专利名称：导体轨道装置及其制造方法
技术领域：
本发明与一种导体轨道装置及其相关制造方法有关，特别是一种具有所谓”空气间隙”空穴的导体轨道装置。
背景技术：
导体轨道装置是特别使用在半导体技术中，以实施半导体组件的布线。在此装置中，通常在例如像是一种半导体基板的电力传导承载基板上，形成介电质层或绝缘层，并在此之上形成一电力传导导体轨道层，在进行图形化之后，所述导体轨道层便代表最后的导体轨道。在此之后，连续地形成另一绝缘层与电力传导层，其造成的层堆栈也藉由利用所谓的”通道(vias)”而提供复杂的接线图形。
所述导体轨道装置的电力特性与所使用的材料有关，特别是与每单位导体轨道断面面积或断面长度的导体轨道电力传导性及其寄生电容有关。
随着集成半导体电路的封装密度增加，在所述金属化层中所形成的导体轨道彼此之间也具有更减少的空间。除了前述介于所述导体轨道之间的电容增加以外，这也造成一种在所述半导体芯片中，信号延迟的增加、功率耗费以及干扰。当使用二氧化硅(SiO2)做为介于所述导体轨道之间的介电质时，其介电常数k值大约为3.9，其代表一参考数值，这些问题一般是利用将所述导体轨道的接线布置最佳化而解决。
从文件US 5 461 003 A，已知一导体轨道装置中的空气间隙是用来减少邻近导体轨道之间的电容耦合，利用一种多孔隙介电质阻抗层，以移除所述空气间隙所需要牺牲层，并在同时确保适当的力学稳定性。
从文件DE 101 407 54 A1，也已知一种导体轨道装置以及相关的制造方法，其中形成多数个空气间隙，并以一种介于各别导体轨道之间，或在各别导体轨道之上的沟渠形式配置，以减少这种耦合电容、功率损失与干扰。
然而，在此其不利的因素为所述已知的制造方法是极度复杂并因此相当耗费成本，而所述完成的导体轨道装置只具有适当的力学稳定性。此外，耦合电容的减少并非最佳化。另外，在电移动情况中可以看到邻近导体轨道对于短电路现象的敏感程度。
发明内容
因此本发明的基本目标为建立一种导体轨道装置与相关的制造方法，其中进一步减少所述耦合电容，且改善其力学与电力特性。
根据本发明，此目标是利用权利要求1的导体轨道装置特征，以及权利要求11的制造方法手段所达成。
也在所述导体轨道下方侧向建立额外的空穴或是”空气间隙”，其可以明显地降低寄生耦合电容与干扰等等，同时提供高度力学稳定性，而所述导体轨道的宽度则大于所述承载轨道的宽度。
关于所述方法，所述介电质承载轨道是利用所述导体轨道做为屏蔽，从一承载层以一种自我对准的方式所形成，藉此可以利用特别有效成本的方式并且不需要其它屏蔽，实施改良的导体轨道装置。
在所述导体轨道、所述承载轨道与所述基板或所述承载层的表面上，较佳的是分别对着所述空穴形成绝缘层，因此由电移动所形成在邻近导体轨道之间的短电路现象便可以被显著减少。在此背景中所应该指出的是，一方面此绝缘层覆盖所述导体轨道的暴露表面，其至少阻挡在所述空穴中由于电移动过程所造成的导体轨道材料向外扩散。然而，特别是这种绝缘层，可避免介于因为此处理所造成邻近导体轨道之间的短电路现象。
此绝缘层较佳的是利用一种阻抗层是于一站中，其覆盖所述导体轨道并隔离或密封所述空穴。这进一步简化了制造方法并降低成本。
所实施的制造方式特别是一种非保护化学气相沈积(CVD)处理，其硅甲烷(SiH4)∶一氧化二氮(N2O)为1∶5至1∶20的比例，在1至10托耳(133至1333帕)的压力下，摄氏350至450度的温度，以及200至400瓦的无线频率功率。利用此特别的沈积处理与特别的相关参数，可以在所述导体轨道所有暴露表面上形成具有高品质的上述绝缘层，而介于所述导体轨道之间的空穴则在同时被覆盖，或朝向其顶部密封。此进一步降低制造成本，并具有改良电力特性。
所述基板较佳的也可以精确地具体指明一种蚀刻阻障，以决定所述部分空穴浮雕的深度，其使得所述处理获得较佳控制。然而，做为替代，即使在不具有这样的蚀刻阻障而利用监测预定蚀刻时间的方式，也可以设定一对应的预定蚀刻深度。在此方法中，可利用成本有效的方式制造具有自我对准支撑结构的导体轨道装置，而无须使用额外的微影步骤，并具有良好的力学稳定性。
本发明的其它优点将在另外的子权利要求中给予特征。
在后续描述中，本发明将利用示范实施例及参考图示的方式详细描述，其中图1A至图1D显示简化断面图标，用以描述在制造根据本发明第一示范实施例导体轨道装置期间的基本方法步骤；以及图2A至图2D显示简化断面图标，用以描述在制造根据本发明第二示范实施例导体轨道装置期间的基本方法步骤。
具体实施例方式
图1A至图1D显示简化断面图标，用以描述在制造根据本发明第一示范实施例导体轨道装置期间的基本方法步骤，其实施一种所谓的”嵌入制程”，以形成导体轨道。这样的处理对于专家是已知的，因此在后续内文中将省略其详细描述。
本发明所显示的特定优点，是特别对于一第一金属化层所讨论，换言之，一最下方导体轨道层是紧接邻近位于所述未显示的半导体基板，因为根据本发明的空穴范围侧向位于所述导体轨道下方，特别对于位于下方的半导体基板或是位于下方的导体轨道而言，能导致一种所述导体轨道的耦合电容降低。
根据图1A，导体轨道4的导体轨道图形则利用一种嵌入制程的方式形成于一较佳介电质基板之中。更详细的表述，根据所述第一示范实施例的基板可以具有一第一介电质或一第一介电质层1、形成于其上的一蚀刻阻障2，以及形成在所述蚀刻阻障2上的一第二介电质层3。原则上来说其它的材料以及特定的硅及/或金属，也可以做为这些层1、2、3。此层序列较佳的是位于所述半导体基板(未显示)与一第一金属化层，或是介于各别的金属化层之间，以做为中间介电质。
对于所述第一与第二介电质1与3而言，其例如可以使用二氧化硅(SiO2)，而氮化硅(Si3N4)层则可以做为所述蚀刻阻障2。做为替代，所谓的低参数k值介电质，其对于以所述二氧化硅(SiO2)做为参考值而言具有例如k＝1至3.9的较低介电常数，也可以做为所述介电质1与3。同样的，对于氮化硅(Si3N4)而言一样具有降低介电常数的替代层，也可以做为所述较佳氮化硅(Si3N4)蚀刻阻障2的替代。当使用这种低参数k值介电质时，就其本身而言便可明显减少其寄生耦合电容。在所述低参数k值介电质之中，举例而言，含碳或含氟的化合物是特别有利的。举例而言，在此情况中，可以利用二氧化硅(SiO2)、碳化硅(SiC)或氮碳化硅(SiCN)以取代氮化物，以实施所述蚀刻阻障2。自然地，也可以使用替代结合材料，做为所述介电质与所述蚀刻阻障。
利用一种传统的嵌入制程(或双嵌入制程)，现在便在所述最顶层，换言之，第二介电质3上分别形成多数导体轨道图形或所述导体轨道4。在所述第二介电质3中形成沟渠之后，较佳的是在所述沟渠的表面上，例如利用物理气相沈积(PVD)、化学气相沈积(CVD)或原子层沈积(ALD)的方法先沈积一阻障层(未显示)，以避免所述导体轨道4的导体轨道材料向外扩散，特别是进入所述半导体基板之中。在此之后，一用来促进所述实际导体轨道材料沈积的种子层(未显示)，可以利用喷溅在所述阻障层表面上的方式而较佳地形成。最后，所述实际导体轨道材料便形成于所述种子层上，或直接地形成于所述阻障层上，并完全填充所述沟渠。在进行例如像是化学机械研磨(CMP)处理的平面化步骤之后，便获得在图1A中所显示的断面图示。
当使用铜(Cu)做为所述导体轨道4的导体轨道材料时，便可使用一种镀处理，且特别是例如一种电镀处理沈积在所述沟渠中的导体轨道材料。当使用铜(Cu)做为导体轨道材料时，氮化钽(TaN)/钽(Ta)序列便提供一种阻障层。然而，做为替代，也可以使用钨(W)做为导体轨道材料，并较佳的使用化学气相沈积(CVD)填充所述沟渠，并使用钛(Ti)/氮化钛(TiN)层序列做为种子层。自然地，对于所述种子层、阻障层或所述导体轨道材料而言同样也可以使用替代材料。
此外，像是钴钨磷化物(CoWP)或是镍钼磷化物(NiMoP)的阻障层(未显示)较佳的也可以被选择沈积在所述导体轨道4暴露表面上做为阻抗层，举例而言，在平面化步骤之后，以同样地避免导体轨道材料从此上方表面向外扩散，特别是进入所述半导体基板之中。
应该指出的是，根据本发明在所述嵌入制程中所形成沟渠的深度，或是从所述蚀刻阻障2至所述沟渠底部的距离，定义了所述额外形成的空气间隙高度，而因此形成寄生耦合电容。
根据图1B，接着利用非等向性蚀刻处理的方式，移除介于所述导体轨道4至所述蚀刻阻障2之间的第二介电质3。据此，所述导体轨道4与其阻障层，在蚀刻侧上便分别不再由所述第二介电质3所覆盖，并因此自由地位在所述导体轨道4下方的剩余介电质条上。所述非等向性，换言之指向蚀刻处理，可以利用例如干式蚀刻处理与特别是反应离子蚀刻(RIE)的方式进行。根据图1B，在最初仍然维持等宽度的介电质支撑结构3便据此形成，而无须其它的微影步骤，并只需要利用所述导体轨道4做为屏蔽。
根据图1C，在所述导体轨道4下方的所述剩余支撑介电质3接着便利用一种等向性蚀刻处理的方式所缩小，换言之，一种像是湿式化学(氢氟酸，HF)蚀刻或是等向性干式蚀刻等的随机蚀刻步骤，在这样的方法中，所述导体轨道4的宽度B1将大于在下方所形成介电质承载轨道(TB)的宽度B2。所述宽度(B2)较佳的是小于所述导体轨道4宽度B1或等于其一半，其在所述导体轨道4下方将侧向地形成一种有效的大空气间隙，以减少电容。如果所述承载轨道(TB)的宽度B2是近似于所述导体轨道4宽度B1的二分之一，对于在之后所制造的半导体芯片而言，将可额外地获得所述导体轨道装置的足够高度力学强度。
根据图1C，所述空间分离的导体轨道4现在是位在非常狭窄的鳍状物上，或是分别位在所述蚀刻阻障2与所述下方第一介电质1上的介电质承载轨道TB上。此方法的特别优点可以由其事实所见，特别是与传统方法相比之下，这些支撑结构或是承载轨道TB可以利用一种自我对准的方式形成，而不需要使用额外的屏蔽或是微影步骤，仅使用已经存在的导体轨道4做为屏蔽。此外，因为所使用的蚀刻处理基本上代表标准的蚀刻处理，根据本发明的导体轨道装置便可以利用一种特别简单以及成本有效的方式所实施。
根据图1D，现在在一最后步骤中利用一种完全覆盖所述导体轨道4的方法形成一阻抗层5，并产生或分别隔离存在于所述导体轨道4之间的空穴6。为了实施此阻抗层5，可以使用传统的非保护化学气相沈积(CVD)步骤，而原则上以此方法例如可以在所述完全区域上沈积一氧化硅层，并建立及密封所述空穴6。做为替代，也可以实施用来沈积像是臭氧/四乙氧基硅烷(O3/TEOS)选择性氧化物的选择性沈积处理。另一种实施所述阻抗层5的可能，包含利用旋布的方式在一有效接触旋布玻璃上形成，其并不贯穿至所述空穴6之中。这样的沈积处理较佳的是在空气、真空或是一种电力绝缘气体中进行，其造成空气、真空或是电力绝缘气体完全填充所述空穴6，并较佳的使其具有特别低的介电质常数。
然而，根据本发明，可以分别在所述导体轨道4、或是所述阻障层(未显示)、所述承载轨道TB与下方基板、或是所述蚀刻阻障2的表面上，利用一种特别的非保护化学气相沈积(CVD)步骤，额外形成一氧化物绝缘层5A。此绝缘层5A较佳的是以利用与形成为氧化物阻抗层5的相同沈积处理方式所进行，因此可达成本方法的另一种简化。
对于同时实施此绝缘薄层5A与所述相对阻抗厚层5来说，举例而言，可以利用硅甲烷(SiH4)∶一氧化二氮(N2O)为1∶5至1∶20的比例，在1至10托耳(133至1333帕)的压力下，摄氏350至450度的温度，以及200至400瓦的无线频率功率，进行硅甲烷(SiH4)与一氧化二氮(N2O)的沈积。
做为同时形成所述绝缘层5A与所述阻抗层5的替代，也可以利用一种两阶段的处理。在此情况中，首先在所述完全区域上以及同样的在所述空穴6中，形成以做为绝缘层5A的保护，换言之等厚度的臭氧/四乙氧基硅烷(O3/TEOS)，接着，利用以上叙述之一的沈积处理方式，制造非保护阻抗层5。因此，即使在先前处理步骤中所暴露的所述导体轨道4下方侧上，也可以形成一足够厚度的保护绝缘层5A，其在最初所谈到的电移动处理中具有明显有利的优点。电移动过程被了解为是一种特别在金属导体轨道中，由于利用在所述导体轨道之中替换导体轨道材料的方法形成，而使得导体轨道材料移动的过程。
所述绝缘层5A现在对于这样的电移动现象而言表现为一种特定的阻抗，并可以因此至少阻挡所形成导体轨道材料的移动，特别是在边缘与角落处。对于导体轨道4而言，原本通常可以被观察到从此区域向外至所述空穴6之中的导体轨道材料向外扩散，因此也可以至少在某些条件下所避免。然而，特别是所述额外绝缘层5A避免因为电移动而通常可观察到介于两邻近导体轨道之间短电路现象。
因此，如果所述导体轨道材料由于电移动从一导体轨道扩散至所述空穴6之中，并因为对面邻近导体轨道材料并不存在这种快捷方式，而已经导致一种材料的局部累积，所述邻近导体轨道4的绝缘层5A便能够可靠地避免一种不想要的短电路。这提供一种导体轨道装置，其不只是降低耦合电容，也因此减少信号延迟并改善干扰行为，也同时具有改良的电移动特性，特别是在长时间操作中。
根据图1D，由所述阻抗层5所形成的空穴6在其下方区域中加宽，其基本上是由所述承载轨道TB的空间所决定。在其中央区域中，所述空穴6的宽度基本上是由所述导体轨道4的空间所决定。在其上方区域中，所述空穴6由于所述非保护沈积处理而逐渐变细。这样的空穴6形状具有对于减少寄生耦合电容的特别有利影响。
图2A至图2D显示简化断面图标，用以描述在制造根据本发明第二示范实施例导体轨道装置期间的基本方法步骤，相对于所述第一示范实施例而言，所述基板并不具有一蚀刻阻障。
据此，根据图2A，只在基板，例如半导体基板(未显示)，或是一下方金属层上形成一第一介电质1，而多数导体轨道4便以一种传统嵌入制程方式形成于其中。为了避免重复叙述，将参考根据图1A至图1D第一示范实施例关于所述嵌入制程与所使用介电质及所述导体轨道4的组成描述。
根据图2B，可以分别实施一指向蚀刻处理或等向性蚀刻，以将所述导体轨道4的侧边区域暴露，并在所述介电质1中形成最深至深度T1的深度，如同根据图1D中的第一示范实施例。在所述介电质1中的深度T1较佳的是利用所述蚀刻处理的持续期间所决定。
根据图2C，与根据图1C的第一示范实施例相同，再次实施用于缩小所述导体轨道4下方介电质1的等向性内蚀刻，其基本上对应于利用所述导体轨道4做为屏蔽的承载轨道TB自我对准所形成。如同在所述第一示范实施例中，可以再次实施像是氢氟酸(HF)蚀刻处理的湿式化学蚀刻或是等向性干式蚀刻，以进行此等向性蚀刻处理。在此额外蚀刻处理中，基本上在所述介电质1中以第二深度T2，于所述导体轨道下方的侧边边缘处制造圆形下蚀刻，其减少一额外的空穴或空气间隙，以减少所述寄生耦合电容，特别是在所述半导体基板的方向中。
同样的，至少介于导体轨道4与介电质1之间接触区域的所述导体轨道宽度B1，也大于所述承载轨道TB的宽度B2，其现在则形成成为平顶形状。如同在所述第一示范实施例中，所述承载轨道TB的侧壁较佳的是与所述相关导体轨道4的侧壁等间隔分离，因此可以达成所述寄生效应的特定几何。
最后，根据图2D，在所述导体轨道4的表面上同样形成一阻抗层5，因此在所述导体轨道之间形成所述空穴6并将其密封。同样的也可以在所述导体轨道4、所述承载轨道TB与所述介电质1的表面上形成一绝缘层5A，因此减少以上叙述的电移动现象。
此外，也可以实施具有特定参数的上述非保护化学气相沈积(CVD)处理，以形成所述绝缘层5A与所述阻抗层5。
根据一未显示的第三实施例，取代在图2C与图2D所实施的非等向性与等向性蚀刻处理，只有实施一等向性蚀刻处理，以将所述导体轨道4的侧边区域暴露，并实施所述空气间隙或将所述导体轨道4的侧边边缘下方蚀刻，以形成与所述导体轨道4相比下具有减少宽度B2的所述承载轨道TB，因此可以进一步简化所述方法。
根据另一未显示的第四实施例，也可以实施例如从传统的A1导体轨道技术所已知方式的一减去处理，以取代在图1与图2中所显示的嵌入制程。在此处理中，较佳具有A1的一导体轨道层是对于一基板表面的完整表面上所形成(具有或不具有蚀刻阻障2)，并接着进行光学微影图形化，因此制造所述导体轨道。根据本发明的方法可以根据图1B至图1D或是图2B至图2D的示范实施例所完成，因此可以同样的获得具有最小化耦合电容与减少信号延迟的导体轨道装置。此外，可以大大改良对于电移动现象的敏感性与力学稳定性，并因此大大增加其使用寿命。
本发明已经在以上利用一半导体基板做为所述基本承载基板的方法所描述。然而，其并非限制于此，而同样的也可以包括其它的导体或非导体承载材料。
组件符号说明1第一介电质2蚀刻阻障3第二介电质4导体轨道5阻抗层5A绝缘层6空穴TB承载轨道
权利要求
1.一种导体轨道装置，其包括一基板(1，2)；至少两导体轨道(4)，其彼此相邻形成在所述基板(1，2)上；一空穴(6)，其形成在至少所述导体轨道(4)之间；以及一介电质阻抗层(5)，其覆盖所述导体轨道(4)并隔离所述空穴(6)，其特征在于各承载轨道(TB)是形成在所述基板(1，2)与所述导体轨道(4)之间，用以承载所述导体轨道(4)，其中所述导体轨道(4)的宽度(B1)在其接触区域处大于所述承载轨道(TB)的宽度(B2)。
2.如权利要求1的导体轨道装置，其特征在于所述承载轨道(TB)的侧壁相对于其相关的导体轨道(4)的侧壁为相等间隔分离。
3.如权利要求2的导体轨道装置，其特征在于在所述导体轨道(4)，所述承载轨道(TB)与所述基板(1，2)表面上，形成与所述空穴(6)有关的一绝缘层(5A)。
4.如权利要求3的导体轨道装置，其特征在于所述绝缘层(5A)是一保护臭氧/四乙氧基硅烷层，而所述阻抗层(5)代表一非保护氧化层。
5.如权利要求3的导体轨道装置，其特征在于所述绝缘层(5A)与所述阻抗层(5)是于一站中。
6.如权利要求1的导体轨道装置，其特征在于在所述导体轨道(4)，所述承载轨道(TB)与所述基板(1，2)表面上，形成与所述空穴(6)有关的一绝缘层(5A)。
7.如权利要求6的导体轨道装置，其特征在于所述绝缘层(5A)是一保护臭氧/四乙氧基硅烷层，而所述阻抗层(5)代表一非保护氧化层。
8.如权利要求6的导体轨道装置，其特征在于所述绝缘层(5A)与所述阻抗层(5)是于一站中。
9.如权利要求1至8中任一项的导体轨道装置，其特征在于所述基板(1，2)具有一蚀刻阻障(2)，特别是碳化硅或氮化硅，其形成在一中间介电质(1)上。
10.如权利要求9的导体轨道装置，其特征在于所述导体轨道(4)具有一阻障层，用以避免导体轨道材料的向外扩散。
11.如权利要求10的导体轨道装置，其特征在于以空气，真空或是一种非导电性气体填充所述空穴(6)，所述导体轨道(4)具有铜(Cu)或铝(Al)做为导体轨道材料，而所述承载轨道(TB)具有二氧化硅(SiO2)或是低k值的材料。
12.如权利要求9的导体轨道装置，其特征在于以空气，真空或是一种非导电性气体填充所述空穴(6)，所述导体轨道(4)具有铜(Cu)或铝(Al)做为导体轨道材料，而所述承载轨道(TB)具有二氧化硅(SiO2)或是低k值的材料。
13.如权利要求1至8中任一项的导体轨道装置，其特征在于所述承载轨道(TB)与所述导体轨道(4)平行。
14.如权利要求1至8中任一项的导体轨道装置，其特征在于所述空穴(6)在其下方区域具有一加宽部分，而在其上方区域具有一锥状部分。
15.如权利要求14的导体轨道装置，其特征在于以空气，真空或是一种非导电性气体填充所述空穴(6)，所述导体轨道(4)具有铜(Cu)或铝(Al)做为导体轨道材料，而所述承载轨道(TB)具有二氧化硅(SiO2)或是低k值的材料。
16.如权利要求1至8中任一项的导体轨道装置，其特征在于所述导体轨道(4)具有一阻障层，用以避免导体轨道材料的向外扩散。
17.如权利要求16的导体轨道装置，其特征在于以空气，真空或是一种非导电性气体填充所述空穴(6)，所述导体轨道(4)具有铜(Cu)或铝(Al)做为导体轨道材料，而所述承载轨道(TB)具有二氧化硅(SiO2)或是低k值的材料。
18.如权利要求1至8中任一项的导体轨道装置，其特征在于以空气，真空或是一种非导电性气体填充所述空穴(6)，所述导体轨道(4)具有铜(Cu)或铝(Al)做为导体轨道材料，而所述承载轨道(TB)具有二氧化硅(SiO2)或是低k值的材料。
19.一种制造导体轨道装置的方法，其具有以下步骤a)在一基板(1，2，3)上形成导体轨道(4)；b)利用所述导体轨道(4)做为屏蔽，自所述基板(1，3)形成承载轨道(TB)，所述导体轨道(4)的宽度(B1)大于所述承载轨道(TB)的宽度(B2)；以及c)形成一介电质阻抗层(5)，其覆盖所述导体轨道(4)并隔离所述导体轨道(4)之间的空穴(6)。
20.如权利要求19的方法，其特征在于在步骤a)中，所述导体轨道(4)是利用一种减去处理或是一种波纹处理所形成。
21.如权利要求20的方法，其特征为在步骤a)中，所述基板具有一第一介电质(1)，一蚀刻阻障(2)以及一第二介电质(3)，而暴露的所述第二介电质(3)是利用一种非等向性蚀刻移除至所述蚀刻阻障(2)为止。
22.如权利要求20的方法，其特征在于在步骤a)中，所述基板只具有一第一介电质(1)，且暴露的所述第一介电质(1)是利用一种非等向性蚀刻移除至一预定深度(T1)为止。
23.如权利要求19的方法，其特征为在步骤a)中，所述基板具有一第一介电质(1)，一蚀刻阻障(2)以及一第二介电质(3)，而暴露的所述第二介电质(3)是利用一种非等向性蚀刻移除至所述蚀刻阻障(2)为止。
24.如权利要求19的方法，其特征在于在步骤a)中，所述基板只具有一第一介电质(1)，且暴露的所述第一介电质(1)是利用一种非等向性蚀刻移除至一预定深度(T1)为止。
25.如权利要求19至24中任一项的方法，其特征在于在步骤b)中，实施等向性内蚀刻以使位于所述导体轨道(4)下方的介电质(1，3)自对准削减，实施等向性内蚀刻。
26.如权利要求25的方法，其特征在于步骤b)中，实施湿式蚀刻或是等向性干式蚀刻。
27.如权利要求26的方法，其特征在于在步骤c)中，于所述导体轨道(4)，所述承载轨道(TB)与所述基板(1，2，3)的表面上，与所述阻抗层(5)同时形成一绝缘层(5A)。
28.如权利要求27的方法，其特征在于利用空气，真空或是一种非导电性气体形成所述阻抗层。
29.如权利要求27的方法，其特征在于以硅甲烷∶一氧化二氮为1∶5至1∶20的比例，在1至10托耳(133至1333帕)的压力，摄氏350至450度的温度，以及200至400瓦的无线频率功率下，实施一种非保护化学气相沈积处理。
30.如权利要求25的方法，其特征在于在步骤c)中，于所述导体轨道(4)，所述承载轨道(TB)与所述基板(1，2，3)的表面上，与所述阻抗层(5)同时形成一绝缘层(5A)。
31.如权利要求30的方法，其特征在于利用空气，真空或是一种非导电性气体形成所述阻抗层。
32.如权利要求31的方法，其特征在于利用空气，真空或是一种非导电性气体形成所述阻抗层。
33.如权利要求19至24中任一项的方法，其特征在于在步骤c)中，于所述导体轨道(4)，所述承载轨道(TB)与所述基板(1，2，3)的表面上，与所述阻抗层(5)同时形成一绝缘层(5A)。
34.如权利要求33的方法，其特征在于利用空气，真空或是一种非导电性气体形成所述阻抗层。
35.如权利要求19至24中任一项的方法，其特征在于利用空气，真空或是一种非导电性气体形成所述阻抗层。
全文摘要
本发明与一种导体轨道装置有关，其包括一基板(1，2)，至少两导体轨道(4)、一空穴(6)以及一介电质阻抗层(5)，所述介电质阻抗层(5)覆盖所述导体轨道(4)并隔离所述空穴(6)。经由形成一种具有宽度(B2)小于所述导体轨道(4)宽度(B1)的承载轨道(TB)，可以在所述导体轨道(4)下方侧向形成一空气间隙，以利用自对准的方法来减少电容耦合与信号延迟。
文档编号H01L21/768GK1945823SQ20061011105
公开日2007年4月11日 申请日期2006年8月18日 优先权日2005年8月19日
发明者Z·加布里克, W·帕姆勒, G·申德勒, A·施蒂克 申请人:英飞凌科技股份公司