专利名称：一种消除探针针迹偏移的方法
技术领域：
本发明涉及集成电路制造技术，尤其是指一种消除晶圆验收测试(WAT， WaferAcc印tance Test)中的探针针迹偏移(Probe Mark Shift)的方法。
背景技术：
晶圓验收测试(WAT, Wafer Acceptance Test)即是通过测量某些测试 元件结构的电性参数，以了解及反应整个晶圆的物理特性及制造过程，从而 使前期研发人员能通过上述电性参数测量结果，改善元件的设计及制程。所 述电性参数包括开启电压、饱和电流、漏电流、闸极氧化层的击穿电压、接 触电阻、方块电阻等。
半导体参数测试的结果需通过精密且快速的参数测试设备获得，例如东 京电子(TEL)的探针机器(Prober )、探针卡(Probe Card )、安捷伦(Agilent) 的测试机器(Tester)等。探针卡置于探针机器中，探针机台与测试机器通过 电缆连接(Cable End)。在进行各参数的测量时，揮:针卡上的探针在晶圆的 探测位置需实时移动，探针的针迹不可避免地会产生偏移。
现有技术的WAT测试步骤如
图1所示。 一批(Lot)产品包括25片晶圆， 应顺次对每片晶圆进行测试，具体步骤如下
101 )将晶圓置于探针机器(Prober)上；
102) 定位(Alignment)晶圆；
103) 利用测试机器(Tester)对晶圆进行各项参数测试；
104)卸载晶圓。
由于定位晶圓有时会有误差，探针在晶圓上的针迹不可避免地会产生偏 移。而在现有技术中，对针迹的偏移并不进行监测及处理，从而导致电性参 数的测量结果有较大误差。
另外，探针的偏差的移动会导致晶圓的划伤，进而可能引起晶圆的报废。
此外，由于顺次不停地对每片晶圓进行测试，可能会导致一批(Lot)晶 圆，也即25片晶圆皆被报废。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种消除WAT中的探针针迹偏移的方 法，从而极大地減小电性参数的测量结果的误差，并避免晶圆的报废。 本发明是通过以下技术方案实现的，包括如下步骤
A) 将晶圓置于探针机器上；
B) 定位晶圆；
C) 判断晶圓的定位是否有误差，如有误差，执行步骤D);如无误差， 执行步骤E);
D) 针迹检查，并对4笨针位置进行调节；
E) 利用测试机器对晶圓进行各项参数测试；
F) 卸载晶圆。
进一步地，所述针迹检查是通过探针机器上的液晶显示屏，观察探针在 晶圆上的位置，对探针进行调节，直至液晶显示屏上显示的探测位置正确。 进一步地，所述晶圆定位是通过探针机器的显微镜进行监测。 进一步地，所述步骤C)后还包括以下步骤
A1 )判断是否进行定位调节；如需调节，则执行步骤C1);如不需调节，
则执行步骤B1 );
B1 )判断是否中止执行测试第一个测试单元，如中止，则执行步骤C1); 如不中止，则执行步骤E); C1 )中止测试；
D1 )判断是否进行针迹检查，如需针迹检查，则执行步骤D);如不需针 迹检查，则执行步骤C1 )。
进一步地，所述步骤F)后，判断一批晶圓的测试是否完成，如果已测试 完成，则该批晶圓的晶圓验收测试结束；如果未测试完成，则执行步骤A)。
本发明的有益效果在于本发明在探测到晶圓的定位有误时，引入针迹 检查(ContactCheck)以消除针迹偏移，极大地提高了电性参数的测量精度。
另外，针迹偏移消除后，探针在正确的探测位置间移动，能有效地避免 晶圓的划伤，从而避免晶圓的报废。
此外，本发明在完成一片晶圓的测试后，判断是否需进行下一片晶圓的 测试，从而增加了 WAT测试的可控性。
附图i兌明
图1是现有的WAT流程图2是本发明的WAT流程图3是本发明的进行针迹检查的条件判断流程图。
具体实施例方式
以下结合具体实施例和附图，对本发明作进一步说明。
图2是本发明的WAT流程图。对每片晶圓的测试步骤如下
201 )将晶圓置于探针机器(Prober)上；
202) 定位(Alignment)晶圓；
203) 判断晶圓的定位是否有误差，如有误差，执行步骤204);如无误 差，执行步骤205);
204) 针迹检查，并对探针位置进行调节；
205) 利用测试机器(Tester)对晶圆进行各项参数测试；
206) 卸载晶圓。
本发明的方法通过4笨针机器的显微镜(Camera)对晶圓定位进行监测， 如晶圓定位正确，则执行步骤205)，也即对每片晶圓的测试步骤和现有技术 的步骤一致，如晶圆定位有误差，则执行步骤204)进行针迹检查。针迹4全 查也即是通过探针机器上的液晶显示屏(LCD),观察探针在晶圓上的位置。 对探针进行调节，直至LCD上显示的探测位置正确。
在步骤203)后可对进行针迹检查的条件进行多重判断，如图3所示， 包括如下步骤
301 )判断是否进行定位调节；如需调节，则执行步骤303);如不需调 节，则执行步骤302);
302) 判断是否中止执行测试第一个测试单元(Chip),如中止，则执行 步骤303);如不中止，则执行步骤205);
303) 中止测试；
304) 判断是否进行针迹检查，如需针迹检查，则执行步骤204);如不 需针迹检查，则执行步骤303)。
在步骤204)前可设置中止测试，并进行针迹检查的条件。如晶圆定位 有误差，本发明在继续测试，也即执行步骤205)前设置两级条件判断步骤 301)、步骤302)，以防止在晶圆定位有误差的情况下，不执行步骤204)， 而直接执行步骤205),从而造成晶圆的划伤。
当步骤301 )、步骤302 )的任一条件判断结果为"是"时，执衧步驟303 )、 步骤304)。如步骤304)的条件判断结果为"否"时，循环执行步骤303)、 步骤304),直至步骤304)的条件判断结果为"是"，也即必须执行步骤204), 对探针的位置进行调节。以上的条件判断使WAT测试中对针迹检查的可控性 增强。
另外，在步骤206)卸载晶圆后，本发明可在完成一片晶圆的测试后， 判断是否需进行下一片晶圆的测试，也即判断一批(Lot)晶圆的测试是否完 成。如果已测试完成，则该批晶圆的WAT测试结束；如果未测试完成，则执 行步骤201),开始该批产品的下一片晶圆的测试。以上的条件判断使WAT 测试的可控性进一步增强。
以上对本发明的方法进行了详细介绍，但并不能以此限定本发明的范围。 凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应 包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种消除探针针迹偏移的方法，其特征在于，包括如下步骤A)将晶圆置于探针机器上；B)定位晶圆；C)判断晶圆的定位是否有误差，如有误差，执行步骤D)；如无误差，执行步骤E)；D)针迹检查，并对探针位置进行调节；E)利用测试机器对晶圆进行各项参数测试；F)卸载晶圆。
2、 如权利要求1所述的消除探针针迹偏移的方法，其特征在于，所述针 迹检查是通过探针机器上的液晶显示屏，观察探针在晶圆上的位置，对探针进行调节，直至液晶显示屏上显示的^:测位置正确。
3、 如权利要求1所述的消除探针针迹偏移的方法，其特征在于，所述晶 圓定位是通过探针机器的显微镜进行监测。
4、 如权利要求1所述的消除探针针迹偏移的方法，其特征在于，所述步 骤C)后还包括以下步骤A1 )判断是否进行定位调节；如需调节，则执行步骤C1);如不需调节， 则执行步骤B1 );B1 )判断是否中止执行测试第一个测试单元，如中止，则执行步骤C1); 如不中止，则执行步骤E); C1 )中止测试；D1 )判断是否进行针迹检查，如需针迹检查，则执行步骤D);如不需针 迹检查，则执行步骤C1 )。
5、 如权利要求1所述的消除探针针迹偏移的方法，其特征在于，所述骤F)后，判断一批晶圓的测试是否完成，如果已测试完成，则该批晶圆的晶圆验收测试结束；如果未测试完成，则执行步骤A)。
全文摘要
本发明公开了一种消除探针针迹偏移的方法，其特征在于，包括如下步骤A)将晶圆置于探针机器上；B)定位晶圆；C)判断晶圆的定位是否有误差，如有误差，执行步骤D)；如无误差，执行步骤E)；D)针迹检查，并对探针位置进行调节；E)利用测试机器对晶圆进行各项参数测试；F)卸载晶圆。本发明用于集成电路制造，可极大地减小电性参数的测量结果的误差，并避免晶圆的报废。
文档编号H01L21/66GK101368990SQ20071004485
公开日2009年2月18日 申请日期2007年8月14日 优先权日2007年8月14日
发明者鹏 吴, 陈泰江 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司