专利名称：光刻设备和器件制造方法
技术领域：
本发明涉及一种光刻设备和一种用于制造器件的方法。
背景技术：
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底(通常应用到衬底的目标部
分)上的机器。例如，可以将光刻设备用于制造集成电路(ic)。在这种
情况下，可以将替代地称为掩模(mask)或掩膜版(reticle)的构图装置用 于产生将要在IC的单独层上形成的电路图案。典型地将图案经由成像转 移到衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单独的衬底将 包含连续进行构图的相邻目标部分的网络。传统的光刻设备包括所谓 的步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分 上来辐射每一个目标部分；以及所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过 沿给定方向("扫描"方向)的辐射束扫描所述图案、同时沿与该方向平 行或反向平行地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所 述图案压印(imprinting)到所述衬底上，将所述图案从所述构图 (patterning)装置转移到所述衬底上。
在光刻设备中，当构图装置由夹具在其底部和/或顶部表面处支撑 时，可能出现构图装置的弯曲。例如，这种弯曲是由重力和热效应引起 的。补偿这种弯曲的一种方式是通过调节一个或更多投影系统光学元件 (例如， 一个或更多透镜元件)。然而，通过使用可调透镜元件引入所谓 的"场曲率(field curvature)"可能是以引入像散为代价的，也就是 说图案的水平和垂直线之间的焦距差，这固有地限制了光刻设备的聚焦 性能。在其中将构图装置夹紧在其底侧处的光刻设备中，出现彼此部分 抵消的两种热效应。热效应之一是引起构图装置总体膨胀的整体加热， 并且因为构图装置由夹具来支撑，这引起夹具处的张力，并且具有构图
装置变得稍微凸起的效果。第二种热效应与在掩模型构图装置的底侧处 存在的铬层有关，所述层比掩模型构图装置的其余材料(主要为石英) 更不能够将热传到环境中。这引起了从构图装置的底部到顶部的温度梯 度，由此构图装置也变得稍微凸起(沿向下的方向)。
在光刻设备中，也可以或者替代地将构图装置在其顶侧处夹紧。例 如，因为可以将构图装置从下面加载和/或较大的面积对于夹具是可用 的，所以这可能是理想的。较大的面积有利地放大了摩擦力，所述摩擦 力可用于在加速减速期间使构图装置固定不动以便使能够实现尽可能高 的生产量。然而，利用顶侧夹紧，两个上述热效应实质沿相同方向起作 用，也就是说这两个效应使构图装置向下弯曲。重力效应也使构图装置 向下弯曲。因此，如果将顶侧夹紧用于构图装置，构图装置预期的向下 弯曲可以显著地增加。例如，通过使用针对场曲率是可调节的透镜来试 图对弯曲的这种显著增加进行补偿可能引入显著的像散，并且对于设计 是昂贵且耗时的。
例如，美国专利申请公开no.US2005/0134829公开了用于支撑光刻 设备中的构图装置的一种夹具，在所述光刻设备中所述夹具配置有位于 支架的外围附近的多个压力区以保持构图装置。因此可以产生局部调节 的压力，以便提供局部的弯曲运动以使构图装置局部地弯曲。因此，可 以将构图装置针对不平坦、不平整和倾斜进行校正。
发明内容
本发明的一个或更多实施例目的在于至少部分地消除一个或更多 上述缺点，或者提供一种可使用的替代物。具体地，本发明的实施例目 的在于提供一种光刻设备，在所述光刻设备中可以通过针对构图装置的 改进弯曲机制来对构图装置的不希望的弯曲进行校正。
根据本发明实施例，提出了一种光刻设备，包括 照射系统，配置用于调节辐射束；
支架，构建用于支撑构图装置，所述构图装置能够沿截面给予辐射 束图案以形成已构图的辐射束，所述支架包括支架夹具，所述支架夹具 构建用于将构图装置夹紧到支架上；
弯曲机械装置，构建用于将弯曲扭矩施加到已夹紧的构图装置上， 所述弯曲机械装置包括力/扭矩传动装置，配置用于无需实质减小由支架 夹具施加于构图装置上的夹紧力就可以对已夹紧的构图装置起作用；
衬底台，构建用于保持衬底；以及
投影系统，配置用于将已构图的辐射束投影到衬底的目标部分上。 根据本发明实施例，提出了一种器件制造方法，包括-使用支架夹具将构图装置夹紧到支架上；
无需实质减小由支架夹具施加于构图装置上的夹紧力，将弯曲扭矩
施加到已夹紧的构图装置上；
使用构图装置沿横截面给予辐射束图案以形成已构图的辐射束；以
及
将己构图的辐射束投影到衬底上。
现在将参考示意性附图并且仅作为示例描述本发明的实施例，图中 对应的附图标记表示对应的部分，并且其中
图1示出了根据本发明实施例的光刻设备；
图2示出了沿直接实施例的截面示意图以保持具有气体波纹管(gas bellows)作为弯曲机械装置的构图装置；
图3示出了夸大情况下图2的实施例；
图4示出了具有两个气体波纹管的图3的实施例；
图5示意性地示出了具有一组力传动装置作为弯曲机械装置的的实 施例；
图6示意性地示出了图5的变体实施例的透视图； 图7是根据具有两组力传动装置的图5的视图8示意性地示出了具有对与用于构图装置的夹具相连的链接系统 进行操作的力/扭矩传动装置的实施例的概念；以及 图9示出了针对图8概念的可能实施例。
具体实施例方式
图1示意性地示出了根据本发明一个实施例的光刻设备。所述设备 包括照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B (例如紫外辐射
或任意其它合适的辐射)；构图装置支架结构(例如，掩模台)MT，构建 用于支撑构图装置(例如掩模)MA，并且与第一定位装置PM相连，所述 第一定位装置PM被配置用于根据一定参数精确地定位构图装置。所述设 备还包括衬底台(例如，晶片台)WT，构建用于保持衬底(例如涂敷抗 蚀剂的晶片)W，并且与第一定位装置PW相连，所述第二定位装置PW 被配置用于根据一定参数精确地定位衬底。所述设备还包括投影系统(例 如，折射投影系统)PS，配置用于将通过构图装置MA给予辐射束B的图 案投影到衬底W的目标部分C (例如，包括一个或更多管芯)上。
照射系统可以包括各种类型的光学元件，例如折射、反射、磁性、 电磁、静电或其它类型的光学部件或其任意组合，用于导引、整形或控 制辐射。
构图装置支架结构按照依赖于构图装置的朝向、光刻设备的设计、 和诸如是否将构图装置保持在真空环境中之类的其它条件的方式来支撑 和保持构图装置。构图装置支架结构可以使用机械、真空、静电或其它 夹紧技术以保持构图装置。例如，构图装置支架结构可以是框架或台， 根据需要可以是固定的或是可移动的。例如，构图装置支架结构可以确 保构图装置相对于投影系统处于所需位置。这里可以将使用的任意术语 "掩模版"或"掩模"认为与更一般的术语"构图装置"同义。
这里使用的术语"构图装置"应该广泛地解释为指的是可以用于向 辐射束的横截面给予图案的任意装置，以便在衬底的目标部分中创建图 案。应该注意的是，给予辐射束的图案可能不与衬底的目标部分中的所 需图案精确地对应，例如如果所述图案包括相移特征或所谓的辅助特征。 通常，给予辐射束的图案将与在目标部分中创建的器件中的具体功能层 相对应，例如集成电路。
构图装置可以是透射的或反射的。构图装置的示例包括掩模、可编 程镜阵列、和可编程LCD面板。掩模在光刻中是众所周知的，并且包括诸 如二元、交替相移和削弱相移之类的掩模类型以及各种混合掩模类型。 可编程镜阵列的示例采用小镜子的矩阵排列，可以将每一个小镜子单独
地倾斜以便沿不同方向反射进来的辐射。倾斜的镜子给予由镜矩阵反射 的辐射束中的图案。
应该将这里使用的术语"投影系统"广泛地解释为包括任意类型的 投影系统，包括折射、反射、折射反射、磁性、电磁和静电光学系统、 或其任意组合，如适合于所使用的曝光辐射、或者适合于诸如使用浸没 液体或使用真空的其他因素。这里术语"投影透镜"的任意使用可以认 为是与更一般的术语"投影系统"同义。
如这里所描述的，所述设备是透射型的(例如，采用透射掩模)。 替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述的可编程镜阵 列或采用反射掩模)。
光刻设备刻蚀具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多 构图装置支架结构)的类型。在这种"多台"机器中，可以并行地使用 附加的台或支架，或者可以在将一个或更多其它台或支架用于曝光的同 时，在一个或更多台或支架上执行准备步骤。
光刻设备也可以是以下类型的其中衬底的至少一部分可以由具有 相对较高折射率的液体(例如水)来覆盖，以便填充投影系统和衬底之 间的间隔。也可以将浸没液体应用于光刻设备中的其他间隔，例如构图 装置和投影系统之间。可以将浸没技术用于增加投影系统的数值孔径。 如这里所使用的术语"浸没"并不意味着必须将诸如衬底之类的结构淹 没到液体中，而是仅意味着在曝光期间液体位于投影系统和衬底之间。
参考图l，照射器IL从辐射源SO接收辐射束。源和光刻设备可以是 分离的实体，例如当源是受激准分子激光器时。在这种情况下，不认为 源形成光刻设备的一部分，并且在例如包括合适的导引镜和/或扩束器的
束传递系统BD的帮助下，可以将所述辐射束从源SO传递到照射器IL。在
其他情况下，所述源可以是光刻设备的主要部分，例如当源是汞灯时。
源SO和照射器IL以及如果需要与束传递系统BD—起称为辐射系统。
照射器IL可以包括调节器AD，配置用于调节辐射束的角强度分布。 通常，可以调节照射器的光瞳平面中强度分布的至少外部和/或内部径向 长度(通常分别称作o-外部和o-内部)。此外，照射器IL可以包括诸如
积分器IN和聚光器CO之类的各种其他部件。照射器可以用于调节辐射束 在其横截面中具有所需的均匀度和强度分布。
辐射束B入射到构图装置(例如掩模)MA上(将所述掩模保持在构 图装置支架结构(例如掩模台)MT上)，并且由构图装置进行构图。在已 经穿过构图装置MA之后，辐射束B通过将所述束聚焦到衬底W的目标部分C 上的投影系统PS。在第二定位装置PW和位置传感器IF (例如，干涉仪装 置、线性编码器、电容传感器等)的帮助下，可以精确地移动衬底台WT， 可以将第一定位装置PM和另一个定位传感器(在图l中没有明确示出)用 于例如在从掩模库中机械检索之后、或在扫描期间将构图装置MA相对于 辐射束B的路径进行精确地定位。通常，可以在形成第一定位装置PM的一
部分的长冲程模块(粗略定位)和短冲程模块(精细定位)的帮助下实 现构图装置支架结构MT的移动。类似地，可以使用形成第二定位器PW的 一部分的长冲程模块和短冲程模块来实现衬底台WT的移动。在步进器的 情况下(与扫描器相反)，构图装置支架结构可以仅与短冲程传动装置相 连，或者可以是固定的。可以使用构图装置对齐标记M1、 M2和衬底对齐 掩模P1、 P2对构图装置MA和衬底W进行对齐。尽管所示衬底对齐标记占据 了专用的目标部分，它们可以位于目标部分(这些公知为划线对齐标记) 之间的间隔中。类似地，在将多于一个管芯设置在构图装置MA上的情况 下，构图装置对齐标记可以位于管芯之间。
可以将所述设备用在以下模式的至少之一 中
1. 在步进模式中，在将给予辐射束的完整图案一次投影到目标部 分上的同时，将投影装置支撑结构MT和衬底台WT保持为实质静止(即单 独的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对 不同的目标部分C进行曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在 单独的静态曝光中成像的目标部分C的尺寸。
2. 在扫描模式中，在将给予輻射束的图案投影到目标部分C的同时， 对构图装置支架结构MT和衬底台WT同步地进行扫描(即单独的动态曝 光)。可以由投影系统PS的(縮小)放大和图像反转特征来确定衬底台WT 相对于头骨装置支架结构MT的速度和方向。在扫描模式中，曝光场的最 大尺寸限制了单独的动态曝光中目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而扫 描运动的长度确定了目标部分的高度(沿扫描方向)。
3.在另一种模式中，将构图装置支架结构MT保持为实质静止的保
持可编程构图装置，并且在将给予辐射束的图案投影到目标部分c的同时
对衬底台WT进行移动和扫描。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源并且 在衬底台WT的每一次移动之后或在扫描期间的两个连续辐射脉冲之间根 据需要对可编程构图装置进行更新。该操作模式易于应用于利用诸如如 上所述类型的可编程镜阵列之类的可编程构图装置的无掩模光刻。
也可以采用使用上述模式的组合和/或变化，也可以采用使用完全 不同的模式的使用。
在图2中将图1的构图装置支架结构MT的根据本发明的实施例示出
为包括一个或更多支架夹具，配置用于支撑构图装置l。支架夹具2将构 图装置在其顶部表面处夹紧，所述顶部表面与其中图案延伸的构图装置l 的平面实质平行的延伸。这里，该平面位于X-Y方向中。与夹具2分离地 提供了弯曲机械装置3。弯曲机械装置3包括在该实施例中由一个或更多 气体(例如空气)波纹管4形成的力传动装置。将气体波纹管4定位在已 夹紧的构图装置l的相反侧边缘处，并且气体波纹管4能够在已夹紧的构 图装置l的这些侧边缘处施加推力。构图装置1的中线7由虚线表示。这里 该中线7也与其中构图装置1的图案延伸的平面实质平行地延伸，具体地 沿X方向，并且这里实质与构图装置l的中心轴重合。将气体波纹管4定位 为在中线7以下偏移高度e处的中轴。
因此，可以将弯曲扭矩注入到构图装置l中，即通过对气体波纹管4 进行充气来注入绕Y轴的弯曲扭矩。在如图3所示的情况下，气体波纹管4 中增加的气体压力产生了使构图装置向上弯曲的扭矩。在图3中，该弯曲 被过分地夸大。实际上，位移当然非常小并且在nm的范围内。不过，例 如假设构图装置l最初由于重力或热效应而向下弯曲，按照这种方式该初 始弯曲可以完全地或至少部分地进行补偿。在图3中，气体波纹管4示出 为变形为具有沿X方向的纵轴的椭圆形状。实际上，因为沿Z方向所述气 体波纹管能够更容易地膨胀，这将更易于波纹管向具有沿Z轴的纵轴变形
为椭圆形状。只要所述偏移高度e保持不变，这是毫无问题的。
在构图装置1的外围侧边缘处的气体波纹管4的具体定位使能够按 照以下方式将弯曲扭矩施加到构图装置1:沿夹具2的X-Y方向的夹紧力没 有作为这种补偿弯曲扭矩的结果而减小。在图2的实施例中，这是通过选 择偏移e二h/6来实现的，其中h是构图装置l的高度(厚度)。因此，局部 地在夹具2处(由气体波纹管4所施加的弯曲扭矩引起)的法向应力实质 为0。构图装置1在夹具2位置处沿X方向的膨胀抵消了在那一点上构图装 置1沿X方向的收縮。在夹具2的位置处沿X方向的这种实质为0的法向应力 对于在高加速期间夹具2能够保持构图装置1所需的摩擦是有利的。
移位内气体波纹管4是柔软的，没有由气体波纹管4向构图装置1添 加硬度。换句话说，弯曲机械装置3允许构图装置1保持其自身的形状。 与沿Z方向支撑构图装置1的三点悬挂装置相结合，后者可以通过注入弯 曲扭矩来进行操纵，这有利地使光刻设备能够改进其性能，例如聚焦性 能。在实施例中，存在不超过三个固定支撑点，这向构图装置提供了维 持其所需原始形状的自由度，而不会导致变形问题。当构图装置弯曲回 根据本发明实施例的水平时、或者另一方面针对二阶局部衬底不平整， 可以避免散光成本。
图4示出了其中提供了附加的一个或更多气体波纹管10的实施例。 将气体波纹管10利用中线7以上的中轴进行定位。这使得可以将构图装置 l向上或向下弯曲，只要需要。例如，因此可以对衬底边缘附近的衬底曲 率进行补偿。通过仅使用下气体波纹管，有利的是仍然可以按照以下方 式向构图装置l施加弯曲扭矩沿夹具的X-Y方向的夹紧力没有作为这种 补偿弯曲扭矩的结果而减小。在图4中还应该注意的是气体波纹管10实际 上更可能变形为具有沿Z方向的纵轴的椭圆形状。只要所需偏移实质保持 相同，这就没有什么问题。
图5示出了分离的弯曲机械装置的实施例，即与夹具分离以支撑构 图装置。这里，构图装置50通过其底部表面由夹具隔膜51和Z形支架 52来支撑。弯曲机械装置包括固定地与卡盘(chuck) 55相连的力传动 装置54。力传动装置控制推/拉束57，将所述束57定位为在构图装置
50的中线59以上偏移高度e处的侧边缘58处以施力。这里偏移也是 e二h/6。将束57的离心率用于在构图装置50的侧边缘58上施加弯曲扭 矩。由于条件e寸/6，出现法向应力分布60，在夹具隔膜51的点上所述 法向引力分布实质上等于O。因此，不会消极地影响夹紧力。
图6示意性地示出了图5实施例的透视图，其中定位为彼此相邻的 几个束57与连接器61相连以与所支撑的构图装置50的侧边缘58相连。 这里，连接器61由真空条形成。在实施例中，几个束57和对应的力传 动装置是单独可用的。因此，可以施加沿Y轴的力分布。在图6的实施 例中，只将一种类型的弯曲扭矩提供给构图装置，即绕Y轴的扭矩。因 为最大的构图装置不平整度效应为沿X方向，这可能是足够的。
图7示出了其中提供了两个束推/拉弯曲机械装置的实施例。该机 械装置包括束17以在中线以下施加推/拉力；以及第二束72以在中线 以上施加推/拉力。针对这种两束推/拉机械装置，推/拉力可以单独地确 定。这两个力一起确定了注入到构图装置中的扭矩(力矩=(Fpush+Fpu ) *e)。这两个力之间的差别在于在一个实施例中，选择使得在夹具处将不 会发生摩擦。这可以通过以下公式实现
Fpus「Fpuii二Moment/ (h/6)
在这种情况下，理论上e可以是-h/2和+h/2之间的任意值。根据 以上两个公式可以确定每推/拉束所施加的力。
在图8中，构图装置80由夹具81夹紧。夹具81通过具有两个臂 83和84的联动系统与框架82相连。所述臂彼此倾斜，并且具有旋转的 虚中心(所谓的柱86，位于构图装置80的中线87中)。臂83和84可 以顺时针或逆时针旋转，并且因此能够通过夹具81向构图装置80注入 补偿弯曲扭矩。因为柱86位于构图装置80的中线87中，补偿弯曲扭矩 的这种注入不护减小沿X-Y方向的夹紧力。因此，通过现有的夹具81 注入补偿弯曲扭矩。这是在通过沿Z方向的两个力实现的， 一个相对于 初始夹紧力变小，而另一个相对于初始夹紧力变大，具体地如此大使得 其对另一个力的减少进行补偿。因此，沿Z方向的不会发生夹紧力的净 损失，并且也不会发生沿X-Y方向的夹紧力的损失。此外，如果^J图装 置开始由于所注入的弯曲扭矩而开始弯曲，那么构图装置的中线87保持
相同，并且夹具所在的构图装置的表面(这里是顶部表面)开始移动。
然而，因为同时夹具81开始绕位于中线87处的柱86转动，夹具81和
和构图装置的顶部表面一起移动。因此，没有出现摩擦力，并且没有消
极地影响沿X-Y方向的夹紧力。因此，将弯曲机械装置的连接器有利地 与夹具集成以保持构图装置。可以施加纯的扭矩，而不会向构图装置添 加硬度，而该扭矩不应该对于夹紧本身具有消极的效果。
图9示出了针对图8的改进的可能实现，其中让臂83和84旋转的 力传动装置由气体波纹管90和91形成。可以将一个气体波纹管用于正 的扭矩，而将另一个气体波纹管用于负的扭矩。
许多替代实施例是可能的。代替气体波纹管，可以使用其它力/扭 矩传动装置，例如一个或多个洛伦兹传动装置、或一个或多个压电元件， 具体地集成在反馈回路中。同样，可以在构图装置的全部四个侧面处提 供力/扭矩传动装置。与上述传动装置接合的推/拉束可以是推类型或拉 类型的任意一种，但是可以如此构建使得它们能够在所需时刻按需进行 推和拉。
在根据本发明实施例的光刻设备的期间制造方法的开始时，可以测 量构图装置弯曲的当前量， 一次是在施加一定的力/扭矩时，另一次是利 用所施加的另一个力/扭矩。这导致力/扭矩传动装置值和构图装置中引 入的弯曲之间的关系。然后，软件可以计算所需的最优力/扭矩，以便使 构图装置处于所需形状。利用这种信息，可以实现动态前馈构图装置(加 热)模型以便估计和施加所需的最优力/扭矩，并且因此在曝光之间及其 期间保持构图装置处于其所需形状。还可以将该构图装置(加热)模型 用于触发对于构图装置的任意随后的形状校正测量，例如当某些时间之 后针对弯曲的预测值和最后测量值之间的差别超过一定阈值时，可以在 下一个适当时机来安排新的形状校正测量。
在一个实施例中，可以非常快地激励力/扭矩传动装置，例如以 200Hz的频率或更高，使得在曝光扫描期间可以可靠地改变弯曲扭矩。 按照这种方式，也可以校正衬底平整度。例如，可以使构图装置的一部 分和/或作为曝光缝隙的衬底的一部分进行优化。还可以只通过在构图装 置的整个Y长度上施加和改变一个弯曲扭矩来在曝光扫描期间调节弯曲 扭矩。在构图设备处施加的弯曲扭矩比比作为Y位置的函数而改变，但 是其可以是相同的弯曲扭矩，仅随时间改变。
代替构图装置沿X-Y方向与其图案夹紧，可以将构图装置沿其它方 向夹紧。为此，支架夹具和弯曲机械装置响应地重新进行定位。
利用根据本发明实施例的弯曲机械装置，可以但不是必要的向己夹 紧的构图装置施加弯曲扭矩，使得在支架夹具的位置处可用的夹紧力一 点也没有作为这种所施加的补偿弯曲扭矩的结果而减小。还可以向己夹 紧的构图装置施加弯曲扭矩，使得在支架夹具的位置处可用的夹紧力作 为这种所施加的补偿弯曲扭矩的结果而减小。因此，可以施加弯曲扭矩， 而不必过多考虑夹紧力预算。实质上，夹紧力不会由于弯曲扭矩的施加 而减小。例如，小于5%的夹紧力减小是可接受的。
代替或者除补偿由重力和/或温度效应引起的初始弯曲之外，可以 使用根据本发明实施例的弯曲机械装置以注入附加的弯曲扭矩以使构图 装置进一步地沿所需方向弯曲，例如因为该曲率更符合针对这种具体曝 光的衬底表面的局部曲率。
在实施例中，与透射构图装置将弯曲机械装置与透射构图装置结合 使用。然而，也可以将其与反射构图装置结合使用。例如，在使用极紫
外(EUV)辐射的光刻设备中。
尽管在该文本中可以将特定的参考用于制造IC时的光刻设备，应
该理解的是这里描述的光刻设备可以具有其它应用，例如制造集成光学 系统、用于磁畴存储的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器acD)、
薄膜磁头等。普通技术人员应该理解，在这些替代应用的上下文中，这 里的术语"晶片"或"管芯"的任何使用可以认为是与更一般的术语"衬 底"或"目标部分"同义。可以例如在轨道(典型地将抗蚀剂层涂敷到 衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、计量工具和/或检验 工具中，在曝光之前或之后处理这里所指的衬底。在可适用的情况下， 可以将这里的公开应用于这种或其它衬底处理工具中。另外，衬底可以
别处理多于一次，例如以便创建多层IC，使得这里适用的术语^ji底也指 的是己经包含多个已处理层的衬底。
尽管已经以上对本发明的描述是针对光刻的实施例的背景，应该理
解的是可以将本发明应用于其它应用，例如压印光刻，并且在上下文允 许的是不局限于光刻。在压印光刻中，可以将构图装置中的形貌压到提 供给衬底的抗蚀剂层中，在通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来是 抗蚀剂固化。将构图装置移出抗蚀剂，在将抗蚀剂固化后留下图案。
这里使用的术语"辐射"和"束"包含全部类型的电磁辐射，包括
紫外(UV)辐射(例如，具有约为365、 355、 248、 193、 157或126咖 的波长)、极紫外(EUV)辐射(例如，具有在5-20nm范围中的波长)、 以及诸如离子束或电子束之类的粒子束。
上下文允许的术语"透镜"可以指的是各种类型的光学元件的任意 一个或其组合，包括透射、反射、磁性、电磁和静电的光学部件。
尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，应该理解的是本发明可 以与上述不同的实现。例如，本发明可以采取包含一个或更多机器可读 指令序列的计算机程序的形式，所述指令执行上述方法，或者采取具有 在其中存储的这种计算机程序的数据存储介质(例如，半导体存储器、 磁盘或光盘)。
以上描述是说明性的，而不是限制性的。因此，对于本领域普通技 术人员显而易见的是，可以在不脱离所附权利要求范围的情况下，可以 对上述发明进行修改。
权利要求
1.一种光刻设备，包括照射系统，被配置用于调节辐射束；支架，被构建用于支撑构图装置，所述构图装置能够沿截面给予辐射束图案以形成已构图的辐射束，所述支架包括支架夹具，所述支架夹具被构建用于将构图装置夹紧到支架上；弯曲机械装置，被构建用于将弯曲扭矩施加到已夹紧的构图装置上，所述弯曲机械装置包括力/扭矩传动装置，被配置用于无需实质减小由支架夹具施加于构图装置上的夹紧力就可以对已夹紧的构图装置起作用；衬底台，被构建用于保持衬底；以及投影系统，被配置用于将已构图的辐射束投影到衬底的目标部分上。
2. 根据权利要求1的设备，其中，所述弯曲机械装置与支架夹具 分离。
3. 根据权利要求l的设备，其中，力/扭矩传动装置被构建用于在 相对于已夹紧的构图装置的中线的高度偏移处施加拉力、推力或其拉力 和推力。
4. 根据权利要求3的设备，其中，高度偏移e二h/6， h是构图装置 的高度。
5. 根据权利要求3的设备，其中，提供了至少两个力/扭矩传动装 置，第一力/扭矩传动装置被配置用于在中线以上施加推力、拉力或者拉 力和推力，以及第二力/扭矩传动装置被配置用于在中线以下施加推力、 拉力或拉力和推力。
6. 根据权利要求l的设备，其中，力/扭矩传动装置被构建用于在 己夹紧的构图装置的外围侧边缘处施加拉力、推力或拉力和推力。
7. 根据权利要求l的设备，其中，将两组力/扭矩传动装置配置在 已夹紧的构图装置的两个相对外围侧边缘处。
8. 根据权利要求1的设备，其中，所述弯曲机械装置还包括连接 器，被配置用于实现与已夹紧的构图装置的连接。
9. 根据权利要求8的设备，其中，所述连接器包括真空元件。
10. 根据权利要求8的设备，其中，将连接器被构建用于实现与已夹紧的构图装置外围侧边缘的连接。
11. 根据权利要求l的设备，其中，所述连接器与支架夹具集成。
12. 根据权利要求1的设备，其中，所述弯曲机械装置包括推/拉束。
13. 根据权利要求1的设备，其中，所述力/扭矩传动装置是推类 型的。
14. 根据权利要求1的设备，其中，所述力/扭矩传动装置包括气 体波纹管。
15. 根据权利要求1的设备，其中，所述力/扭矩传动装置包括洛 伦兹传动装置。
16. 根据权利要求1的设备，其中，所述力/扭矩传动装置包括压 电元件。
17. 根据权利要求l的设备，其中，包括沿构图装置的外围侧边缘 被定位为彼此相邻的多个力/扭矩传动装置。
18. 根据权利要求17的设备，其中，所述力/扭矩传动装置是单独 可用的。
19. 根据权利要求l的设备，其中，所述支架包括三点悬挂装置以 支撑构图装置。
20. 根据权利要求1的设备，其中，将所述力/扭矩传动装置被定 位为向与支架夹具相连的界面施加旋转的力/扭矩，所述界面具有沿已夹 紧的构图装置的中心进行定位的旋转中心。
21. 根据权利要求20的设备，其中，所述界面包括杆，作为联动 系统与支架夹具旋转相连，所述联动系统具有沿已夹紧的构图装置的中 线进行定位的旋转中心。
22. 根据权利要求l的设备，其中，所述支架夹具被构建用于将构 图装置在其底部表面处、顶部表面处、或底部表面处和顶部表面处进行夹紧。
23. —种器件制造方法，包括使用支架夹具将构图装置夹紧到支架上；无需实质减小由支架夹具施加于构图装置上的夹紧力，将弯曲扭矩施加到已夹紧的构图装置上；使用构图装置沿横截面给予辐射束图案以形成已构图的辐射束；以及将己构图的辐射束投影到衬底上。
全文摘要
公开了一种光刻设备，包括支架，构建用于支撑构图装置，所述构图装置能够沿截面给予辐射束图案以形成已构图的辐射束，所述支架包括支架夹具，所述支架夹具构建用于将构图装置夹紧到支架上；以及弯曲机械装置，构建用于将弯曲扭矩施加到已夹紧的构图装置上，所述弯曲机械装置包括力/扭矩传动装置，配置用于无需实质减小由支架夹具施加于构图装置上的夹紧力就可以对已夹紧的构图装置起作用。
文档编号H01L21/027GK101105640SQ20071012908
公开日2008年1月16日 申请日期2007年7月11日 优先权日2006年7月14日
发明者安德利·B·朱尼克, 德克-让·比沃特, 托马斯·J·M·卡斯滕米勒, 马塞尔·K·M·博根 申请人:Asml荷兰有限公司