专利名称：基于铁电陶瓷颗粒的温度可调谐负磁导率器件及制备方法
技术领域：
本发明涉及一种基于铁电陶瓷颗粒的各向同性负磁导率器件，特别涉及一种温度可调谐 各向同性负磁导率器件。
技术背景左手材料(Left-handed metamaterials,LHMs)的研究是当前物理学、材料学与电磁学等 研究领域中的前沿与热点问题，有着广泛的应用前景。LHMs的有效介电常数和磁导率在某 一频段同时小于零，通常实现LHMs的典型结构是金属开口谐振环(SRRs)和金属线的复合 结构。周期性排列的SRRs阵列在其谐振频率,处具有很强的磁谐振，同时磁导率在稍大于 其谐振频率处为负，但该频段通常较窄。然而周期排列的金属杆阵列表现出微波等离子体行为，在小于其等离子体频率G)p的较宽频段内具有负的介电常数。因而，负磁导率材料的制备对于LHMs的实现起着至关重要的作用。通常，金属结构单元的磁响应主要由其等效电容和等效电感所决定，即受其几何尺寸、 环境介电常数和磁导率的影响。通过设计不同几何尺寸的结构单元和选用不同介电常数的介 质基板来实现所需频段的磁谐振，从而实现负的磁导率。但该方法是一种被动式设计，存在 很多缺点。如LHMs的结构单元一经设计并加工，其磁响应频率和左手频段就不可改变，限 制了其实际应用范围。因而，设计一种动态可调谐LHMs就显得尤为重要。另外，基于金属结构单元的LHMs的电磁响应特性是各向异性的，即仅在某方向上具有 负的电磁参数，大大限制了其应用范围。尽管利用金属结构单元实现红外和可见光波段LHMs 的研究取得了喜人的进展，但是由于金属结构单元的几何形状通常较复杂，利用现有的微加 工技术制备微纳米结构单元较为困难并且价格昂贵。同时，金属在红外和可见光波段的损耗 很大，因而限制了其电磁性能的实现。 发明内容本发明的目的是利用铁电陶瓷颗粒在不同温度下敏感的介电响应行为，提供一种基于铁 电陶瓷颗粒的温度可调谐各向同性负磁导率器件及其制备方法。本发明的技术方案如下一种基于铁电陶瓷颗粒的温度可调谐各向同性负磁导率器件，其特征在于所述器件由 多块层叠的聚四氟乙烯模板，铁电陶瓷颗粒和温控装置组成；每块聚四氟乙烯模板上设有圆 孔阵列，所述的铁电陶瓷颗粒嵌入圆孔内；该器件利用温度对铁电陶瓷颗粒介电常数的调节 特性来实现所述各向同性负磁导率的可调控性。本发明所述铁电陶瓷颗粒的介电常数为600 2000。所述聚四氟乙烯模板上的圆孔阵列 呈正方形分布且晶格常数为1. 0 3. Omm.所述的铁电陶瓷颗粒采用边长为0. 45 1. 8醒的铁 电陶瓷立方块或直径为0. 5 2. 6ram的铁电陶瓷球。本发明还提供了一种基于铁电陶瓷颗粒的温度可调谐各向同性负磁导率器件的制备方 法，该方法包括如下步骤1) 利用陶瓷浆料流延技术，将Ba,SrnTi03粉体与MgO粉体按质量百分比浓度0 20yo 混合并与有机溶剂配成浆料进行流延，得到不同厚度的流延片；2) 将流延片割成边长为0. 5 2. 3 ran的立方块并在300 500°C进行排胶，最后在 1300 1500°C烧结3 6个小时，得到边长为0. 45 1. 8mm的铁电陶瓷立方块或者将之磨成直 径为0. 5 2. 6ram的铁电陶瓷球；3) 在1.0 3.0mm厚的聚四氟乙烯板上制备出圆孔阵列，圆孔呈正方形分布且晶格常 数为1.0 3.0mm;将陶瓷立方块或陶瓷球嵌入到聚四氟乙烯模板的圆孔内，制得二维陶瓷 颗粒阵列；4) 再将嵌有陶瓷颗粒的聚四氟乙烯板圆孔对准进行层叠粘结，得介电复合材料样品；5) 将上述介电复合材料样品放置到控温装置之中，通过调节温度变化来调节铁电陶瓷 颗粒的介电常数，得到铁电陶瓷颗粒的温度可调谐各向同性负磁导率器件。上述方法中，所述的铁电陶瓷粉体优选采用BaxSrLxTi03粉体，其中x为0.4-0.6。 本发明具有以下优点及突出性效果本发明利用陶瓷颗粒的介电特性随温度的可调节行 为来实现可调谐各向同性负磁导率。该器件能使电磁波在某一频段发生很强的磁谐振，并且 在磁谐振附近具有各向同性负磁导率效应，利用温度对铁电陶瓷颗粒介电常数的调节特性来 实现其负磁导率的可调控性。该项发明具有重要的学术意义和应用价值，为左手材料赋予了 智能特性，并将应用于可调带通滤波器、可调负折射率平板透镜等光电器件和通讯领域。
图1基于铁电陶瓷颗粒的温度可调谐各向同性负磁导率器件示意图。图2钛酸锶钡(BaQ.5Sr().5Ti03)铁电陶瓷的介电常数随温度的变化特性。图3基于铁电陶瓷颗粒(边长为0.45mm)的温度可调谐各向同性负磁导率器件的温度可调谐微波透射曲线。图4基于铁电陶瓷颗粒(边长为0.45mm)的温度可调谐各向同性负磁导率器件的温度可调谐磁导率曲线。图5基于铁电陶瓷颗粒(边长为0.55mm)的温度可调谐各向同性负磁导率器件的温 度可调谐微波透射曲线。图6基于铁电陶瓷颗粒(边长为0.55mm)的温度可调谐各向同性负磁导率器件的温 度可调谐磁导率曲线。图中1—铁电陶瓷颗粒；2 —聚四氟乙烯板；3—圆孔；4一温控装置；5 —入射电磁波； 6—出射电磁波。
具体实施方式
图1为本发明提供的基于铁电陶瓷颗粒的温度可调谐各向同性负磁导率器件的结构示意 图，该器件由多块层叠的聚四氟乙烯模板2，铁电陶瓷颗粒1和温控装置4组成；每块聚四 氟乙烯模板上设有圆孔阵列3，所述的铁电陶瓷颗粒嵌入圆孔内；该器件利用温度对铁电陶 瓷颗粒介电常数的调节特性来实现所述各向同性负磁导率的可调控性。该器件能使电磁波在 某一频段发生极强的磁谐振，并且在磁谐振附近表现出各向同性负磁导率效应，利用温度对 铁电陶瓷颗粒介电常数的调节特性来实现其各向同性负磁导率的可调控性。本发明的工作机理如下本发明是一种基于铁电陶瓷颗粒的温度可调谐各向同性负磁导率器件，其核心是铁电陶 瓷颗粒的介电常数随温度变化而变化，从而其各向同性负磁导率可由温度调控。Lewin利用有效媒质理论和电磁散射理论研究了由无损耗的介电/磁性颗粒球分散在另一 种连续媒质中而形成的复合介质的电磁响应行为，得出了复合介质的有效介电常数和有效磁导率理论表达式<formula>formula see original document page 5</formula>
其中，ep和A分别为颗粒球的相对介电常数和磁导率，^和/^分别为连续媒质的相对介 电常数和磁导率，r为球半径，S为晶格常数，A()为自由空间的波矢。有效媒质理论的适用 条件是因而以上各式必须满足长波长近似条件时才有意义。当(6)式的分母为零时，F(0就会变成无穷大，即F(e)是一个谐振函数。当^取某些特 殊值时，F(0可能为负值，从而导致(1)和(2)式也可能小于零，即有效介电常数和磁导 率小于零。因而，通过选择适当的材料(球的大小、介电常数和磁导率等)就能够使得其磁 导率或介电常数在某一频段为负。该负磁导率的产生是由于电磁场在介电颗粒内诱导了环形 位移电流，该位移电流可等效于一个磁偶极子，从而产生一个很强的磁谐振所致。该磁谐振 对应于第1级Mie谐振模态。铁电陶瓷颗粒的介电常数随外加电场、温度、应力等的变化而变化，从而可通过改变温 度来调节其介电特性，进而实现负磁导率的温度可调控特性。首先制备铁电陶瓷颗粒。钛酸锶钡(BaxSri—xTi03 (BST)， x=0.4 0.6)是一种铁电材料， 具有高的微波介电常数和低损耗，同时又具有介电可调节特性。采用固相反应合成法制备BST 粉体。该方法采用高纯度的BaC03、 SrC03和Ti02为原料，以如下的方程式进行反应制得BST 粉体。x BaC03 + (l-x) SrC03 + Ti02 = Ba xSr i—xTiCb + C02 丁将BaC03、 SrC03和Ti02按以上配比混合，经球磨、烘干、过筛后，在110(M300。C煅 烧3 6个小时，然后再球磨、烘干制得BST粉体待用。利用陶瓷浆料流延技术，将BST粉体与一定量的MgO粉体(MgO粉体的质量百分比浓 度为0~20%)混合并与有机溶剂配成浆料进行流延，得到不同厚度的流延片，然后将流延片 切割成边长为0.5-2.3 mm的立方块并在300~500 。C进行排胶，最后在1300-1500 。C烧结3 6 个小时，得到边长为0.45~1.8 mm致密的铁电陶瓷立方块1或球1磨制得铁电陶瓷球。在厚度为1.0 3.0mm的聚四氟乙烯板2上制备出圆孔3阵列，圆孔间距为1.0-3.0 mm 且呈正方形分布，从而得到聚四氟乙烯模板。将陶瓷立方块或球嵌入到聚四氟乙烯模板的圆 孔内，制得二维陶瓷立方块或球阵列。再将嵌有陶瓷立方块或球的聚四氟乙烯板圆孔对准进 行层叠粘结得到三维陶瓷颗粒阵列，即介电复合材料样品。将上述介电复合材料样品放置到控温装置4中得到基于铁电陶瓷颗粒的温度可调谐各向 同性负磁导率器件。该控温装置的控温精度应达到±0.1 'C。通过调节控温装置实现温度变化 从而调节铁电陶瓷颗粒的介电常数，实现温度可调谐各向同性负磁导率。入射电磁波5从器 件的底端射入，出射电磁波6由顶端射出。本发明的实现过程和材料的性能由实施例和
实施例1:
采用固相反应合成法制备Bao.5SrQ.5Ti03 (BST)粉体。该方法采用高纯度的BaC03、 SrC03 和Ti02为原料，以如下的方程式进行反应制得Ba a5Sr a5Ti03粉体。0.5 BaC03 + 0.5 SrC03 + Ti02 = Ba05Sr 05TiO3 + C02个将BaC03、 SrC03和Ti02按以上配比混合，经球磨、烘干、过筛后，在1150。C煅烧3 个小时，然后再球磨、烘干制得BST粉体待用。利用陶瓷浆料流延技术，将以上所制的BST粉体配成浆料进行流延，得到厚度为0.63mm 的BST流延片，然后将流延片割成边长为0.63mm的立方块。再将BST立方块在400°C进行 排胶，最后在1400°C烧结3个小时，得到边长为0.45mm的BST陶瓷立方块。其温度介电特 性测量结果如图2所示。利用数控机床在厚度为1.25 mm的聚四氟乙烯板上钻出直径为0.65 mm的圆孔阵列，圆 孔间距为1.25mm且呈正方形分布，从而得到聚四氟乙烯模板。然后以聚四氟乙烯板为模板， 将陶瓷立方块嵌入到聚四氟乙烯模板的圆孔内，制得二维陶瓷立方块阵列。再将嵌有陶瓷立 方块的聚四氟乙烯板圆孔对准进行层叠粘结得到三维陶瓷立方块阵列。将上述三维BST立方块阵列置入控温装置中得到铁电陶瓷颗粒的温度可调谐各向同性负 磁导率器件。其温度可调谐微波透射曲线如图3所示。由图可见，当温度在-15 °C 35'C范 围内变化时，其相应的磁谐振峰由13.60 GHz向高频移动到了 19.28 GHz。又由相应的磁导率 随温度的变化关系曲线(如图4所示)可见，在整个频段内实现了温度可调谐负的各向同性 磁导率。 实施例2:同实施例一，利用固相反应合成法制备Bao.5Sra5Ti03 (BST)粉体，并利用陶瓷浆料流 延技术制得边长为0.55 mm的BST陶瓷立方块。利用数控机床在厚度为1.25 mm的聚四氟乙烯板上钻出直径为0.78 mm的圆孔阵列，圆 孔间距为1.25 ram且呈正方形分布，从而得到聚四氟乙烯模板。然后以聚四氟乙烯板为模板， 将陶瓷立方块嵌入到聚四氟乙烯模板的圆孔内，制得二维陶瓷立方块阵列。再将嵌有陶瓷立 方块的聚四氟乙烯板圆孔对准进行层叠粘结得到三维陶瓷立方块阵列。将上述三维BST立方块阵列置入控温装置中得到铁电陶瓷颗粒的温度可调谐各向同性 负磁导率器件。其温度可调谐微波透射曲线如图5所示。由图可见，当温度在-HTC 8(TC 范围内变化时，其相应的磁谐振峰由12.0 GHz向高频移动到了 19.1 GHz。又由相应的磁导率 随温度的变化关系曲线(如图6所示)可见，在整个频段内实现了温度可调谐负的各向同性 磁导率。实施例3:同实施例一，利用固相反应合成法制备Bao.4Sro.6Ti03 (BST)粉体，将BST粉体与5 wt% MgO粉体混合并与有机溶剂混合配成浆料进行流延，制得厚度为1.25mm的流延片，然后排
胶、烧结制得边长为l.Onim的陶瓷立方块，室温25 。C时的相对介电常数为1600。利用数控机床在厚度为2.5 mm的聚四氟乙烯板上钻出直径为1.42 mm的圆孔阵列，圆孔 间距为2.5mm且呈正方形分布，从而得到聚四氟乙烯模板。然后以聚四氟乙烯板为模板，将 陶瓷立方块嵌入到聚四氟乙烯模板的圆孔内，制得二维陶瓷立方块阵列。再将嵌有陶瓷立方 块的聚四氟乙烯板圆孔对准进行层叠粘结得到三维陶瓷立方块阵列。将上述三维陶瓷立方块 阵列置入控温装置中得到铁电陶瓷颗粒的温度可调谐各向同性负磁导率器件。 实施例4:同实施例一，利用固相反应合成法制备Baa6Sra4Ti03 (BST)粉体，将BST粉体与20 wt% MgO粉体混合并与有机溶剂混合配成浆料进行流延，制得厚度为2.30 mm的流延片，然后排 胶、烧结制得边长为1.80 mm的陶瓷立方块，室温25。C时的相对介电常数为600。利用数控机床在厚度为3.00 mm的聚四氟乙烯板上钻出直径为2.60 mm的圆孔阵列，圆 孔间距为3.00mm且呈正方形分布，从而得到聚四氟乙烯模板。将陶瓷立方块嵌入到聚四氟 乙烯模板的圆孔内，制得二维陶瓷立方块阵列。再将嵌有陶瓷立方块的聚四氟乙烯板圆孔对 准进行层叠粘结得到三维陶瓷立方块阵列。将上述三维陶瓷立方块阵列置入控温装置中得到 铁电陶瓷颗粒的温度可调谐各向同性负磁导率器件。实施例5:同实施例一，利用固相反应合成法制备Bao.5Sro.5Ti03 (BST)粉体，将BST粉体与有机 溶剂混合配成浆料进行流延，制得厚度为2.30 mm的流延片，然后排胶、烧结制得边长为1.80 mm的陶瓷立方块，然后将之磨成直径为1.0mm的陶瓷球，室温25'C时的相对介电常数为 2000。利用数控机床在厚度为2.50 mm的聚四氟乙烯板上钻出直径为1.0 mm的圆孔阵列，圆孔 间距为2.50mm且呈正方形分布，从而得到聚四氟乙烯模板。将陶瓷球嵌入到聚四氟乙烯模 板的圆孔内，制得二维陶瓷球阵列。再将嵌有陶瓷球的聚四氟乙烯板圆孔对准进行层叠粘结 得到三维陶瓷球阵列。将上述三维陶瓷立方块阵列置入控温装置中得到铁电陶瓷颗粒的温度 可调谐各向同性负磁导率器件。
权利要求
1.一种基于铁电陶瓷颗粒的温度可调谐各向同性负磁导率器件，其特征在于所述器件由多块层叠的聚四氟乙烯模板，铁电陶瓷颗粒和温控装置组成；每块聚四氟乙烯模板上设有圆孔阵列，所述的铁电陶瓷颗粒嵌入圆孔内；该器件利用温度对铁电陶瓷颗粒介电常数的调节特性来实现所述各向同性负磁导率的可调控性。
2. 按照权利要求1所述的基于铁电陶瓷颗粒的温度可调谐各向同性负磁导率器件，其特 征在于所述铁电陶瓷颗粒的介电常数为600 2000。
3. 按照权利要求l所述的基于铁电陶瓷颗粒的温度可调谐各向同性负磁导率器件，其特 征在于所述聚四氟乙烯模板上的圆孔阵列呈正方形分布且晶格常数为1.0 3.0咖。
4. 按照权利要求3所述的基于铁电陶瓷颗粒的温度可调谐各向同性负磁导率器件，其特 征在于所述的铁电陶瓷颗粒采用边长为0. 45 1. 8咖的铁电陶瓷立方块或直径为0. 5 2.6mm的铁电陶瓷球。
5. —种基于铁电陶瓷颗粒的温度可调谐各向同性负磁导率器件的制备方法，其特征在于 该方法包括如下步骤1) 利用陶瓷浆料流延技术，将铁电陶瓷粉体与MgO粉体按质量百分比浓度0 20。/。混 合并与有机溶剂配成浆料进行流延，得到不同厚度的流延片；2) 将流延片割成边长为0. 5 2. 3mm的立方块并在300 500°C进行排胶，最后在 ]l300 1500。C烧结3 6个小时，得到边长为0. 45 1. 8mm的铁电陶瓷立方块或者将之磨成直 径为0. 5 2. 6咖的铁电陶瓷球；3) 在1.0 3.0 mm厚的聚四氟乙烯板上制备圆孔阵列，圆孔呈正方形分布且晶格常 数为1.0 3.0mm;将陶瓷立方块或陶瓷球嵌入到聚四氟乙烯模板的圆孔内，制得二维陶瓷颗 粒阵列；4) 再将嵌有陶瓷颗粒的聚四氟乙烯板圆孔对准进行层叠粘结，得介电复合材料样品；5) 将上述介电复合材料样品放置到控温装置之中，通过调节温度变化来调节铁电陶 瓷颗粒的介电常数，得到铁电陶瓷颗粒的温度可调谐各向同性负磁导率器件。
6. 按照权利要求5所述的基于铁电陶瓷颗粒的电场可调谐各向同性负磁导率器件的制备 方法，其特征在于所述的铁电陶瓷粉体采用BaxSn-xTi03粉体，其中x为0.4-0.6。
全文摘要
基于铁电陶瓷颗粒的温度可调谐负磁导率器件及制备方法，该器件由多块层叠的聚四氟乙烯模板，铁电陶瓷颗粒和温控装置组成；每块聚四氟乙烯模板上设有圆孔阵列，铁电陶瓷颗粒嵌入圆孔内。该器件能使电磁波在某一频段发生很强的磁谐振，并且在磁谐振附近具有各向同性负磁导率效应，利用温度对铁电陶瓷颗粒介电常数的调节特性来实现其负磁导率的可调控性。本发明为左手材料赋予了智能特性，并将应用于可调带通滤波器、可调负折射率平板透镜、可调隐身器件等光电器件和通讯领域。
文档编号H01P1/217GK101150218SQ200710176728
公开日2008年3月26日 申请日期2007年11月2日 优先权日2007年11月2日
发明者济 周, 雷 康, 勃 李, 波 杜, 乾 赵, 赵宏杰 申请人:清华大学