专利名称：具有至少一个发光芯片晶体的发光元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种发光元件，尤其是类似于发光二极管的发光元件，该发光元件具有至少一个发光芯片晶体，尤其是半导体晶体，其中，所述发光芯片晶体的至少一个自由面由惰性材料覆盖。
背景技术：
已知的发光元件，尤其是发光二极管具有半导体结构的发光芯片晶体，通过该发光芯片晶体光以对半导体结构而言的特征波长或特征波长范围发射。
发光芯片晶体布置在基片上并且与这些基片一起被浇注在透明树脂中。该透明树脂使发光芯片晶体在热、电和机械方面与外界，尤其是与外界空气隔离并且得到保护。
为了激励已知的发光元件，发光芯片晶体通过合适的连接被加载以供电电压。在此情况下，发光芯片晶体变热。在已知的发光元件的情况下供电电压以及由此带来的发射功率尤其受到透明树脂的耐热性的限制。如果发光元件在高于其典型的供电电压的电压下工作，则透明树脂由于发光芯片晶体变热而熔化，尤其是在形成空气气泡的情况下变色并且“死亡”。
发明内容
本发明的目的在于，设计一种上面提到的类型的发光元件，使得可以获得更高的发射功率和/或在发射方面获得更高的效率。
根据本发明，该目的是这样来实现的，即采用为液态流体的惰性材料，该液态流体直接与发光芯片晶体接触。
根据本发明，该流体包围发光芯片晶体，因此使发光芯片晶体在机械、化学和电方面与空气和外界隔离并且导散所产生的热量。流体直接地并且尤其是无空气气泡或气体气泡地与发光芯片晶体接触，由于在发光芯片晶体被加载以供电电压的情况下所产生的热量被传递给流体并且通过该流体输送走，因此发光芯片晶体被冷却。
所以，也避免了流体提早过热，这样也使得该流体尤其在光学方面不发生变化并且在最糟糕的情况下不“死亡”。这样，发光芯片晶体可在比使用透明树脂时所允许的电压高得多的供电电压下工作。
此外，发光芯片晶体的冷却导致其在发射方面的效率明显提高。因此总的说来，由于更大的最大供电电压和/或效率的提高，即使在供电电压较小的情况下，也能实现发射功率的提高也得以提高。
在一个有利的实施例中，液态流体可至少对于由发光芯片晶体发射的波长范围内的光是透明的，因此，由发光芯片晶体产生的光可不受阻碍地穿过该流体发射到外界中。
为了避免尤其是泄漏流和/或特别是发光芯片晶体与外界空气反应，该液态流体应该是良好的电绝缘体和空气隔离体。
有利的是，该液态流体可以是粘稠液。发光芯片晶体可以很好地嵌入粘稠的流体中，并且在其中得到保护以免受到机械作用，尤其是振动。
为了即使在变热的情况下液态流体也能通过变形以最佳地与发光芯片晶体的表面相匹配，并且无间隙地覆盖晶体表面，该液态流体即使在较高的温度下也应该保持其粘度。此外，这样具有如下优点，由于液态流体具有在很大程度上与温度无关的恒定粘度，即使在辐射激发的发光芯片中发光芯片晶体也能免受振动，而该振动使得尤其是发光芯片晶体的区域剧烈变热。
为了确保很好地将热量从发光芯片晶体输送到外界，并且为了避免发光芯片晶体或流体过热，该液态流体应该是良好的导热体。
在另一个特别有利的实施例中，该液态流体可以被加压。以此方式来避免在发光芯片晶体的热表面上形成空气气泡。例如作为基片的涂覆有作为发光芯片晶体的InGaN的蓝宝石晶体的表面上的空气气泡会导致发光芯片晶体立即烧毁。该发光芯片晶体瞬间毁坏，因而不再产生光。
在另一个特别有利的实施例中，该液态流体可以是硅油。硅油具有本发明的液态流体的所有必需的特性。此外，硅油在工业上容易制备并且容易地加工处理。
为了能够利用发光芯片产生460nm至480nm波长范围内的蓝光，所述发光芯片晶体可以具有InGaN/GaN结构。
另外，该液态流体可以包含影响所发射的波长或波长范围的介质，尤其是颜料，特别是磷光体晶体。例如，通过添加在波长为450nm至480nm的情况下有活性并且将蓝光转变成白光或黄-白光或红光或绿光的晶体，由具有发出蓝光的发光芯片晶体的发光芯片发射白光。
为了能够利用发光芯片产生红外部分，尤其是近红外部分中的优选具有约850nm波长的光，所述发光芯片晶体可以具有发出红外线的晶体的结构。
所述发光芯片晶体可以布置在尤其是由蓝宝石或金刚石制成的基片上。由蓝宝石或金刚石制成的基片在工业上容易实现。通过由金刚石制成的基片也可实现尺寸尤其为300μm×300μm的更小的发光芯片晶体，通过这些更小的发光芯片晶体可实现更高的温度和更高的效率。
该发光元件可具有用于所述发光芯片晶体或基片的支架，尤其是金属支架或陶瓷支架。所述发光芯片晶体或基片稳定地固定在支架上。
该支架，尤其是具有板的金属支架，可用作由所述发光芯片晶体发射的光的反射器。这样不需要单独的反射器，尤其用于朝该发光元件的期望的发射方向反射向后发射的光。
为了无需单独的光学部件就能折射，尤其是成束地聚集所述发光芯片晶体所产生的光，该液态流体可相对于所述发光芯片晶体这样布置，使得该液态流体对于由所述发光芯片晶体发射的光具有光学系统，尤其是透镜的作用。
此外，至少所述发光芯片晶体可由光学透镜，尤其是玻璃透镜覆盖，并且至少所述发光芯片晶体与透镜之间的区域可填充有液态流体。以此方式显著改善了由所述发光芯片晶体产生的光的折射。该透镜还可用作所述发光芯片晶体的壳体并且该透镜与所述发光芯片晶体之间的区域可用所述液态流体填充，因此不需要单独的壳体。
有利的是，所述发光芯片晶体可具有350μm×350μm与1050μm×1050μm之间的表面尺寸。该尺寸大小的发光元件在光发射方面具有最佳的效率。
为了实现发射面积的增大并且为了由此带来的以小的结构宽度实现发射功率的增大从而在光发射方面具有最佳效率，该发光元件尤其可具有由多个尤其是布置成链(Kette)的发光芯片晶体构成的混合结构，所述发光芯片晶体可串联或并联连接。多个分别由多个串联连接的发光芯片晶体组成的链可以并联连接。该混合结构的发光芯片晶体可具有不同的结构宽度。
为了使液态流体不从所述发光芯片晶体流走，并且为了使该发光元件稳定并且在外侧得到保护，所述发光芯片晶体可布置在尤其是对于由所述发光芯片晶体发射的波长范围内的光透明的壳体，尤其是玻璃壳体或塑料壳体中，并且所述壳体填充有所述液态流体。由于容器对于相应波长的光透明，发射线(Strahlung)可几乎不被衰减地发射到外界。
该壳体可具有用于填入液态流体的装置，因此，该壳体也可在所述发光芯片晶体安装好之后容易地用流体填充。
在另一个特别有利的实施例中，该壳体的内部与前室起作用地连通，该前室中具有处于尤其是1至3bar的压力下的气态介质，尤其是含卤素的气体混合物、含氩的气体混合物、含氖的气体混合物和/或含空气的气体混合物。这样，可容易地且持久地充入加压流体，从而使得，即使在所述发光芯片晶体的温度较高的情况下所述发光芯片晶体的表面上也不会产生空气气泡。
下面借助于附图更详细地说明本发明的实施例。其中
图1示出平面地布置有多个InGaN/GaN晶体结构的发光二极管的第一实施例的侧截面图，在该发光二极管中，这些InGaN/GaN晶体结构以三个并联连接的链布置在填充有硅油的玻璃壳体中，这些链各具有三个串联连接的InGaN/GaN晶体结构，其中，这些InGaN/GaN晶体结构的布置以相对于发光二极管的其余部分放大了的比例的俯视图示出；图2示出与图1中的链相类似的由六个串联连接的InGaN/GaN晶体结构组成的链的细部；图3示出一个金属支架板的俯视图，该金属支架板带有与图1中的发光二极管相类似的发光二极管的、与图1中的InGaN/GaN晶体结构相类似的InGaN/GaN晶体结构；图4示出与图1中所示的发光二极管相类似的发光二极管的第二实施例，在该发光二极管中，InGaN/GaN晶体结构布置成混合结构，该混合结构由四个并联连接的InGaN/GaN晶体结构组成，其中，该混合结构以俯视图并且以相对于发光二极管的其余部分放大了的比例示出；图5示出与图4中的混合结构相类似的混合结构的细部，其中，四个各由八个串联连接的InGaN/GaN晶体结构组成的链并联连接；图6示出一个金属支架板的俯视图，该金属支架板具有与图4中的发光二极管相类似的发光二极管的、与图4中的混合结构相类似的混合结构；图7示出与图1中的发光二极管相类似的发光二极管的实际比例的侧视图。
具体实施例方式
图1示出整体上用参考标号1标记的发光二极管。发光二极管1具有空心柱状的、由对光透明的玻璃制的壳体3，该壳体的轴线在图1中垂直地延伸。
壳体3通过水平分隔壁5在壳体3的收缩部划分成出位于图1下方的前室7和位于图1上方的主室9。
在分隔壁5中央贯穿有垂直延伸的通道11，通过该通道前室7与主室9相连通。
壳体3的上部端面为球状并且从上部观看时为凸形，因此构成一光学玻璃透镜13。壳体3的下部端面15是平的。
玻璃管17从下部穿过下部端面15通到前室7中，在制造发光二极管1时，通过该玻璃管将硅油19填充到主室9中，并且将下面还要详细描述的含卤素的气体混合物21加压填充到前室7中。
在主室9内固定有具有金属板23的金属支架25。在金属板23上，九个InGaN/GaN晶体结构27各布置在蓝宝石基片29上。
金属板23用作由InGaN/GaN晶体结构27发射的光的反射器。
每个InGaN/GaN晶体结构27都具有350μm×350μm与1050μm×1050μm之间的表面尺寸。
图1以不同于发光二极管1的以侧截面示出的其余部分的角度、即以俯视图示出蓝宝石基片29上的InGaN/GaN晶体结构27，以便更好地看清楚它们的结构。此外，与发光二极管1的其余部分相比较放大地示出了这些InGaN/GaN晶体结构。
InGaN/GaN晶体结构27布置成在图1中垂直延伸的三个链31，这些链各具有三个串联连接的InGaN/GaN晶体结构27。这三个链31在它们的端部通过上部导线33和下部导线35分别在图1的上方或下方相连接，使得所述链31并联连接。
上部导线33通到左侧的连接导线37，该连接导线向下穿过主室9、分隔壁5、前室7和前室7的下部端面15。该上部导线与位于图1下方的从壳体3中伸出的左侧的连接引脚39相连接。左侧的连接引脚39可与用于发光二极管1的未示出的电压供给装置相连接。
下部导线35类似于上部导线33通过右侧的连接导线41通到右侧的连接引脚43。
主室9完全填充有透明的硅油19，在制造发光二极管1时，该硅油通过玻璃管17填充。带有蓝宝石基片29的InGaN/GaN晶体结构27完全浸入到硅油19中。因此，InGaN/GaN晶体结构27的所有自由的表面直接地且无气泡地与硅油19接触。蓝宝石基片29的自由表面也被硅油覆盖。
硅油19是良好的导热体。硅油19使InGaN/GaN晶体结构27和蓝宝石基片29冷却并且将热量从InGaN/GaN晶体结构和蓝宝石基片向外导散到壳体3的内表面，由此，InGaN/GaN晶体结构27不会过热，尤其是在InGaN/GaN晶体结构27的表面上的硅油19也不会过热。
玻璃透镜13和位于InGaN/GaN晶体结构27与玻璃透镜13之间的区域中的硅油19构成光学系统45，用该光学系统来散射InGaN/GaN晶体结构27所产生的光。
另外，硅油19是良好的电绝缘体和空气隔离体，因此，该硅油使InGaN/GaN晶体结构27和蓝宝石基片29在电方面和化学方面与外界隔离。
此外，硅油19是粘稠液，因此保护InGaN/GaN晶体结构27和蓝宝石基片29免受机械作用，例如阻尼振动。该硅油即使在温度较高的情况下也保持其粘度，因此，发光二极管1，尤其是InGaN/GaN晶体结构27即使在工作中被加热也能得到很好的保护。
在前室7中存在处于1至3bar的压力下的含卤素的气体混合物21。因此，通过通道11也给硅油19加压。
为了使发光二极管1工作，在连接引脚39和43上施加一个适用于产生期望亮度的供电电压。
已知的蓝宝石基片上的InGaN/GaN晶体结构在不使用硅油的情况下以3.02V至最大3.2V的最小供电电压工作并且发出在460nm至480nm波长范围内的蓝光。如果蓝宝石基片上的InGaN/GaN晶体结构如目前通常的那样被浇注在透明树脂中，则所述InGaN/GaN晶体结构可加载以5.8V至6.5V的最大电压并且发射出具有460nm至475nm以下波长的蓝光。在该电压下，透明树脂开始熔化，在出现空气气泡的情况下变色并且“死亡”。
在所提出的发光二极管1中硅油19的导热使得InGaN/GaN晶体结构27不同于已知的由透明树脂包围的晶体结构而可在此加载以达28V的供电电压，但是，根据制造商，在已知的发光二极管中同样的InGaN/GaN晶体结构通常在5V至6V的错误极化电压(Polungsbahnung)下“死亡”。
尽管InGaN/GaN晶体结构27被设计成仅用于5V至6V的供电电压，但这些InGaN/GaN晶体结构根据本发明浸入在硅油19中时能承受高于25V的供电电压，而例如不会烧毁。
由于硅油19在所提出的发光二极管1中被加压，因此，即使在约28V的情况下也不形成空气气泡，并且InGaN/GaN晶体结构27即使在供电电压这样高的情况下仍可工作。当供电电压处于高于通常的供电电压的3V至18V的范围时，光输出非常高。
仅从18V起，通过InGaN/GaN晶体结构27的电流增大，但不产生更多的光。因此，可通过优选3V与18V之间的供电电压使浸入在透明的硅油19中的并且具有非常理想的发光强度的InGaN/GaN晶体结构27工作更长的时间。
上面提到的电压值对于所使用的InGaN/GaN晶体结构27仅仅是示范性的，对于其它晶体结构可能需要其它供电电压。但对于本发明重要的是，通过使用硅油19或者其它合适的惰性液体也可以使取代InGaN/GaN晶体结构27使用的发光芯片晶体与具有目前已知的护盖物，例如具有透明树脂的情况相比较在更高的电压下和/或在光输出方面以更高的效率工作。
为了产生白光，向硅油19添加磷光体晶体(Phosphorkristall)或其它晶体，所述晶体在450nm至480nm波长范围中具有活性，通过所述晶体蓝光被转变成白光或黄-白光或红光或绿光。
图2详细地示出与图1中的链31相类似的、具有六个在蓝宝石基片129上串联连接的InGaN/GaN晶体结构127的链131，所述InGaN/GaN晶体结构浸入在硅油119中。
图3中以俯视图示出了金属支架板223，该支架板带有与图1中的发光二极管1相类似的发光二极管201的、与图1中的InGaN/GaN晶体结构27相类似的InGaN/GaN晶体结构227。与图1所述元素相类似的元素用对应相同的参考标号加上200来标记，因此，关于这些元素的说明可参考图1中的详细说明。
在图4中所示的发光二极管301的另一个实施例中，与图1中所述的第一实施例的元素相类似的元素用对应相同的参考标号加上300来标记，因此，关于这些元素的说明可参考对第一实施例的详细说明。
该实施例与第一实施例的区别在于，发光二极管301设计成由多个布置成链331的InGaN/GaN晶体结构327组成的混合结构360。所述InGaN/GaN晶体结构327串联连接。
图5详细地示出与图4中的混合结构360相类似的混合结构460，其中，蓝宝石基片429上的四个各由八个串联连接的InGaN/GaN晶体结构427组成的链431并联连接并且浸入在硅油419中。
图6以俯视图示出金属支架板523，该金属支架板带有与图4中的发光二极管301相类似的发光二极管的、与图4中的混合结构460相类似的混合结构560。该混合结构560浸入在硅油519中。该混合结构包括蓝宝石基片529上的三个并联连接的链531，各链具有三个串联连接的InGaN/GaN晶体结构527。从混合结构560引出连接导线541和537，这些连接导线通到发光二极管的未示出的连接引脚。
图7示出与图1中的发光二极管1相类似的发光二极管601的按照实际比例的侧视图。与图1所述元素相类似的元素用对应相同的参考标号加上600的来标记，因此，关于这些元素的说明可参考图1中的详细说明。
发光二极管601不具有位于前室607与主室609之间的收缩部。通道611在壳体603的位于图7右侧的边缘区域中从下部通到发光二极管601的上部端面。
也可实现其它类型的发光元件以取代发光二极管1、301。
发光二极管1、301或发光元件也可仅具有单个晶体结构以取代多个InGaN/GaN晶体结构27、127、227、327、427、527、627。
也可使用其它类型的发光芯片晶体，尤其是半导体晶体，例如使用发出红外线的尤其以波长为850nm发射红外线的晶体结构，以取代InGaN/GaN晶体结构27、127、227、327、427、527、627。
带有蓝宝石基片29、129、229、329、429、529、629的InGaN/GaN晶体结构27、127、227、327、427、527、627不必完全浸入在硅油19、119、219、319、419、519、619中。也可用硅油19、119、219、319、419、519、619仅覆盖InGaN/GaN晶体结构27、127、227、327、427、527、627的自由面。
也可使用其它惰性液态流体以取代硅油19、119、219、319、419、519、619。
所述液态流体，尤其是硅油19、119、219、319、419、519、619可以不是粘稠液而是稀液。
也可使用在较高的温度下其粘度改变的液态流体。
此外，硅油19、119、219、319、419、519、619也可仅对于由发光芯片晶体发射的波长范围内的光是透明的。
所述液态流体，尤其是硅油19、119、219、319、419、519、619不必被加压，它也可具有外界压力。
所述液态流体，尤其是硅油19、119、219、319、419、519、619也可不包含磷光体晶体，而包含其它的影响所发射的波长或波长范围的介质(所述介质的光被提取出)，尤其是晶体，或者甚至不包含添加物。如果硅油19、119、219、319、419、519、619中不包含添加物，则InGaN/GaN晶体结构27、127、227、327、427、527、627发射出460nm与475nm之间波长范围内的蓝光。
发光芯片晶体，尤其是InGaN/GaN晶体结构27、127、227、327、427、527、627也可不布置在蓝宝石基片29、129、229、329、429、529、629上，而布置在其它类型的基片上，优选布置在由金刚石制成的基片上。由此也可实现尺寸尤其为300μm×300μm的更小的发光芯片晶体。
也可将陶瓷支架用于发光芯片晶体或基片以取代金属支架25、325、625。金属支架25、325、625也可不构造成板23、223、323、523、623，而构造成其它形式。
硅油19、119、219、319、419、519、619不必设置成具有光学系统的作用。
也可设置透镜装置以取代唯一的一个玻璃透镜13、313，或者甚至也可不设置任何透镜。也可取代玻璃透镜13、313而使用由其它材料例如塑料制成的透镜。透镜也可罩在发光芯片晶体上，所述发光芯片晶体例如布置在支架板上。因此，透镜用作壳体，并且透镜与发光芯片晶体之间的区域可用液态流体填充。
发光芯片晶体，尤其是单个InGaN/GaN晶体结构27、127、227、327、427、527、627也可具有小于350μm×350μm或大于1050μm×1050μm的表面尺寸。
在金属支架25、325、625的金属板23、223、323、523、623上带有蓝宝石基片29、129、229、329、429、529、629的InGaN/GaN晶体结构27、127、227、327、427、527、627也可不布置在由玻璃制成的壳体3、303、603中，而布置在其它类型的和/或其它形式的壳体中，例如布置在塑料壳体中。壳体3、303、603也可通过液态流体仅包围InGaN/GaN晶体结构27、127、227、327、427、527、627。壳体3、303、603也可仅对于由InGaN/GaN晶体结构27、127、227、327、427、527、627发射的波长范围的光是透明的。
壳体3、303也可在壳体3、303、603的其它部位上具有用于填入液态流体，尤其是硅油19、119、219、319、419、519、619，含卤素的气体混合物21、321、621或其它气体混合物的其它类型的装置，例如塑料软管或仅一个孔，以取代玻璃管17、317。对于液态流体和气体混合物也可设置不同的用于填充的装置。
也可以是多个通道使前室7、307、607与壳体3、303、603的内部相连通，以取代唯一的一个通道11、211、311、511、611。
在前室7、307、607中也可以是其它类型的加压的气态介质，例如含氩的气体混合物、含氖的气体混合物和/或含空气的气体混合物，而不是含卤素的气体混合物21、321、621。所述压力也可小于1bar或大于3bar。
权利要求
1.一种发光元件，具有至少一个发光芯片晶体(27；127；227；327；427；527；627)，尤其是半导体晶体，所述发光芯片晶体的至少一个自由面与惰性材料相接触，其特征在于所述惰性材料是液态流体(19；119；219；319；419；519；619)，该液态流体与所述发光芯片晶体(27；127；227；327；427；527；627)相接触。
2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于所述液态流体(19；119；219；319；419；519；619)至少对于由所述发光芯片晶体(27；127；227；327；427；527；627)发射的波长范围内的光是透明的。
3.根据上述权利要求之一所述的发光元件，其特征在于所述液态流体(19；119；219；319；419；519；619)是良好的电绝缘体和空气隔离体。
4.根据上述权利要求之一所述的发光元件，其特征在于所述液态流体(19；119；219；319；419；519；619)是粘稠液。
5.根据上述权利要求之一所述的发光元件，其特征在于所述液态流体(19；119；219；319；419；519；619)即使在较高的温度下也保持其粘度。
6.根据上述权利要求之一所述的发光元件，其特征在于所述液态流体(19；119；219；319；419；519；619)是良好的导热体。
7.根据上述权利要求之一所述的发光元件，其特征在于所述液态流体(19；119；219；319；419；519；619)被加压。
8.根据上述权利要求之一所述的发光元件，其特征在于所述液态流体是硅油(19；119；219；319；419；519；619)。
9.根据上述权利要求之一所述的发光元件，其特征在于所述发光芯片晶体(27；127；227；327；427；527；627)具有InGaN/GaN结构。
10.根据权利要求1至8之一所述的发光元件，其特征在于所述液态流体(19；119；219；319；419；519；619)包含影响所发射的波长或波长范围的介质，尤其是颜料，特别是磷光体晶体。
11.根据权利要求1至8之一所述的发光元件，其特征在于所述发光芯片晶体具有发射红外线的晶体的结构。
12.根据上述权利要求之一所述的发光元件，其特征在于所述发光芯片晶体(27；127；227；327；427；527；627)布置在尤其是由蓝宝石或金刚石制成的基片(29；129；229；329；429；529；629)上。
13.根据上述权利要求之一所述的发光元件，其特征在于所述发光元件设置有用于所述发光芯片晶体(27；127；227；327；427；527；627)或基片(29；129；229；329；429；529；629)的支架(25；325；625)，尤其是金属支架或陶瓷支架。
14.根据权利要求13所述的发光元件，其特征在于所述支架，尤其是具有板(23；223；323；523；623)的金属支架(25；325；625)用作由所述发光芯片晶体(27；127；227；327；427；527；627)发射的光的反射器。
15.根据上述权利要求之一所述的发光元件，其特征在于所述液态流体(19；119；219；319；419；519；619)相对于所述发光芯片晶体这样布置，使得所述液态流体对于由所述发光芯片晶体(27；127；227；327；427；527；627)发射的光具有光学系统，尤其是透镜的作用。
16.根据上述权利要求之一所述的发光元件，其特征在于至少所述发光芯片晶体(27；127；227；327；427；527；627)由光学透镜，尤其是玻璃透镜(13；313；613)覆盖，并且至少所述发光芯片晶体(27；127；227；327；427；527；627)与所述透镜之间的区域用所述液态流体(19；119；219；319；419；519；619)填充。
17.根据上述权利要求之一所述的发光元件，其特征在于所述发光芯片晶体(27；127；227；327；427；527；627)具有350μm×350μm与1050μm×1050μm之间的表面尺寸。
18.根据上述权利要求之一所述的发光元件，其特征在于所述发光元件具有由多个尤其是布置成链(331；431；531)的发光芯片晶体(327；427；527)构成的混合结构(360；460；560)，所述发光芯片晶体串联或并联连接。
19.根据上述权利要求之一所述的发光元件，其特征在于所述发光芯片晶体(27；127；227；327；427；527；627)布置在尤其是对于由所述发光芯片晶体(27；127；227；327；427；527；627)发射的波长范围内的光透明的壳体(3；303；603)，尤其是玻璃壳体或塑料壳体中，所述壳体中填充有所述液态流体(19；119；219；319；419；519；619)。
20.根据权利要求19所述的发光元件，其特征在于所述壳体(3；303；603)具有用于将所述液态流体(19；119；219；319；419；519；619)填充到所述壳体中的装置(17；317)。
21.根据权利要求19或20所述的发光元件，其特征在于所述壳体(3；303；603)的内部与前室(7；307；607)起作用地连通，该前室中存有处于尤其是1至3bar的压力下的气态介质(21；321；621)，尤其是含卤素的气体混合物、含氩的气体混合物、含氖的气体混合物和/或含空气的气体混合物。
全文摘要
本发明涉及一种发光元件，尤其是发光二极管(1)，它具有至少一个发光芯片晶体(27)，尤其是半导体晶体。至少所述发光芯片晶体(27)的自由面与惰性材料相接触。该惰性材料是液态流体(19)，该液态流体直接与所述发光芯片晶体(27)接触。
文档编号H01L23/22GK1953222SQ20061013718
公开日2007年4月25日 申请日期2006年10月23日 优先权日2005年10月22日
发明者G·迪亚曼蒂迪斯 申请人:诺克特龙控股有限公司