专利名称：一种检测通孔阻挡层是否穿透的方法
技术领域：
本发明属于芯片制造领域，涉及珪片检测工艺，尤其涉及一种检测通孔 阻挡层是否穿透的方法。
背景技术：
刻蚀工艺的最后 一 步是进行刻蚀纟企查以确保刻蚀质量。这种检查通常是 在有图形的硅片上刻蚀和去胶全部完成以后进行的，传统的方法是用白光或 紫外光手动显微镜来检查缺陷，如检查污点和大的颗粒沾污。手动显纟效镜已 大量被自动检测系统所取代，特别是对有深亚微米图形的关键层的检查。先 进的测量仪器能够自动检测带图形骨片的图形缺陷和变形。
其中，很重要的检查之一是对通孔(VIA)阻挡层(st叩layer)的检查， 检测其是否被穿透，以确保硅片的质量。若通孔的阻挡层没有足够的厚度保 护其底部的金属层，金属层将很容易被破坏。
现有的对阻挡层的检测方法通常是用F旧-TEM (聚焦离子束-透射电子 显微镜)检测；检测时，需要把硅片对通孔做横向切割，使检测过程过于繁 瑣。且这种方法只对小部分硅片做检测， 一方面破坏了一部分硅片，另一方 面才企测的正确性不够精确
发明内容
本发明的目的是提供一种简便易行、用于检测通孔阻挡层是否穿透的方法。
为了实现上述目的，本发明提供一种检测通孔阻挡层是否穿透的方法，
该方法使用关4定尺寸扫描电子显微镜^r测通孔阻挡层是否穿透，其包括所 述电子显孩i镜扫描所述通孔上方的步骤，该步骤透过通孔得到通孔底部的顶 视图；量测通孔关键尺寸的步骤，该步骤通过上述顶视图量测通孔的关键尺 寸；判断通孔阻挡层是否穿透的步骤，该步骤判断通孔的阻挡层是否穿透。
作为本发明的一种优选方案，所述电子显微镜扫描通孔上方的步骤前还 包括使硅片的表面带电荷的步骤。
作为本发明的一种优选方案，所述使硅片的表面带电荷的步骤中使用 600-1000V的电压，持续3-8秒。
作为本发明的一种优选方案，所述使硅片的表面带电荷的步骤中使用 800V的电压，持续5秒。
作为本发明的一种优选方案，判断通孔阻挡层是否穿透的步骤为通孔的 关键尺寸定一个目标值，当量测得到的通孔关键尺寸超出上述目标值时，判 断为通孔阻挡层^^皮穿透。
作为本发明的一种优选方案，所述电子显微镜扫描通孔上方的步骤中得 到若干个通孔顶一见图的照片。
作为本发明的一种优选方案，所述通孔为l^立通孔。
与现有技术相比，本发明揭示的用于检测通孔阻挡层是否穿透的方法， 用关键尺寸扫描电子显微镜检测通孔的关键尺寸，无需切割硅片，在简化检 测步骤的同时缩短了;f全测时间；同时可以对每一个^5圭片^企测，^提高判断的正确率。
图1本发明检测通孔阻挡层是否穿透方法的流程图。
具体实施例方式
以下结合附图及实施例对本发明做具体介绍。 实施例一
请参阅图1，本发明介绍了一种检测通孔阻挡层是否穿透的方法，所述 通孔为孤立通孔，该方法使用关4定尺寸扫描电子显纟效镜检测通孔阻挡层是否
穿透，其包括
(1 )使硅片的表面带电荷的步骤。该步骤中使用800V的电压，持续5 秒。当然，也可以使用600-1 OOOV的电压，持续3-8秒。
(2) 所述电子显孩t镜扫描所述通孔上方的步骤，该步骤透过通孔得到 通孔底部的顶视图；该步骤中得到若干个通孔顶视图的照片，通过增加照片 数量提高判断的精确度。
(3) 量测通孔关键尺寸的步骤，该步骤通过上述顶视图量测通孔的关 键尺寸。
(4) 判断通孔阻挡层是否穿透的步骤，该步骤判断通孔的阻挡层是否 穿透。该步骤为通孔的关键尺寸定一个目标值，当量测得到的通孔关键尺寸 超出上述目标值时，判断为通孔阻挡层被穿透。
本发明通过用关键尺寸扫描电子显微镜检测通孔的关键尺寸，无需切割硅片，在简化检测步骤的同时缩短了检测时间；同时可以对每一个硅片检观'J, 提高判断的正确率。
以上实施例仅用以说明而非限制本发明的技术方案。不脱离本发明精神 和范围的任何修改或局部替换，均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
权利要求
1、一种检测通孔阻挡层是否穿透的方法，其特征在于，该方法使用关键尺寸扫描电子显微镜检测通孔阻挡层是否穿透，其包括所述电子显微镜扫描所述通孔上方的步骤，该步骤透过通孔得到通孔底部的顶视图；量测通孔关键尺寸的步骤，该步骤通过上述顶视图量测通孔的关键尺寸；判断通孔阻挡层是否穿透的步骤，该步骤判断通孔的阻挡层是否穿透。
2、 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电子显微镜扫描通孔上 方的步骤前还包括使硅片的表面带电荷的步骤。
3、 如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述使硅片的表面带电荷的 步骤中使用600-1000V的电压，持续3-8秒。
4、 如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述使硅片的表面带电荷的 步骤中使用800V的电压，持续5秒。
5、 如权利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，判断通孔阻挡层是 否穿透的步骤为通孔的关键尺寸定一个目标值，当量测得到的通孔关 键尺寸超出上述目标值时，判断为通孔阻挡层被穿透。
6、 如权利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，所述电子显微镜扫 描通孔上方的步骤中得到若干个通孔顶3见图的照片。
7、 如权利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，所述通孔为孤立通 孑L。
全文摘要
本发明提供一种检测通孔阻挡层是否穿透的方法，该方法使用关键尺寸扫描电子显微镜检测通孔阻挡层是否穿透，其包括所述电子显微镜扫描所述通孔上方的步骤，该步骤透过通孔得到通孔底部的顶视图；量测通孔关键尺寸的步骤，该步骤通过上述顶视图量测通孔的关键尺寸；判断通孔阻挡层是否穿透的步骤，该步骤判断通孔的阻挡层是否穿透。本发明用关键尺寸扫描电子显微镜检测通孔的关键尺寸，无需切割硅片，在简化检测步骤的同时缩短了检测时间；同时可以对每一个硅片检测，提高判断的正确率。
文档编号H01L21/66GK101459097SQ20071017203
公开日2009年6月17日 申请日期2007年12月11日 优先权日2007年12月11日
发明者鸣 周, 武 孙, 沈满华, 赵林林 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司