专利名称：：基底与其布局的方法
技术领域：
：本发明涉及一种基底与其布局方法，特别是涉及一种具有电镀线的基底与其布局方法。
背景技术：
：在传统集成电路封装工艺中，其核心元件，例如棵晶(die，或称管芯)，是固定在一基底(substrate)上，该基底包括多个非传导层(non-conductinglayer)和多个传导层(conductinglayer),其中，该基底的层数是依据设计者所需的封装工艺所决定的。该非传导层(如介电层)是用来当成多个传导层之间的绝缘层。然而，当半导体电路的控制频率操作越来越快且体积越来越小的情况下，该封装内传输线之间的距离也越来越小，如此就会提高了传输线之间的耦合寄生电容，进而影响了该半导体电路的运作速率。一般上，金属的传输线是形成在一传统封装基底的表面上，例如，一球状门阵列封装基底上。通常来说，连接垫(pad)上暴露的表面必需布上一金属层，例如一镍/金(Nickel/Gold，Ni/Au)或镍/银(Nickel/Silver，Ni/Ag)层。因此，为了将一镍/金金属层涂布上该连接垫，现有技术会建立多条电镀线在该基底的表面上以提供电流来将镍/金电镀上该连接垫。然而，电镀线可能会造成电镀线和在电镀线之下的传输线之间形成巨大的寄生电容，因此，现有的做法是在电镀线完成其功能后再用蚀刻的方法将电镀线蚀刻以解决上述寄生电容的问题，然而，蚀刻的方法将会提高整个元件的制作成本。另一方面，若在一高速运作的差动信号模块中，电镀线的密度会增加而使得寄生电容的问题更加严重，因此，必需要有一个更便宜且更好的的方法以解决上述的问题。
发明内容因此本发明的主要目的在于提供一种基底和其布局方法。本发明的一实施例揭露一基底布局方法。该方法包括定义一第一电镀线(platingline)在一非传导层(conductinglayer)上，该第一电镀线耦合至一第一连接垫(pad);以及定义一第二电镀线在该非传导层上，该第二电镀线耦合至一第二连接垫(pad);其中当沿着该第一连接垫和该第二连接垫的一方向远离时，定义该第一电镀线和该第二电镀线之间一距离会逐渐增加。本发明的一实施例揭露一基底布局方法。该方法包括定义一电镀线在一非传导层上，该电镀线耦合至一第一连接垫；以及定义该非传导层下至少一传导层的一部份传导层用一非传导物质取代，其中被该非传导物质取代的该部份传导层直接位于该电镀线之下。本发明的一实施例揭露一种基底，其包括一电镀线与至少一传导层。该电镀线定义在一非传导层上，以及该电镀线耦合至一第一连接垫。该传导层位于该非传导层之下，以及该传导层具有一部份传导层用一非传导物质取代，且该部份传导层直接位于该电镀线之下。本发明的一实施例揭露一种基底，其包含一电镀线以及至少一传导层。该电镀线定义在一非传导层上，以及该电镀线耦合至一第一连接垫。该传导层位于该非传导层之下，以及该传导层具有一部份传导层用一非传导物质取代，且被该非传导物质取代的该部份传导层直接位于该电镀线之下。本发明的一实施例揭露一基底布局方法。该方法包括提供一传导层；挖空一部份的传导层；利用一非传导物质取代该被挖空的部份；提供一非传导层于该传导层及该非传导物质之上；以及定义一电镀线在该非传导层上，且该电镀线位于该非传导物质上方。本发明的一实施例揭露一基底布局方法。该方法包括提供一非传导层；定义一第一电镀线耦合至一第一连接垫；以及定义一第二电镀线耦合至一第二连接垫；其中，该第一电镀线与该第二电镀线定义于该非传导层之上，且当沿着该第一连接垫和该第二连接垫的一方向远离时，定义该第一电镀线和该第二电镀线之间一距离会逐渐增加。图1为本发明基底的一实施例的剖面图。图2为图1所示的基底的立体图。图3为本发明基底的另一实施例的俯视图。图4为本发明第一种布局方法的流程图。图5为本发明第二种布局方法的流程图。图6为本发明第三种布局方法的流程图。筒单符号说明<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>具体实施例方式请同时参考图1和图2，图1所示为本发明基底100(substrate)的一实施例的剖面图，而图2所示为图1所示的基底100的立体图。在此一实施例中，基底100为一珎4册阵列(ballgridarray)基底，然而本发明并不以此基底类型为限。基底100包括多层金属层(传导层102)以及多层介质层(非传导层104、106),而基底100还包括一棵晶(die)110固定于非传导层106的一表面上、一第一金属线108、一第二金属线112、一第一连接垫(pad)114、一第二连接垫116、一第一电镀线(platingline)118以及一第二电镀线120。第一金属线108形成于非传导层106上以耦合来自于棵晶IIO的差动输出信号中一第一信号，而第二金属线112形成于非传导层106上以耦合来自于棵晶110的差动输出信号中一第二信号。第一电镀线118形成于非传导层106上以耦合至第一金属线108，以及提供一电流以电镀一传导物质来形成第一连接垫114，此外，第二电镀线120形成于非传导层106上以耦合至第二金属线112,以及提供一电流以电镀一传导物质来形成第二连接垫116。请注意，本发明并不以图l和图2中所示的线和层的数目为限，另一方面，在图l和图2中所示的形状和位置仅为方便说明本发明的精神所在，亦不用来作为本发明的限制。基底100具有多个导通孔(via)122、124分别交错的置于第一连接垫114和第二连接垫116之间以分别传送信号至一第一封装输出端点126和一第二封装输出端点128，换句话说，导通孔122是形成于非传导层104内，以及导通孔124是形成于传导层102内。依据本发明的实施例，笫一连接垫114和笫二连接垫116相距一第一距离Ll。请参考图2可以得知，当沿着第一连接垫114和第二连接垫116的一方向Dl远离时，第一电镀线118和第二电镀线120之间的距离L2会逐渐增加。此外，依据本发明的实施例，非传导层106下的传导层102中一部份传导层130由一非传导物质所取代，而此被该非传导物质取代的该部份传导层130直接位于第一电镀线118和第二电镀线120之下，且此取代的动作不会影响基底100正常的信号传输功能。另一方面，距离L2越大，则第一电镀线118和第二电镀线120的输入阻抗亦越高，因此，当第一电镀线118和第二电镀线120的输入阻抗越高时，则可以将第一电镀线118和第二电镀线120的输入阻抗视为一开路(opencircuit),如此就会形同于先前技术中将二电镀线蚀刻(etchingbackprocess)所得到的效杲，由此可得知，基底100的制造成本会比先前技术低。在实际的操作中，逐渐增加的距离L2最后将改善从第一封装输出端点126和第二封装输出端点128看入的插入损失(insertionloss)。依据现有电容值的计算方程式，寄生电容C可以如下所示C=-eA/d(1)在方程式(l)中，e为两层传导层102之间物质的介电常数，A为寄生电容C的等效面积，以及d为两层传导层102之间的距离。因此，若将位于非传导层106之下的传导层102的一部份用一非传导物质取代则会相当程度的增加距离d的大小，如此就会将不想要的寄生电容C减少一半左右，由此可知，输出信号就可以在较低损耗的情况下通过球状门阵列基底而传送至下一个电子元件。请注意，在图2中所提到的方法仅为其中的一实施例，且本发明并不以此为限，换句话说，以上所述的方法可以是互相独立实施的，且亦不限于使用在差动模块(differentialmodule)。例如，一实施例可以是只是利用当沿着第一连接垫114和第二连接垫116的一方向Dl远离时，第一电镀线118和第二电镀线120之间的一距离L2会逐渐增加的方法来实作，而不会同时将在非传导层106之下的传导层102中一部份用一非传导物质取代；在另一实施例中，其可以是只将在非传导层106之下的传导层102的一部份用一非传导物质取代，其中该部份是刚好位于第一电镀线118之下的一个区域。图3所示为本发明基底300的另一实施例的俯视图。基底300包括一棵晶310固定于一非传导层306的表面上、一笫一金属线308、一第二金属线312、一第三金属线314、一第四金属线316、一第一连接垫318、一第二连接垫320、一第三连接垫322、一第四连接垫324、一第一电镀线326、一第二电镀线328、一第三电镀线330以及一第四电镀线332。基底300的操作方式和基底100相似，唯一不同是基底300具有另外一对的电镀线和连接垫。对于本发明基底300而言，当沿着第一连接垫318和第二连接垫320的一方向远离时，第一电镀线326和第二电镀线328之间的一距离L3会逐渐增加，但是为了节省基底300的总面积，当接近第三连接垫322和第四连接垫324时，第一电镀线326和第二电镀线328之间的距离L4会逐渐减小。图4所示为依据本发明第一种布局方法的流程图。该第一种布局方法可以用来减少一基底(例如球栅阵列基底)所不想要的寄生电容。举例来说，图1和图2所示的基底100包括该第一种布局方法所揭露的布局架构。请参考以上所揭露的内容，该第一种布局方法可以用下列步骤表示步骤400:定义一第一金属线在一非传导层上以从一棵晶耦合一第一信号；步骤402:定义一第二金属线在该非传导层上以从该棵晶耦合一第二信—弓—步骤404:定义一第一电镀线在该非传导层上以耦合至该第一金属线以及提供一电流以电镀一传导物质以形成第一连接垫；以及步骤406:定义一第二电镀线在该非传导层上以耦合至该第二金属线以及提供一电流以电镀一传导物质以形成第二连接垫，其中当沿着该第一连接垫和该第二连接垫的一方向远离时，定义该第一电镀线和该第二电镀线之间的一距离会逐渐增加。请注意，前述流程图400中各步骤的顺序仅为一实施例，而非限制本发明的实际运作方式。图5所示为本发明第二种布局方法的流程图。该第二种布局方法可以用来减少一基底(例如球栅阵列基底)所不想要的寄生电容。举例来说，图1和图2所示的基底100包括该第二布局方法所揭露的布局架构。请参考以上所揭露的内容，该第二种布局方法可以用下列步骤表示第一金属线在一非传导层上以从一棵晶耦合一第一信第二金属线在该非传导层上以从该棵晶耦合一第二信第一电镀线在该非传导层上以耦合至该第一金属线以及提供一电流以电镀一传导物质以形成第一连接垫；步骤506:定义一第二电镀线在该非传导层上以耦合至该第二金属线以及提供一电流以电镀一传导物质以形成第二连接垫；步骤507:定义该非传导层下至少一传导层的一部4分传导层挖空，其中该该被挖空的该部份传导层直接位于该第一电镀线或该第二电镀线或该第一、第二电镀线之下；以及步骤508:利用一非传导物质取代该被挖空的该部份。请注意，前述流程图500中各步骤的顺序仅为一实施例，而非限制本发明的实际运作方式。图6所示为本发明第三种布局方法的流程图。该第三布局方法可以用来减少一基底所需的总面积。举例来说，图1和图2所示的基底100包括该第三布局方法所揭露的布局架构。请参考以上所揭露的内容，该第三布局方法可以用下列步骤表示步骤600:定义一第一电镀线在一非传导层上以耦合至一第一金属线以及提供一电流以电镀一传导物质以形成一第一连接垫；步骤602:定义一第二电镀线在该非传导层上以耦合至一第二金属线以及提供一电流以电镀一传导物质以形成一第二连接垫；步骤604:定义一第三电镀线在该非传导层上以耦合至一第三金属线以及提供一电流以电镀一传导物质以形成一第三连接垫；以及步骤602:定义一第四电镀线在该非传导层上以耦合至一第四金属线以及提供一电流以电镀一传导物质以形成一第四连接垫，其中当沿着该第一连接垫和该第二连接垫的一方向远离时，定义该第一电镀线和该第二电镀线之间的一距离会逐渐增加，但是为了节省基底100的总面积，当接近该第三连接垫和该第四连接垫时，定义该第一电镀线和该第二电镀线之间的该距离会步骤500:定义一步骤502:定义一步骤504:定义一请注意，前述流程图600中各步骤的顺序仅为一实施例，而非限制本发明的实际运作方式。以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。权利要求1.一种基底布局方法，包括定义第一电镀线在非传导层上，该第一电镀线耦合至第一连接垫；以及定义第二电镀线在该非传导层上，该第二电镀线耦合至第二连接垫；其中当沿着该第一连接垫和该第二连接垫的方向远离时，定义该第一电镀线和该第二电镀线之间距离会逐渐增加。2.如权利要求1所述的方法，还包括将该非传导层下至少一传导层的一部份传导层用非传导物质取代，其中被该非传导物质取代的该部份传导层直接位于该第一电镀线、该第二电镀线或该第一、第二电镀线两者之下。3.如权利要求2所述的方法，其中被该非传导物质取代的该部份传导层直接位于该第一、第二电镀线之下，以及该部份传导层的面积不小于该第一电镀线和该第二电镀线的总面积。4.一种基底布局方法，包括定义电镀线在非传导层上，该电镀线耦合至第一连接垫；以及定义该非传导层下至少一传导层的一部份传导层用非传导物质取代，其中被该非传导物质取代的该部份传导层直接位于该电镀线之下。5.如权利要求4所述的方法，其中被该非传导物质取代的该部份传导层的面积不小于该电镀线的总面积。6.—种基底，包括第一电镀线，该第一电镀线定义在非传导层上，以及该第一电镀线耦合至第一连接垫；以及第二电镀线，该第二电镀线定义在该非传导层上，以及该第二电镀线耦合至第二连接垫；其中当沿着该第一连接垫和该第二连接垫的方向远离时，该第一电镀线和该第二电镀线之间的距离逐渐增加。7.如权利要求6所述的基底，其中该非传导层下至少一传导层的一部份传导层由非传导物质所形成，被该非传导物质取代的该部份传导层直接位于该第一电镀线、该第二电镀线或该第一、第二电镀线两者之下。8.如权利要求7所述的基底，其中被该非传导物质取代的该部份传导层直接位于该第一、第二电镀线之下，以及该部份传导层的面积不小于该第一电镀线和该第二电镀线的总面积。9.如权利要求7所述的基底，其为球栅阵列基底。10.—种基底，包括电镀线，该电镀线定义在非传导层上，以及该电镀线耦合至第一连接垫；以及至少一传导层，该传导层位于该非传导层之下，以及该传导层具有部份传导层用非传导物质取代，被该非传导物质取代的该部份传导层直接位于该电镀线之下。11.如权利要求IO所述的基底，其中被该非传导物质取代的该部份传导层的面积不小于该电镀线的面积。12.如权利要求IO所述的基底，其为球状门阵列基底。13.—种基底布局方法，包括提供传导层；挖空一部份的传导层；利用非传导物质取代该被挖空的部份；提供非传导层于该传导层及该非传导物质之上；以及定义电镀线在该非传导层上，且该电镀线位于该非传导物质上方。14.一种基底布局方法，包括提供非传导层；定义第一电镀线耦合至第一连接垫；以及定义第二电镀线耦合至第二连接垫；其中，该第一电镀线与该第二电镀线定义于该非传导层之上，且当沿着该第一连接垫和该第二连接垫的方向远离时，定义该第一电镀线和该第二电镀线之间距离会逐渐增加。全文摘要本发明提供一基底布局方法，其包括定义一第一电镀线在一非传导层上，该第一电镀线耦合至一第一连接垫；以及定义一第二电镀线在该非传导层上，该第二电镀线耦合至一第二连接垫；其中当沿着该第一连接垫和该第二连接垫的一方向远离时，定义该第一电镀线和该第二电镀线之间一距离会逐渐增加。在另一实施例中，本发明方法包括定义一电镀线在一非传导层上，该电镀线耦合至一第一连接垫；以及定义该非传导层下至少一传导层的一部分传导层用一非传导物质取代，其中被该非传导物质取代的该部分传导层直接位于该电镀线之下。文档编号H01L23/48GK101110367SQ20061010800公开日2008年1月23日申请日期2006年7月21日优先权日2006年7月21日发明者吴忠儒,梁维安,薛英杰申请人:矽统科技股份有限公司