专利名称：发光单元的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种发光单元(LIGHT EMITTING UNIT)，特别是涉及一种具有发光二极管的发光单元。
背景技术：
发光二极管是由半导体材料所制成的发光组件，组件具有两个电极端子，在端子间施加电压，通入极小的电压，经由电子电洞的结合，则可将剩余能量以光的形式激发释出。
不同于一般白炽灯泡，发光二极管属冷发光，具有耗电量低，组件寿命长、无须暖灯时间、反应速度快等优点。再加上其体积小、耐震动、适合量产，容易配合应用上的需求制成极小或数组式的组件。目前发光二极管已普遍使用于照明、信息、通讯、消费性电子产品的指示器及显示装置上，成为日常生活中不可或缺的重要组件。近来，发光二极管更被应用作为液晶显示器(Liquid crystal Display，LCD)中背光模块的背光源，并有逐渐取代传统冷阴极荧光灯管的趋势。
请参阅图1所示，现有技术中以发光二极管作为光源的背光模块1，具有一壳体11、至少一光学薄膜12、一承载板13以及复数发光二极管封装模块20。其中，复数发光二极管封装模块20是设置于承载板13上。
请参阅图2及图3所示，发光二极管组件21的基板211是设置于散热座212以利散热，而晶粒213设置于基板211经由打线接合至导线架214，以使晶粒(Die)213借由导线架214而与其它组件电性连接。由图中可知，发光二极管的晶粒213先设置于基板211后，再安装在散热座212上而完成封装。加上打线接合的制程，因此发光二极管组件21的制作过程是相当复杂。
然而，发光二极管封装模块中的晶粒213通常是利用半导体制程的磊晶(Epitaxy)制程来制造，其中，晶粒213发光的波长是由磊晶层的材料来决定，因此磊晶制程是发光二极管制程中，成本最高的一部份。
虽然在制造过程中，晶圆是经过相同的制程控制以使全部的晶粒213发出一目标颜色的光。但是，通常同一批次所制造出来的复数晶粒213，甚至是同一晶圆上的复数晶粒213，都可能具有相当大的波长变化(wavelength length variation)。例如同一批次的晶粒213的目标颜色为绿色，但是可能其中一个晶粒发出的光波峰波长为500nm，另一个晶粒却可能发出的光波峰波长为506nm。
然而，在某些应用领域中，例如是液晶显示器的背光模块、或是汽车的高级车灯中，常需要复数波长几乎一致的发光二极管封装模块。因此，晶粒的波峰波长是会被严格要求的。也就是说，不论是同一批次生产出的复数晶粒、或是同一晶圆上的复数晶粒，唯有落入一狭小的波峰波长范围者，才符合业者的质量控管标准，可被挑选成为良品而应用于产品中。其它在波长范围之外的晶粒，往往成为不良品，无法使用。如此一来，晶圆上所有的晶粒则无法完全使用，晶粒利用率不高，使得发光二极管封装模块的生产成本居高不下，进而使得背光模块的成本也相当昂贵。
由此可见，上述现有的发光单元在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，晶圆上的发光二极管晶粒利用率不高，并造成背光模块生产成本居高不下，因此亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的发光单元，便成为当前业界极需改进的目标。
有鉴于上述现有的发光单元存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型的发光单元，能够改进一般现有的发光单元，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的主要目的在于，克服现有的发光单元存在的缺陷，而提供一种新型的发光单元，所要解决的技术问题是使其包括至少一发光二极管封装模块，发光二极管封装模块包括两个发光二极管晶粒以发出一目标波峰波长，提高晶圆上的发光二极管晶粒的利用率，并降低背光模块的生产成本，从而更加适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种发光单元，其包括一发光二极管封装模块，包括一承载体、一第一晶粒以及一第二晶粒，该第一晶粒及该第二晶粒设置于该承载体，该发光二极管封装模块是用以发出一目标波峰波长，该第一晶粒具有一第一波峰波长，该第一波峰波长大于该目标波峰波长，该第二晶粒具有一第二波峰波长，该第二波峰波长小于该目标波峰波长，该第一波峰波长与该第二波峰波长是属于同一色系，其中该第一晶粒与该第二晶粒相距一第一距离；以及一光学薄膜，邻设于该发光二极管封装模块，该光学薄膜具有一可视区，该发光二极管封装模块与该可视区或与该可视区的边缘具有最短的一第二距离，该第一距离是小于该第二距离。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的发光单元，其中所述的第一晶粒与该第二晶粒是同时或不同时发光。
前述的发光单元，其中所述的第一波峰波长与该第二波峰波长的差值小于50nm。
前述的发光单元，其中所述的第一波峰波长与该第二波峰波长的差值小于30nm。
前述的发光单元，其中所述的目标波长与该第一波峰波长的差值，不等于该目标波长与该第二波峰波长的差值。
前述的发光单元，其中所述的目标波长与该第一波峰波长的差值，等于该目标波长与该第二波峰波长的差值。
前述的发光单元，其中所述的第一晶粒与该第二晶粒的发光强度不同。
前述的发光单元，其中所述的目标波峰波长约介于615nm至650nm之间。
前述的发光单元，其中所述的目标波峰波长约介于515nm至555nm之间。
前述的发光单元，其中所述的目标波峰波长约介于455nm至485nm之间。
前述的发光单元，其中所述的发光二极管封装模块更包括一第三晶粒，其具有一第三波峰波长，该第一波峰波长、该第二波峰波长以及该第三波峰波长是属于该色系。
前述的发光单元，其中所述的第三波峰波长大于该第一波峰波长，该第三波峰波长与该第二波峰波长的差值小于50nm。
前述的发光单元，其中所述的第三波峰波长是小于该第二波峰波长，该第一波峰波长与该第三波峰波长的差值是小于50nm。
前述的发光单元，其中所述的第三晶粒与该第一晶粒相距一第三距离，该第三距离是小于该第二距离。
前述的发光单元，其更包括另一发光二极管封装模块，是邻设于该发光二极管封装模块。
借由上述技术方案，本发明发光单元至少具有下列优点依本发明的一种发光单元包括至少一发光二极管封装模块以及一光学薄膜，其中发光二极管封装模块包括两个发光二极管晶粒以发出一目标波峰波长。与现有技术相比，发光二极管封装模块具有第一晶粒及第二晶粒，且第一波峰波长与第二波峰波长是属于同一色系，第一晶粒与第二晶粒相距一第一距离，而发光二极管封装模块与可视区或与可视区的边缘具有最短的一第二距离，其中第一距离小于第二距离。如此一来，本发明的发光单元可借由挑选具有适当匹配波长的复数晶粒，也就是可组合出目标波峰波长的复数晶粒，将两个以上的复数晶粒封装在一起而形成发光二极管封装模块。因此，各个发光二极管的封装模块可使人眼在目标波峰波长处，感受到宛如二颗具有目标波峰波长的发光二极管的发光强度。另外，借由挑选匹配晶粒的过程，封装业者即可放宽良品晶粒的波峰波长的范围，进而能提升同一晶圆或同一批次晶圆的晶粒利用率，并降低发光单元的材料及减少原物料的浪费。
综上所述，本发明新颖的发光单元，提高了晶圆上的发光二极管晶粒的利用率，并降低了背光模块的生产成本。本发明具有上述诸多优点及实用价值，其不论在产品结构或功能上皆有较大的改进，在技术上有显著的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的发光单元具有增进的功效，从而更加适于实用，并具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
图1是现有技术中以发光二极管作为背光模块的一示意图。
图2是现有技术中背光模块中的发光二极管封装模块的一示意图。
图3是沿图2直线A-A’的发光二极管的封装模块的剖面示意图。
图4是本发明的发光单元的一示意图。
图5是沿图4中的直线B-B’的发光二极管封装模块的剖面示意图。
图6是本发明的发光二极管封装模块的另一示意图。
图7是本发明的发光二极管封装模块的另一示意图。
图8是本发明的发光二极管封装模块的另一示意图。
图9是本发明的发光二极管封装模块中，第一晶粒及第二晶粒所发出波长频谱的一示意图，其中，第一晶粒与目标波长的差值等于第二晶粒与目标波长的差值。
图10是为本发明的发光二极管封装模块中，第一晶粒及第二晶粒所发出波长频谱的另一示意图，其中，第一晶粒与目标波长的差值不等于第二晶粒与目标波长的差值。
图11是为本发明的发光单元的另一示意图，其中发光单元为直下式的背光模块。
图12是为本发明的发光单元的另一示意图，其中发光单元为侧光式的背光模块。
图13是为本发明的发光二极管封装模块的另一示意图，其中发光二极管封装模块是具有三个发光二极管晶粒。
1背光模块 11壳体12光学薄膜13承载板20发光二极管封装模块 21发光二极管组件211基板 212散热座213晶粒 214导线架30发光单元30’发光单元40发光二极管封装模块 40’发光二极管封装模块41承载体 41’承载体42第一晶粒43第二晶粒44内导线 45封胶材料46引线47第三晶粒50光学薄膜50’光学薄膜60壳体70固定板d1第一距离d2第二距离d3第三距离D晶粒V可视区 λt目标波峰波长λ1第一波峰波长 λ2第二波峰波长λ3第三波峰波长 A-A’直线B-B’直线具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的发光单元其具体实施方式
、结构、特征及其功效，详细说明如后。
首先，请参阅图4至图11所示，以说明本发明第一实施例的发光单元。
请参阅图4所示，发光单元30主要包括一发光二极管封装模块40以及一光学薄膜50。本实施例中，发光单元30是以一直下式发光单元30为例。
请参阅图5所示，其是沿图4中的直线B-B’的发光二极管封装模块40的剖面示意图。发光二极管封装模块40包括一承载体41、一第一晶粒42以及一第二晶粒43。其中，发光二极管封装模块40用以发出一目标波峰波长λt(target peak wavelength)，目标波峰波长可例如是介于615nm至650nm之间的红光、介于515nm至555nm之间的绿光、或波峰波长约介于455nm至485nm之间的蓝光。也就是说，目标波峰波长可由业者自行订定规格，为发光二极管封装模块40最后让人眼接受到的波峰波长。而发光二极管封装模块40可利用人眼的视觉暂留现象，使第一晶粒42及第二晶粒43不论是同时发光或不同时发光，均能得到目标波峰波长。
当然，发光二极管封装模块40的目标波峰波长也可分别定义为介于620.5nm至645.0nm之间的第一红光(R1)、波峰波长约介于612.5nm至620.5nm之间的第二红光(R2)、波峰波长约介于520nm至550nm之间的第一绿光(G1)、波峰波长约介于490nm至520nm之间的第二绿光(G2)、波峰波长约介于460nm至490nm之间的第一蓝光(B1)、或波峰波长约介于440nm至460nm之间的第二蓝光(B2)。
请参阅图5所示，第一晶粒42及第二晶粒43分别设置于承载体41。其中，承载体41可以为一基板或一导线架。本实施例中，发光二极管的封装形态及基板的材质并不加以限制。举例而言，当承载体41为基板时，可为透明基板(例如为玻璃基板)，也可为不透明的基板。而封装的型式可以如图5中为表面封装(Surface Mounting Device，SMD)的形态，第一晶粒42及第二晶粒43也可借由在基板上的内导线(interconnection)44而与外界电性进行讯号的沟通，而不需要打引线(wire bonding)，再利用封胶材料45保护第一晶粒42与第二晶粒43。其中，第一晶粒42及第二晶粒43也可利用覆晶(flip chip)的形式而安装于承载体41。
请参阅图6所示，当然，第一晶粒42及第二晶粒43也可以借由复数引线(wiring)46而与承载体41电性连接，再利用封胶材料45保护第一晶粒42与第二晶粒43。
请参阅图7所示，当承载体41’为导线架时，则封装的型式则成为导线架封装(leadframe package)的形态。另外，图8中，第一晶粒42及第二晶粒43也可以堆栈的方式来设置，再配合基板及导线架来作为承载体41’。
再请参阅图5及图9所示，第一晶粒42具有一第一波峰波长λ1，第一波峰波长λ1大于目标波峰波长λt。第二晶粒43具有一第二波峰波长λ2，第二波峰波长λ2小于目标波峰波长λt。其中，第一晶粒42及第二晶粒43是属于同一色系的光，例如第一晶粒42及第二晶粒43都发绿色系的光，例如为绿色、青绿色，且第一晶粒42及第二晶粒43可为同一晶圆上所产出的晶粒。当然，第一晶粒42及第二晶粒43也可以是由不同晶圆但是为同一批次所生产出的晶粒，本实施例中，第一晶粒42及第二晶粒43是以同一晶圆所产出的晶粒为例。
在挑选晶粒时，需先量测各个晶粒的波峰波长，以挑选出适合封装在一起，波峰波长可互相匹配的复数晶粒。其中，只要第一晶粒42的第一波峰波长λ1与第二晶粒43的第二波峰波长λ2的差值(Δλ)小于50nm，即可互相匹配，放置在同一发光二极管封装模块40中。
本实施例中，是以发出目标波峰波长λt为530nm的发光二极管封装模块40为例。当第一晶粒42与目标波峰波长的差值等于第二晶粒43与目标波峰波长λt的差值，例如第一波峰波长λ1是约为535nm，第二波峰波长λ2是约为525nm，并假设第一晶粒42与第二晶粒43的发光效率相同时，提供相同的电流给第一晶粒42及第二晶粒43，不论是第一晶粒42及第二晶粒43同时发光或快速轮流发光时，人眼感受到目标波峰波长值530nm所呈现的发光强度，是为第一晶粒42及第二晶粒43在目标波峰波长值530nm处的光强度的加总(如虚线的波长频谱所示)。也就是说，借由波长的匹配，将第一晶粒42及第二晶粒43封装在一起后，第一晶粒42与第二晶粒43可组合出目标波峰波长λt，使得人眼无法分辨复数晶粒之间有波长差值，宛如拿二颗可发出目标波峰光波长λt的晶粒封装一起一样。
请参阅图5及图10所示，本实施例中，是以发出目标波峰波长λt为530nm的发光二极管封装模块40为例。当第一晶粒42与目标波峰波长的差值为第二晶粒43与目标波峰波长的差值的一半时，例如第一波峰波长λ1是约为535nm，第二波峰波长λ2是约为520nm，假设第一晶粒42与第二晶粒43的发光效率也相同的情形下，可提升第一晶粒42的电流或电压值至二倍，以使第一晶粒42的发光强度为第二晶粒43的二倍。如图10所示，当第一晶粒42及第二晶粒43同时发光或快速轮流发光时，人眼感受到目标波峰波长值λt处所呈现的光强度，是为第一晶粒42及第二晶粒43在目标波峰波长值λt处的光强度的加总(如虚线的波长频谱所示)。
较佳的状况下，第一波峰波长λ1与第二波峰波长λ2的差值是小于30nm之内，组合出的目标波峰波长的发光强度较强，且可形成一主要波峰(main peak)。另外，就算是第一晶粒42与第二晶粒43的波长加总后，无法形成单一主要波峰，但由于发光二极管的发光纯度较高，人眼依旧无法辨识出色彩饱和度(Color Saturation)上的损失。
再请参阅图4所示，发光单元30更可包括一壳体60及一固定板70，发光二极管封装模块40容置于壳体60且设置于固定板70。本实施例中，发光单元30是以包括复数发光二极管封装模块40为例，当然，发光二极管封装模块40的数量，可依实际产品设计需求而定，在此不作限制。另外，壳体60的材质可为金属或为塑料，壳体60的大小及形状可依发光单元30实际所需的大小及形式来设计，例如壳体60可为一框体、一平板状或其它形状。而固定板70是用以承载发光二极管封装模块40，材质可为金属或塑料或者固定板70可为一印刷电路板，另外，固定板70也可为兼具散热功能的散热板。
光学薄膜50可包括一扩散片、一导光板、一棱镜片或其组合。本实施例中，发光单元30是以直下式为例，因此，光学薄膜50为一扩散片，用以协助光线均匀扩散。
请参阅图11所示，发光二极管封装模块40中，第一晶粒42与第二晶粒43是相距一第一距离d1，光学薄膜50是具有一可视区V，发光二极管封装模块40与可视区V具有最短的一第二距离d2，第一距离dl小于第二距离d2。本实施例中，由于发光单元30是为直下式，因此，可视区V与发光二极管封装模块40的距离可以光学薄膜50的一表面与发光二极管封装模块40的距离来算。当第一距离d1小于第二距离d2，是表示第一晶粒42与第二晶粒43之间距离相当近，可先进行发光二极管封装模块40内的混光，因此即使是第一晶粒42与第二晶粒43的主要波长不大相同，但仍可由发光二极管封装模块40发出目标波长。而复数个发光二极管封装模块40所发出的光线经过光学薄膜50扩散混合后，以形成一均匀的背光源，提供给液晶面板用。
接着，请参阅图12及图13所示，以说明本发明第二实施例的发光单元30’。
请参阅图12所示，发光单元30’是以一侧光式背光模块为例，发光单元30’包括一发光二极管封装模块40’以及一光学薄膜50’。
请参阅图13所示，本实施例中，发光二极管封装模块40’与第一实施例中的发光二极管封装模块40不同的地方在于，发光二极管封装模块40’更包括一第三晶粒47，而第三晶粒47是具有一第三波峰波长λ3，第三晶粒47与第一晶粒42及第二晶粒43是发出同一色系的光。举例来说，当第一晶粒42及第二晶粒43均发出粉红色的光，第三晶粒47发出深红色的光，均属于红色系的光。
当发光二极管封装模块40’具有三个晶粒时，晶粒的最大波峰波长及最小波峰波长的差值是应小于50nm。也就是说，当第三波峰波长λ3大于第一波峰波长λ1时，第三波峰波长λ3与第二波峰波长λ2的差值是小于50nm。而当第三波峰波长λ3小于第二波峰波长λ2时，第三波峰波长λ3与第一波峰波长λ1的差值是小于50nm。较佳的情况下，发光二极管封装模块40’的复数晶粒中，最大波峰波长及最小波峰波长的差值是应小于30nm。
再请参阅图12所示，本实施例中，发光单元30’是以侧光式背光模块为例，因此，光学薄膜50’为一导光板，用以将光线由侧边入光后而能从导光板的出光面射出。
光学薄膜50是具有一可视区V，发光二极管封装模块40与可视区V的边缘是具有最短的一第二距离d2，第三晶粒47与第一晶粒42是相距一第三距离d3，第三距离d3是小于第二距离d2。当第三距离d3小于第二距离d2，表示第一晶粒42与第三晶粒47之间距离相当近，可先进行发光二极管封装模块40’内的混光，因此即使是第一晶粒42、第二晶粒43与第三晶粒47的主要波长均不相同，但仍可由发光二极管封装模块40’发出目标波长。而单个或复数个发光二极管封装模块40’所发出的光线经过光学薄膜50’扩散混合后，以形成一均匀的背光源，提供给液晶面板用。
另外，发光单元30也可以是单纯用于日常照明的照明装置，其中光学薄膜可为一玻璃片。
综上所述，本发明的一种发光单元是包括至少一发光二极管封装模块以及一光学薄膜，其中发光二极管封装模块是包括两个发光二极管晶粒以发出一目标波峰波长。与现有技术相比，发光二极管封装模块是具有第一晶粒及第二晶粒，且第一波峰波长与第二波峰波长是属于同一色系，第一晶粒与第二晶粒是相距一第一距离，而发光二极管封装模块与可视区或与可视区的边缘是具有最短的一第二距离，其中第一距离是小于第二距离。如此一来，本发明的发光单元可借由挑选具有适当匹配波长的复数晶粒，也就是可组合出目标波峰波长的复数晶粒，将两个以上的复数晶粒封装在一起而形成发光二极管封装模块。因此，各个发光二极管的封装模块可使人眼在目标波峰波长处，感受到宛如二颗具有目标波峰波长的发光二极管的发光强度。另外，借由挑选匹配晶粒的过程，封装业者即可放宽良品晶粒的波峰波长的范围，进而能提升同一晶圆或同一批次晶圆的晶粒利用率，并降低发光单元的材料及减少原物料的浪费。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
权利要求
1.一种发光单元，其特征在于其包括一发光二极管封装模块，包括一承载体、一第一晶粒以及一第二晶粒，该第一晶粒及该第二晶粒设置于该承载体，该发光二极管封装模块是用以发出一目标波峰波长，该第一晶粒具有一第一波峰波长，该第一波峰波长大于该目标波峰波长，该第二晶粒具有一第二波峰波长，该第二波峰波长小于该目标波峰波长，该第一波峰波长与该第二波峰波长是属于同一色系，其中该第一晶粒与该第二晶粒相距一第一距离；以及一光学薄膜，邻设于该发光二极管封装模块，该光学薄膜具有一可视区，该发光二极管封装模块与该可视区或与该可视区的边缘具有最短的一第二距离，该第一距离是小于该第二距离。
2.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于其中所述的第一晶粒与该第二晶粒是同时或不同时发光。
3.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于其中所述的第一波峰波长与该第二波峰波长的差值小于50nm。
4.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于其中所述的第一波峰波长与该第二波峰波长的差值小于30nm。
5.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于其中所述的目标波长与该第一波峰波长的差值，不等于该目标波长与该第二波峰波长的差值。
6.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于其中所述的目标波长与该第一波峰波长的差值，等于该目标波长与该第二波峰波长的差值。
7.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于其中所述的第一晶粒与该第二晶粒的发光强度不同。
8.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于其中所述的目标波峰波长约介于615nm至650nm之间。
9.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于其中所述的目标波峰波长约介于515nm至555nm之间。
10.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于其中所述的目标波峰波长约介于455nm至485nm之间。
11.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于其中所述的发光二极管封装模块更包括一第三晶粒，其具有一第三波峰波长，该第一波峰波长、该第二波峰波长以及该第三波峰波长是属于该色系。
12.根据权利要求11所述的发光单元，其特征在于其中所述的第三波峰波长大于该第一波峰波长，该第三波峰波长与该第二波峰波长的差值小于50nm。
13.根据权利要求11所述的发光单元，其特征在于其中所述的第三波峰波长是小于该第二波峰波长，该第一波峰波长与该第三波峰波长的差值是小于50nm。
14.根据权利要求11所述的发光单元，其特征在于其中所述的第三晶粒与该第一晶粒相距一第三距离，该第三距离是小于该第二距离。
15.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于其更包括另一发光二极管封装模块，是邻设于该发光二极管封装模块。
全文摘要
本发明是有关于一种发光单元，包括一发光二极管封装模块以及一光学薄膜。发光二极管封装模块包括一承载体、一第一晶粒以及一第二晶粒，第一晶粒及第二晶粒设置于承载体，发光二极管封装模块是用以发出一目标波峰波长，第一晶粒具有一第一波峰波长，第一波峰波长大于目标波峰波长，第二晶粒具有一第二波峰波长，第二波峰波长小于目标波峰波长，第一波峰波长与第二波峰波长是属于同一色系，其中第一晶粒与第二晶粒相距一第一距离。光学薄膜邻设于发光二极管封装模块，光学薄膜具有一可视区，发光二极管封装模块与可视区或与可视区的边缘具有最短的一第二距离，第一距离小于第二距离。
文档编号H01L33/00GK101079416SQ20061008301
公开日2007年11月28日 申请日期2006年5月25日 优先权日2006年5月25日
发明者林峰立 申请人:启萌科技有限公司