专利名称：一种低介电常数电介质的金属单镶嵌结构制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体制程，特别是涉及在低介电常数电介质层上的金属 单镶嵌结构的制作方法。
背景技术：
众所周知在半导体的后端制程，金属连线的制作过程中，特别是在低 介电常数电介质(如主要组分为硅、碳、氧的电介质，具有低介电常数) 层上进行金属单镶嵌结构刻蚀时，常常需要用聚合物气体以获得低介电常 数电介质层和阻挡层之间的好的刻蚀选择性。
如图1所示，通常的低介电常数电介质层上进行金属单镶嵌结构刻蚀，
包括首先依次形成阻挡层1、低介电常数电介质层2、保护层(Cap layer) 3、底层抗反射层(BARC) 4、光刻胶层5，然后进行用于形成金属(MI) 单镶嵌结构的刻蚀。但是为了节省成本，有时会采用没有保护层3的刻蚀 方法，如图2A所示，同样为了获得低介电常数电介质层和阻挡层之间的 好的刻蚀选择性，需要应用高碳聚合物气体(Heavy polymer gas)。
在完成金属单镶嵌结构刻蚀工艺以后，该高碳聚合物需要采用原处灰 化和湿式清洗的方法去除。但是，该聚合物和低介电常数电介质层，甚至 在低温(如20。C)的原处灰化过程中，也容易形成主要包含碳(C)、氟 (F)、硅(Si)的硬皮聚合物。
目前普遍采用的清洗工艺是在低介电常数电介质层上的光刻胶灰化 以后，用水基化学清洗剂，如Semitool公司生产的化学品名为ST250、主 要成分为NH4F和H20，进行单晶片旋转清洗。该化学清洗剂具有好的去 除铜氧化物和低碳氟聚合物的性能，但是不能全部去除硬皮聚合物。 一旦 这种原处灰化和湿式清洗工艺不能完全去除硬皮聚合物，则在阻障层和种 晶层的脱气高温烘烤工艺过程中，将形成表面颗粒缺陷。
为了解决上述问题，就需要找到一种可以在高温烘烤前，能够完全去
除硬皮层的清洗方法。
发明内容
为了解决上述问题，提出了本发明。
本发明的要解决的技术问题是提供一种低介电常数电介质的金属单 镶嵌结构的形成方法，该方法可以完全去除采用高碳聚合物进行金属单镶 嵌结构刻蚀以后在电介质层上存在的上述硬皮聚合物，以减少在阻障层和 种金层的脱气高温烘烤过程中产生表面颗粒缺陷。
本发明的一种低介电常数电介质的金属单镶嵌结构制作方法，包括如 下步骤
1) 在已形成器件结构的衬底上，依次形成阻挡层、低介电常数电介质 层、底层抗反射层、光刻胶层；
2) 光刻、显影，形成光刻胶图案；
3) 以光刻胶为掩模，采用高碳聚合物刻蚀低介电常数电介质层，在阻 挡层停止刻蚀；
4) 去除光刻胶和抗反射层；
5) 采用化学清洗剂清洗去除聚合物，所述化学清洗剂含双氧水和氟；
6) 刻蚀阻挡层；
7) 常规清洗；
8) 进行后续制程。
根据本发明，所述的阻挡层是氮化硅层。
在完成用于形成金属单镶嵌结构的刻蚀以后，采用原处灰化法去除所 述的光刻胶层和抗反射层。优选以氧(02)等离子与光刻胶反应去除。
通常在该原处灰化过程中在电介质层上形成高碳的聚合物硬皮，根据 本发明，采用含双氧水和氟的化学清洗剂进行清洗，优选采用专用于清洗 DUO (DUV Light Absorbing Oxide)的化学清洗剂进行清洗。更优选采用 JT.Baker公司生产的化学品名为CLK888的化学清洗剂。
在完成上述清洗后对所述的阻挡层进行刻蚀，所述刻蚀优选采用轻等 离子刻蚀方法，更优选采用低功率刻蚀，如刻蚀功率小于500W。
根据本发明，在刻蚀阻挡层后，进行常规清洗，优选采用水基化学清
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洗剂，更优选采用由Semitool公司生产的化学品名为ST250的清洗剂。
由于本发明的工艺采用没有保护层的金属单镶嵌结构刻蚀方法，因此 工艺简单，又由于采用含有双氧水(H202)和氟化学清洗剂进行刻蚀后的 清洗，清洗效果好，在后续的阻障层和种晶层形成以后的高温脱气过程中 不会形成硬皮层，而对低介电常数的电介质材料的介电常数没有明显影 响。
下面结合附图详细介绍本发明。然而需要注意的是，这些附图只是用 来说明本发明的典型实施例，而不构成为对本发明的任何限制，在不背离 本发明的构思的情况下，可以具有其他更多等效实施例。而本发明的保护 范围由权利要求书决定。
图1是现有技术的具有保护层的金属单镶嵌结构剖面图。
图2A 2D是现有技术的没有保护层的金属单镶嵌结构采用常规清洗 后形成硬皮层的过程的剖面图。
图2E是用能量分散光谱仪(energy-dispersive spectrometer, EDS)对 聚合物硬皮缺陷点分析测得的结果。
图2F是用能量分散光谱仪对聚合物硬皮缺陷线性扫描测得的结果。
图3A 3C是本发明的采用新清洗方法的没有保护层的金属单镶嵌结 构的形成过程剖面图。
图4A是现有技术的没有保护层的金属单镶嵌结构，采用常规清洗后 形成硬皮层的晶片上的缺陷扫描图。
图4B是本发明的没有保护层的金属单镶嵌结构，采用新方法清洗后 形成的晶片上的缺陷扫描图。
图5A是现有技术的没有保护层的金属单镶嵌结构，采用常规清洗后 形成硬皮层的晶片上的缺陷放大图。
图5B是本发明的没有保护层的金属刻蚀结构，采用新方法清洗后形 成的晶片上的缺陷放大图。
图6是低倍率(mag.)缺陷分析图，其中显示在沟槽上存在大面积缺陷。
图7A、 7B是较高倍率缺陷分析图，其中，图7A显示缺陷区域，图 7B显示没有缺陷的正常区域。
附图标记说明
1 阻挡层(block layer)
2 低k电介质层
3 保护层(cap layer)
4 底层抗反射涂层(BARC)
5 光刻胶层
6 聚合物硬皮缺陷 6'非硬皮缺陷
7 内层电介质层(IMD)和底部阻挡层(liner)
8 阻障层和种晶层(barrier layer & seed layer)
9 Pt (铂，镀在试样表面，减少电荷累积，提高图像品质) 10没有缺陷区域
具体实施例方式
下面结合附图，通过实施例和比较例对本发明进行详细说明。 实施例
图3A 3C是本发明的方法形成低介电常数电介质的金属单镶嵌结构 的过程。
本发明的一个实施例的低介电常数电介质的金属单镶嵌结构形成方
法，包括如下步骤
如图3A所示，在已形成器件结构的衬底上，按照常规方法形成氮化 硅(Si3N4)阻挡层l、黑钻石(Black Diamond)(由应用材料公司研发) 低介电常数电介质层2， (Rohmhaas公司生产的品名为AR40)底层抗反 射层(BARC) 4， 193nmArF光刻胶形成光刻胶层5;对光刻胶层5进行 常规的光刻、显影过程，形成光刻胶图案。
为了获得较好的在低介电常数电介质层和阻挡层之间的刻蚀选择性，采用高碳聚合物气体进行干式刻蚀。如图3B所示，如采用碳/氟(C/F) 大致为1/2或1/1.5的高碳聚合物气体，以光刻胶层5为掩模，在低介电 常数电介质层2上刻蚀形成单镶嵌结构，并在阻挡层l上停止刻蚀；然后 采用原处灰化法，具体地是以氧(02)等离子体与光刻胶、抗反射层物质 反应去除光刻胶层5和抗反射层4。
高碳聚合物与光刻胶、低介电常数电介质材料容易反应，甚至在20 "C的低温也容易形成硬皮物质。
图2E是用能量分散光谱仪(energy-dispersive spectrometer, EDS)对 聚合物硬皮缺陷点分析测得的结果。
图2F是用能量分散光谱仪(energy-dispersive spectrometer, EDS)对 聚合物硬皮缺陷线性扫描测得的结果。
从图2E和2F中可以看出，通过能量分散光谱仪(energy-dispersive spectrometer ， ED S)对聚合物硬皮缺陷点分析和线性扫描测得的结果可知， 缺陷中含有较高的碳、氟以及硅存在。说明缺陷主要成分是C和F，由此 可以推断出缺陷为含碳的高分子聚合物。
采用双镶嵌工艺中用于清洗DUO的化学清洗剂，如CLK888清洗去 除高碳聚合物。DUO (DUV Light Absorbing Oxide)是Si02基的抗反射涂 层，含有硅、碳、氧等元素。CLK888是JT.Baker公司生产的化学品名为 CLK888含有双氧水(H202)和氟(F)的化学物质。
如图3C所示，在完成上述清洗后刻蚀阻挡层1，所述刻蚀采用使用功 率小于500W的低功率蚀刻制程；
然后，用旋转单晶片清洗方法用水基化学清洗剂，如Semitool公司生 产的化学品名为ST250的清洗剂清洗，其主要成分为NH4F和H20;
接着进行在沟槽中形成阻障层和种金属层等后续制程。
比较例
图2A 2D是现有技术的方法形成低介电常数电介质的金属单镶嵌结 构的过程。
如图2A所示，在以形成器件结构的衬底上，按照常规方法形成氮化 硅(Si3N4)阻挡层1、低介电常数电介质层2黑钻石(Black Diamond,由
应用材料公司研发)，底层抗反射层(BARC) 4 (Rohmhaas公司生产， 品名AR40)、光刻胶层5 (193nm ArF光刻胶)；对光刻胶层5进行常 规的光刻、显影过程，形成光刻胶图案。
为了获得较好的在低介电常数电介质层和阻挡层之间的刻蚀选择性， 采用高碳聚合物气体进行干式刻蚀。如图2B所示，采用C/F大致为1/2 或1/1.5的高碳聚合物气体，以光刻胶层5为掩模，刻蚀低介电常数电介 质层2，在阻挡层l停止刻蚀；然后以氧(02)等离子体与光刻胶和抗反 射层物质反应而去除光刻胶层5和抗反射层4。
在原处灰化过程中，高碳聚合物与光刻胶、低k电介质材料容易反应， 甚至在2(TC的低温也容易形成硬皮物质。从图2E和2F中可以看出，通 过能量分散光谱仪(energy-dispersive spectrometer, EDS)对聚合物硬皮 缺陷点分析和线性扫描测得的结果，缺陷中含有较高的碳、氟以及也有硅 存在。
用水基清洗剂，如Semitool公司生产的化学品名为ST250的清洗剂， 进行单晶片旋转湿式清洗去除该硬皮聚合物，清洗剂主要成分为NH4F和 H20。由于该清洗剂只能去除低碳聚合物，对高碳聚合物形成的硬皮去除 性很差，因此残留硬皮物质，如图2C所示。
在完成上述清洗后刻蚀去除阻挡层1，如图2D所示，所述刻蚀采用 功率小于500W的轻等离子刻蚀方法；
然后，用旋转单晶片清洗方法用水基化学清洗剂，如Semitool公司生 产的ST250清洗剂清洗；
接着进行在沟槽中形成阻障层和种金属层等后续制程。
由于有些沟槽表面存在如图2C所示的硬皮层，所以难以在沟槽中填 充阻障层材料和种金属材料，导致最后形成表面缺陷。
图4A是上述比较例的方法得到的晶片扫描缺陷的结果，其中6是指 缺陷部分。
图4B是上述实施例的方法得到的晶片扫描缺陷的结果，其中，6'是 指缺陷部分。
图5A和图5B是图4A和图4B中缺陷的放大图，其中，6是指硬皮
缺陷部分，经过光学显微镜检测大小为5~10Pm。但是图5B中的缺陷6 '经过检测不是硬皮物质，其大小只有零点几微米。
图6中是有缺陷部分和没有缺陷部分的对比。其中，6是指缺陷部分， IO是指没有缺陷的部分。
从以上结果可以看出，本发明的方法可以解决采用高碳聚合物刻蚀导 致的硬皮缺陷问题。
虽然以上所述是针对本发明的实施例，但本发明的其它及进一步的实 施例可以在不背离其基本范围之下设计出，而其保护范围是由权利要求书 的范围决定。
权利要求
1.一种低介电常数电介质的金属单镶嵌结构制作方法，包括如下步骤1)在已形成器件结构的衬底上，依次形成阻挡层、低介电常数电介质层、底层抗反射层、光刻胶层；2)光刻、显影，形成光刻胶图案；3)以光刻胶为掩模，用高碳聚合物刻蚀低介电常数电介质层，在阻挡层停止刻蚀；4)去除光刻胶和抗反射层；5)采用化学清洗剂清洗去除高碳聚合物，所述化学清洗剂含双氧水和氟；6)刻蚀阻挡层；7)常规清洗；8)进行后续制程。
2. 根据权利要求1所述的低介电常数电介质的金属单镶嵌结构制作方法，其特征在于，所述的阻挡层是氮化硅层。
3. 根据权利要求1或2所述的低介电常数电介质的金属单镶嵌结构 制作方法，其特征在于，所述的光刻胶层采用原处灰化去除。
4. 根据权利要求3所述的低介电常数电介质的金属单镶嵌结构制作 方法，其特征在于，所述的原处灰化去除，是以氧等离子体与光刻胶反应 而去除。
5. 根据权利要求1或2所述的低介电常数电介质的金属单镶嵌结构 制作方法，其特征在于，所述的化学清洗剂是去除DUO的化学清洗剂。
6. 根据权利要求5所述的低介电常数电介质的金属单镶嵌结构制作 方法，其特征在于，所述的化学清洗剂是JT.Baker公司生产的化学品名 为CLK88的化学清洗剂。
7. 根据权利要求1或4或6所述的低介电常数电介质的金属单镶嵌 结构制作方法，其特征在于，所述的阻挡层刻蚀，采用轻等离子体刻蚀。
8. 根据权利要求7所述的低介电常数电介质的金属单镶嵌结构制作方法，其特征在于，所述的阻挡层刻蚀，是使用低功率刻蚀制程，功率小于500W。
9. 根据权利要求1或4或6或8所述的低介电常数电介质的金属单 镶嵌结构制作方法，其特征在于，所述的常规清洗是采用水基清洗剂。
10. 根据权利要求9所述的低介电常数电介质的金属单镶嵌结构制作 方法，其特征在于，所述的水基清洗剂是由Semitool公司生产的化学品名 为ST250的清洗剂。
全文摘要
一种低介电常数电介质的金属单镶嵌结构制作方法，该方法采用高碳聚合物气体进行低介电常数电介质层的金属单镶嵌结构刻蚀，去除光刻胶和抗反射层后，采用含双氧水和氟的化学清洗剂，可以完全去除高碳聚合物及其与光刻胶、电介质反应形成的硬皮物质，减少最后的表面缺陷。
文档编号H01L21/02GK101197276SQ20061011921
公开日2008年6月11日 申请日期2006年12月6日 优先权日2006年12月6日
发明者郑莲晃, 韩秋华 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司