专利名称：改善多晶硅缺陷的方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体存储器件的制作方法，尤其涉及在动态随机存储 器电容过程中，改善多晶硅缺陷的方法。
背景技术：
动态随机存储器是一种广泛应用的集成电路组件。目前生产线上常见的 动态随机存储器大多是由一晶体管和一电容器所构成。电容器是用来储存电 荷以提供电子信息的，其应具有足够大的电容量，方可避免数据的流失并减 低充电更新的频率。
集成电路制作工艺中集成度的不断增加，提升动态随机存储器的集成密 度已成为趋势，然而，动态随机存取存储器存储单元的密度越高，电容器在 动态随机存取存储器存储单元所能利用的面积就越小。为了使电容器的面积 减小的同时，仍能维持可靠的标准，因此在电容器所占的空间缩小的同时， 仍能维持每个电容器的电容量是很重要的。为了提高电容器的电容量，理论
上可从(l)增加储存电极的表面积，(2)提高介电层的介电常数，(3)减小介电 层的厚度几个方向着手。近来，还发展出三维空间的电容器结构用以增加存 储单元电容量，例如双叠式，鳍状构造，分散堆叠式或皇冠型构造等电容 器。此外，在使用多晶硅存储节点时，借助于在此多晶硅层之上形成半球形 颗粒的多晶硅层(HSG),也可以增加电容量。
现有在制作动态随机存储器电容过程中形成多晶硅层的方法请参考美国 专利申请US2006197131公开的技术方案。如图1A所示，首先，在硅基底IOO 上形成动态随机存储器的场效应晶体管，包括栅极104、漏极105和源极106, 其中，栅极104上有顶盖层103，并且在栅极104侧壁形成有间隙壁107，顶盖层103与间隙壁107的材料为氮化硅；然后，用化学气相沉积法在硅基底100上 形成氧化硅层108;用化学气相沉积法在氧化硅层108上形成氮化硅层110。
如图1B所示，用旋涂法在氮化硅层110上形成第一光阻层(未图示)，经 过曝光和显影工艺后，在第一光阻层上形成开口图形，所述开口图形与源极 106对应；以第一光阻层为掩膜，蚀刻氮化硅层110和氧化硅层108至露出硅基 底IOO，在源极106处形成接触窗开口112;去除第一光阻层lll;用化学气相 沉积法在氮化硅层110上形成多晶硅层114，且将多晶硅层114填充满接触窗开 口 112。
如图1C所示，用化学机械抛光法研磨多晶硅层114至露出氮化硅层110, 在接触窗开口 112是形成多晶硅插塞115;用化学气相沉积法在氮化硅层110上 形成第 一层间介质层116,第 一层间介质层116的材料为硼磷硅酸盐玻璃 (BPSG);然后再用化学气相沉积法在第一层间介质层116上形成第二层间 介质层118，第二层间介质层的材料为正硅酸乙酯层(TEOS)。
如图1D所示，用旋涂法在正硅酸乙酯层118上形成图案化第二光阻层(未 图示)；以第二光阻层为掩膜，首先用干法蚀刻法蚀刻第二层间介质层118、 第一层间介质层116和氮化硅层110至露出氧化硅层108，形成开口 119与多晶 硅插塞115连通；由于千法蚀刻对硼磷硅酸盐玻璃和正硅酸乙酯的蚀刻速率不 一样，对硼磷硅酸盐玻璃的蚀刻速率为5000埃/分钟，对正硅酸乙酯的蚀刻速 率为7000埃/分钟，造成蚀刻后的第二层间介质层118的开口宽度h2比第一层间 介质层116的开口宽度ht宽200埃。
如图1E所示，为了使第一层间介质层116和第二层间介质层118的开口宽 度一致，用对正硅酸乙酯和硼磷硅酸盐玻璃的蚀刻选择比为l: 10的热标准清 洗液l号(HSC1)对第二层间介质层118和第一层间介质层116进行进一步蚀 刻；继续用对正硅酸乙酯和硼磷硅酸盐玻璃的蚀刻选择比为l: l的緩冲氧化
物蚀刻;:容液(BOE)蚀刻第二层间介质层118和第一层间介质层116,以增大 开口119的宽度，具体增大30埃 50埃，使存储电极的表面积增大，用以提高 电容器的电容量；去除第二光阻层，在开口119中填充满多晶硅，并在多晶硅 上形成半球形颗粒的多晶硅层。
如图2A所示，用电子扫描显微镜在放大倍数为150千倍时观察形成开口 119后的情况，在将开口119宽度增大时，由于热标准清洗液l号(HSC1 )溶 液和緩冲氧化物蚀刻溶液(BOE)无法蚀刻氮化硅层，因此能看到在开口119 处有氮化硅层(图中椭圆中所示)未被清除，这样会造成后续填充多晶硅时 会出现不平整现象。
如图2B所示，用电子扫描显微镜在放大倍数为250千倍时观察形成开口 119后的情况，由于在热标准清洗液l号(HSC1 )对第二层间介质层118、第 一层间介质层116进行蚀刻时，会和多晶硅插塞产生反应，造成多晶硅插塞中 产生缺陷(图中椭圆中所示)，导致电学失效。
现有技术由于第 一层间介质层的材料是正硅酸乙酯，第二层间介质层的 材料是硼磷硅酸盐玻璃，并且干法蚀刻的气体对正硅酸乙酯和硼磷硅酸盐玻 璃的蚀刻速率不一致，导致第一层间介质层与第二层间介质层开口宽度不同， 因此需要使用热标准清洗液1号(HSC1 )将第一层间介质层和第二层间介质 层的开口宽度蚀刻至相同，但是热标准清洗液1号(HSC1 )会和多晶硅插塞 产生反应，造成多晶硅插塞中产生缺陷，进而导致电学失效。同时由于热标 准清洗液1号(HSC1 )和緩冲氧化物蚀刻溶液(BOE)在对层间介质层进行 蚀刻时，由于无法蚀刻氮化硅层，造成氮化硅层残留，进而导致后续薄膜填 充时会出现空洞或不平整现象。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种改善多晶硅缺陷的方法，防止由于热标准
清洗液l号(HSC1)和緩冲氧化物蚀刻溶液(BOE)在对层间介质层进行蚀 刻时，由于无法蚀刻氮化硅层，造成氮化硅层残留，进而导致后续薄膜填充 时会出现空洞或不平整现象；同时由于热标准清洗液l号(HSC1)会和多晶 硅插塞产生反应，造成多晶硅插塞中产生缺陷，进而导致电学失效。
为解决上述问题，本发明提供一种改善多晶硅缺陷的方法，包括下列步 骤在硅基底上形成氧化硅层；在氧化硅层中形成多晶硅插塞，所述多晶硅 插塞贯穿氧化硅层；在氧化硅层上形成氮化硅层，且覆盖多晶硅插塞；在氮 化硅层上形成层间介质层；蚀刻多晶硅插塞上方的层间介质层，形成开口； 蚀刻开口处的氮化硅层，露出多晶硅插塞；在开口内填充多晶硅，与多晶硅 插塞连通。
用化学气相沉积方法形成氮化硅层。所述氮化硅层的厚度为400埃~800 埃。用干法蚀刻法蚀刻氮化硅层，干法蚀刻采用的气体为CHF3和02,且CHF3: 02等于15: 5。
步聚b包括在氮化硅层上形成第一层间介质层；在第一层间介质层上形 成第二层间介质层。
形成第 一层间介质层和第二层间介质层的方法是化学气相沉积法，所述 第 一层间介质层的材料为硼磷硅酸盐玻璃，所述第二层间介质层的材料为正 硅酸乙酯。
步聚d包括先用干法蚀刻法对多晶硅插塞上方的第一层间介质层和第二 层间介质层进行第一次蚀刻，形成与多晶硅插塞对应的开口；接着用湿法蚀 刻对第 一层间介质层和第二层间介质层进行第二次蚀刻，使第一层间介质层 和第二层间介质层开口宽度一致；最后用湿法蚀刻对第一层间介质层和第二
层间介质层进行第三次蚀刻，使开口宽度增大。
第一次蚀刻采用的气体为0^6和02。
第二次蚀刻采用的溶液为热标准清洗液l号。
第三次蚀刻采用的溶液为緩冲氧化物蚀刻溶液。
与现有技术相比，本发明具有以下优点本发明在制作完多晶硅插塞后 再形成氮化硅层，在后续蚀刻过程，由于氮化硅层的保护，不会产生热标准 清洗液l号(HSC1)与多晶硅插塞反应，进而不会造成多晶硅插塞中产生缺 陷，实现电学性能提高；同时由于氮化硅层是最后被蚀刻掉的，因此就不会 产生氮化硅层残留，使后续薄膜填充平整。
图1A至图1E是现有技术制作动态随机存储器电容过程中形成多晶硅层示 意图2A至图2B是用电子扫描显微镜观察现有技术制作的动态随机存储器电 容中多晶硅层的缺陷示意图3是本发明改善多晶硅层缺陷的流程图4A至图4F是本发明制作动态随机存储器电容过程中形成多晶硅层示意
图5是用电子扫描显微镜观察本发明制作的动态随机存储器电容中多晶 硅层的示意图。
具体实施例方式
现有技术在制作动态随机存储器电容过程中形成多晶硅层时，由于第一 层间介质层的材料是正硅酸乙酯，第二层间介质层的材料是硼磷硅酸盐玻璃， 并且干法蚀刻的气体对正硅酸乙酯和硼磷硅酸盐玻璃的蚀刻速率不一致，导 致第一层间介质层与第二层间介质层开口宽度不同，因此需要使用热标准清
洗液1号(HSC1 )将第一层间介质层和第二层间介质层的开口宽度蚀刻至相 同，但是热标准清洗液1号(HSC1 )会和多晶硅插塞产生反应，造成多晶硅 插塞中产生缺陷，进而导致电学失效。同时由于热标准清洗液l号(HSC1) 和緩冲氧化物蚀刻溶液(BOE)在对层间介质层进行蚀刻时，由于无法蚀刻 氮化硅层，造成氮化硅层残留，进而导致后续薄膜填充时会出现空洞或不平 整现象。本发明在制作完多晶硅插塞后再形成氮化硅层，在后续蚀刻过程， 由于氮化硅层的保护，不会产生热标准清洗液1号(HSC1 )与多晶硅插塞反 应，进而不会造成多晶硅插塞中产生缺陷，实现电学性能提高；同时由于氮 化硅层是最后被蚀刻掉的，因此就不会产生氮化硅层残留，使后续薄膜填充 平整。为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附 图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。
图3是本发明改善多晶硅层缺陷的流程图。如图3所示，执行步骤S201在 硅基底上形成氧化硅层；S202在氧化硅层中形成多晶硅插塞，所述多晶硅插 塞贯穿氧化硅层；S203在氧化硅层上形成氮化硅层，且覆盖多晶硅插塞；S204 在氮化硅层上形成层间介质层；S205蚀刻多晶硅插塞上方的层间介质层，形 成开口； S206蚀刻开口处的氮化硅层，露出多晶硅插塞；S207在开口内填充 多晶硅，与多晶硅插塞连通。
图4A至图4F是本发明制作动态随机存储器电容过程中形成多晶硅层示意 图。如图4A所示，首先，在硅基底200上形成动态随机存储器的场效应晶体管， 包括栅极204、漏极205和源极206，其中，栅极204上有顶盖层203，并且在栅 极204侧壁形成有间隙壁207，顶盖层203与间隙壁207的材料为氮化硅；然后， 用化学气相沉积法在硅基底200上形成氧化硅层208 ，氧化硅层208的作用是用 来作为器件间的隔离。
形成场效应晶体管的方法为公知技术，首先对在硅基底200中注入离子形 成阱；然后在炉管中通入氧气氧化硅基底200形成栅氧化层201;用化学气相
沉积法在栅氧化层201上形成多晶硅层，作为栅极204;用低压化学气相沉积 法在多晶硅层上形成顶盖层203，便于形成后续的自对准位线接触孔；由栅氧 化层201、柵极204和顶盖层203组成的栅极结构；接着以栅极结构为掩膜，在 栅极结构两侧的硅基底200中注入离子，形成低掺杂漏极；接着，在栅极结构 的侧壁形成间隙壁207;以栅极结构为掩模，在栅极结构两侧的硅基底200中 注入离子，进行重掺杂，形成漏极205和源极206。
如图4B所示，用旋涂法在氧化硅层208上形成第一光阻层(未图示)，经 过曝光和显影工艺后，在第一光阻层上形成开口图形，所述开口图形与源极 206对应；以第一光阻层为掩膜，沿开口图形蚀刻氧化硅层208至露出硅基底 200，在源极206处形成接触窗开口212;用灰化和湿法蚀刻法去除第一光阻层； 用化学气相沉积法在氧化硅层208上形成多晶硅层214,且将多晶硅层214填充 满接触窗开口212。
去除第一光阻层的方法为公知技术，先在温度为100。C 300。C时灰化第一 光阻层，由于灰化不能完全去除第一光阻层，因此再用湿法蚀刻法进一步去 除第一光阻层的残留。
如图4C所示，用化学机械抛光法研磨多晶硅层214至露出氧化硅层208, 在接触窗开口212处形成多晶硅插塞215;用化学气相沉积法在氧化硅层208上 形成厚度为400埃 800埃的氮化硅层210,氮化硅层210作为后续蚀刻层间介质 层的停止层；用化学气相沉积法在氮化硅层210上形成层间介质层217，层间 介质层217包括第一层间介质层216和第二层间介质层218，其中，第一层间介 质层216的厚度为12000埃 15000埃，材料是硼磷硅酸盐玻璃(BPSG),第二 层间介质层218的厚度为5000埃 8000埃，材料为正硅酸乙酯。
本实施例中，氮化硅层210的厚度具体例如400埃、500埃、600埃、700埃 或800埃。
本实施例中，第一层间介质层216的厚度具体例如12000埃、13000埃、 14000埃或15000埃；第二层间介质层218的厚度具体例如5000埃、6000埃、7000 埃或8000埃。
如图4D所示，用旋涂法在第二层间介质层218上形成图案化第二光阻层 (未图示)；以第二光阻层为掩膜，首先用干法蚀刻法蚀刻第一层间介质层 216和第二层间介质层218至露出氮化硅层210，形成与多晶硅插塞215对应的 开口219;由于干法蚀刻中采用的气体为0^6和02，对正硅酸乙酯和硼磷硅酸 盐玻璃的蚀刻速率不一样，其中对硼磷硅酸盐玻璃的蚀刻速率为5000埃/分钟， 对正硅酸乙酯的蚀刻速率为7000埃/分钟，从而造成蚀刻后的第二层间介质层 218中的开口宽度h2比第一层间介质层216的开口宽度h,宽200埃。
本实施例中，干法蚀刻第一层间介质层216和第二层间介质层218所采用 的气体QF6和O2的比例为30: 24。
如图4E所示，为了使第一层间介质层216和第二层间介质层218的开口宽 度一致，接着用对正硅酸乙酯和硼磷硅酸盐玻璃的蚀刻选择比为l: 10的热标 准清洗液l号(HSC1)对第二层间介质层218和第一层间介质层216进行湿法 蚀刻，使第二层间介质层218和第一层间介质层216的开口宽度一致；继续用 对正硅酸乙酯和硼磷硅酸盐玻璃的蚀刻选择比为1: l的和緩冲氧化物蚀刻溶 液(BOE)蚀刻第二层间介质层218和第一层间介质层216,以增大开口219的 宽度，具体增大30埃 50埃，使存储电极的表面积增大，用以提高电容器的电 容量。
本实施例中，用热标准清洗液l号(HSC1)对第二层间介质层218和第一 层间介质层216进4亍湿法蚀刻所用时间为150秒 250秒，具体例如150秒、170 秒、190秒、210秒、230秒或250秒。
本实施例中，用緩沖氧化物蚀刻溶液(BOE )蚀刻第二层间介质层218和 第一层间介质层216所用时间的为10秒 50秒、具体例如10秒、20秒、30秒、 40秒或50秒。
如图4F所示，用干法蚀刻法蚀刻氮化硅层210,使多晶硅插塞215露出； 用灰化和湿法蚀刻法去除第二光阻层；在开口219中填充满多晶硅，与多晶硅 插塞215连通，在多晶硅上形成半球形颗粒的多晶硅层，所述的半球形颗粒的 多晶硅层，也可以增加电容量。
去除第二光阻层的方法为公知技术，先在温度为10(TC 300。C时灰化第二 光阻层，由于灰化不能完全去除第二光阻层，因此再用湿法蚀刻法进一步去 除第二光阻层的残留。
本实施例中，干法蚀刻法蚀刻氮化硅层210所采用的气体为CHF3和O2，且 CHF3: 02等于15: 5。
图5是用电子扫描显微镜观察本发明制作的动态随机存储器电容中多晶 硅层的示意图。如图5所示，用扫描电子显微镜在放大倍数为250千倍时观察 动态随机存储器电容的形貌，由于氮化硅层是在形成多晶硅插塞后再形成的， 因此在用热标准清洗液l号(HSC1 )蚀刻层间介质层时，由于氮化硅层对多 晶硅插塞的保护，热标准清洗液l号(HSC1)不会和多晶硅插塞产生反应， 因此观察到多晶硅插塞315上没有任何缺陷；同时由于形成开口以后再蚀刻氮 化硅层，所以能将开口处(椭圓中所示)的氮化硅层全部去除，不会产生氮 化硅层残留，因此使后续填充多晶硅时会出现不平整现象。
本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何 本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和 修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。
权利要求
1.一种改善多晶硅缺陷的方法，包括下列步骤a.在硅基底上形成氧化硅层；b.在氧化硅层中形成多晶硅插塞，所述多晶硅插塞贯穿氧化硅层；c.在氧化硅层上形成氮化硅层，且覆盖多晶硅插塞；d.在氮化硅层上形成层间介质层；e.蚀刻多晶硅插塞上方的层间介质层，形成开口；f.蚀刻开口处的氮化硅层，露出多晶硅插塞；g.在开口内填充多晶硅，与多晶硅插塞连通。
2. 根据权利要求l所述的改善多晶硅缺陷的方法，其特征在于用化学气相沉 积方法形成氮化硅层。
3. 根据权利要求2所述的改善多晶硅缺陷的方法，其特征在于所述氮化硅层 的厚度为400埃 800埃。
4. 根据权利要求3所述的改善多晶硅缺陷的方法，其特征在于用干法蚀刻法 蚀刻氮化硅层。
5. 根据权利要求4所述的改善多晶硅缺陷的方法，其特征在于干法蚀刻采用 的气体为CHF3和02，且CHF3: 02等于15: 5。
6. 根据权利要求l所述的改善多晶硅缺陷的方法，其特征在于步聚c包括在氮化硅层上形成第 一层间介质层； 在第一层间介质层上形成第二层间介质层。
7. 根据权利要求6所述的改善多晶硅缺陷的方法，其特征在于形成第一层间 介质层和第二层间介质层的方法是化学气相沉积法。
8. 根据权利要求7所述的改善多晶硅缺陷的方法，其特征在于所述第一层间 介质层的材料为硼磷硅酸盐玻璃。
9. 根据权利要求8所述的改善多晶硅缺陷的方法，其特征在于所述第二层间 介质层的材^l"为正石圭酸乙酯。
10. 根据权利要求6所述的改善多晶硅缺陷的方法，其特征在于步聚d包括先用千法蚀刻法对多晶硅插塞上方的第 一层间介质层和第二层间介质层 进行第一次蚀刻，形成与多晶硅插塞对应的开口；接着用湿法蚀刻法对第 一层间介质层和第二层间介质层进行第二次蚀刻， 使第 一层间介质层和第二层间介质层开口宽度一致；用湿法蚀刻法对第 一层间介质层和第二层间介质层进行第三次蚀刻，使开 口宽度增大。
11. 根据权利要求10所述的改善多晶硅缺陷的方法，其特征在于第一次蚀刻 采用的气体为QF6和02。
12. 根据权利要求10所述的改善多晶硅缺陷的方法，其特征在于第二次蚀刻 采用的溶液为热标准清洗液1号。
13. 根据权利要求10所述的改善多晶硅缺陷的方法，其特征在于第三次蚀刻 采用的溶液为緩沖氧化物蚀刻溶液。
全文摘要
一种改善多晶硅缺陷的方法，包括下列步骤在硅基底上形成氧化硅层；在氧化硅层中形成多晶硅插塞，所述多晶硅插塞贯穿氧化硅层；在氧化硅层上形成氮化硅层，且覆盖多晶硅插塞；在氮化硅层上形成层间介质层；蚀刻多晶硅插塞上方的层间介质层，形成开口；蚀刻开口处的氮化硅层，露出多晶硅插塞；在开口内填充多晶硅，与多晶硅插塞连通。经过上述步骤，由于氮化硅层的保护，不会产生热标准清洗液1号与多晶硅插塞反应；由于氮化硅层是最后被蚀刻掉的，因此就不会产生氮化硅层露出，使后续填充平整。
文档编号H01L21/768GK101197310SQ200610119058
公开日2008年6月11日 申请日期2006年12月4日 优先权日2006年12月4日
发明者芸 杨, 杨振良, 王刚宁, 金贤在 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司