晶闸管管芯参数测试模具的制作方法

文档序号:7217080阅读:318来源:国知局
专利名称:晶闸管管芯参数测试模具的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种晶闸管管芯参数测试模具,尤其是涉及一种复杂阴极图形晶闸管管芯参数测试模具。
背景技术
由于快速晶闸管具有较普通晶闸管开关速度快这一特点,所以设计时,国内外都采用了比较复杂的阴极图形,这就给快速晶闸管管芯测试通态峰值压降、关断时间和恢复电荷等电参数带来了麻烦,为达到测试这些电参数的目的,必须在晶闸管管芯上垫以具有相应复杂图形的阴极垫片,其主要原因是,测试模具由下模具、中模具、上模具三个相互独立的部分构成,测试时,管芯放置在下模具上,芯片图形和模具图形不能直接对准定位。
由于通态峰值压降、关断时间和恢复电荷是快速晶闸管制造的关键参数,同时又是最难控制的参数,在正式封装成产品前要反复加工,测试数次,才能符合要求,这样既浪费了阴极垫片,又损伤了芯片的表面状态,同时由于每重复一次都要粘贴阴极垫片,无形中增加了生产周期,给生产带来了极大的麻烦和不便,降低了生产效率,也增加了生产成本。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种加工后可以不必粘贴阴极垫片,可直接对芯片进行参数测试的晶闸管管芯参数测试模具。
本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的。
它包括下模具、中模具、上模具,其特征在于,所述上模具中部设有形状与芯片图形形状一致用于观察芯片图形的通孔,上模具外缘对应通孔形状锚顶的位置设有一供芯片阴极线穿出的管销及用于固定管销的定位通孔,芯片阴极线可穿过管销引出模具外;中模具的上缘设有与芯片和上模具定位的缺口,上模具与中模具组装时,上模具落入中模具中,管销落入中模具上缘的定位缺口中;中模具的下缘设有与下模具定位的缺口;下模具的上缘设有与中模具定位的缺口,中模具与下模具组装时缺口与缺口凹凸相配。
上、下模具可以通过中模具实现定位,这样可以保证上、下模具与芯片同心的同时又不发生相互转动;下、中模具定位后,放进芯片,选择芯片图形定位点和中模具定位点对准,盖上上模具,从上模具中部的通孔仍可以观察到置于下模具上的芯片的图形,将上模具定位点和中模具定位点对准,这样上模具通过和中模具的对准,可实现和芯片图形的对准。
本实用新型解决了芯片图形和模具图形对准定位问题,达到了不用粘贴阴极垫片,可以直接对芯片进行参数测试这个目的。
使用本实用新型,可以直接对加工后的晶闸管管芯芯片的通态峰值压降、关断时间和恢复电荷等电参数进行测试,这样,既保护了芯片测试时不受损伤,提高了产品质量,又缩短了生产周期,提高了生产效率,降低了生产成本。


图1为本实用新型一实施例的上模具主视图;图2为图1所示实施例下模具上放置有芯片的中、下模具组合主视图;图3为图1所示实施例中模具仰视图;图4为图1所示实施例下模具主视图。
1-上模具,2-通孔,3-定位通孔,4-中模具,5-中模具上缘缺口,6-芯片,7-下模具,8-下模具上缘缺口,9-管销,10-中模具下缘缺口。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步说明。
参照图1、2、3、4,它包括上模具1,中模具4,下模具7,其中上模具1中部设有形状与芯片6图形形状一致用于观察芯片6图形的通孔2,上模具1外缘对应通孔形状锚顶的位置设有一供芯片6阴极线穿出的管销9及用于固定管销9的定位通孔3;中模具4的上缘设有与芯片6和上模具1定位的缺口5,中模具4的下缘设有与下模具7定位的缺口10;下模具7的上缘设有与中模具4定位的缺口8。
上模具1、下模具7通过中模具4实现定位,这样可以保证上、下模具1、7与芯片同心的同时又不发生相互转动;下、中模具7、4定位后,放进芯片6,选择芯片6图形定位点和中模具4定位点对准,盖上上模具1,从上模具1中部的通孔2可以观察到置于下模具7上的芯片6的图形,将上模具1定位点和中模具4定位点对准,这样上模具1通过和中模具4的对准,实现了和芯片6图形的对准。
权利要求1.一种晶闸管管芯参数测试模具,包括上模具、中模具、下模具,其特征在于,所述上模具中部设有形状与芯片图形形状一致用于观察芯片图形的通孔,上模具外缘对应其中部芯片图形观察通孔形状锚顶的位置设有一供芯片阴极线穿出的管销及用于固定管销的定位通孔;所述中模具的上缘设有与芯片和上模具定位的缺口,中模具的下缘设有与下模具定位的缺口;所述下模具的上缘设有与中模具定位的缺口。
专利摘要本实用新型公开了一种晶闸管管芯参数测试模具,它包括上模具、中模具、下模具,上模具中部设有形状与芯片图形形状一致用于观察芯片图形的通孔,上模具外缘对应其中部芯片图形观察通孔形状锚顶的位置设有一供芯片阴极引出线穿出的管销及用于固定管销的定位通孔;所述中模具的上缘设有与芯片和上模具定位的缺口,中模具的下缘设有与下模具定位的缺口;下模具的上缘设有与中模具定位的缺口。使用本实用新型测试晶闸管管芯参数,可以不必粘贴阴极垫片,直接对芯片的通态峰值压降、关断时间和恢复电荷等电参数进行测试,这样,既保护了芯片的表面状态在测试时不受损伤,提高了产品质量,又缩短了生产周期,提高了生产效率,降低了生产成本。
文档编号H01L21/66GK2874524SQ20062005007
公开日2007年2月28日 申请日期2006年2月22日 优先权日2006年2月22日
发明者贺振卿, 刘国友, 李世平 申请人:株洲南车时代电气股份有限公司
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