专利名称：捕捉环的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种蚀刻机台，尤其涉及蚀刻机台中的一种捕捉环(capture ring)。
背景技术：
干式蚀刻(dry etching)是一种各向异性蚀刻，目前常见的方式是以等离子体作为蚀刻源，对半导体晶片上的薄膜进行侵蚀。
但是，因为晶片侧边在进行薄膜沉积时也会有沉积发生，所以若在蚀刻期间无法清除晶片侧边的沉积物，将会在晶片上有残留，而影响晶片后续沉积，导致晶片损坏。例如，若在金属层蚀刻后有残留的金属，而后沉积于晶片上的介电层底下就会有金属堆积，甚至使半导体元件的电性被破坏。
实用新型内容本实用新型的目的是提供一种捕捉环，可以改善晶片侧边缺陷或残留的状况。
本实用新型提出一种捕捉环，其具有上表面与下表面。捕捉环内缘包括承载面，承载面与上表面呈平行并用来承载晶片。上表面与承载面之间具有内径导角，内径导角和承载面的法线夹一角度。而捕捉环特征为前述角度大于30度且小于或等于90度。
依照本实用新型的优选实施例所述，上述的捕捉环包括至少一环状凹槽，位于承载面。
依照本实用新型的优选实施例所述，上述的捕捉环的环状凹槽的深度例如是0.6～1.6mm。
依照本实用新型的优选实施例所述，上述的捕捉环的环状凹槽与内径导角的底部相距一距离。
依照本实用新型的优选实施例所述，上述的捕捉环的环状凹槽与内径导角的底部相连。
依照本实用新型的优选实施例所述，上述的捕捉环的材料例如是陶瓷。
依照本实用新型的优选实施例所述，上述的内径导角可为弧形导角。
本实用新型因将等离子体蚀刻机台中的捕捉环的内径导角和承载面的法线所夹的角度设为大于30度且小于等于90度，以便增加等离子体折/反射面积，因此能够有效控制晶片侧边薄片状缺陷(wafer bevel flake type defect)的大小以及减少晶片侧边的缺陷数(wafer bevel defect count)。另外，本实用新型可以减少后续工艺的硅比例的调变，降低工艺变异性。
为让本实用新型的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，以下配合附图以及优选实施例，以更详细地说明本实用新型。
图1为依照本实用新型的一实施例所绘示的捕捉环的俯视图，图2则是图1的II-II’线段的剖面图；图3至图7为依照本实用新型的实施例所绘示的五种捕捉环的剖面图。
简单符号说明100、300、400、500、600、700捕捉环102、302、402、502、602、702上表面104、304、404、504、604、704下表面106、306、406、506、606、706承载面108、308、408、508内径导角110、310、312、510、710环状凹槽ψ角度r深度d1、d2距离具体实施方式
图1为依照本实用新型的一实施例所绘示的捕捉环的俯视图，图2则是图1的II-II’线段的剖面图。
请同时参照图1与图2，本实施例中的捕捉环100具有上表面102与下表面104，其中捕捉环100的材料例如是陶瓷。捕捉环100内缘包括一承载面106，承载面106与上表面102呈平行且用来承载晶片(未绘示)。上表面102与承载面106之间具有内径导角108，内径导角108和承载面106的法线夹一角度ψ。角度ψ大于30度且小于或等于90度。此外，捕捉环100还可包括至少一个环状凹槽110，位于承载面106，其中环状凹槽110的深度r约为0.6～1.6mm，而深度r的最大值应视捕捉环的材料的机械强度而定，且以不使整个捕捉环100的承载面106区域发生破裂为原则。
本实用新型除了图2所示的形状外，还可以做一些变形，如图3至图7，其为依照本实用新型的实施例所绘示的五种捕捉环的剖面图。
请参照图3，捕捉环300具有上表面302与下表面304。捕捉环300的材料例如是陶瓷。捕捉环300内缘包括承载面306，承载面306与上表面302平行且用来承载晶片(未绘示)。上表面302与承载面306之间具有内径导角308，内径导角308和承载面306的法线所夹的角度ψ大于30度且小于90度。而且，在捕捉环300的承载面306有一第一环状凹槽310与一第二环状凹槽312，以利用环状凹槽310与312的空间增加气体交换速率，以提升晶片侧边的蚀刻速率。其中，第一环状凹槽310与内径导角308的底部相距一距离d1。第二环装凹槽312与第一环装凹槽310相距一距离d2。其中，第一环状凹槽310与第二环状凹槽312的深度r约为0.6～1.6mm，而深度r的最大值应视捕捉环的材料的机械强度而定。
请参照图4，捕捉环400具有上表面402与下表面404。捕捉环400的材料例如是陶瓷。捕捉环400内缘包括承载面406，承载面406与上表面402平行且用来承载晶片(未绘示)。上表面402与承载面406之间具有内径导角408，此内径导角408为弧形导角。内径导角408和承载面406的法线夹一角度ψ。角度ψ大于30度且小于90度。捕捉环400可包括一个以上环状凹槽(未绘示)，位于承载面406。
请参照图5，捕捉环500具有上表面502与下表面504。捕捉环500的材料例如是陶瓷。捕捉环500内缘包括承载面506，承载面506与上表面502平行且用来承载晶片(未绘示)。上表面502与承载面506之间具有内径导角508，此内径导角508为弧形导角。内径导角508和承载面506的法线夹一角度ψ。角度ψ大于30度且小于90度。捕捉环500包括一个环状凹槽510，位于承载面506。环状凹槽510与内径导角508的底部相连。其中，环状凹槽510的深度r约为0.6～1.6mm，而深度r的最大值应视捕捉环的材料的机械强度而定。
请参照图6，捕捉环600具有上表面602与下表面604。捕捉环600的材料例如是陶瓷。捕捉环600内缘包括承载面606，承载面606用来承载晶片(未绘示)。此实施例中，上表面602与承载面606是同一平面，且角度ψ等于90度。
请参照图7，捕捉环700具有上表面702与下表面704。捕捉环700的材料例如是陶瓷。捕捉环700内缘包括承载面706，承载面706用来承载晶片(未绘示)。此实施例中，上表面702与承载面706是同一平面，且角度ψ等于90度。此外捕捉环700包括至少一个环状凹槽，此实施例绘示为一个环状凹槽710，位于承载面706。其中，环状凹槽710的深度r约为0.6～1.6mm，而深度r的最大值应视捕捉环的材料的机械强度而定。
在图6与图7的例子中，即使角度ψ＝90℃而没有能够折射等离子体的机构，但仍然可以达到完全去除晶片侧边的沉积物的功效，这是因为晶片被摆放到承载面上时，仍可以利用气体交换速率上升的原理，对晶片侧边进行有效的蚀刻。
综上所述，在本实用新型的设计，提供了下述优点1.捕捉环角度大于30度且小于等于90度的设计，能够增加等离子体折射与反射面积，因此可以有效控制晶片侧边薄片状缺陷的大小以及减少晶片侧边的缺陷数。
2.可选择在承载面制作环状凹槽，以增加等离子体折射与反射面积并可增加气体交换速率。
3.藉由本实用新型可以减少后续工艺的硅比例的调变，降低工艺变异性。
虽然本实用新型以优选实施例揭露如上，然而其并非用以限定本实用新型，本领域的技术人员在不脱离本实用新型的精神和范围的前提下，可作些许的更动与润饰，因此本实用新型的保护范围应当以所附权利要求所界定者为准。
权利要求1.一种捕捉环，其特征在于，该捕捉环具有上表面与下表面，且该捕捉环内缘还包括承载面与该上表面平行，用以承载晶片，其中该捕捉环的该上表面与该承载面之间具有内径导角，该内径导角和该承载面的法线夹一角度，该角度大于30度且小于或等于90度。
2.如权利要求1所述的捕捉环，其特征在于，还包括至少一环状凹槽，位于该承载面。
3.如权利要求2所述的捕捉环，其特征在于，该环状凹槽的深度为0.6～1.6mm。
4.如权利要求2所述的捕捉环，其特征在于，该环状凹槽与该内径导角的底部相距一距离。
5.如权利要求2所述的捕捉环，其特征在于，该环状凹槽与该内径导角的底部相连。
6.如权利要求1所述的捕捉环，其特征在于，该捕捉环的材料包括陶瓷。
7.如权利要求1所述的捕捉环，其特征在于，该内径导角为弧形导角。
专利摘要本实用新型提出一种捕捉环，其具有上表面与下表面。捕捉环内缘包括承载面，承载面与上表面呈平行并用来承载晶片。上表面与承载面之间具有内径导角，内径导角和承载面的法线夹一角度，这个角度大于30度且小于或等于90度。因为捕捉环的内径导角和承载面的法线所夹的角度大于30度且小于或等于90度，所以可增加蚀刻机台中的等离子体折射与反射面积，因此能够有效控制晶片侧边薄片状缺陷的大小以及减少晶片侧边的缺陷数。
文档编号H01L21/3065GK2899105SQ200620112588
公开日2007年5月9日 申请日期2006年4月26日 优先权日2006年4月26日
发明者陈俊铭, 孙伟钧, 吕水烟, 黄经勋, 陈彦宏 申请人:联华电子股份有限公司