专利名称：修正插塞开口的尺寸与形状的方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体工艺，且特别是涉及一种修正插塞开口尺寸与形状的方法。
背景技术：
随着计算机与电子产品功能的加强，应用电路亦日趋复杂，基于成本与稳定性的考虑，集成电路内所要求的元件集成度(integrity)也就大大地增加。如此一来，将使得芯片的表面无法提供足够的面积来制作所需要的内连线(interconnects)，为了配合元件缩小后所增加的内连线需求，往往必须以多层各别的内连线层，才能将这些晶体管顺利的加以连接，以形成一个完整的电子装置。
为了防止短路，这些内连线层之间，必须以绝缘能力良好的介电材料加以隔离。以存储器元件为例，其上方往往会覆盖相当厚的介电层，而介层窗开口或接触窗开口等插塞开口即形成于这层厚厚的介电层中。
然而，由于元件集成度的需求升高，元件势必日益微缩，则形成上述插塞开口的光刻工艺的工艺裕度(process window)也跟着愈来愈紧缩。
针对上述情形，业界一般是以相移式光掩模(phase shift mask，PSM)与无铬相光刻(chromeless phase lithography，CPL)来提高光掩模分辨率，加强光刻工艺的精确度。然而，上述光掩模价钱十分昂贵，且其效果不彰，无法有效解决此问题。
此外，若是在形成介层窗开口或接触窗开口的光刻过程中产生误对准的情形，还会使得相邻的插塞或插塞与导线之间，因为过于接近而产生短路的现象。
再者，由于插塞的尺寸缩小，也就是说，插塞开口的洞径截面会缩小，使得插塞的接触电阻(contact resistance)上升。如此一来，将会降低电流传输的速度，连带地减低元件的操作速度。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的就是在提供一种修正插塞开口尺寸与形状的方法，可以增加工艺裕度，避免插塞与导线间发生短路的问题，并降低插塞与导线之间的接触电阻值。
本发明的另一目的是提供一种修正插塞开口尺寸与形状的方法，可以针对不同位置的插塞开口，进行校正步骤。
本发明提出一种修正插塞开口尺寸与形状的方法，适用于一第一边界插塞开口与一第二边界插塞开口，其中第一边界插塞开口与第二边界插塞开口分别与相邻的第一沟槽与第二沟槽重叠，且第一边界插塞开口的一第一边缘与第二边界插塞开口的一第二边缘的最近距离小于等于一特定距离，此方法包括进行一校正步骤，将第一边界插塞开口与第二边界插塞开口互相远离，使第一边界插塞开口与第二边界插塞开口分别位于第一沟槽与第二沟槽中，且第一边缘与第二边缘分别第一沟槽与第二沟槽的侧壁远离，并且分别以第一沟槽与第二沟槽为一第一范围与一第二范围，于第一范围与第二范围中，至少放大第一边界插塞开口与第二边界插塞开口之一的尺寸。
上述的修正插塞开口尺寸与形状的方法中，第一沟槽与该第二沟槽例如是分别位于第一边界插塞开口与第二边界插塞开口上方。
上述的修正插塞开口尺寸与形状的方法中，第一沟槽与第二沟槽中设置有一导体层。而第一边界插塞开口与第二边界插塞开口例如是位于导体层上。
上述的修正插塞开口尺寸与形状的方法中，校正步骤例如是光学邻近校正(optical proximity correction)。
上述的修正插塞开口尺寸与形状的方法中，校正步骤例如是设计规则检查(design rulle check)。
上述的修正插塞开口尺寸与形状的方法中，至少放大第一边界插塞开口与第二边界插塞开口之一的尺寸的方法例如是按相同比例，放大第一边界插塞开口与第二边界插塞开口其中之一的横向尺寸与纵向尺寸。或者是按不同比例，放大第一边界插塞开口与第二边界插塞开口其中之一的横向尺寸与纵向尺寸。
上述的修正插塞开口尺寸与形状的方法中，校正步骤还包括将第一沟槽与第二沟槽之间的一中央插塞开口，沿着垂直于第一沟槽与第二沟槽主轴的方向上的尺寸缩小。
上述的修正插塞开口尺寸与形状的方法中，例如是按相同比例缩小中央插塞开口的横向尺寸与纵向尺寸。或者是按不同比例，缩小中央插塞开口的横向尺寸与纵向尺寸。
本发明提出另一种修正插塞开口尺寸与形状的方法，先分类多个插塞开口，这些插塞开口至少可分为分别与相邻二沟槽至少部分迭置、彼此仅间隔小于等于一特定距离的二边界插塞开口，以及位于上述的相邻二沟槽或其它相邻二沟槽之间的中央插塞开口。然后进行校正步骤，将二边界插塞开口互相远离，使二边界插塞开口分别位于二沟槽中，与二沟槽的两侧壁远离，并且在各沟槽的范围内，放大边界插塞开口的尺寸；以及将中央插塞开口的边缘与其邻近沟槽的侧壁远离。
上述的修正插塞开口尺寸与形状的方法中，沟槽例如是位于边界插塞开口上方。
上述的修正插塞开口尺寸与形状的方法中，沟槽中设置有一导体层。而边界插塞开口例如是位于导体层上。
上述的修正插塞开口尺寸与形状的方法中，校正步骤例如是光学邻近校正。校正步骤也可以是设计规则检查。
上述的修正插塞开口尺寸与形状的方法中，放大边界插塞开口尺寸的方法例如是按相同比例放大边界插塞开口的横向尺寸与纵向尺寸。或者是按不同比例，放大边界插塞开口的横向尺寸与纵向尺寸。
上述的修正插塞开口尺寸与形状的方法中，将中央插塞开口的边缘与其邻近沟槽的侧壁远离的方法包括，将中央插塞开口，沿着垂直于其邻近沟槽主轴的方向上的尺寸缩小。
上述的修正插塞开口尺寸与形状的方法中，缩小中央插塞开口尺寸的方法例如是按比例缩小插塞开口的横向尺寸与纵向尺寸。或者是按不同比例，缩小插塞开口的横向尺寸与纵向尺寸。
上述修正插塞开口尺寸与形状的方法，利用工艺上的设计，对于不同位置的插塞开口进行光学邻近校正或设计准则检查，不但可以增加开口的工艺裕度，且能够进一步避免因相邻的插塞开口之间或插塞开口与沟槽之间过于接近而导致后续形成的插塞与导线发生短路的问题。此外，将插塞开口放大能够增加插塞与导线之间的接触面积，降低两者间的接触电阻值。
为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，以下配合附图以及优选实施例，以更详细地说明本发明。
图1是绘示本发明一实施例的一种修正插塞开口尺寸与形状的方法的步骤流程图。
图2A是绘示本发明一实施例的一种修正前的插塞开口尺寸与形状的上视图。
图2B是绘示本发明一实施例于进行修正之后，插塞开口尺寸与形状的上视图。
简单符号说明110、120步骤210a、210b、220a、220b沟槽215a、215a’、215b、215b’边界插塞开口217、217’插塞开口225、225’中央插塞开口具体实施方式
图1是绘示本发明一实施例的一种修正插塞开口尺寸与形状的方法的步骤流程图。图2A是绘示本发明一实施例的一种修正前的插塞开口尺寸与形状的上视图。图2B是绘示本发明一实施例于进行修正插塞开口尺寸与形状的方法之后的上视图。
请参照图1与图2A，此方法例如是先对多个插塞开口进行分类(步骤110)。这些插塞开口至少可分为两类包括分别与相邻二沟槽210a、210b至少部分迭置以及两开口边缘的最小距离小于等于一特定距离的插塞开口，例如边界插塞开口215a、215b，以及位于相邻二沟槽，例如沟槽220a、220b，之间的中央插塞开口225。
其中，边界插塞开口215a、215b的一边例如是与沟槽210a、210b的边缘重叠，或者间隔小于等于特定距离，或甚至是边界插塞开口215a、215b与其相对应的沟槽210a、210b部份重叠。由于这些开口在后续工艺中会填入导体材料而形成介层窗或接触窗，因此，若是边界插塞开口215a、215b过于接近，则很可能会导致后续形成的插塞之间发生短路的问题。
沟槽210a、210b例如是位于边界插塞开口215a、215b的上方。沟槽210a、210b中也可以是已经填满导体材料而形成导线(未绘示)，而边界插塞开口215a、215b就是位于导线上，暴露出部分导线。其中，边界插塞开口215a、215b可以是介层窗开口，也可以是接触窗开口，其端视元件的设计布局而定。当然，沟槽210a、210b中可能不只具有边界插塞开口215a、215b，也可能还包括有其它的插塞开口，如图2A中的插塞开口217。
中央插塞开口225例如是位于另一对相邻的二沟槽220a、220b之间，但不限于此。其中，沟槽220a、220b之中可以是已经填满导体材料而作为导线之用。由于元件的集成度很高，沟槽220a与沟槽220b会相当接近，因此，在两者之间形成的中央插塞开口225，很容易会由于光刻工艺的误差而产生位置的偏移，导致后续形成的插塞，会与导线之间产生短路的情形。
然后，请参照图2B，进行校正步骤，将二边界插塞开口215a、215b互相远离，使远离后的二边界插塞开口215a’、215b’分别位于二沟槽中，与沟槽210a、210b的两侧壁远离，并且在沟槽210a、210b的范围内，至少放大边界插塞开口215a’、215b’其中之一的尺寸(图2B中，边界插塞开口215a’、215b’都被放大)；以及调整中央插塞开口225的尺寸或形状，以使其与邻近沟槽220a、220b的侧壁远离(步骤120)而形成中央插塞开口225’。
校正步骤可以是利用光学邻近校正或是设计规则检查，调整边界插塞开口215a、215b的位置，而使其侧边不再与沟槽210a、210b的边缘重叠，而能够完全迭置于沟槽210a、210b之中。放大边界插塞开口215b例如是按照相同比例放大边界插塞开口215a、215b的横向尺寸与纵向尺寸。或者是按不同比例，放大边界插塞开口215a、215b的横向尺寸与纵向尺寸。当然，也有可能是只放大其横向尺寸或只放大其纵向尺寸。至于沟槽中的其它插塞开口，如插塞开口217也可以是一并放大其尺寸而形成插塞开口217’。校正之后的边界插塞开口215a、215b的尺寸与形状请参照图2B。
使中央插塞开口225与其邻近沟槽220a、220b的侧壁远离的方法例如同样是利用光学邻近校正或是设计规则检查的方法，至少将中央插塞开口225垂直于邻近沟槽220a、220b的主轴的尺寸缩小。当然，缩小中央插塞开口225的方法可以是按比例缩小中央插塞开口225的横向尺寸与纵向尺寸。或者是按不同比例，缩小中央插塞开口225的横向尺寸与纵向尺寸。也可以是只缩小其横向尺寸或只缩小其纵向尺寸。
将沟槽220a、220b之间的中央插塞开口225缩小，可以有效地避免后续形成的插塞与导线之间产生短路的问题，进而提升元件的可靠度与稳定度。
于进行校正步骤之后，边界插塞开口215a’、215b’彼此之间的距离会加大，因此，后续形成的插塞同样不会发生短路的现象。此外，由于位于沟槽210a、210b之中的边界插塞开口215a’、215b’与插塞开口217’(位于沟槽210a中的插塞开口)被放大了，故而能够增加插塞与导线之间的接触面积，降低两者间的接触电阻值。
除此之外，利用工艺上的设计，对于边界插塞开口215a、215b进行光学邻近校正或设计准则检查，放大开口的尺寸，还可以增加各种开口的工艺裕度，使得工艺的控制更为容易，有助于进入下一个工艺世代。
虽然本发明以优选实施例揭露如上，然而其并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围应当以后附的权利要求所界定者为准。
权利要求
1.一种修正插塞开口尺寸与形状的方法，适用于第一边界插塞开口与第二边界插塞开口，其中该第一边界插塞开口与该第二边界插塞开口分别与相邻的第一沟槽与第二沟槽重叠，且该第一边界插塞开口的第一边缘与该第二边界插塞开口的第二边缘的最近距离小于等于特定距离，此方法包括进行校正步骤，将该第一边界插塞开口与该第二边界插塞开口互相远离，使该该第一边界插塞开口与该第二边界插塞开口分别位于该第一沟槽与该第二沟槽中，且该第一边缘与该第二边缘分别该第一沟槽与该第二沟槽的侧壁远离，并且分别以该第一沟槽与该第二沟槽为第一范围与第二范围，于该第一范围与该第二范围中，至少放大该第一边界插塞开口与该第二边界插塞开口之一的尺寸。
2.如权利要求1所述的修正插塞开口尺寸与形状的方法，其中该第一沟槽与该第二沟槽分别位于该第一边界插塞开口与该第二边界插塞开口上方。
3.如权利要求1所述的修正插塞开口尺寸与形状的方法，其中该第一沟槽与该第二沟槽中设置有一导体层。
4.如权利要求3所述的修正插塞开口尺寸与形状的方法，其中该第一边界插塞开口与该第二边界插塞开口位于该导体层上。
5.如权利要求1所述的修正插塞开口尺寸与形状的方法，其中该校正步骤包括光学邻近校正。
6.如权利要求1所述的修正插塞开口尺寸与形状的方法，其中该校正步骤包括设计准则检查。
7.如权利要求1所述的修正插塞开口尺寸与形状的方法，其中至少放大该第一边界插塞开口与该第二边界插塞开口之一的尺寸的方法包括按相同比例，放大该第一边界插塞开口与该第二边界插塞开口其中之一的横向尺寸与纵向尺寸。
8.如权利要求1所述的修正插塞开口尺寸与形状的方法，其中至少放大该第一边界插塞开口与该第二边界插塞开口之一的尺寸的方法包括按不同比例，放大该第一边界插塞开口与该第二边界插塞开口其中之一的横向尺寸与纵向尺寸。
9.如权利要求1所述的修正插塞开口尺寸与形状的方法，其中该校正步骤还包括将该第一沟槽与该第二沟槽之间的中央插塞开口，沿着垂直于该第一沟槽与该第二沟槽主轴的方向上的尺寸缩小。
10.如权利要求9所述的修正插塞开口尺寸与形状的方法，还包括按不同比例，缩小该中央插塞开口的横向尺寸与纵向尺寸。
11.如权利要求9所述的修正插塞开口尺寸与形状的方法，还包括按相同比例，缩小该中央插塞开口的横向尺寸与纵向尺寸。
12.一种修正插塞开口尺寸与形状的方法，包括对多个插塞开口进行分类，该些插塞开口至少可分为二边界插塞开口，分别与相邻二沟槽至少部分迭置、彼此仅间隔小于等于特定距离；以及位于该二沟槽或其它相邻二沟槽之间的中央插塞开口；以及进行校正步骤，包括将该二边界插塞开口互相远离，使该二边界插塞开口分别位于该二沟槽中，与该二沟槽的两侧壁远离，并且在各该沟槽的范围内，放大该边界插塞开口；以及将该中央插塞开口的边缘与其邻近沟槽的侧壁远离。
13.如权利要求12所述的修正插塞开口尺寸与形状的方法，其中该沟槽位于该边界插塞开口上方。
14.如权利要求12所述的修正插塞开口尺寸与形状的方法，其中该沟槽中设置有导体层。
15.修正插塞开口尺寸与形状的方法，其中该边界插塞开口位于该导体层上。
16.如权利要求12所述的修正插塞开口尺寸与形状的方法，其中该校正步骤包括光学邻近校正。
17.如权利要求12所述的修正插塞开口尺寸与形状的方法，其中该校正步骤包括设计规则检查。
18.如权利要求12所述的修正插塞开口尺寸与形状的方法，其中放大该边界插塞开口尺寸的方法包括按相同比例，放大该边界插塞开口的横向尺寸与纵向尺寸。
19.如权利要求12所述的修正插塞开口尺寸与形状的方法，其中放大该边界插塞开口尺寸的方法包括按不同比例，放大该边界插塞开口的横向尺寸与纵向尺寸。
20.如权利要求12所述的修正插塞开口尺寸与形状的方法，其中将该中央插塞开口的边缘与其邻近沟槽的侧壁远离的方法包括，将该中央插塞开口，沿着垂直于其邻近沟槽主轴的方向上的尺寸缩小。
21.如权利要求20所述的修正插塞开口尺寸与形状的方法，其中缩小该中央插塞开口尺寸的方法包括按相同比例，缩小该中央插塞开口的横向尺寸与纵向尺寸。
22.如权利要求20所述的修正插塞开口尺寸与形状的方法，其中缩小该中央插塞开口尺寸的方法包括按不同比例，缩小该中央插塞开口的横向尺寸与纵向尺寸。
全文摘要
本发明提出一种修正插塞开口尺寸与形状的方法。这个方法是对于边界插塞开口进行校正步骤，将分别与相邻二沟槽重叠、彼此仅间隔小于等于一特定距离的二边界插塞开口互相远离，使二边界插塞开口分别位于二沟槽中，与二沟槽的两侧壁远离。同时在各沟槽的范围内，放大边界插塞开口的尺寸。
文档编号H01L21/70GK101086977SQ20061009451
公开日2007年12月12日 申请日期2006年6月9日 优先权日2006年6月9日
发明者林金隆, 陈明瑞, 敖振宇, 庄宏亲, 蔡仁祥, 刘建新 申请人:联华电子股份有限公司