TIS)为(4πσ/λ2)数量级，其中σ是RMS表面粗糙度，而λ是入射光波长。由于1％数量级的表面粗糙度允许有TIS，我们得到了0.1nm数量级的最大可接受的RMS表面粗糙度。假定50％的粗糙度是由于污染物吸附引起的，则得到污染物引起的粗糙度(RMS)=0.05nm=(ΣΔz2/N)1/2=(fΔz2)]]>其中Δz所吸附的污染物的有效厚度∑反射镜上辐射覆盖的区域内的全部颗粒的总和N反射镜上辐射覆盖的区域内单层颗粒数f单层覆盖的分数假定所吸附的分子的直径为0.25nm数量级(例如对于CO2为0.23nm)，能计算出容许的单层覆盖的分数的最大值为约5％。换句话说，0.05单层的污染物沉积之后，光学元件不用遵循对粗糙度的这些要求。这表示在投影系统(例如US5,063,568中描述的“Jewell-type”投影系统)的末端反射镜上的EUV束覆盖面积内允许的最大值为1014吸附的碎屑分子/cm2。
为了计算在最大容许碎屑层沉积在无掩蔽的反射镜上之前所要花费的时间，必须知道13.4nm辐射所引起的碎屑通量。由λ＝13.4nmEUV(92.7eV)或11nm(109eV)的EUV辐射后发射的中性物的光解吸量，能由4.9eV光子(254nm辐射)或25eV电子冲击后的生成量的测量来估算[参见G.Hiraoka，IBM Journalof Research and Development，1977，pp121-130]。其假设该能量范围内的生成量仅与激发能成比例，并且是单独的激发类型[G.D.Kubiak等，J.Vac.Sci.Technol.B10(6)，1992，pp2593-2599]。从表1显示的数据(从上述Hiraoka的文章中得到的)中我们推断出，对于PMMA抗蚀剂，每100eV的入射光子释放一个烃分子数量级(CO2产物忽略不计)。如果假设PMMA对75mJ/cm2的13.4-nm的辐射敏感，则从表列数据中我们可以发现，对于PMMA，每用EUV辐射曝光一次的总光解吸量为5×1015分子/cm数量级。对于AZ.PN114抗蚀剂，其应该小于两个数量级。有几个制造商正在开发专用于EUV的抗蚀剂。预计排气到一定程度。
如果300nm晶片的40％的区域被曝光，则对于PMMA，产生的烃量为1018分子/晶片数量级，对于AZ.PN114，产生的烃量为1016分子/晶片数量级。上面已经证明了，这些烃分子的1％会沿光路折回并覆盖末端反射镜。末端反射镜上的覆盖区域为～1002cm，这意味着每个使用PMMA抗蚀剂的辐照晶片会有1014个碎屑分子/cm2击中无掩蔽的反射镜。换句话说，假定所有分子都是粘性的，仅一个晶片曝光之后，末端反射镜的碎屑覆盖范围已经超出最大允许值。
表1.由于辐射和电子轰击而从PMMA抗蚀剂产生的污染物
*单体化合物例如甲基丙烯酸甲酯、新戊酸甲酯和异丁酸甲酯尽管上述计算仅仅是粗略的近似值，但是应当清楚，已证实的污染是不被容忍的。因此，找到能增加光学元件的使用寿命的方法是重要的。
实施方案1和2下文中的表2涉及本发明的气体冲洗的用途，并显示了对于以各种含量和位置引入的气体，所计算出的压力分布以及污染物分布。背景(backgroud)压力为2.5Pa。每球面度的气体负载量是给定的；因此，实际负载在系统上的气体大于2π。
表2.由于管中的气流而对碎屑的抑制
以上数值是使用计算机流体动力学(Computer Fluid Dynamics)计算得出的。在这些计算中能保证可靠结果的最低背景压力为2.5Pa。然而，在实际系统中该压力可能更低。
当入口位置的气压为常数时，效率和气体路径能随着晶片上引入的气体的高度的增加而增加。这是因为，通常，单独朝着晶片的气体流能够有效防止碎屑进入投影系统所在的(真空)空间内，并且当气体在更高的位置引入时，这类防止会在更大的距离上出现。由气体路径的改变引起的吸附的改变不是非常重要。对于最高引入位置而言吸附率小于10％。
对于位于晶片上约50mm处的35Pa气压的引入点而言，相应于深入管内30mm，假定晶片和管的底部之间的最终间距为20mm，则能达到合理的结果。在该工作点，仅有9％的EUV光吸收率的1011的碎屑抑制率是可能的(将清洗光学元件的平均时间间隔增大了四个或更多数量级)。
通常，对于同样的EUV吸收，H2和Ar的阻止效率是相当的。然而，完整系统的构造不允许系统内的诸如Ar这类重气体有足够的压力。诸如H2、D、HD和He这类较轻的气体不产生这类问题。这是因为比起较重气体，更大量的较轻气体能以同样的分子形态通过同一开口泵送。分子速率直接与分子量的平方根成比例。换句话说，对于系统而言，轻气体更容易在容许的压力水平泵送。
根据本领域的上述情况，因为较重气体更可能首先沿着正确方向流动，其次拦截从基底流出的污染物分子，所以使用更轻的元素例如氢气或氦气应该不是显而易见的。
实施方案1图2表示图1所示的装置的一部分，并表明了如何应用本发明的第一实施方案。
来自(例如被反射)掩模MA的投影光束PB在碰撞到位于基底台WT上的基底W之前，先穿过投影系统PS。这种情况下，投影系统PS包括四个反射器(反射镜)R1、R2、R3、R4，其用于根据给定的规则将光束PB聚焦。在该具体实施例中，投影系统PS位于壳B内，其具有允许光束PB进出的入口孔I和出口孔O。尽管壳B的压力有助于防止反射镜R1-R4表面上的抗蚀剂碎屑的聚集，但是数量减少了的这些碎屑仍然可能到达这些反射镜，例如通过孔O。然而，没有膜或窗口覆盖着孔O。尽管膜或窗口可以防止基底的碎屑进入壳B内，但是膜会削弱大量的辐射束，这还会产生潜在的关于投影光束强度的误差区域，而且对于光源提供的辐射束也需要更大的初始强度。此外，膜或窗口本身也会聚集碎屑，降低了其对于辐射束的透明度。
投影系统PS由介入空间L与基底台WT分隔开。该空间L由系统PL中的“末端”反射镜R4的固体反射表面S在投影系统PS的位置处界定。应当注意，最终射向基底W的辐射来自该反射镜R4。
空间L包括中空管T，其围绕辐射束PB从表面S至基底台WT的路径设置。由此得到管T的形状、尺寸和位置，以使得其管壁不会截取光束PB。在这种情况下，管T作为壳B的延续，从出口孔O向外突出。此外，如这里所述，管T在基底台WT的方向内成锥形。
根据本发明的第一实施方案，管T含有基本上不吸收EUV的气体，例如H2、He、Ar或Kr。优选地，沿基底W的方向穿过管T冲洗该气体。这能够例如通过在其顶部边缘附近(E1)、或在其顶部与底部边缘之间的某些点(E2)处将向下的气流引入管T来实现；在后者这类的中间点(E2)处引入的情况下，例如部分流动可能是向下的而部分可能是向上的。使用像H2这样的小分子的优势在于，这种气体可能更适合于穿过将气体引入中空管的多孔开口。
中空管是具有空间B的流体通道。这是为了让辐射束PB不被中空管顶端的附加的窗口或膜削弱而到达基底。其提供了光束PB的最终强度的更好的精确度。然而，惰性气体G可以形成角度，以确保惰性气体流处于最适合除去来自基底表面的污染物引起的投影系统(例如R4)污染的方向。因此，至少惰性气体的一个区域会沿适当方向流向来自基底表面的污染物流，即，向下朝着基底表面W。例如，在管中可使用膛线，迫使气流朝下，由此污染流向外远离中空管。
使用轻分子而不是Ar的优点还在于，例如，其更利于被EUV辐射(或所用的其它辐射)离子化。Ar会蚀刻反射镜表面并减少反射镜的使用寿命，而如果全部是He、HD、D和H2则蚀刻非常小，因为其分子尺寸较小。
此外，使用H2或其同位素的优点在于，当其被EUV辐射(例如)照射时，能形成氢自由基或活性H2或其它活性物质，其通过与污染物反应并沿着气流运送它们而能在原位消除烃或Sn污染。
实施方案2图3还示意性显示了图1的适于包括用于将氩(Ar)和氢(H)供给给装置的气体供给系统10的装置。也示意性地表示了泵系统20，它包括一个或多个气泵，用于从装置中至少部分地除去气体。气体供给系统10被构造为将至少氩气和氢气的混合物供给给装置的密封孔，以提供气体清洗的密封孔。为了清楚，该密封孔没有明示于图1中。密封孔用于使用所述的氩气和氢气混合物密封彼此不同的装置区域。
图4示意性地表示了本发明的实施方案的一个进一步的实施例，包括在两个相邻区域1、3之间延伸的气体清洗密封孔2。在图4中，密封孔2是在装置的两个基本分隔开的区域1、3之间延伸的流体通道。该密封孔也能被称为动态气栓、动态气封等。每个密封孔可以具有不同的尺寸、方向和形状。
该装置可以包括各种气体清洗密封孔2，每个孔都可以在装置的各个区域之间延伸。一个或多个气体清洗密封孔均可以用于，例如传送所述的装置的各部分之间的辐射投影光束，这类使用公开在所述欧洲专利申请EP 0 957 402 A2中。气体清洗密封孔2也可以用作隔振器密封组件的一部分，这类或类似的密封组件在美国专利US6,333,775中有描述，这类或类似的设备公开在国际申请WO 01/84241 A1中，在此作为参考引入。此外，包括上述辐射源SO的光源区域，也可以由一个或多个本发明的密封孔所密封。例如，密封孔能在包括投影光学元件、投影系统PS的光学元件区域与包括照射器IL的照射器区域之间延伸；或者密封孔也能在包括所述的辐射源SO的光源区域与包括所述的照射器IL的照射器区域之间延伸。
例如，密封孔2可以在选自下列的装置区域之间延伸用于调节辐射束的照射系统的照射区域；用于支撑构图部件MA的构图部件区域，构图部件MA能给辐射束的截面赋予图案以形成图案化的辐射束PB；用于保持基底W的基底台WS的基底区域3；包括辐射源SO的光源区域；以及用于将图案化的辐射束投射到基底的靶部上的投影系统PS的投影光学元件区域1。
在图4中，例如，密封孔2在包括投影光学元件的光学元件区域1，和用于保持至少一个基底W的基底区域3之间的界面中延伸。或者，例如，所述密封孔在装置的构图部件区域和光学元件区域延伸，构图部件区域包括用于构图部件的支撑部件，光学元件区域包括投影光学元件。
特别设计并构造泵系统20以将氢气和氩气从装置的各个区域除去，从而防止其中形成一定的压力。泵系统20可以包括，例如，至少一个泵，优选至少一个涡轮分子泵，其适于将装置的一个或多个相应区域抽真空至相对较低的压力。在图4的实施方案中，一个或多个第一真空泵V1与光学元件区域1相连，用以除去其中的气体。此外，一个或多个第二真空泵V2与密封孔2相连，用以除去其中的气体。该装置还包括，例如，一个或多个第三真空泵V3，用于将基底区域3抽真空。一个或多个所述真空泵V1、V2、V3也可以是一体的。此外，泵系统可用于将装置的其它区域抽真空。每个真空泵V1、V2、V3可以连接到装置的各个区域的不同位置。
根据本发明的一个方面，所述气体混合物包括99％-1％的氩气和1％-99％的氢气。这里，通量单位为毫巴/秒。当所述混合物包括79％-39％的氩气和21％-61％的氢气时，能得到好的结果。例如，所述混合物能包括69％-49％氩气和31％-51％氢气。这类气体密封混合物对可以到达密封孔2的交叉污染提供相当有效的抑制。此外，该气体混合物能相对较好地被从装置中除去，例如使用一个或多个涡轮分子泵。而且，因为氢气具有相对较低的分子量，所以氢气在气体混合物中的应用也使得装置内的气流传导损耗更小，表3比较了氩气和氢气的一些特性。
表3氩气和氢气的特性按照Dayton(参看Dayton，B.B.，Foundations of Vacuum Science andTechnology，Ed.J.Lafferty，Wiley，1998)计算扩散常数。从表3中看到，使用13.5nm波长λ的EUV辐射时，氩气具有相对较高的吸收系数。氢气具有较低的吸收系数。此外，氩气具有比氢气低的扩散常数。按照本发明，在本实施例中，上述氢气的优值1/(22.5.α.Dc)比氩气的优值高7.4倍。另一方面，氩气比氢气更容易由真空泵从装置中除去。因此，本发明提供所述的氩气和氢气混合物用于清洗密封孔2的用途，其很好地减少了装置的各个区域之间的交叉污染，这些区域中的一个或多个可以保持在相对较低的真空压力中。
如图4的实施方案所示，所述气体供给系统10可以包括，例如，至少一个包括氩气储存器11的氩气供给器、至少一个包括氢气储存器12的氢气供给器以及一个或多个将所述氩气和氢气储存器11、12与密封孔2互相连接的供给通道13、15。该气体供给系统可以被构造为，例如，将基本上包括氩气和氢气的混合物供给给密封孔。在本实施方案中，该装置还包括设置于氩气和氢气供给器11、12之间的气流控制器14。该气流控制器14被构造为能混合适当流量的氢气和氩气，并通过通道15将所合成的氢气氩气混合物供给给密封孔2。或者，该气体供给系统可以被构造为能将氢气和氩气分别供给给所述密封孔2，从而在孔2中形成期望的氢气/氩气混合物。本领域技术人员应当清楚，所述气体供给器也可以以各种其它方式被构造。
在操作中，图3和/或4的装置能用于包括将图案化的辐射束投射在基底W上的部件制造方法中，其中至少两个区域1、3由至少一个气体清洗的密封孔2彼此密封。然后，根据本发明，所述密封孔由至少氩气和氢气的混合物所清洗。该混合物优选基本上仅包括氩气和氢气。例如，按照以上所述，所述气体混合物能包括99％-1％氩气和1％-99％氢气，例如79％-39％氩气和21％-61％氢气，尤其是69％-49％氩气和31％-51％氢气。这里，通量单位为毫巴/秒。
根据本发明的方法中，所述密封孔可以至少在装置的用于保持至少一个基底的基底区域3与包括投影光学元件的光学元件区域1之间延伸，以防止污染物从基底区域3到达光学元件区域。优选地，在使用期间，至少一个涡轮分子泵会将所述区域和/或所述密封孔中的至少一个抽吸至特定要求或适当的压力水平。在图2的实施方案中，所述氢气和氩气在供给至所述密封孔2之前，被气流控制器14混合。或者，所述氢气和氩气被分别供给至所述密封孔，从而在所述孔内形成适当的密封气体混合物。当该混合物被一个或多个涡轮分子泵泵送时，因为使用了氢气/氩气混合物，所以能防止泵的转子的不希望的高温，尤其是与公知的使用纯氩气作为密封气体的情况相比较时。这能通过与较高热传导率的氩气/氢气混合物相比较，氩气的热传导率相对较低来解释(例如，氩气的热传导率为0.0174W/mK，而氢气为0.175W/mK)。此外，当使用纯氩气时，会发生可能破坏装置的光学元件的电离效果。通过使用所述氩气和氢气的混合物，能避免或至少能减少这类电离效果。
优选地，氩气和氢气混合物的流量为大约3-100毫巴升/分钟范围。为了有效地抑制污染流，所述流量相对较高。另一方面，所述流量还提供了在装置内相对较低的真空压力，如果期望并依赖所安装的任何真空泵部件的能力。
尽管在本文中以IC制造中的光刻装置的使用为具体示例，但是应该理解这里描述的光刻装置可以具有其它应用。例如，它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器，液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，这里的任何术语“晶片”或者“芯片”的使用应认为分别与更普通的术语“基底”或“靶部”同义。在曝光之前或之后，这里所述的基底可以在例如涂胶机(一种典型地将抗蚀剂层应用于基底上并显影曝光后的抗蚀剂的工具)或计量或检验工具中进行处理。这里所公开的内容可以应用于这样或其它的适合的基底处理工具。此外，基底可以处理不止一次，例如为了形成多层IC，因此这里所用的术语基底也涉及已经含有多个处理层的基底。
这里使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有365、248、193、157或者126nm的波长)和远紫外辐射(EUV)(例如，具有5-20nm、如13.5nm的波长)，以及粒子束，如离子束或者电子束。
本文中的术语“透镜”可以涉及各种类型的光学元件，包括折射型、反射型、磁性、电磁性和静电光学元件中的任何一种或其组合。
尽管上面已经描述了本发明的具体实施方案，但是应当明白，除上述方式之外本发明仍然可以以其它方式实施。例如，本发明可以是包括一个或多个描述上述方法的由机器可读指令组成的序列的计算机程序，或者是其中存储有该计算机程序的数据存储介质(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)。
以上描述用于示例性说明而非限制。因此，本领域技术人员应当清楚本发明有下列的不背离权利要求的保护范围的变形。
例如，能包括气体净化系统，其被构造为执行关于氩气、氢气和/或氩气/氢气混合物的气体净化步骤。图2示意性地表示了气体净化系统51，它被包括在气流控制器14的下游处以净化氢气/氩气混合物。
气体供给器能以各种方式被构造，并且能例如，被构造为能混合预定气体比例的氢气和氩气，以及能在希望的时限内保持预定的氢气和氩气的预设气体比例。
此外，本领域技术人员应当清楚，气体供给器能包括一个或多个控制气流的阀52(看图4)或类似的流量控制部件。
该装置也能包括适当的控制部件50，例如计算机或控制器，以控制气体混合物和气体流量。能以各种方式连接气体供给系统的控制部件50，其能被构造为控制至少一个供给器以便将至少氩气和氢气的混合物供给给密封孔。这类控制部件50能例如使用上述计算机程序来操作，当该程序装载在控制部件中时。
此外，密封孔能在各种压力条件下操作，例如其中的流动是分子的或过渡的(transitional)压力条件，或以其它例如取决于密封孔的尺寸的压力条件。
权利要求
1.一种光刻装置，其被构造为将一图案从构图部件投射至基底上，其特征在于该光刻装置包括至少一个在该装置的不同区域之间延伸的气体清洗的密封孔，其中该装置包括至少一个构造为给密封孔供给一种或多种气体的供给器，所述气体选自氢气、氘或重氢、氘化氢以及氩气和氢气的混合物。
2.根据权利要求1所述的光刻装置，其中所述混合物包括99％-1％的氩气和1％-99％的氢气。
3.根据权利要求1所述的光刻装置，其中所述混合物包括79％-39％的氩气和21％-61％的氢气。
4.根据权利要求1、2或3中的任一项所述的光刻装置，其中所述密封孔至少在装置的基底区域和光学元件区域之间延伸，该基底区域被构造为用于保持至少一个基底，该光学元件区域包含投影光学元件。
5.根据权利要求1-4的任一项所述的光刻装置，其中所述密封孔在以下区域之间延伸—在装置的包括构图部件的支撑部件的构图部件区域与包括投影光学元件的光学元件区域之间；或—在包括投影光学元件的光学元件区域与包括照射器的照射器区域之间；或—在包括辐射源的光源区域与包括照射器的照射器区域之间。
6.根据权利要求1-5的任一项所述的光刻装置，其中所述不同的区域至少包括以下几种用于调节辐射束的照射系统的照射区域；用于支撑构图部件的构图部件区域，所述构图部件能给辐射束的截面赋予图案以形成图案化的辐射束；用于保持基底的基底台的基底区域；包括辐射源的光源区域；以及用于将图案化的辐射束投射到基底的靶部上的投影系统的投影光学元件区域。
7.根据权利要求1-6的任一项所述的光刻装置，其中所述装置包括至少一个泵，它用于将所述区域中的至少一个和/或所述孔的至少一部分抽真空，其中所述至少一个泵优选包括至少一个涡轮分子泵。
8.根据权利要求1-7的任一项所述的光刻装置，其中所述供给器包括至少一个氢气储存器、至少一个氩气储存器以及至少一个用于将所述氢气和氩气储存器与密封孔互相连接的供给管道。
9.根据权利要求1-8的任一项所述的光刻装置，其中所述供给器被构造为将基本上包含氩气和氢气的混合物供给给密封孔。
10.根据权利要求1-9的任一项所述的光刻装置，包括在至少一个在装置的至少两个分隔开的区域之间延伸的流体通道。
11.根据权利要求1-10的任一项所述的光刻装置，其中所述气体供给系统包括在将氢气和氩气供给给所述流体通道之前，将氢气和氩气混合的部件。
12.根据权利要求1-11的任一项所述的光刻装置，其中所述气体供给系统被设置成将氢气和氩气分别供给给所述流体通道。
13.根据权利要求1-12的任一项所述的光刻装置，包括用于净化氩气、氢气和/或氩气/氢气混合物的气体净化系统。
14.根据权利要求1-13的任一项所述的光刻装置，其中所述气体供给器被设置成能混合预定气体比例的氢气和氩气，和/或能在希望的时限内保持预定的氢气和氩气预设的气体比例。
15.根据前述任何权利要求的光刻装置，其中所述供给器包括一个或多个用于控制一条或多条气流的阀。
16.根据权利要求1-15的任一项所述的光刻装置，包括用于控制至少一个供给器以便将至少氩气和氢气的混合物供给给密封孔的控制部件。
17.根据前述任何一次权利要求的光刻装置，包括·用于提供辐射投影光束的辐射系统；·用于保持掩模的掩模台；·用于保持基底的基底台；·用于将掩模的辐射部分成像在基底的靶部上的投影系统。其中a)投影系统与基底台由介入空间分隔开，该介入空间能至少部分地被抽真空，并且其在投影系统位置处由固体表面界定，所用的辐射从该表面指向基底台；b)介入空间包括位于固体表面和基底台之间的并围绕辐射路径设置的中空管，该管的形状和尺寸是这样的使得投影系统聚焦在基底台上的辐射不会与该中空管壁交叉。c)提供用于利用气流连续冲洗中空管内部的部件。
18.根据权利要求17所述的光刻装置，其中没有将介入空间与包括中空管的空间分隔开的部件；并且该中空管包括一个区域，在该区域内从基底流出的污染的流动与气体的流动是相反的。
19.根据权利要求17或18所述的光刻装置，其中所述固体表面是反射表面，并且从该反射表面至由基底台保持的基底的靶部分的光路仅横穿流体。
20.一种用于光刻装置的密封室，包括在装置的两个区域之间延伸的气体清洗的密封孔，其中该密封室具有至少一个被构造为给密封孔供给至少一种气体的供给器，所述至少一种气体选自氢气、重氢或氘、氘化氢或氩气和氢气的混合物。
21.一种包括在光刻装置中将图案化的辐射束投射到基底上的部件制造方法，其中装置的至少两个区域通过至少一个气体清洗的密封孔彼此密封，其特征在于，该方法还包括通过氢气、氦气、氘化氢、氘或重氢、或者至少氩气和氢气的混合物中的至少一种清洗所述的密封孔。
22.根据权利要求21所述的部件制造方法，其中所述的气体流量为大约3-100毫巴/min的范围。
23.使用权利要求1-19的任一项所述的装置和/或根据权利要求21或22所述的方法制造的部件。
24.至少一种氢气、氦气、氘化氢、氘或重氢、以及基本上包括氢气和氩气的混合物用于冲洗光刻投影装置的密封孔的用途。
25.一种包括一个或多个描述根据权利要求21或22的方法的由机器可读指令构成的序列的计算机程序。
26.一种其中存储有根据权利要求25的计算机程序的数据存储介质。
全文摘要
一种光刻投影装置，包括·用于提供辐射投影光束的辐射系统；·具有掩模架用于保持掩模的掩模台；·具有基底架用于保持基底的基底台；·用于将掩模的辐射部分成像在基底的靶部分上的投影系统。由此a)用介入空间将投影系统与基底台分隔开，该介入空间至少能部分地被抽真空，并且其在投影系统位置处由固体表面界定，所用的辐射从该表面指向基底台；b)介入空间包括位于固体表面和基底台之间的并围绕辐射路径设置的中空管，该管的形状和尺寸是这样的使得投影系统聚焦在基底台上的辐射不会与该中空管壁交叉。c)提供用于利用气流连续冲洗中空管内部的部件，其中所述气体为氢气、氦气、氘化氢、氘或氩气和氢气的混合物，并且该气体的流动与来自基底的污染物的流动相反，并且/或中空管与介入空间流体连通。
文档编号H01L21/027GK1841212SQ200610077418
公开日2006年10月4日 申请日期2006年3月28日 优先权日2005年3月29日
发明者J·H·W·雅各布斯, V·Y·巴尼内, B·D·布里威斯特, V·V·伊弗诺夫, B·M·默滕斯, J·H·J·穆尔斯, R·G·利夫西, B·T·沃尔施里恩 申请人:Asml荷兰有限公司