专利名称：晶圆表面淀积层生长装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及晶圆制程装置，尤其涉及淀积层生长制程中的装置。
技术背景晶圓制造工艺中，通常涉及到一道在晶圆表面上生长淀积层的制程，目前使用的生长淀积层的装置如图1所示。该装置包括气体分离器l,加热带2，两 个射频(RF)带3，底座4及设置在底座上表面两端的两个固定块5。晶圆(未 图示)放置在加热带2上，气体分离器用于产生在晶圆表面生成淀积层所需的 气体，加热带提供晶圆表面生长淀积层所需要的温度。射频带用于传递来自RF 发生器(未图示)的射频信号至加热带。加热带通常是400。C的高温。然而，现有装置中的射频带都是铝制的，其很容易在气体分离器气体的作 用下被腐蚀，需要经常检查射频带，及时更换。每次更换的时候，都需要中断 该制程，并等待加热带的温度下降，更换完毕时，还需要将加热带温度升到400 。C。整个这个更换的过程消耗非常长的时间，频繁地更换射频带的过程不仅以 降低了生产效率，而且由于射频带的成本也很高，导致制造成本过高。此外，当射频带被腐蚀的快要断裂的时候，如果没有及时检查出来，会导 致射频信号传输遇阻，从而射频信号会反向打回射频信号发生器，造成射频信 号发生器的损坏，从而造成更大的经济损失。实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种晶圆淀积层装置，其可以使气体分离器产 生的气体和射频带完全隔离。为实现上述目的，本实用新型提供一种晶圆表面淀积层生长装置包括气体 分离器，设置在气体分离器下方的加热带，射频(RF)带，底座及设置在底座 上的固定块；晶圆放置在加热带上，气体分离器用于产生在晶圆表面生成淀积
层所需的气体，射频带连接在固定块与加热带之间，该装置还包括设置在射频 带外部的防护罩，其是一个封闭腔体，可以完全封闭射频带。所述防护罩与加热带及底座共同构成一个封闭腔体。所迷防护罩与加热带及固定块共同构成一个封闭腔体。所述防护罩的材质是陶瓷。所述防护罩的材质是防腐蚀材料。与现有技术相比，本实用新型的防护罩可以完全封闭射频带，从而防止气 体分离器产生的气体腐蚀射频带，增加射频带的寿命，不用频繁检查射频带， 从而有效提高生产效率并降低制造成本。
通过以下对本实用新型的实施例结合其附图的描述，可以进一步理解其实用新型的目的、具体结构特征和优点。其中，附图为图1为现有技术中晶圆表面淀积层生长装置的结构示意图； 图2为本实用新型晶圆表面淀积层生长装置的第一实施例的结构示意图； 图3为本实用新型晶圆表面淀积层生长装置的第二实施例的结构示意图； 图4为本实用新型晶圓表面淀积层生长装置的第三实施例的结构示意图。
具体实施方式
请参阅图l,晶圆表面淀积层生长装置包括气体分离器1,设置在气体分离 器1下方的加热带2，两个射频(RF)带3，底座4及设置在底座4上表面两端 的两个固定块5。晶圆(未图示)放置在加热带2上，气体分离器l用于产生晶 圆表面生成淀积层所需的气体，加热带2提供晶圆表面生长淀积层所需要的温 度。射频带3用于传递来自射频发生器(未图示)的射频信号至加热带2，其一 端分别固定在对应的固定块5上，用于接收通过固定块5传送的射频信号，另 一端固定在加热带2的侧面。晶圆在加热带2的加热温度、气体分离器1产生的气体以及射频信号三者 的作用下，其表面会生成一层淀积层。本实用新型还设置有两个防护罩6，分别用于封闭两个射频带3，防护罩6 的材质为陶瓷或者是其它防腐蚀材料。射频带3被封闭在防护罩6里面，与外 界艽全隔离。图2中防护罩6上表面根据加热带2的形状紧贴加热带2的侧面和底面， 其底部紧贴底座4表面，此时，防护罩6、加热带2及底座4共同构成一个密封 的腔体，使射频带3的环境完全被隔离，即射频带3不会因为其本身的材质与 气体分离器1产生的气体发生反应而被腐蚀。请参阅图3，为本实用新型第二实施例的示意图。其中，防护罩6的上表面 和下表面没有与加热带2和底座4紧贴设置。防护罩6的上表面和下表面可以 是封闭的，仅根据射频带3与加热带2及固定块5连接的两端对应设置开口。 防护罩6、加热带2及固定块5共同构成一个封闭腔体。请参阅图4，为本实用新型第三实施例的示意图。如果固定块5的设置位置 发生改变，也只需要根据射频带3的形状改变防护罩6的形状，只要可以将射 频带3与气体分离器1产生的气体隔离即可。在本实用新型的其它实施例中，射频带3的个数和设置的位置可以才艮据具 体设计发生改变，防护罩6的形状和位置也会随之改变，只需满足射频带3与 气体分离器1产生的气体完全隔离。
权利要求1、一种晶圆表面淀积层生长装置，包括用于产生在晶圆表面生成淀积层所需气体的气体分离器，设置在气体分离器下方的加热带，射频带，底座及设置在底座上的固定块；晶圆放置在加热带上，射频带连接在固定块与加热带之间，其特征在于，该装置还包括设置在射频带外部的防护罩，其是一个封闭腔体，可以完全封闭射频带。
2、 权利要求1所述的一种晶圓表面淀积层生长装置，其特征在于防护罩与加 热带及底庫共同构成一个封闭腔体。
3、 权利要求1所述的一种晶圓表面淀积层生长装置，其特征在于防护罩与加 热带及固定块共同构成一个封闭腔体。
4、 权利要求1所述的一种晶圆表面淀积层生长装置，其特征在于所述防护罩 的材质是陶瓷。
5、 权利要求1所述的一种晶圆表面淀积层生长装置，其特征在于所述防护罩 的材质是防腐蚀材料。
专利摘要本实用新型公开一种晶圆表面淀积层生长装置，其是一种晶圆制程装置，包括气体分离器，设置在气体分离器下方的加热带，射频(RF)带，底座及设置在底座上的固定块；晶圆放置在加热带上，气体分离器用于产生在晶圆表面生成淀积层所需的气体，射频带连接在固定块与加热带之间，该装置还包括设置在射频带外部的防护罩，其是一个封闭腔体，可以完全封闭射频带。与现有技术相比，本实用新型的防护罩可以完全封闭射频带，从而防止气体分离器产生的气体腐蚀射频带，增加射频带的寿命，不用频繁检查射频带，从而有效提高了生产效率并降低了制造成本。
文档编号H01L21/02GK201016122SQ200620047810
公开日2008年2月6日 申请日期2006年11月15日 优先权日2006年11月15日
发明者代洪刚, 冯春暖 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司