专利名称：：有机强电介质膜的形成法、存储元件的制法、存储装置的制作方法
技术领域：
：本发明涉及有机强电介质膜的形成方法、存储元件的制造方法、存储装置和电子设备。
背景技术：
：众所周知，作为存储元件，通过沿由强电介质材料构成的强电介质膜厚度方向，向其施加电场，从而改变其极化状态，进行数据的写入，读出。这样的存储元件由于强电介质膜中的极化状态是双稳态，即使在停止施加电场后也可以保持，所以可以作为非易失性存储器使用。近年，以谋求这样的存储元件的挠性化等为目的，提出作为强电介质材料使用有机强电介质材料的方案。作为这样的强电介质材料，从提高存储的特性等目的出发，使用非专利文献1所公开的具有结晶性的有机强电介质材料。在形成使用这样的有机强电介质材料的强电介质膜时，与难以控制结晶性的真空蒸镀法等的气相表面形成工艺相比，使用含有有机强电介质材料的液体、将旋转涂布法等液相薄膜形成工艺和结晶工艺组合起来的工艺在材料选择的自由度和加工成本方面优越。例如，历来将这样的液体涂布在下部电极上，使其干燥.结晶而形成强电介质膜后，用气相成膜法在该强电介质膜上形成上部电极。由于用这样的液体形成强电介质膜，不必使用如气相薄膜形成工艺那样的大型真空装置，可以在接近常温常压的条件下进行，所以制造存储元件时具有节能化-低成本化。但是，由于历来是以露出涂布在下部电极上的液体的状态进行干燥-结晶，所以伴随有机强电介质的结晶，在强电介质膜的与下部电极的相反侧的面上会形成由粗大的结晶粒子造成的凹凸。因此，在历来这样的存储元件的制造方法中，若强电介质膜的厚度成为与结晶粒子的尺寸相同程度薄，则在形成上部电极时，电极材料会进入强电介质膜的上述凹凸的凹部中，上部电极和下部电极之间的距离在局部变小，接近或者接触，导致漏电流的增加和上部电极和下部电极之间的短路。即使改变强电介质膜的厚度，上述这样的强电介质膜的凹凸的粗糙度也不会有大变化，所以强电介质膜的厚度越薄，其坏影响越显著。通常，以偏氟乙烯和三氟乙烯的共聚物或者偏氟乙烯的聚合物为代表的有机强电介质的矫顽电场非常高，为了谋求低电压驱动，必须使强电介质膜的膜厚极薄。所以，根据上述的理由，至今通过使强电介质膜的膜厚变得非常薄的存储元件的低电压驱动化非常困难。非专利文献1j.Appl.phys.,Vol.89，No.5，PP.2613—16
发明内容本发明的目的在于，提供一种有机强电介质膜的形成方法、存储元件的制造方法、存储装置和电子设备。该目的通过下述的本发明而达到。本发明是一种有机强电介质膜的形成方法，是以具有结晶性的有机强电介质材料作为主材料构成的有机强电介质膜的形成方法，其特征在于，具有在基板的一个面上形成结晶度比上述有机强电介质膜还低的结晶度的低结晶度膜的第1工序；和由上述低结晶度膜形成上述有机强电介质膜的第2工序，上述第1工序包括在上述基板的一个面上涂布干燥含有上述有机强电介质材料的液状材料的工序；上述第2工序包括通过上述低结晶度膜的加热*加压，从而在对上述低结晶度膜进行整形的同时提高上述低结晶度膜中的结晶度的工序。另外，在本发明中，优选上述低结晶度膜中的结晶度是上述有机强电介质膜的结晶度的80%以下。藉此，低结晶度膜的与基板相反侧的面可以维持由模具决定的平滑的状态，同时进行强电介质材料的结晶。而且有机强电介质材料的结晶粒子可以自由地生长，可以防止表面粗糙。因此，得到的有机强电介质膜的与基板相反侧的面平滑，可以防止有机强电介质膜的膜厚在局部变薄。本发明的另一种有机强电介质膜的形成方法，是以具有结晶性的有机强电介质材料作为主材料构成的有机强电介质膜的形成方法，其特征在于，具有在基板的一个面上形成结晶度比上述有机强电介质膜还低的结晶度的低结晶度膜的第1工序；和由上述低结晶度膜形成上述有机强电介质膜的第2工序，上述第1工序包括在上述基板的一个面上涂布干燥含有上述有机强电介质材料的液状材料的工序；上述第2工序包括对上述低结晶度膜进行加热而形成提高了上述低结晶度膜的结晶度的结晶膜的第3工序；和通过使上述结晶膜加热加压，从而对上述结晶膜整形，形成上述有机强电介质膜的第4工序。藉此，即使通过结晶在结晶膜的与基板相反侧的面上形成由有机强电介质材料的晶粒构成的凹凸，也可以使有机强电介质膜的与基板相反侧的面平滑。因此，可以防止有机强电介质膜的膜厚在局部变薄。在本发明的有机强电介质膜的形成方法中，优选上述第2工序中的上述加压的压力是0.110MPa/cm2。藉此，可以使得到的有机强电介质膜的与基板相反侧的面成为非常平滑的面。在本发明的有机强电介质膜的形成方法中，优选上述有机强电介质膜的膜厚是5nm500nm。藉此，可以谋求得到的有机强电介质膜的薄膜化，同时可以更可靠地防止有机强电介质膜的膜厚在局部变薄。在本发明的有机强电介质膜的形成方法中，优选上述有机强电介质材料是偏氟乙烯和三氟乙烯的共聚物、偏氟乙烯的聚合物中的单独一种或者2种的组合。这样的有机强电介质材料其矫顽电场非常高。因此，例如将以这样的有机强电介质材料作为构成材料的有机强电介质膜用于存储元件时，为了低驱动电压化，必须使有机强电介质膜极薄。因此，通过适用本发明得到的效果显著。在本发明的有机强电介质膜的形成方法中，优选含有上述有机强电介质材料的液状材料是将上述有机强电介质材料溶解于溶剂中的材料。藉此，可以谋求得到的有机强电介质膜的薄膜化，同时可以更可靠地防止有机强电介质膜的膜厚在局部变薄。在本发明的有机强电介质膜的形成方法中，优选上述第2工序中用于提高上述结晶度的上述加热的温度是8020(TC。藉此，可以使低结晶度膜内的有机强电介质材料有效地结晶。在本发明的有机强电介质膜的形成方法中，优选在上述第2工序中提高上述结晶度后，在维持上述加压状态的情况下直接进行冷却。藉此，可以使有机强电介质膜的与基板相反侧的面更可靠地成为平滑状态。在本发明的有机强电介质膜的形成方法中，优选上述冷却在上述有机强电介质材料的玻璃转变点以下进行。藉此，可以更可靠地进行结晶。在本发明的有机强电介质膜的形成方法中，优选在上述第1工序后且上述第2工序前具有加热、软化上述低结晶度膜的工序。藉此，可以使有机强电介质膜的与基板相反侧的面更可靠地成为平滑状态。在本发明的有机强电介质膜的形成方法中，优选在上述第2工序中通过向上述基板压下能对上述有机强电介质膜的有效区域进行规定的模具进行上述整形.。藉此，有机强电介质膜的形状可以成为希望的形状。在本发明的有机强电介质膜的形成方法中，优选上述模具在其按压面实施脱模处理。藉此，可以简单地取下模具，并且防止有机强电介质材料与模具的粘着，可以使有机强电介质膜的与基板相反侧的面的平滑性更优良。在本发明的有机强电介质膜的形成方法中，优选上述第2工序中上述加压时，在上述模具和上述第1电极之间施加电场，同时进行上述结晶。藉此，可以使得到的有机强电介质膜内的有机强电介质材料的结晶取向相一致。因此，对于得到的存储元件而言，可以降低由有机强电介质材料的极化轴的取向的波动造成的极化的损失。也就是说，由于可以使得到的有机强电介质膜内的有机强电介质材料的极化轴方向只能沿有机强电介质膜的厚度方向(电场的施加方向)相一致，所以对于得到的存储元件来说可以谋求极化反转的响应性的提高，同时使磁滞曲线中的矩形性优良。本发明是一种存储元件的制造方法，是使用以具有结晶性的有机强电介质材料作为主材料构成的有机强电介质膜的存储元件的制造方法，其特征在于，包括在基板的一个面上形成第1电极的工序；在上述第1电极的与上述基板相反侧的面上形成结晶度比上述有机强电介质膜还低的结晶度的低结晶度膜的第1工序；由上述低结晶度膜形成上述有机强电介质膜的第2工序；和在上述有机强电介质膜的与上述第1电极相反侧的面上形成第2电极的工序；上述第1工序包括在上述基板的一个面上涂布干燥含有上述有机强电介质材料的液状材料的工序，上述第2工序包括通过上述低结晶度膜的加热，加压，从而在对上述低结晶膜整形的同时提高上述低结晶度膜中的结晶度的工序。藉此，可以形成在基板上形成被第1电极和第2电极夹持的有机强电介质的结构体的电容器。此时，由于有机强电介质膜的与基板相反侧的面平滑，所以可以防止第1电极和第2电极之间的距离在局部变小。其结果，即使有机强电介质膜薄，得到的存储元件也可以防止漏电流的增加，同时可以防止第l电极和第2电极之间的短路。也就是说，可以使有机强电介质膜薄，从而降低驱动电压。另外，与使用大型真空装置的气相薄膜形成工艺相比，本发明不太需要能量，在比较低的温度条件下由简单的工序就可以形成存储元件。因此,可以谋求制造装置的低成本化，同时选择构成存储元件、甚至于存储装置的材料的范围宽。本发明的另一个存储元件的制造方法，其特征在于，在形成上述第1电极的工序之后且上述第1工序之前，还包括形成半导体膜的工序，在形成上述第1电极的工序中形成的上述第1电极是相互隔开设置的1对电极，在形成上述半导体膜的工序中，按照与上述1对电极分别接触的方式形成半导体膜，在上述半导体膜的与上述基板相反侧的面上形成上述第1工序中形成的低结晶度膜。藉此，可以得到可用于所谓1T(晶体管)型的存储装置上的存储元件。此时，由于有机强电介质膜的与基板相反侧的面平滑，所以可以防止半导体膜和第2电极之间的距离在局部变小。其结果，即使有机强电介质膜薄，得到的存储元件也可以防止漏电流的增加，并且可以防止半导体膜和第2电极之间的短路。也就是说，可以使有机强电介质膜变薄，从而降低驱动电压。另外，与使用大型真空装置的气相薄膜形成工艺相比，本发明不太需要能量，在比较低的温度条件下由简单的工序就可以形成存储元件。因此，可以谋求制造装置的低成本化，并且选择构成存储元件、甚至于存储装置的材料的范围宽。本发明的存储装置的特征在于，具备由本发明的存储元件的制造方法制造出的存储元件。藉此，以具有结晶性的有机强电介质材料作为有机强电介质膜的构成材料而使用，就可以提供可谋求驱动电压降低的存储装置。另外，这样的存储装置因可以降低漏电流和防止短路而具有优良的可靠性。本发明的电子设备的特征在于，具备本发明的存储装置。藉此，以具有结晶性的有机强电介质材料作为有机强电介质膜的构成材料而使用，就可以提供可谋求驱动电压降低的电子设备。另外，这样的电子设备因可以降低漏电流和防止短路而具有优良的可靠性。图1是表示本发明存储元件的实施方式的纵剖面图。图2是用于说明图1中所示的存储元件的制造方法的第1例的图。图3是用于说明图1中所示的存储元件的制造方法的第2例的图。图4是示意性地表示使用本发明的存储元件1的存储装置的电路形态的图。图5是用于说明图1所示的存储元件的制造方法的第4例的图。图6是用于说明图5所示的存储元件的制造方法的图。图7是示意性地表示具备图6所示的存储元件的存储装置的基本电路形态的图。图8是用于说明本发明实施例中的模具及基板的温度和时间的关系、和模具的压力和时间的关系的图。图中1、1A—存储元件，2—基板，3—下部电极，31—源区域，32一漏区域，33—半导体膜，34—沟道区域，4一有机强电介质膜，4A—液状材料，4B—低结晶度膜，4C—结晶膜，4D—有机强电介质膜，4E—低结晶度膜，5—上部电极，5A—栅电极，100、100A—存储装置，101—第l信号电极，102—第2信号电极，103—第3信号电极。具体实施例方式以下说明本发明的存储元件的制造方法、存储元件、存储装置和电子设备的最佳实施方式。[第1实施方式]说明本发明的第l实施方式。[存储元件]首先，根据图1说明用本发明的存储元件的制造方法制造的存储元件、即本发明的存储元件的实施方式。图l是表示本发明的第l实施方式的存储元件的纵剖面图。另外，以下为了说明上的方便，将图2中的"上"称为"上"，"下"称为"下"。图1所示的存储元件1例如组装在存储装置等电子器件中使用，其以基板2、下部电极(第1电极)3、有机强电介质膜4和上部电极(第2电极)5的顺序堆积成膜而构成。换句话说，存储元件1的使有机强电介质膜(记录膜)4处于下部电极3和上部电极5之间的结构体在其下部电极3侧被基板2支撑。这样的存储元件1通过在下部电极3和上部电极5之间施加电压(电场)而进行数据的写入和读出，另外，即使停止施加电场后，也可以保持极化状态。利用这样的特性，可以将存储元件1用于存储装置。作为基板2，例如可以使用玻璃基板、由聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、芳香族聚酯(液晶聚合物)等构成的塑料基板(树脂基板)、石英基板、硅基板、砷化镓基板等。赋予存储元件1可挠性时，基板2选择树脂基板。另外，也可以在基板2的上方设置基底膜。作为基底膜例如可以根据防止来自基板2表面的离子扩散的目的、提高下部电极3和基板2的密接性(结合性)的目的等来设定。另外，根据其用途等可以省略基板2。作为基底膜的构成材料没有特别的限定，但是优选使用氧化硅(Si02)、氮化硅(SiN)、聚酰亚胺、聚酰胺或者交联而不溶化的高分子等。另夕卜，对于基板2的厚度不作特别的限定，但是优选是102000，。在这样的基板2的上面(基板2的一个面上)形成下部电极3。作为下部电极3的构成材料，只要具有导电性，就没有特别的限定，例如可以举出Pd、Pt、Au、W、Ta、Mo、Al、Cr、Ti、Cu或者含有它们的合金等的导电性材料、ITO、FTO、ATO、Sn02等的导电性氧化物、炭黑、碳纳米级管(carbonnano-tube)、富勒烯(7，一k等的碳系材料、聚乙炔、聚吡咯、PEDOT(聚亚乙基二氧基噻吩)那样的聚噻吩、聚苯胺、聚(对亚苯基)、聚芴、聚咔唑、聚硅烷或者它们的衍生物等的导电性高分子材料等，可以将它们中的一种或者两种以上组合起来使用。另外，通常将上述导电性高分子材料掺杂在氧化铁、碘、无机酸、有机酸、聚苯乙烯磺酸(polystyrenesulfonicacid)等的高分子中而赋予导电性的状态下使用。在它们中，作为下部电极3的构成材料分别优选使用以Al、Au、Cr、Ni、Cu、Pt或者含有它们的合金为主的材料。使用这些金属材料时，采用电解或者非电解镀敷法可以容易且廉价地形成下部电极3。另外，可以提高存储元件1的特性。另外，对于下部电极3的厚度不作特别的限定，但是优选是101000nm左右，更优选是50500nm左右。在这样的下部电极3的上面(下部电极的与基板2相反侧的面)形成有机强电介质膜4。有机强电介质膜4以具有结晶性的有机强电介质材料作为主材料而构成。作为有机强电介质材料优选使用例如P(VDF/TrFE)(亚乙烯基萤石和三氟乙烯的共聚物)、PVDF(偏氟乙烯的聚合物)等。这样的有机强电介质材料的矫顽电场非常高。因此，例如将以这样的有机强电介质材料作为构成材料的有机强电介质膜4用于存储元件1时，为了低驱动电压化，必须使有机强电介质膜4极薄。因而通过采用本发明得到的效果显著。另外，对于有机强电介质膜4的厚度不作特别的限定，但是优选是5nm500nm左右，更优选是10nm200nm左右。藉此，可以充分地发挥存储元件1(甚至于存储装置元件等各种电子器件)的各种驱动特性。另外，可以将成为有机强电介质膜4中的漏电流和短路原因的由有机强电介质膜4的晶粒造成的表面的凹凸抑制为小的凹凸，其结果可以谋求存储元件l的低电压驱动。在这样的有机强电介质膜4的上面(有机强电介质膜4的与下部电极3的相反侧的面)形成上部电极5。作为上部电极5的构成材料可以使用与上述下部电极3的构成材料相同的材料。另外，对于上部电极5的厚度不作特别的限定，但是优选是10nm1000nm左右，更优选是50nm500nm左右。[存储元件的制造方法]以下，以存储元件1的制造方法作为一例说明本发明的存储元件的制造方法。(第l例)首先，根据图2说明存储元件1的制造方法的第1例。存储元件1的制造方法具有以下工序-(1)形成下部电极3的工序；(2)在下部电极3上涂布含有有机强电介质材料的液状材料后使其干燥，形成低结晶度膜的工序(第l工序)，(3)通过对低结晶度膜进行加热加压，从而形成有机强电介质膜的工序(第2工序)；和(4)在有机强电介质膜上形成上部电极的工序。以下顺次详细地说明各工序。(1)形成下部电极3的工序首先，如图2(a)所示，准备例如半导体基板、玻璃基板、树脂基板等的基板2，在该基板2的上面，如图2(b)所示那样，形成下部电极3。特别是作为基板2通过使用树脂基板，可以使得到的存储元件l、甚至于存储装置具有可挠性。作为下部电极3的形成方法没有特别的限定，例如可以通过真空蒸镀法、溅射法(低温溅射)、离子镀膜等的物理气相堆积法(PVD法)、等离子CVD法、热CVD法、激光CVD法的化学气相堆积法(CVD法)、电解镀敷、浸渍镀敷、非电解镀敷等的湿式镀敷法、旋转涂布法、溶液雾化堆积法(LSMCD法)等的溶液涂布法、网版印刷法、喷墨法等各种印刷法等形成。(2)形成低结晶度膜的工序(第1工序)然后，如图2(c)所示，在下部电极3上涂布含有结晶性的有机强电介质材料的液状材料4A(形成膜状的液状材料4A)，使其干燥，如图2(d)所示，形成作为形成有机强电介质膜4用的中间生成膜的低结晶度膜(包括非晶质膜)4B。该低结晶度膜4B具有比有机强电介质膜4中的有机强电介质材料最终的结晶度还低的结晶度，并以有机强电介质材料作为主材料而构成。另外，将有机强电介质膜4中的有机强电介质材料最终的结晶度设为100%时，优选低结晶度膜4B中的有机强电介质材料的结晶度是0.00180%以下，更优选是50%以下。液状材料4A可以使用将结晶性的有机强电介质材料溶解在溶剂中或者分散在分散剂中的材料。特别优选液状材料4A是将上述有机强电介质材料溶解在溶剂中的材料。藉此，可以容易地向基板2涂布液状材料4A，并且时可以比较简单地使低结晶度膜4B的膜厚均匀。其结果可以谋求得到的有机强电介质膜4薄膜化，同时可以更可靠地防止有机强电介质膜4的膜厚在局部变薄。作为液状材料4A中的有机强电介质材料可以使用上述的有机强电介质膜4的构成材料。特别优选作为上述有机强电介质材料使用偏氟乙烯和三氟乙烯的共聚物、偏氟乙烯的聚合物中的单独一种或者两种的组合。另外，为了非常容易地得到强介电性，更优选是偏氟乙烯和三氟乙烯的共聚物。另外，在液状材料4A中除了有机强电介质材料、溶剂或者分散剂以外，也可以含有其它物质。作为液状材料4A中的溶剂或者分散剂，只要是能够溶解或者分散上述有机强电介质材料，就没有特别的限定，例如可以使用硝酸、硫酸、氨水、过氧化氢、水、二硫化碳、四氯化碳、碳酸亚乙酯等无机溶剂，或甲基乙基甲酮(MEK)、丙酮、二乙酮、甲基异丁基酮(MIBK)、甲基异丙基酮(MIPrK)、甲基异戊基甲酮(MIPeK)、乙酰丙酮、环己酮等酮系溶剂、碳酸二乙酯(DEC)、甲醇、乙醇、异丙醇、乙二醇、二甘醇(DEG)、丙三醇等的醇系溶剂、乙醚、二异丙基醚、1，2—二甲氧基乙烷(DME)、1，4一二恶烷、四氢呋喃(THF)、四氢吡喃(THP)、甲氧苯甲酰、二甘醇二甲基醚、二甘醇一乙醚等的醚系溶剂、乙二醇一甲醚、乙二醇一乙醚、乙二醇一苯醚等的2—乙氧基乙醇系溶剂、己烷、戊烷、庚烷、环己烷等的脂肪族碳氢化合物系溶剂、甲苯、二甲苯、苯等的芳香族碳氢化合物系溶剂、吡啶、吡嗪、呋喃、吡咯、噻吩、甲基吡咯垸酮等的芳香族杂环化合物系溶剂、N，N—二甲基甲酰胺(DMF)、N，N—二甲基乙酰胺(DMA)等的酰胺系溶剂、二氯甲垸、三氯甲烷、1，2—二氯乙烷等的卤素化合物系溶剂、醋酸乙酯、醋酸甲酯、甲酸乙酯等的酯系溶剂、二甲基亚砜(DMSO)、环丁砜等的硫化物系溶剂、乙腈、丙腈、丙烯腈等的腈系溶剂、甲酸、乙酸、三氯乙酸、三氟乙酸等的有机酸系溶剂那样的各种有机溶剂或者含有它们的混合溶剂等。特别是作为有机强电介质材料使用P(VDF/TrFE)时，作为溶剂优选使用MEK(甲基乙基甲酮2—丁酮)、MIPrK(甲基异丙基甲酮3—甲基一2—丁酮)、2—戊酮、3—戊酮、MIBK(甲基异丁基甲酮4一甲基一2—戊酮)、2—己酮、2，4一二甲基一3—戊酮、4一庚酮、MIPeK(甲基异戊基甲酮5—甲基一2—己酮)、2—庚酮、3—庚酮、环己酮、和DEC(碳酸二乙酯)的各种有机溶剂或者它们的混合溶剂。优选涂布的液状材料4A中的有机强电介质材料的含有率是0.18.0重量％，更优选是0.24.0重量％。藉此，可以容易地向基板2涂布液状材料4A，同时可以比较简单地使低结晶度膜4B的膜厚均匀。作为液状材料4A的涂布方法没有特别的限定，但是优选使用例如旋转涂布法、溶液雾化堆积法(LSMCD法)、喷墨法等。作为液状材料4A的干燥方法、即从液体中除去溶剂或者分散液的方法，没有特别的限定，例如可以使用由加热板和烘箱的外部热干燥法、由微波等的内部热干燥法、传送热风法、基于红外线的辐射传热干燥法、真空减压法等。另外，液状材料4A的溶剂或者分散液的挥发性高、涂布后的膜内几乎没有残留溶剂或者残留分散液时，也可以省去上述干燥工序。作为液状材料4A的干燥方法使用热处理时，处理温度在有机强电介质材料的最佳结晶温度以下进行，具体地说，根据所用的有机强电介质材料、溶剂的种类、液状材料4A的膜厚等来决定，优选是室温14(TC，更优选是室温100"C。另外，该情况下，处理时间根据所用的有机强电介质材料和液状材料4A的膜厚等来决定，优选是0.5120分钟，更优选是130分钟。另外，涂布液状材料4A形成低结晶膜时，也可以多次重复涂布工序。藉此，液状材料可以填充在溶剂蒸发过程中形成的小的针孔缺陷等中，减少低结晶膜的针孔缺陷，结果可以形成漏电流和短路少的强电介质膜。另外，通过交互重复上述涂布工序和上述干燥工序，也可以形成针孔缺陷少的低结晶膜。(3)形成有机强电介质膜4的工序然后，通过低结晶度膜4B的加热，加压，使低结晶度膜4B整形，同时提高低结晶度膜4B的结晶度，得到有机强电介质膜4。具体地说，如图2(e)所示，隔着低结晶度膜4B向基板2按压模具6，同时通过加热低结晶度膜4B而进行结晶后，如图2(f)所示，取下模具6，形成有机强电介质膜4。优选使向基板2按压模具6时的压力是0.110MPa/cm2。藉此，可以使得到的有机强电介质膜4的与基板相反侧的面成为非常平滑的面。作为按压模具6的方法没有特别的限定，可以使用各种压力机。通过加热低结晶度膜4B，可以促进结晶性。作为促进结晶性的方法(提高结晶度的方法)没有特别的限定，例如可以是用加热板、烘箱、真空烘箱等的结晶性促进法、用基于微波等的内部加热的结晶性促进法、用基于红外线等的辐射传热的结晶性促进法等。特别优选使用基于加热板、烘箱、真空烘箱等的结晶性促进热处理工序。促进低结晶度膜4B的结晶性之际，若通过在相对于低结晶度膜4B适当的温度范围内实施热处理，从而在用模具6按压的同时进行结晶性的促进，就可以比较，单地在短时间内防止有机强电介质材料的不得已的结晶结构的变化，同时可以有效地促进低结晶度膜4B内的有机强电介质材料的结晶性。作为低结晶度膜4B的结晶性促进方法使用热处理的情况下，其处理温度在有机强电介质材料的结晶温度以上且熔点以下进行，具体地说，根据所用的有机强电介质材料来决定，是P(VDF/TrFE)(VDF/TrFE=75/25)时，优选其加热温度是80200'C，更优选是100150°C。藉此，可以有效地使低结晶度膜4B内的有机强电介质材料结晶。另外，该处理温度在上述那样的温度范围内且是有机强电介质材料的居里温度以上时，可以简单且有效地促进低结晶度膜4B内的有机强电介质材料的结晶性。这里，所谓"处理温度"是低结晶度膜4B的温度，在该热处理中，例如按照低结晶度膜4B成为上述那样的温度范围的方式使烘箱和加热板工作。另外，结晶处理时的处理时间由所用的有机强电介质材料和液状材料4A的膜厚等来决定，优选是0.5120分钟，更优选是130分钟。另外，优选加热低结晶度膜4B、提高结晶度后进行冷却。藉此，可以使有机强电介质膜4的与基板2相反侧的面更可靠地成为平滑状态。另外，优选该冷却在提高结晶度后且取下模具6之前进行。即优选在按压模具6的同时进行上述冷却，然后取下模具6。藉此，可以使有机强电介质膜4的与基板2相反侧的面更可靠地平滑化(整形)。优选该冷却温度是010(TC，更优选在上述有机强电介质材料的玻璃转变点以下进行，另外，优选在常温(室温)以下进行。藉此，可以更可靠地促进结晶。另外，该冷却速度以有机强电介质材料成为希望的结晶状态那样的冷却速度进行。作为有机强电介质材料的冷却方法没有特别的限定，例如优选举出自然冷却、用佩尔蒂埃元件冷却基板和模具的方法、在模具内设置套管(jacket)、以流通致冷剂的方法等。另外，优选在用模具6按压(整形)之前使低结晶度膜4B加热、软化。藉此，可以更可靠地使有机强电介质膜4的与基板2相反侧的面成为平滑状态。对于模具6的材质没有特别的限定，例如优选使用金属材料。另外，优选对模具6的表面(按压面)实施脱模处理。藉此，可以简单地取下模具6，同时防止有机强电介质材料与模具6粘着，可以使有机强电介质膜4的与基板2的相反侧的面的平滑性更优良。作为脱模处理没有特别的限定，优选举出疏液处理、形成微细凹凸等。另外，使用氟系高分子有机强电介质材料的情况下，由于因含氟多而导致与其它材料的密接性不那么高，所以不一定进行模具6的表面处理。在该加热处理工序中，利用热能使低结晶度膜4B内的有机强电介质材料的分子运动激烈，使低结晶度膜4B软化。因此，使模具6对软化状态的低结晶度膜4B进行密接加压(press)，同时促使向P型的相转变而结晶后，一边保持按压的状态一边冷却，从而可以得到复制了形成于模具6的图案的有机强电介质膜4。另外，结晶处理时的气氛可以在空气中进行，但是更优选在氮气、氩气等的惰性气氛中或者真空中进行。该工艺的特征在于，在通过加热促进低结晶度膜4B结晶的过程中，由于低结晶度膜4B中的有机强电介质材料被加压，从而结晶在被限制的空间内进行。也就是说，维持由模具6使低结晶度膜4B的与基板2相反侧的面平滑的状态，同时进行有机强电介质材料的结晶。因此，有机强电介质材料的结晶粒子可以自由地生长并可以防止表面粗糙。进而，得到的有机强电介质膜4的与基板2相反侧的面平滑，可以防止有机强电介质膜4的膜厚(下部电极3和上部电极5之间的距离)在局部变薄。藉此，避免了妨碍P(VDF/TrFE)薄膜化的由晶粒造成的表面凹凸的问题，可以谋求存储元件1的低电压驱动。另外，本例在模具6和下部电极3之间施加电场，同时进行结晶。藉此，可以使得到的有机强电介质膜4内的有机强电介质材料的结晶取向、即极化轴在与下部电极3和上部电极5的面垂直的方向上相一致。因此，对于得到的存储元件l，可以降低起因于极化轴的取向波动的极化的损失，可以最大限度地导出有机强电介质持有的极化值。另外，可以谋求极化反转的响应性的提高，同时使磁滞曲线中的矩形性优良。另外，由于使用下部电极和模具6对低结晶度膜4B施加电压，所以无须另辟途径准备电极，可以简单地对低结晶度膜4B施加电压。通过上述电压施加而对低结晶度膜4B施加的电场根据所用的有机强电介质材料来决定，但是优选施加矫顽电场以上的电场。例如P(VDF/TrFE)的情况下，优选是0.3kV/cm，更优选是作为矫顽电场的0.5MV/cm以上。藉此，可以使得到的有机强电介质膜4内的有机强电介质薄膜的结晶取向性在与下部和上部电极面垂直的方向上相一致。另外，可以省略施加上述那样的电场的施加。(4)形成上部电极的工序如图2(g)所示，在低结晶度膜4B上形成上部电极5。由于上述那样的有机强电介质膜4的与第1电极3相反侧的面是平滑的，在这样平滑的面上形成上部电极5，所以可以使有机强电介质膜4和上部电极5之间的界面非常平滑。上部电极5的形成可以与上述工序(1)同样进行。如以上那样可以制造存储元件1。按照这样的制造方法，由于使用模具6进行低结晶度膜4B的结晶，所以可以使低结晶度膜4B和第2电极5之间的界面非常平滑，在这样的状态下使低结晶度膜4B结晶。因此，防止了伴随晶粒生长而发生的表面凹凸，可以使得到的有机强电介质膜4的表面非常平滑。其结果，即使有机强电介质膜4变薄，得到的存储元件l也可以防止漏电流的增加，并且可以防止在有机强电介质膜4的厚度方向上的短路(下部电极3和上部电极5之间的短路)。也就是说，可以使有机强电介质膜4变薄，从而降低驱动电压。另外，在这样的制造方法中，仅通过在比较低的温度下使用简单的装置的工序就可以形成存储元件1。因此，可以谋求制造装置的低成本化，并且使构成存储元件1、甚至于存储装置的材料的选择范围宽。例如，作为基板2使用树脂材料，可以制造挠性的存储元件1和存储装置。(第2例)以下，根据图3说明存储元件1的制造方法的第2例。另外，以下重点说明与上述第1例不同的事项，对于相同的事项省略其说明。第2例中的存储元件1的制造方法除了在第2工序中使低结晶度膜4B结晶后以使其软化的状态按压模具6，形成有机强电介质膜4以外，其它与上述第1例中的存储元件1的制造方法相同。也就是说，第2例的存储元件1的制造方法具有以下工序(1)形成下部电极3的工序；(2)在下部电极3上涂布含有有机强电介质材料的液状材料后使其干燥、形成低结晶度膜的工序(第1工序)；(3)促进低结晶度膜的结晶性后对其进行加热*加压，形成有机强电介质膜的工序(第2工序)；和(4)在有机强电介质膜上形成上部电极的工序。第2例中的存储元件1的制造方法中的工序(1)、(2)和(4)与第1例中的工序(1)、(2)和(4)相同。在第2例的工序(3)中，促进低结晶度膜4B中的有机强电介质材料的结晶性、形成有机强电介质膜4时，如图3(d)所示，通过加热低结晶度膜4B而提高结晶度，形成结晶膜4C后，在加热结晶膜4C，使其软化的状态下，如图3(e)所示，隔着结晶膜4C向基板2按压模具6后取下模具6，得到有机强电介质膜4。作为上述软化用的加热温度(处理温度)没有特别的限定，但是优选是8020(TC。藉此，可以使得到的有机强电介质膜4的与基板2相反侧的面非常平滑。另外，利用模具6按压软化的结晶膜4C时，与上述第l例同样，在模具6和基板2(或者下部电极3)之间施加电压，可以使结晶膜4C内的强电介质材料的极化轴的方向相一致。除此以外，这里所用的模具6和按压、加热处理、冷却等的条件可以使用与第1例中所述的相同的条件。按照这样的制造方法，即使通过结晶而在结晶膜4C的与基板2相反侧的面上形成由有机强电介质材料的晶粒构成的凹凸，也可以使有机强电介质膜4的与基板2相反侧的面平滑。因此，可以防止有机强电介质膜4的膜厚在局部变薄。其结果，即使有机强电介质膜4变薄，得到的存储元件1也可以防止漏电流的增加，并且可以防止在有机强电介质膜4的厚度方向上的短路。也就是说，使有机强电介质膜4变薄，可以降低驱动电压。按照以上那样进行，可以制造存储元件l。另外，在第2例中，也可以在形成上部电极5之前不进行利用上述模具的按压，在低结晶度膜4B上形成上部电极5之后，隔着上部电极5和低结晶度膜4B，向基板2按压模具6。以下，作为本发明的存储装置的一例根据图4说明使用本发明存储元件l的CP型存储装置。图4是示意性地表示使用本发明的存储元件1的存储装置(存储器阵列)的电路形态的图。图4所示的存储装置100是具有由多个CP型的存储器单元构成的存储器阵列的存储装置。更具体地说，存储装置100具有用于行选择的第1信号电极101和用于列选择的第2信号电极102垂直排列而构成的存储器阵列。第1信号电极101和第2信号电极102中，一个是字线，另一个是位线，它们的各交点构成本发明的存储元件l。另外，图4将存储元件1作为被连接在交点附近的电阻示意性地表示。这样的存储装置IOO将具有结晶性的有机强电介质材料用作有机强电介质膜4的构成材料，可以谋求驱动电压的降低。另外，这样的存储装置100因可以降低漏电流和防止短路而具有优良的可靠性。以下说明本发明的第2实施方式。另外，对于第2实施方式中与上述第1实施方式相同的事项省略其说明。图5是表示本发明的第2实施方式中的存储元件的实施方式的剖面图。其中在图5中，(a)表示该存储元件的纵剖面图，(b)表示该存储元件的横剖面图。另外，以下为了说明上的方便，将图5中的"上"称为"上"，"下"称为"下"。图5所示的存储元件1A构成1晶体管型(所谓1T型)的存储装置的形态。这样的存储元件1A具有在基板2上相互隔开设置的源区域31和漏区域32、在它们之间分别与源区域31和漏区域32接触的半导体膜33、以覆盖在半导体膜33上的形式形成的有机强电介质膜(记录膜)4D和形成在有机强电介质膜4D上的栅电极5A。对于这样的存储元件1A，在栅电极5A及源区域31和漏区域32之间施加电压，改变有机强电介质膜4D内的极化状态，可以进行数据的纪录(写入)。另外，即使停止电场的施加，也可以保持这样的极化状态，通过检测流过源区域31和漏区域32间的电流就可以进行纪录的再生(读出)。因此，可以将存储元件1A用于非易失性存储器中。在该存储元件1A中，如图5(b)所示，半导体膜33中的源区域31和漏区域32之间的区域成为载流子移动的沟道区域34。这里，在该沟道区域34中，载流子移动方向的长度、即源区域31和漏区域32之间的距离是沟道长度L，与沟道长度L方向垂直方向的长度是沟道宽度W。这样的存储元件1A的构成是源区域31和漏区域32隔着有机强电介质膜4D而设置得比栅电极5A更靠基板2侦lj，即形成顶栅结构。以下，根据图6以存储元件1A的制造方法作为一例说明本发明的存储元件的制造方法。图6是用于说明图5所示的存储元件的制造方法的图。对于有机强电介质膜4D的制造而言，存储元件1A的制造方法与上述第1实施方式(第1例或者第2例)的存储元件1的制造方法相同。也就是说，存储元件1A的制造方法具有(1)形成源区域31、漏区域32及半导体膜33的工序；(2)在半导体膜33(沟道区域34)上涂布含有有机强电介质材料的液状材料后使其干燥形成低结晶度膜的工序(第1工序)；(3)使低结晶度膜结晶，形成有机强电介质膜(使用模具)的工序(第2工序)；和(4)在有机强电介质膜上形成栅电极5A的工序。(1)形成源区域31、漏区域32及半导体膜33的工序首先，如图6(a)所示，准备半导体基板、玻璃基板、树脂基板等的基板2，如图6(b)所示，在该基板2的上面形成源区域31和漏区域32后，如图6(c)所示形成半导体膜33。作为源区域31、漏区域32和半导体膜33的形成方法，各自没有特别的限定，可以使用与上述下部电极3同样的方法。另外，作为半导体膜33的构成材料，没有特别的限定，可以使用各种有机半导体材料和各种无机半导体材料，但是从挠性化的观点出发，优选使用有机半导体材料。作为有机半导体材料，例如可以举出萘、蒽、丁省、戊省、己省、酞菁、二萘嵌苯、腙、三苯基甲烷、二苯基甲垸、芪、芳基乙烯基、吡唑啉、三苯基胺、三芳基胺、低聚噻吩、酞菁或它们的衍生物之类的低分子有机半导体材料；或者聚一N—乙烯基咔唑、聚乙烯基芘、聚乙烯基蒽、聚噻吩、聚己基噻吩、聚(对亚苯基亚乙烯基)、聚亚噻吩基亚乙烯基、聚芳基胺、芘甲醛树脂、乙基咔唑甲醛树脂、芴一联二噻吩共聚物、芴一芳基胺共聚物或它们的衍生物之类的高分子有机半导体材料(共轭系高分子材料)，可以将这些材料中的一种或两种组合使用，但尤其优选采用以高分子有机半导体材料(共轭系高分子材料)为主的材料。共轭系高分子材料由于其特有的电子云的晕染，载体的移动能特别高。另外，其中，从难以在空气中氧化、稳定等的理由出发，作为高分子有机半导体材料(共轭系高分子材料)特别优选使用以芴一联二噻吩共聚物、芴一芳基胺共聚物、聚芳基胺或者它们的衍生物中的至少l种作为主成分的材料。以这样的高分子有机半导体材料作为主材料构成半导体膜33时，由于可薄型化，轻量化而且是可挠性优良的存储装置，所以适于作为搭载在以挠性显示器等为代表的各种挠性的电子器件上的非易失性存储器来应用。优选半导体膜33(有机半导体材料)的厚度是lnm500nm左右，更优选是10nm200nm左右。(2)形成低结晶度膜的工序(第1工序)然后，按照覆盖半导体膜33上方的方式涂布含有结晶性的有机强电介质材料的液状材料(形成膜状的液状材料)，使其干燥，如图6(d)所示，形成作为用于形成有机强电介质膜4D的中间生成膜的低结晶度膜(非晶质膜)4E。该低结晶度膜4E的形成可以与上述第1例的低结晶度膜4B的形成同样进行。即使按照本实施方式那样形成由源区域31、漏区域32和半导体膜33造成的凹凸，若用溶液雾化堆积法(LSMCD法)形成低结晶度膜4E，就可以简单地谋求得到的低结晶度膜4E的膜厚的均匀化。这是由于用溶液雾化堆积法(LSMCD法)形成的液滴的粒径小的缘故。(3)形成有机强电介质膜4D的工序(第2工序)然后，如图6(e)所示，促进低结晶度膜4E结晶，形成有机强电介质膜4D。该有机强电介质膜4D的形成(结晶)可以与上述第1实施方式(第l例或者第2例)的有机强电介质膜4的形成同样进行。也就是说，可以使用模具，使有机强电介质膜4D的与基板2相反侧的面平坦。(4)形成栅电极的工序然后，如图6(e)所示，在有机强电介质膜4D上形成栅电极5A。栅电极5A的形成可以与上述工序(1)同样进行。按照以上那样进行可以制造存储元件1A。根据以上说明的制造方法，可以制造具有优良响应性和磁滞特性的存储元件1A。特别是在本实施方式中，在形成低结晶度膜4E的工序之前，在基板2上形成源区域31和漏区域32及沟道区域34(半导体膜33)，在形成低结晶度膜4E的工序中，在沟道区域34上形成低结晶度膜4E，在形成有机强电介质膜4D工序之后，在有机强电介质膜4D上形成栅电极5A。藉此，可以得到可用于所谓1T(晶体管)型存储装置的存储元件1A。以下，作为本发明存储装置的另一例，根据图7说明使用本发明的存储元件1A的存储装置。图7所示的存储装置100A是所谓1T型存储装置。更具体地说，存储装置IOOA具有如下所述构成的存储器阵列，该存储器阵列按照以下方式排列用于行选择的第1信号电极101和用于列选择的第2信号电极102垂直，并且第3信号电极103在第1信号电极101和第2信号电极102的交点附近通过，存储元件1A与这些电极连接。第1信号电极101和第2信号电极102中，一个是字线，另一个是位线。另外在第1信号电极101和第2信号电极102的各交点附近，第l信号电极101与漏区域32连接，第2信号电极102与源区域31连接。第3信号电极103与栅电极5A连接，作为用于数据写入的写入线起作用。这样的存储装置100A可进行无损读出。另外，从存储装置稳定动作的观点出发，优选是2T2C型，更优选是1T1C型的存储装置，但是从可无损读出(NDRO)的观点出发，优选是1T型。另外，在本实施方式中说明了与本发明存储元件有关的内容，但是本实施方式中的存储元件及其制造方法也可以适用于薄膜晶体管等晶体管及其制造方法。也就是说，与本实施方式的制造方法同样进行，可以制造晶体管。此时，既可以谋求晶体管的驱动电压的降低，又可以提高响应性。另外，制造1T1C型和2T2C型的存储装置时与本实施方式的存储元件的制造方法同样进行，可以制造存储器阵列的晶体管部分。藉此，可以提高存储装置的特性。此时，通过使用上述第1实施方式的存储元件的制造方法来制造存储器阵列的电容器部分，可以进一步提高存储装置的特性。以上说明的存储装置IOO、IOOA可以适用于各种电子设备。藉此，使用以具有结晶性的有机强电介质材料作为有机强电介质膜4的构成材料，就可以提供可谋求驱动电压降低的电子设备。另外，这样的电子设备因可以降低漏电流和防止短路而具有优良的可靠性。作为这样的电子设备例如可以举出个人电脑、便携式信息机器等。如上所述，根据图示的实施方式说明了本发明，但是本发明对此不作限定。例如，构成本发明的各部分可以置换为发挥同样功能的任意构成，或者追加其它的构成。另外，例如在有机强电介质膜4和下部电极3及上部电极5之间也可以分别设1层或2层以上的任意目的的层。另外，在有机强电介质膜4D和半导体膜33之间也可以分别设1层或2层以上的任意目的的层。另外，上述那样的2T2C型、1T1C型、CP型、1T型的各存储装置内的晶体管可以是单晶硅晶体管、非晶质硅薄膜晶体管(a—SiTFT)、低温聚硅薄膜晶体管(LTPSTFT:LowTemperaturepoly-SiTFT)、高温聚硅薄膜晶体管(HTPSTFT:HighTemperaturepoly-SiTFT)或者有机薄膜晶体管(有机TFT)的形式。以下，说明本发明的具体的实施例。(实施例1)用本发明的制造方法如下述那样制造图1所示的存储元件。具体地说，首先准备平均厚度30(Him的聚酰亚胺制的基板。然后，在该基板上用真空蒸镀法形成由Al构成的厚度lOOnm的下部电极。然后，用旋转涂布法涂布下述组成的液状材料，在80'C下干燥20分钟，得到低结晶度膜。(液状材料的组成)P(VDF/TrFE)[VDF/TrFE=75/25]3wt%MEK(甲基乙基甲酮2—丁酮)97wt%居里点(Tc):约80°C然后，如图8(a)所示，在5MPa/crr^的压力下对低结晶度膜按压预先用PTFE实施了表面处理的模具，在140°C(图8所示的时间Ts2—Ts3之间的温度居里点(Tc)以上)下加热处理15分钟(TSl—Ts4之间的时间长度)进行结晶。图8是表示模具和基板的温度与时间的关系及模具的压力与时间的关系的图。然后，使其在室温(常温(RT):25°C)下自然冷却，进行脱模，得到厚度50nm的有机强电介质膜。而且，用显微镜观察脱模后的有机强电介质膜的表面，按照以下4个等级的基准评价其表面状态。其评价结果示于表l。几乎看不到由晶粒造成的凹凸。〇有由晶粒造成的凹凸，但是其凹部极浅。有由晶粒造成的凹凸，但是其凹部深。X:因晶粒造成的凹凸，在有机强电介质膜上生成针孔。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>然后，用蒸镀法形成由Al构成的厚度100nm的上部电极。(实施例2)如图8(b)所示，除了在对低结晶度膜进行加热处理促进结晶后在居里点以下急速冷却(10'C/min以上)以外，其它与实施例l同样进行，制造存储元件。另外，用显微镜观察脱模的有机强电介质膜的表面，根据以下4个登记的基准评价其表面状态。其评价结果示于表l。(实施例3)用本发明的制造方法如下述那样制造图1所示的存储元件。更具体地说，首先准备平均厚度300pm的聚酰亚胺制的基板。然后，在该基板上用蒸镀法形成由Al构成的厚度100nm的下部电极。然后，用旋转涂布法涂布下述组成的液状材料，在14(TC(居里点(Tc)以上)下加热，得到促进液状材料结晶的结晶膜。(液状材料的组成)P(VDF/TrFE)[VDF/TrFE=75/25]3wt%MEK(甲基乙基甲酮2—丁酮)97wt%居里点(Tc):约80'C然后，在8MPa/cn^的压力下对结晶膜按压预先用PTFE实施了表面处理的模具20分钟。然后，使其在室温(常温(RT):25。C)下自然冷却，进行脱模，形成厚度50nm的有机强电介质膜。而且，用显微镜观察脱模的有机强电介质膜的表面，根据以下4个阶段的基准评价其表面状态。其评价结果示于表l。然后，用蒸镀法形成由Al构成的厚度100nm的上部电极。(实施例4)除了对结晶膜压下模具后急速冷却(10°C/min)以外，进行与实施例3同样的操作，得到表面平滑的有机强电介质材料。另外，用显微镜观察脱模的有机强电介质膜的表面，根据以下4个等级的基准评价其表面状态。其评价结果示于表l。(实施例510)除了使压力和处理温度按照表1所示那样进行以外，其它与上述实施例1同样进行，形成有机强电介质膜。(比较例)除了不用模具进行按压以外，其它与上述实施例1同样进行，制造存储元件。如表1所示，在本发明的实施例110中，有机强电介质膜的与基板相反侧的面都平滑。与此相比，在比较例中，有机强电介质膜的与基板相反侧的面上由结晶粒造成的凹凸明显。另夕卜，实施例110的存储元件可低压驱动(约2V左右下的驱动)。与此相反，比较例的存储元件不能驱动。可以认为是由漏电流的增加和短路造成的。权利要求1.一种有机强电介质膜的形成方法，是以具有结晶性的有机强电介质材料作为主材料构成的有机强电介质膜的形成方法，该方法具有在基板的一个面上形成结晶度比上述有机强电介质膜还低的结晶度的低结晶度膜的第1工序；和由上述低结晶度膜形成上述有机强电介质膜的第2工序，上述第1工序包括在上述基板的一个面上涂布·干燥含有上述有机强电介质材料的液状材料的工序；上述第2工序包括通过上述低结晶度膜的加热·加压，对上述低结晶度膜进行整形的同时提高上述低结晶度膜中的结晶度的工序。2.根据权利要求1所述的有机强电介质膜的形成方法，其特征在于，上述低结晶度膜中的结晶度是上述有机强电介质膜的结晶度的80%以下。3.根据权利要求1或2的任一项所述的有机强电介质膜的形成方法，其特征在于，在上述第2工序中，上述加压的压力是0.110MPa/cm2。4.根据权利要求13中任一项所述的有机强电介质膜的形成方法，其特征在于，上述有机强电介质膜的膜厚是5nm500nm。5.根据权利要求14中任一项所述的有机强电介质*的形成方法，其特征在于，上述有机强电介质材料是偏氟乙烯和三氟乙烯的共聚物、偏氟乙烯的聚合物中的单独一种或者2种的组合。6.根据权利要求15中任一项所述的有机强电介质膜的形成方法，其特征在于，含有上述有机强电介质材料的液状材料是将上述有机强电介质材料溶解于溶剂中的材料。7.根据权利要求16中任一项所述的有机强电介质膜的形成方法，其特征在于，在上述第2工序中，用于提高上述结晶度的上述加热的温度是80200°C。8.根据权利要求17中任一项所述的有机强电介质膜的形成方法，其特征在于，在上述第2工序中，提高上述结晶度后，维持上述加压状态不变地进行冷却。9.根据权利要求8所述的有机强电介质膜的形成方法，其特征在于，上述冷却在上述有机强电介质材料的玻璃转变点以下进行。10.根据权利要求19中任一项所述的有机强电介质膜的形成方法，其特征在于，在上述第1工序后且上述第2工序前具有加热、软化上述低结晶度膜的工序。11.根据权利要求110中任一项所述的有机强电介质膜的形成方法，其特征在于，在上述第2工序中，通过向上述基板按压能对上述有机强电介质膜的有效区域进行规定的模具，从而进行上述整形。12.根据权利要求11所述的有机强电介质膜的形成方法，其特征在于，使上述模具在其按压面实施脱模处理。13.根据权利要求11或12所述的有机强电介质膜的形成方法，其特征在于，在上述第1工序之前在上述基板上形成第1电极，在上述第1工序中在上述第1电极的与上述基板相反侧的面上形成上述低结晶度膜，在上述第2工序中，在上述加压时，在上述模具和上述第1电极之间施加电场，同时进行上述结晶。14.一种有机强电介质膜的形成方法，是以具有结晶性的有机强电介质材料作为主材料构成的有机强电介质膜的形成方法，该方法具有在基板的一个面上形成结晶度比上述有机强电介质膜还低的结晶度的低结晶度膜的第1工序；和由上述低结晶度膜形成上述有机强电介质膜的第2工序，上述第1工序包括在上述基板的一个面上涂布"干燥含有上述有机强电介质材料的液状材料的工序；上述第2工序包括对上述低结晶度膜进行加热而形成提高了上述低结晶度膜的结晶度的结晶膜的第3工序；和通过上述结晶膜的加热*加压，从而对上述结晶膜进行整形，以形成上述有机强电介质膜的第4工序。15.—种存储元件的制造方法，是使用以具有结晶性的有机强电介质材料作为主材料构成的有机强电介质膜的存储元件的制造方法，该方法包括-在基板的一个面上形成第1电极的工序；在上述第1电极的与上述基板相反侧的面上形成结晶度比上述有机强电介质膜的结晶度还低的低结晶度膜的第1工序；由上述低结晶度膜形成上述有机强电介质膜的第2工序；和在上述有机强电介质膜的与上述第1电极相反侧的面上形成第2电极的工序，上述第1工序包括在上述基板的一个面上涂布，干燥含有上述有机强电介质材料的液状材料的工序，上述第2工序包括通过上述低结晶度膜的加热加压，从而在对上述低结晶膜进行整形的同时提高上述低结晶度膜中的结晶度的工序。16.根据权利要求15所述的存储元件的制造方法，其特征在于，在形成上述第1电极的工序之后且上述第1工序之前，还包括形成半导体膜的工序，在形成上述第1电极的工序中形成的上述第1电极是相互隔开设置的1对电极，在形成上述半导体膜的工序中，按照与上述1对电极分别接触的方式形成半导体膜，在上述半导体膜的与上述基板相反侧的面上形成上述第1工序中形成的低结晶度膜。17.—种存储装置，其特征在于，具备用权利要求15或16所述的存储元件的制造方法制造出的存储元件。18.—种电子设备，其特征在于，具备权利要求17所述的存储装置。全文摘要本发明提供一种有机强电介质膜的形成方法、存储元件的制造方法、存储装置和电子设备。具有在基板2的一个面上涂布·干燥含有有机强电介质材料的液状材料，形成具有结晶度比有机强电介质膜4还低的结晶度、以有机强电介质材料作为主材料而构成的低结晶度膜4B的第1工序；和通过低结晶度膜4B的加热·加压，在对低结晶度膜4B整形的同时提高低结晶度膜4B的结晶度，形成有机强电介质膜4的第2工序。文档编号H01L21/312GK101188198SQ20071016815公开日2008年5月28日申请日期2007年11月13日优先权日2006年11月13日发明者柄泽润一,泷口宏志申请人:精工爱普生株式会社