专利名称：检查静态电源电流的方法和执行该方法的装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法，更具体地说，涉及确定静态电源电流的参考值的方法。
背景技术：
作为特别是在CMOS电路的半导体集成电路中的检查方法的例子，通常这样执行静态电源电流检查通过利用在静态状态中几乎没有电源电流流过内部电路的事实，根据在其静态状态中针对内部电路的理想电源电流值进行缺陷确定(见JP-A-2000-241492作为参考)。
作为检查静态电源电流的已知方法的例子，存在这样的方法在内部电路的多个节点的每个节点处测量静态电源电流的各个值，以检测在每个点所测量的任何不正常静态电源电流值，从而根据该检测进行缺陷确定。在这种情况下，在考虑制造过程差异的情况下或者根据有缺陷和无缺陷样本的静态电源电流的相应值，来确定用于缺陷确定的静态电源电流的参考值。
然而，根据现有技术中已知的检查静态电源电流的方法，由于在考虑制造过程差异的情况下确定静态电源电流的参考值，所以必须大致地设置用于缺陷确定的静态电源电流的参考值。
图13是示出在半导体集成电路中的静态电源电流的分布的图。在图13中，IddqA代表以传统方式所确定的静态电源电流的参考值。如图13中所示，由于制造过程的差异，该静态电源电流示出几个分布曲线A、B或者C。由于当其静态电源电流值超过参考值IddqA时才将样本确定为有缺陷的，所以也将与分布曲线B的部分(在图中以“X”指示)对应的样本确定为无缺陷的。然而，本来应该将与X部分对应的样本确定为有缺陷的。
当根据已知方法基于有缺陷和无缺陷样本的静态电源电流的相应值来确定参考值时，必须事先将样本分类为有缺陷样本和无缺陷样本。
发明内容
在考虑到上述问题的情况下已经作出了本发明，其目的是提供用于在半导集成电路中的静态电源电流检查的技术，该方法使得可能比现有技术的情况更加精确地(tightly)设置静态电源电流的参考值，从而改进检查质量。
为了解决该问题，根据本发明的方面的、在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法包括ID信息获取过程，用于获取半导体集成电路的ID信息；静态电源电流测量过程，用于在半导体集成电路中测量静态电源电流的值；测量信息存储过程，用于以对应的方式存储静态电源电流值和ID信息；参考值确定过程，用于根据所存储的静态电源电流值来确定静态电源电流的参考值；和缺陷确定过程，用于将所存储的静态电源电流与静态电源电流的参考值进行比较以确定半导体集成电路是否有缺陷。
根据上述安排，可以例如根据多个批次(lot)的各个静态电源电流中的差异程度为制造过程的每个批次确定静态电源电流的参考值。因此，可以比在考虑制造过程的差异的情况下所确定的传统值更加精确地设置静态电源电流的参考值。而且，可以准确地确定静态电源电流的参考值而不必事先将样本分类为有缺陷样本和无缺陷样本。
在根据本发明的方面的、在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法中，该方法包括初始参考值设置过程，用于在执行检查之前设置静态电源电流的初始参考值；和初步缺陷确定过程，用于将在静态电源电流测量过程中所测量的静态电源电流值与静态电源电流的初始参考值进行比较，以确定半导体集成电路是否有缺陷。参考值确定过程根据仅仅针对在初步缺陷确定过程中被确定为无缺陷的半导体集成电路的所存储的静态电源电流，来确定静态电源电流的参考值。
根据上述安排，可以根据仅仅针对在初步缺陷确定过程中被确定为无缺陷的样本的静态电源电流的分布，来确定静态电源电流的参考值。因此，可以更加准确地确定静态电源电流的参考值。
在根据本发明的方面的、在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法中，参考值确定过程根据所存储的静态电源电流值的平均和标准差，来确定静态电源电流的参考值。
根据上述安排，可以根据静态电源电流的分布的统计数据来准确地确定静态电源电流的参考值。
在根据本发明的方面的，在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法中，在不同的检查条件下执行一系列过程，并且通过将在不同检查条件下所获得的相应静态电源电流值彼此进行比较，来进行关于半导体集成电路是否有缺陷的确定。
根据上述安排，可以通过将在不同温度条件下所执行的晶片(wafer)检查和封装产品检查中的每个中所获得的相应静态电源电流值彼此进行比较，来检测不正常的半导体集成电路。
在根据本发明的方面的、在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法中，使用ID信息来标识半导体集成电路的扩散批次(diffusion lot)和晶片以及在晶片上的半导体集成电路的坐标信息。
根据上述安排，在晶片检查的情况下，可以在关于整个半导体集成电路的检查结束时为每个晶片创建静态电源电流的图(map)，并且将在显示出可疑质量的晶片上具有其坐标的那些半导体集成电路分类为有缺陷样本。
在根据本发明的方面的、在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法中，使用ID信息来标识半导体集成电路的组装批次和托盘号码(tray number)以及在盘上所放置的半导体集成电路的坐标信息。
根据上述安排，在封装产品检查的情况中，可以在针对整个半导体集成电路的检查的结束时分析被发现为有缺陷的那些样本的组装批次和托盘号码，并且将具有显示出可疑质量的组装批次和托盘号码的那些半导体集成电路分类为有缺陷的样本。
在根据本发明的方面的、在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法中，根据在缺陷确定过程中被确定为有缺陷的半导体集成电路的ID信息来产生缺陷确定信息，将缺陷确定信息传送给探测器(prober)或者处理器(handler)，并且探测器或者处理器改变其确定信息，以根据关于被确定为有缺陷的半导体集成电路的所传送的缺陷确定信息来指示缺陷。
在根据本发明的、在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法中，可以根据多个批次的相应静态电源电流中的差异程度来针对制造过程的每个批次来确定静态电源电流的参考值。因此，可以比在考虑制造过程差异的情况下所确定的传统值更加精确地设置静态电源电流的参考值。而且，可以准确地确定静态电源电流的参考值而不必事先将样本分类为有缺陷样本和无缺陷样本。
此外，由于根据仅仅针对在初步缺陷确定过程中被确定为无缺陷的样本的静态电源电流的分布来确定静态电源电流的参考值，所以可以更加准确地确定静态电源电流的参考值。
此外，由于在不同检查条件下所获得的相应静态电源电流值进行比较，所以可以检测在其静态电源电流值中显示不正常变化的那些半导体集成电路。
此外，由于ID信息包括半导体集成电路的扩散批次和晶片以及在晶片上的半导体集成电路的坐标信息，所以可以根据在晶片上有缺陷和无缺陷样本的分布，来选择位于晶片上特定区域中的那些集成电路。
通过参照附图详细描述其优选示例实施方式，本发明的上面目的和优点将变得更加明显，其中图1是示出根据本发明第一实施方式的、在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法的流程图；图2是示出根据第一实施方式的、在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法中的检查过程的详情的流程图；图3是示出根据第一实施方式的、在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法中在存储器中所存储的数据的配置的图；图4是示出根据本发明第二实施方式的、在半导体集成电路中检测静态电源电流的方法中的静态电源电流测试的详情的流程图；图5是示出根据本发明第三实施方式的、在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法的流程图；图6是示出根据第三实施方式的、在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法中在存储器中所存储的数据的配置的图；图7是在不同检查条件下在半导体集成电路中的静态电源电流的特征图；图8是示出在根据本发明的、在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法中所使用的ID信息的配置的例子的图；图9是示出在晶片检查中的静态电源电流的晶片图的例子的图；图10是示出根据本发明第四实施方式的、在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法的流程图；图11是示出在半导体集成电路中检查静态电源电流的检查装置的布置的例子的图；
图12是示出在将静态电源电流测量装置实现在半导体检查装置中的布置情况的例子的图；和图13是示出在半导体集成电路中的静态电源电流的分布的图。
具体实施例方式
以下，参照附图来描述本发明的实施方式。
(第一实施方式)图1是示出根据本发明第一实施方式的、在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法的流程图。在图1中，附图标记100代表半导体集成电路检查过程；附图标记200代表检查终止确定过程；附图标记300代表用于计算静态电源电流的平均和标准差的过程；附图标记400代表用于确定静态电源电流的新参考值的过程；和附图标记500代表缺陷确定过程。
图2是示出半导体集成电路检测过程100的详情的流程图。在图2中，附图标记1001代表用于获取半导体集成电路的唯一ID信息的过程；附图标记1010代表传统半导体集成电路检查过程。检查过程1010包括诸如接触测试1011、输入/输出泄露测试1012、静态电源电流测试1013和功能确认测试1015之类的各种测试操作。
在本实施方式中，在根据本发明的、在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法中，作为唯一过程，在静态电源电流测试1013之后包括将半导体集成电路的ID信息和静态电源电流的值存储在存储器中的过程1014。
虽然半导体集成电路的ID信息不特别限于特定数据，可以将诸如序列号之类的其他数据用作ID信息，只要该数据可以用于标识独立的半导体集成电路就可以。在晶片检查的情况下，例如图8中所示，半导体集成电路的ID信息可以包括扩散批次号码、晶片号码、在晶片上的坐标号码。用这种数据配置来存储在整个半导体集成电路中的静态电源电流的相应值。
下面，将参照其检查流来描述根据带有这种安排的本实施方式的、在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法。首先，在半导体集成电路检查过程100中，在ID信息获取过程1001中读取半导体集成电路的ID信息。
随后，在检查过程1010中，执行诸如接触测试1011或者输入/输出测试1012之类的传统半导体集成电路检查处理。而且，执行静态电源电流测试1013，并且将测试结果与ID信息一同在过程1014中进行存储。图3是示出在存储器中所存储的数据的配置的图。
在过程200中，确定是否在整个半导体集成电路上执行上述过程。当完成针对整个半导体集成电路的检查时，在过程300中计算在存储器中所存储的静态电源电流值的平均和标准差。
在过程400中，根据在过程300中的计算结果来确定静态电源电流的新参考值。在过程500中，通过将已经进行了检查的半导体集成电路中的静态电源电流的相应值与在之前的过程中所确定的初始参考值进行比较来进行缺陷确定。
例如，在晶片检查的情况中，当ID信息具有诸如图8所示的配置时，可以在针对整个半导体集成电路的检查结束时创建针对每个晶片的静态电源电流的图，并且在考虑该晶片图的特征的情况下进行缺陷确定。
图9是示出在晶片检查的情况下的静态电源电流的晶片图的例子的示意图。例如，当根据一片晶片的静态电源电流值所进行的缺陷确定的结果显示在晶片上的有缺陷和无缺陷样本的分布是这样在其中间部分(图9中白色部分)的半导体集成电路被分类为无缺陷样本而在其外围部分(图9中的深色部分)的半导体集成电路被分类为有缺陷样本时，甚至还将已经被确定为无缺陷的外围部分中的那些半导体集成电路901和902分类为有缺陷样本。
以这种方式，通过采用扩散批次号码、晶片号码、晶片上的坐标号码作为ID信息，可以将其坐标位于显示可疑质量的晶片上的那些半导体集成电路分类为有缺陷的样本。
半导体集成电路的ID信息不限于针对图8所示的晶片检查的情况的那些配置。然而，在封装产品检查的情况中，ID信息可以包括诸如组装批次号码、用于在其中接收封装产品的托盘的号码、或者托盘的坐标号码之类的其他数据，从而它们可以用于封装产品的分类。
如上所述，根据本实施方式，例如针对制造过程的每个批次来计算静态电源电流的平均和标准差，而且根据针对多个批次的相应静态电源电流中的差异程度来确定针对静态电源电流的经修改的参考值。因此，可以比传统值更加精确地设置用于静态电源电流的参考值。
此外，根据用于静态电源电流的经修改的参考值来进行对已经进行了检查的半导体集成电路的缺陷确定，而且根据ID信息来分类有缺陷和无缺陷样本。
因此，可以根据静态电源电流的准确的参考值来执行检查，而不必事先将样本分类为有缺陷样本和无缺陷样本。
(第二实施方式)图4是示出根据本发明第二实施方式的、在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法中的静态电源电流测试的详情的流程图。也就是，将初始参考值设置过程、缺陷确定过程和缺陷样本处理过程也添加到第一实施方式的静态电源电流测试1013中。
在图4中，附图标记10131代表在考虑制造过程差异的情况下设置初始参考值的过程；附图标记10132代表静态电源电流检查过程；附图标记10133代表根据初始参考值的缺陷确定过程；和附图标记10134代表缺陷样本处理过程。
在根据具有这种安排的本实施方式的、在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法中，基本检测流与图1和2中所示的那些相同。在将图4中所示的那些过程添加到静态电源电流测试1013时，过程300仅仅针对除了那些有缺陷样本以外的那些静态电源电流计算平均和标准差，而在过程400中确定静态电源电流的新参考值。
如上所述，根据本实施方式，根据仅仅针对基于初始参考值所确定的无缺陷样本的静态电源电流的分布来确定静态电源电流的经修改的参考值。因此，可以更加准确地确定静态电源电流的参考值。
(第三实施方式)图5是示出根据本发明第三实施方式的、在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法的流程图。在本实施方式中，在第一实施方式的检查流之后执行用于改变检查条件的过程600，从而在不同的检查条件下再次执行第一实施方式中的检查，并且，之后执行缺陷确定过程700以检测从检查条件1和2之下所获得的检查结果显示出不正常变化的那些半导体集成电路。
在根据具有这种安排的本实施方式的半导体集成电路中的检查静态电源电流的方法中，以与第一实施方式的情况类似的方式在检查条件1下首先检查整个半导体集成电路。例如，检查条件1是晶片检查。
随后，在用于改变检查条件的过程600中改变与检查条件2对应的相应设置。例如，检查条件2是封装产品检查。在晶片检查和封装产品检查的情况中，通常在不同检查温度下执行检查。因此，在检查条件2中改变针对温度的检查规范。之后，以与第一实施方式的情况类似的方式在检查条件2下执行检查。
作为上述检查的结果，如图6中所示，将关于检查条件1和2的静态电源电流的相应信息与ID信息一同存储在存储器中。然后，在过程700中，计算在检查条件1和2下关于温度变化的静态电源电流的斜率，并且执行有缺陷和无缺陷样本分类。如图7中所示，将示出不正常斜率的那些半导体集成电路确定为有缺陷的。
如上所述，根据本实施方式，可以通过将在不同检查条件下所获得的相应静态电源电流值彼此进行比较，来检测不正常的半导体集成电路。
(第四实施方式)图10是示出根据本发明的第四实施方式的、在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法的流程图。在本实施方式中，在第一实施方式中的检查流之后，执行用于根据对半导体集成电路所作出的缺陷确定结果来改变在探测器或者处理器中所存储的确定信息的过程。
在图10中，从用于获取半导体集成电路的唯一ID信息的过程1001到缺陷确定过程500范围内的检查流与结合第一实施方式所述的相同。附图标记801代表用于确定是否存在任何被确定为有缺陷的半导体集成电路的过程；附图标记802表示用于传送那些被确定为有缺陷的半导体集成电路的ID信息的过程；附图标记803代表用于改变在探测器或者处理器中所存储的确定信息的过程。
在根据具有这种安排的本实施方式的、在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法中，基本检查流与结合第一实施方式所描述的相同。在过程801中，根据将静态电源电流的相应值与参考值进行比较所获得的过程500中的比较结果，来确定是否存在要被确定为有缺陷的任何半导体集成电路。在过程802中，将被确定为有缺陷的那些半导体集成电路的ID信息传送给探测器或者处理器。然后，根据所传送的ID信息在过程803中改变在探测器或者处理器中所存储的确定信息，而且将与该ID信息对应的半导体集成电路确定为有缺陷的。
图11是示出根据本实施方式的用于执行静态电源电流检查的检查装置的布置的例子的图。在图11中，附图标记10代表用于检查半导体集成电路的半导体检查装置；附图标记20代表用于执行根据本发明的检查方法的静态电源电流确定装置；而附图标记30代表用于执行晶片检查的探测器或者用于执行封装产品检查的处理器。
在具有这种布置的检查装置中，静态电源电流确定装置20从探测器或者处理器30获取半导体集成电路的唯一ID信息，然后半导体检查装置10执行检查。在这种情况下，从半导体检查装置10将静态电源电流的值输出到静态电源电流确定装置20，然后与ID信息一同存储在静态电源电流确定装置20的存储器中。
当完成了针对要被检查的整个半导体集成电路的检查时，静态电源电流确定装置20计算静态电源电流的平均和标准差，并且确定静态电源电流的经修改的参考值。随后，将用于静态电源电流的经修改的参考值与用于已经经历了检查的样本的静态电源电流的相应值比较，并且进行缺陷确定。将缺陷确定的结果从静态电源电流确定装置20传送到探测器或者处理器30，并且改变在探测器或者处理器30中所存储的确定信息。
在上述检查装置中，可以在半导体检查装置10中实现静态电源电流确定装置20的功能。图12是示出将半导体检查装置的静态电源电流测量装置配置为在其中合并CPU、存储器、通用半导体检查装置的电流测量功能的情况的布置的例子的图。
如上所述，根据本实施方式，可以将关于半导体集成电路的缺陷确定的结果传送到探测器或者处理器，并且改变在探测器和处理器中所存储的确定信息。此外，作为概括化的例子示出在图11和12中示出的布置，因此也可以将其应用于第一到第三实施方式。
按照根据本发明的、在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法和装置，由于可以更加精确地设置静态电源电流的参考值，可以检测在不同检查条件下显示不正常变化的那些半导体集成电路或者位于显示可疑质量的晶片上的部分的那些半导体集成电路，所以有效地改进了半导体集成电路的检查质量。
虽然已经针对特定优选实施方式图示和描述了本发明，但是对于本领域的普通技术人员很明显的是，根据本发明的教导可以进行各种改变和修改。很明显，这种改变和修改是在如所附权利要求所定义的本发明的精神、范围和意图之内的。
本发明基于在2006年3月9日提交的日本专利申请No.2006-064501，通过参考在这里合并其内容。
权利要求
1.一种在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法，该方法包括ID信息获取过程，用于获取半导体集成电路的ID信息；静态电源电流测量过程，用于在半导体集成电路中测量静态电源电流的值；测量信息存储过程，用于以对应的方式存储静态电源电流值和ID信息；参考值确定过程，用于根据所存储的静态电源电流值来确定静态电源电流的参考值；和缺陷确定过程，用于将所存储的静态电源电流值与静态电源电流的参考值进行比较以确定半导体集成电路是否有缺陷。
2.根据权利要求1所述的在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法，还包括初始参考值设置过程，用于在执行检查之前设置静态电源电流的初始参考值；和初步缺陷确定过程，用于将在静态电源电流测量过程中所测量的静态电源电流值与静态电源电流的初始参考值进行比较，以确定半导体集成电路是否有缺陷，其中，在参考值确定过程中，根据仅仅针对在初步缺陷确定过程中被确定为无缺陷的半导体集成电路的所存储的静态电源电流，来确定静态电源电流的参考值。
3.根据权利要求1所述的在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法，其中，在参考值确定过程中根据所存储的静态电源电流值的平均和标准差，来确定静态电源电流的参考值。
4.根据权利要求1所述的在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法，其中，在不同的检查条件下执行一系列过程；以及其中，通过将在不同检查条件下所获得的相应静态电源电流值彼此进行比较，来进行关于半导体集成电路是否有缺陷的确定。
5.根据权利要求1所述的在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法，其中，使用ID信息来标识半导体集成电路的扩散批次和晶片以及半导体集成电路在晶片上的坐标信息。
6.根据权利要求1所述的在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法，其中，使用ID信息来标识半导体集成电路的组装批次和托盘号码以及在托盘上所放置的半导体集成电路的坐标信息。
7.根据权利要求1所述的在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法，其中，根据在缺陷确定过程中被确定为有缺陷的半导体集成电路的ID信息来产生缺陷确定信息；其中，将缺陷确定信息传送给探测器或者处理器；以及其中，探测器或者处理器改变其确定信息，以根据关于被确定为有缺陷的半导体集成电路的所传送的缺陷确定信息来指示缺陷。
8.一种在半导体集成电路中检查静态电源电流的装置，其中，将该装置配置为执行根据权利要求1所述的在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法。
全文摘要
在半导体集成电路中检查静态电源电流的方法，包括ID信息获取过程，用于获取半导体集成电路的ID信息；静态电源电流测量过程，用于在半导体集成电路中测量静态电源电流的值；测量信息存储过程，用于以对应的方式存储静态电源电流值和ID信息；参考值确定过程，用于根据所存储的静态电源电流值来确定静态电源电流的参考值；和缺陷确定过程，用于将所存储的静态电源电流与静态电源电流的参考值进行比较以确定半导体集成电路是否有缺陷。
文档编号H01L21/66GK101038319SQ20071008621
公开日2007年9月19日 申请日期2007年3月9日 优先权日2006年3月9日
发明者落合勇悦, 山本健太郎 申请人:松下电器产业株式会社