专利名称：便于fib修改时定位的集成电路版图结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种集成电路版图结构，尤其涉及一种便于FIB修改时定位的集成电路版图结构。
背景技术：
目前，集成电路芯片在社会生活的各个领域得到了广泛的应用。与分立元件电路相比，集成电路芯片电路的修改相对困难，如果产品性能未达到设计要求，或者需要修改产品功能定义，就要重新制版，重新流片。而制作掩模板、重新流片的费用昂贵，增加了产品研发成本，多次流片也增加了产品研发周期。
FIB(Focused Ion Beam聚焦离子束)技术可以在不破坏芯片整体功能的前提下，修改芯片局部的金属连线，对金属做切断、连接或跳线处理，达到与通过修改掩模板重新流片相同的性能和效果。利用该技术对芯片进行修改可以降低开发成本，缩短研发周期，还可以对设计修改进行事先验证。
FIB修改也存在失败的可能。失败的重要原因之一是不能准确定位和描述修改对象。
已有技术的可通过FIB进行修改电阻阻值的电阻结构图如图1所示，电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4分别被金属连线A、金属连线B、金属连线C、金属连线D短路，M、N两点间电阻值等于R0电阻阻值。电路修改时，通过FIB切断金属连线A、金属连线B、金属连线C、金属连线D中一处或多处金属连线，可以改变M、N两点间的电阻阻值。以达到修改电路性能的目的。
然而，当流片完成后(图3)，电阻被覆盖在金属下，无法通过观察芯片来准确定位金属连线A、金属连线B、金属连线C、金属连线D的位置，这将导致FIB修改失败。
另外，随着集成电路工艺水平的发展，特征尺寸不断减小，也使FIB准确定位越来越困难。如图4所示。
图4表示四个尺寸相同的MOS管并联，通过FIB切断A、B、C处金属连线，可改变并联的MOS管数目，从而改变电路中MOS管的宽长比。当特征尺寸很小时，如果不能准确定位FIB修改的位置，很可能损坏临近的电路结构，如接触孔等，导致芯片失效。
另外，如果特征尺寸较小，在FIB修改连接金属时，也存在定位不准确导致FIB修改失败的可能。
如果在版图设计时，考虑到便于FIB修改时定位的设置规则，可以令FIB修改的成功率保持很高水平。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种便于FIB修改时定位的集成电路版图结构，在进行FIB修改时方便操作者进行定位。
为解决上述技术问题，本实用新型在需要FIB修改的位置处设置不影响电路功能和性能的、便于FIB定位的标志。
本实用新型由于在需要FIB修改的切断、连接金属连线设计了标志，使得FIB修改时便于定位。
图1是已有技术的一种可以通过FIB修改金属连线来修改电阻阻值的电路结构；图2是已有技术的用CMOS工艺多晶硅电阻实现图1中电路结构的剖面图；图3是已有技术的用CMOS工艺多晶硅电阻实现图1中电路结构的俯视图；图4是已有技术的一种可以通过FIB修改金属连线来修改MOS管宽长比的电路结构；图5是本实用新型便于FIB修改时定位的集成电路版图结构的一个电路结构的实施例；图6是本实用新型便于FIB修改时定位的集成电路版图结构的另一个电路结构的实施例；图7是本实用新型便于FIB修改时定位的集成电路版图结构的又一个电路结构的实施例。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。
为提高FIB成功率，建议采用较高层次的金属进行修改。
图5是本实用新型一个电路结构的实施例的俯视图。如图1所示，电阻R1、R2、R3和R4通过金属连线短路，M、N两点间电阻等于R0电阻阻值，通过切断A、B、C、D任意一处或多处金属连线，可以修改M、N两点间电阻阻值。在金属连线A处，将金属绘制成两侧凸起形状作为标志，该设计不会影响电路性能，却给FIB修改时定位带来了方便，可以提高FIB修改的成功率。同理，在金属连线B处，将金属绘制成两侧凸起形状作为标志，在金属连线C处和金属连线D处，将金属绘制成两侧凹进形状作为标志。都可以收到上述效果。
图6是本实用新型一个电路结构的实施例的示意图。如图4所示，当特征尺寸较小时，器件间距较小，为避免FIB修改时损坏临近MOS管器件结构，如接触孔等，可以应用本实用新型的设计方法，按照图6所示，用凸起的金属形状标示出MOS器件栅极和接触孔的位置，这种版图设计不影响电路性能，却可以提高FIB修改时定位的成功率。
图7是依据本实用新型一个实施例的示意图。如图7所示，当特征尺寸较小时，金属连线宽度较小，如果采用本实用新型的设计方法，将待连接的金属线端点处设计为特殊形状作为标志，图7所示标志形状为正方形。标志面积越大，FIB定位越容易，但标志面积过大可能会给布局布线带来困难。因此实现时应综合电路情况做具体设计。
虽然图5、图6、图7中示意性地示出了便于FIB修改版图设计方法，但本实用新型不限于此。可根据版图具体情况，采用不同形状的标志方式。标志形状需符合版图设计规则。本领域内的技术人员可理解。
很明显，根据以上的说明，对本实用新型还可以进行不少的改变和变化。因此不难理解，在所附权利要求书的范围内，可以与说明书特定的描述有所不同来实施本实用新型。
权利要求1.便于FIB修改时定位的集成电路版图结构，其特征在于在需要FIB修改的位置处设置不影响电路功能和性能的、便于FIB定位的标志。
2.根据权利要求1所述的便于FIB修改时定位的集成电路版图结构，其特征在于在需要FIB修改时切断金属连线的位置处设置标志。
3.根据权利要求2所述的标志，其特征在于所述标志呈凸起或凹进的形状。
4.根据权利要求1所述的便于FIB修改时定位的集成电路版图结构，其特征在于在需要FIB修改时连接金属连线的位置处设置标志。
5.根据权利要求4所述的标志，其特征在于，所述标志为矩形、正方形、多边形、圆形。
专利摘要本实用新型便于FIB修改时定位的集成电路版图结构在需要FIB修改的位置处设置不影响电路功能和性能的、便于FIB定位的标志。在需要FIB进行切断修改的位置处的标志设置成凹形或凸形；在需要FIB进行连接修改的位置处的标志设置成矩形、正方形、多边形、圆形。使得设置成的集成电路版图结构便于FIB进行日后的修改时的定位。
文档编号H01L23/544GK2886804SQ20062004000
公开日2007年4月4日 申请日期2006年3月8日 优先权日2006年3月8日
发明者刘颖 申请人:上海华虹集成电路有限责任公司