栅层形成方法

文档序号:7228018阅读:343来源:国知局
专利名称:栅层形成方法
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种栅层形成方法。
背景技术
在半导体制程中,通常包含形成用以制作栅极的栅层的步骤。所述 栅极作为器件的重要组成部分,其结构及成份的变化将直接影响器件内 导电沟道的形貌发生变化,由此,为获得所述栅极而进行的形成栅层的 工艺成为制程工程师的主要研究目标。
通常,栅层材料包含多晶硅。实践中,掺杂的多晶硅由于具有良好 的电阻可调性、与二氧化硅优良的界面特性、与后续高温工艺的兼容性、 比金属电极更高的可靠性、在陡峭结构上淀积的均匀性以及可实现栅的 自对准工艺而被用作4册层材料。
传统工艺中形成栅层的步骤包括在半导体基底上形成多晶硅层; 执行离子注入操作,以调整所述多晶硅的阻值。
然而,如图1所示,实际生产发现,利用现有工艺形成栅层时,在进 行多晶硅掺杂后,易产生穿透效应12 (penetration),即掺杂材料击穿 多晶硅栅层20及其下介质层而进入位于半导体基底10内的器件的导电沟 道区,最终导致器件漏电流过大。如何减少穿透效应的产生成为本领域 技术人员亟待解决的问题。
2003年10月22日公开的公告号为"CN1125482C"的中国专利中提供 了一种具有P +多晶硅栅极的金属氧化物半导体晶体管的制作方法,包括 首先,形成二氧化硅层于半导体衬底上;随后,形成N型非晶硅层于该二 氧化硅层之上,该非晶硅层以S i ^与PHs反应而产生在非晶型硅层中的磷 扩散;再后,形成金属硅化物于该非晶硅之上;继而,离子注入形成r 硅层,该P+硅层的形成为利用BF2穿越金属硅化物进入该非晶硅所形成的 具有P+的硅层;然后,对该非晶硅层热处理使其转变为多晶硅层;随后, 蚀刻该金属硅化物、该多晶硅层及该二氧化硅层以形成栅极结构;最后, 以离予注入方法形成漏极与源极。该方法利用B F 2穿越硅化鴒形成P + 硅层,即利用磷离子存在于栅极中以牵制固定硼离子而降低硼离子穿透 栅极氧化层现象的发生。换言之,此方法仅用以减少在PMOS晶体管形成 过程中形成P +硅层时穿透效应的产生,适用的制程有限。

发明内容
本发明提供了一种栅层形成方法,可减少穿透效应的产生。 本发明提供的一种栅层形成方法,包括
提供半导体基底;
在所述半导体基底上形成多晶硅层; 在所述多晶硅层上形成氧化层; 对所述多晶硅层执行离子注入操作; 去除所述氧化层。
可选地,利用结构控制工艺形成所述多晶硅层;可选地,所述结构 控制工艺包括降低沉积反应温度、增加反应腔内压力及增加反应气体流 量中的一种及其组合;可选地,所述氧化层包含二氧化硅以及掺杂的二 氧化硅;可选地,利用氢氟酸溶液去除所述氧化层。
本发明4是供的一种^^层形成方法,包括
提供半导体基底;
在所述半导体基底上形成多晶硅层; 在所述多晶硅层上形成氮化层; 对所述多晶硅层执行离子注入操作; 去除所述氮化层。
可选地,利用结构控制工艺形成所述多晶硅层;可选地,所述结构 控制工艺包括降低沉积反应温度、增加反应腔内压力及增加反应气体流
量中的一种及其组合;可选地,所述氮化层包含氮化硅或氮氧化硅;可 选地,利用热磷酸溶液去除所述氮化层。 与现有技术相比,本发明具有以下优点
本发明提供的一种栅层形成方法,通过在多晶硅层上形成氧化层或氮 化层,利用其作为阻挡层,以使减少穿透效应的产生成为可能;此外, 利用所述氧化层或氮化层,还可在刻蚀栅层以形成栅极的过程中以及在 形成栅极后去除抗蚀剂层时,减小栅层表面的损伤,使得减少后续离子 注入过程中穿透效应的产生成为可能;
本发明提供的一种栅层形成方法的可选方式,通过控制形成多晶硅层 的工艺参数,以形成具有较小晶粒尺寸的多晶硅层,可增强减少穿透效 应产生的效果,并可使进一步减少后续离子注入过程中穿透效应的产生 成为可能。


图1为说明现有技术中栅层穿透效应示意图; 图2为说明本发明第一实施例的形成栅层的流程示意图; 图3为说明本发明第一实施例的半导体基底的结构示意图; 图4为说明本发明第一实施例的在半导体基底上形成多晶硅层后的 结构示意图5为说明本发明第一实施例的在多晶硅层上形成氧化层后的结构 示意图6为说明本发明第一实施例的离子注入后的结构示意图; 图7为说明本发明第一实施例的栅层结构示意图; 图8为说明本发明第二实施例的在多晶硅层上形成氧化层后的结构 示意图9为说明本发明第三实施例的在多晶硅层上形成氮化层后的结构 示意图10为说明本发明第四实施例的在多晶硅层上形成氮化层后的结 构示意图。
具体实施例方式
尽管下面将参照附图对本发明进行更详细的描述,其中表示了本发 明的优选实施例,应当理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明 而仍然实现本发明的有利效果。因此,下列的描述应当被理解为对于本 领域技术人员的广泛教导,而并不作为对本发明的限制。
为了清楚,不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中,不详细 描述公知的功能和结构,因为它们会使本发明由于不必要的细节而混 乱。应当认为在任何实际实施例的开发中,必须做出大量实施细节以实 现开发者的特定目标,例如按照有关系统或有关商业的限制,由一个实 施例改变为另一个实施例。另外,应当认为这种开发工作可能是复杂和
规工作。
在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下列 说明和权利要求书本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均 采用非常简化的形式且均使用非精准的比率,仅用以方便、明晰地辅助 说明本发明实施例的目的。
利用现有工艺形成栅层时,在进行多晶硅掺杂后,易产生穿透效应
(penetration),即掺杂材料击穿多晶硅栅层及其下介质层而进入器件 导电沟道区,易导致器件漏电流过大。如何减少穿透效应的产生成为本 领域技术人员亟待解决的问题。
本发明的发明人分析后认为,所述穿透效应是由于现有工艺中形成 的栅层的晶粒尺寸较大且晶粒生长方向相对规则,即同 一厚度的多晶硅 栅层包含的晶界数目较少,使得掺杂粒子易于穿透所述晶界的阻碍进入
器件导电沟道区后造成的。为抑制穿透效应的发生,本发明的发明人经 历分析与实践后,提供了一种栅层形成方法。
应用本发明提供的方法形成栅层的步骤包括提供半导体基底;在 所述半导体基底上形成多晶硅层;在所述多晶硅层上形成氧化层或氮化 层;对所述多晶硅层执行离子注入操作;去除所述氧化层或氮化层。
如图2所示,作为本发明的第一实施例,应用本发明提供的方法形成 栅层的具体步骤包括
步骤2Q1:提供半导体基底。
如图3所示,所述半导体基底为已定义器件有源区并已完成浅沟槽 隔离的半导体衬底。所述半导体基底表面可具有氧化层。所述氧化层材 料包含二氧化硅(Si02)或掺杂铪(Hf )的二氧化硅。所述氧化层厚度 范围可为5 ~ 40纳米。所述氧化层的形成方法可选用热氧化法或CVD方 法。
形成所述半导体基底及所述氧化层的方法可采用任何传统的方法,在 此不再赘述。
步骤202:在所述半导体基底上形成多晶硅层。
如图4所示,所述多晶硅层的形成方法可选用LPCVD工艺。反应气体为 硅烷(SiH4),反应腔内温度范围可为700 750摄氏度,反应腔内压力可 为250 ~ 350毫毫米汞柱(m torr ),所述硅烷的流量范围可为100 ~ 200 立方厘米/分钟(sccm);所述反应气体中还可包括緩冲气体,所述緩沖 气体可为氦气(He),所述氦气的流量范围可为5~20升/分钟(slm)。
步骤203:如图5所示,在覆盖半导体基底100的所述多晶硅层120上形 成氧化层140。
由于所述氧化层140自身具有的性质,即致密性,所述氧化层140可作
为掺杂离子注入时的阻挡层,使减少穿透效应的发生成为可能。
形成所述氧化层140时,可选用热氧化工艺或CVD工艺,所述氧化
层140的厚度以及所述氧化层140与所述多晶硅层120的厚度的比值根 据产品要求确定,例如,所述比值可为1: 10。涉及的具体工艺可采用 任何传统的方法,在此不再赘述。
利用热氧化工艺形成所述氧化层140时,所述多晶硅层120的厚度 高于形成栅极后栅层的厚度,所述多晶硅层120的厚度与所述栅层的厚 度间的差值对应于所述氧化层140的厚度。
形成的所述氧化层140可包含二氧化硅(USG)以及掺杂的二氧化 硅,如硼磷硅玻璃(BPSG)、硼硅玻璃(BSG)、磷硅玻璃(PSG )或氮 氧化硅中的一种或其组合。
步骤204:对所述多晶硅层执行离子注入操作,以调整所述多晶硅的 阻值。
离子注入后的所述多晶硅层如图6所示,进行所述离子注入操作的工 艺可采用任何传统的方法,在此不再赘述。
步骤205:如图7所示,去除所述氧化层,以形成栅层。 可选用湿刻工艺去除所述氧化层。
去除所述氧化层时,涉及的刻蚀溶液可选为氢氟酸溶液。应用高浓度 的氢氟酸溶液完成去除氧化层的操作,如浓度为49%的氢氟酸原液,可提 高刻蚀效率;显然,对所述氢氟酸原液进行适当稀释,以获得浓度高于 传统浓度参数的氢氟酸溶液,如利用浓度为45%、 35%、 25%或15%的氢氟 酸溶液,完成去除氧化层的操作,仍可提高刻蚀效率。但是,应用稀释 的氢氟酸溶液,如浓度小于3%的氢氟酸溶液仍可完成去除氧化层的操作, 且可降低刻蚀成本。
此外,本发明的发明人认为,改变多晶硅层的晶粒结构可使进一步 减少注入离子进入器件导电沟道成为可能。
然而,仅将晶粒生长方向不规则化,易使多晶硅层的表面性质变差。 继而,如何改变多晶硅层的晶粒尺寸成为本领域技术人员亟待解决的问 题。
作为本发明的第二实施例,如图8所示,可选用适当的结构控制工艺 形成多晶硅层320,以获得较小的晶粒尺寸,所述结构控制工艺包括降低 沉积反应温度、增加反应腔内压力及增加反应气体流量中的 一种及其组 合。
可选地,在所述多晶硅层320沉积过程中,反应腔温度范围可为600 650摄氏度,反应腔内压力可为250 - 350mttor,所述硅烷的流量范围可 为100~ 200 sccm;所述反应气体中还可包括緩沖气体,所述緩沖气体可 为氦气,所述氦气的流量范围可为5 20 slm;
可选地,在所述多晶硅层320沉积过程中,反应腔温度范围可为700 750摄氏度,反应腔内压力可为450 550mttor,所述硅烷的流量范围可 为15 0 ~ 25 0 sccm;所述反应气体中还可包括緩沖气体,所述緩沖气体可 为氦气,所述氦气的流量范围可为10 30 slm ;
可选地,在所述多晶硅层320沉积过程中,反应腔温度范围可为600 650摄氏度,反应腔内压力可为450- 550mttor,所述硅烷的流量范围可 为150~ 250 sccm;所述反应气体中还可包括緩冲气体,所述緩冲气体可 为氦气,所述氦气的流量范围可为10 30 slm。
所述沉积多晶硅层320的方法可采用任何传统的工艺,在此不再赘述。
此外,如图9所示,利用氮化层160替代所述氧化层作为掺杂离子注入 时的阻挡层,仍可使减少穿透效应的发生成为可能。
形成的所述氮化层160可包含氮化硅(SiN )或氮氧化硅(SiON );去 除所述氮化层160时,涉及的刻蚀溶液可选为磷酸溶液。反应温度范围可 为150~170摄氏度;所述刻蚀溶液百分比浓度可小于或等于5%;刻蚀
速率及刻蚀反应时间根据产品要求及工艺条件确定。以所述氮化层16 0作 为阻挡层的^"层形成方法可作为本发明的第三实施例。
如图10所示,在以所述氮化层160作为阻挡层时,再选用适当的结构 控制工艺形成多晶硅层320,以形成具有较小的晶粒尺寸多晶硅层的栅层 的形成方法,可作为本发明的第四实施例。
需说明的是,实践中,去除所述氧化层或氮化层的步骤可在刻蚀栅层 以形成栅极操作之后,可减少去除在刻蚀栅层过程中应用的抗蚀剂层时 造成的栅层表面损伤,并使得减少后续离子注入过程中穿透效应的产生 成为可能
本发明提供的栅层形成方法,通过在多晶硅层上形成氧化层或氮化 层,利用其作为阻挡层,以使减少穿透效应的产生成为可能;此外,利 用所述氧化层或氮化层,还可在刻蚀栅层以形成栅极的过程中以及在形 成栅极后去除抗蚀剂层时,减小栅层表面的损伤,使得减少后续离子注 入过程中穿透效应的产生成为可能;本发明提供的栅层形成方法的可选 方式,通过控制形成多晶硅层的工艺参数,以形成具有较小晶粒尺寸的 多晶硅层,可增强减少穿透效应产生的效果,并可使进一步减少后续离 子注入过程中穿透效应的产生成为可能。
需强调的是,未加说明的步骤均可采用传统的方法获得,且具体的工 艺参数根据产品要求及工艺条件确定。
尽管通过在此的实施例描述说明了本发明,和尽管已经足够详细地描 述了实施例,申请人不希望以任何方式将权利要求书的范围限制在这种 细节上。对于本领域技术人员来说另外的优势和改进是显而易见的。因 此,在较宽范围的本发明不限于表示和描述的特定细节、表达的设备和 方法和说明性例子。因此,可以偏离这些细节而不脱离申请人总的发明 概念的精神和范围。
权利要求
1.一种栅层形成方法,其特征在于,包括提供半导体基底;在所述半导体基底上形成多晶硅层;在所述多晶硅层上形成氧化层;对所述多晶硅层执行离子注入操作;去除所述氧化层。
2. 根据权利要求1所述的栅层形成方法,其特征在于利用结构 控制工艺形成所述多晶硅层。
3. 根据权利要求2所述的糖层形成方法,其特征在于所述结构 控制工艺包括降低沉积反应温度、增加反应腔内压力及增加反应气体流 量中的一种及其组合。
4. 根据权利要求1或2或3所述的栅层形成方法,其特征在于 所述氧化层包含二氧化硅以及掺杂的二氧化硅。
5. 根据权利要求1或2或3所述的栅层形成方法,其特征在于 利用氢氟酸溶液去除所述氧化层。
6. —种栅层形成方法,其特征在于,包括 提供半导体基底;在所述半导体基底上形成多晶硅层; 在所述多晶硅层上形成氮化层; 对所述多晶硅层执行离子注入操作; 去除所述氮化层。
7. 根据权利要求6所述的栅层形成方法,其特征在于利用结构 控制工艺形成所述多晶硅层。
8. 根据权利要求7所述的栅层形成方法,其特征在于所述结构 控制工艺包括降低沉积反应温度、增加反应腔内压力及增加反应气体流 量中的一种及其组合。
9. 根据权利要求6或7或8所述的栅层形成方法,其特征在于 所述氮化层包含氮化硅或氮氧化硅。
10. 根据权利要求6或7或8所述的栅层形成方法,其特征在于: 利用热磷酸溶液去除所述氮化层。
全文摘要
一种栅层形成方法,包括提供半导体基底;在所述半导体基底上形成多晶硅层;在所述多晶硅层上形成氧化层或氮化层;对所述多晶硅层执行离子注入操作;去除所述氧化层或氮化层。可减少穿透效应的产生。
文档编号H01L21/02GK101364538SQ20071004481
公开日2009年2月11日 申请日期2007年8月9日 优先权日2007年8月9日
发明者居建华 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
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