基材支撑单元以及使用它的基材处理设备和方法

专利名称：基材支撑单元以及使用它的基材处理设备和方法
技术领域：
本发明涉及处理基材的设备和方法。更具体而言，本发明涉及一种 基材支撑单元以及使用该基材支撑单元处理基材的设备和方法。
背景技术：
通常的基材处理设备用于处理诸如制造半导体集成电路(IC)芯片用 的晶片、制造平板显示器用的玻璃基材等基材。在这种基材处理设备中， 是在将基材装载在基材支撑单元上时进行处理。 一般来说，基材支撑单 元在处理中借助机械夹具或静电力或由真空引起的吸附力支撑基材，并 且在处理中旋转基材。基材支撑单元包括在处理中装载晶片的夹板和用于夹住晶片的边缘 以防止晶片W从夹板脱落的卡销。然而，因为通常的基材支撑单元在将晶片装载在夹板上之后在化学 保持晶片的同时进行处理，所以晶片上经由固持装置与晶片机械接触的 部分被污染或损坏。例如，旋转清洁器、旋转蚀刻器、光致抗蚀剂涂布 器和晶片斜角蚀刻器在使晶片旋转的同时进行处理。因为这些设备在使 固持装置所固持的晶片旋转的同时进行处理，所以在与固持装置接触的 晶片表面出现污染和刮擦。此外，因为这些设备借助马达等机械组件旋 转基材，所以机械驱动会产生诸如微粒等污染物。这些污染物污染晶片 和装置，从而降低处理产量。当晶片被静电力或真空支撑时，晶片的后 表面紧密附着在夹板上。因此，晶片的后表面不能被清洁或蚀刻
发明内容
本发明示例性实施例涉及一种基材支撑单元。在示例性实施例中， 所述基材处理单元可以包括夹板；以及涡流供应部件，用于向与所述夹板相对的基材表面供应涡流，以使所述基材从所述夹板上漂浮。 本发明示例性实施例涉及一种处理基材的设备。在示例性实施例中，所述设备可以包括杯状体，其中限定进行处理的空间；基材支撑单元， 包括配置在所述杯状体内部的夹板；以及处理流体供应部件，用于在处 理中向与所述夹板相对的基材供应处理流体，其特征在于，所述基材支撑单元包括涡流供应部件，用于向与所述夹板相对的基材表面供应涡流， 以使所述基材从所述夹板上漂浮。本发明示例性实施例涉及一种处理基材的方法。在示例性实施例中， 所述方法可以包括在支撑基材时进行基材处理，其特征在于，通过向 所述基材底面供应涡流以使所述基材漂浮来进行所述基材的支撑。


图1为本发明实施例的基材处理设备的立体图。图2为图l所示的基材处理设备的内部构造图。图3为本发明另一实施例的基材处理设备的内部构造图。图4为图2所示的基材支撑单元的剖视图。图5为图4所示的基材支撑单元的剖视图。图6为沿着图4的线A-A'的剖视图，示出了涡流产生部件的例子。图7-图11分别为示出涡流产生器的其他例子的剖视图。图12和图13为图4所示的基材支撑单元的另一例子的剖视图。图14和图15示出图4所示的基材支撑单元的另一例子。图16示出基材支撑单元的另一例子。图17为示出本发明的基材处理方法的剖视图。
图18为沿着图17的线C-C'的剖视图。图19和图20示出由本发明的涡流供应部件供应的涡流的流动。 图21示出本发明的涡流产生体内部的涡流的产生。
具体实施方式
下面参考显示本发明优选实施例的附图，将更完整地描述本发明。 然而，可以以许多不同的形式体现本发明，并且不应当认为本发明限制 于在此描述的实施例。相反，提供这些实施例将使本发明内容清楚、完 整，并向本领域技术人员充分表达本发明的范围。虽然结合为进行半导体晶片的湿法蚀刻而配置的半导体制造设备描述本发明的实施例，但是 本发明可以应用于所有的基材处理设备。图1为本发明实施例的基材处理设备的立体图，图2为图1所示的 基材处理设备的内部构造图。参照图1和图2，基材处理设备1包括工序处理部件IO和处理流体 供应部件20。工序处理部件10配置成借助单晶片工序来处理基材(以下 称为"晶片")。例如，基材的处理工序可以是在晶片表面涂布光致抗蚀 剂的涂布处理，去除晶片表面上的不希望异物的蚀刻和清洁处理，或者 蚀刻晶片边缘部分的斜角蚀刻处理。处理流体供应部件20配置成供应处理中使用的处理流体。处理流体 可以是各种化学品、有机溶剂或处理气体。例如，处理流体可以是光致 抗蚀剂、蚀刻剂(或剥离剂)、诸如清洁液体等处理溶液、惰性气体或者诸 如干燥气体等处理气体。工序处理部件10包括杯状体12和基材支撑单元100。杯状体12限 定了将要进行晶片处理工序的空间。杯状体12显示出顶部敞开的圆柱体 形状。杯状体12的敞开顶部用作把晶片W放入该空间或者从该空间取 出的入口。在处理中，基材支撑单元IOO配置成支撑杯状体12内部的晶 片W并使其旋转。排放管线12a与杯状体12的底部连接。在处理中使 用的处理溶液顺着排放管线12a排出。处理流体供应部件20包括喷嘴22和喷嘴转送部件24。在处理中，
喷嘴22配置成向晶片W喷射处理流体。喷嘴转送部件24配置成在处理 位置"a"与等待位置"b"之间转送喷嘴22。处理位置"a"为喷嘴22 向晶片W的处理表面喷射处理流体的位置，等待位置"b"为喷嘴22移 动至处理位置"a"之前在杯状体12外面等待的位置。喷嘴转送部件24 包括第一臂24a、第二臂24b和驱动器24c。第一臂24a和第二臂24b均 呈条状。第一臂24a水平地安装在杯状体12上，第二臂24b垂直地安装 在杯状体12侧部。喷嘴22与第一臂24a的一端连接，第二臂24b与其 另一端轴向连接。驱动器24c允许第一臂24a和第二臂24b有机地 (organically)运行，从而使喷嘴22在处理位置"a"与等待位置"b"之间 移动。虽然本实施例的特征在于，基材处理设备1包括杯状体12和一个处 理流体供应部件20，但是设备1的构造和结构可以修改、变化成各种不 同形式。例如，图3示出了本发明另一实施例的基材处理设备l'。设备 l'包括工序处理部件10和多个处理流体供应部件20a和20b，其中该工 序处理部件还包括回收部件14。回收部件14配置成回收处理中使用的处 理溶液。回收部件14包括第一回收容器14a和第二回收容器14b，这些 容器环形地排列成包围杯状体12内的基材支撑单元100。在第一回收容 器14a中限定了空间Sl，在第二回收容器14b中限定了空间S2。在空间 Sl中容纳有第一处理溶液，在空间S2中容纳有第二处理溶液。第一回 收容器14a形成有开口 14a'，第二回收容器14b形成有开口 14b'。在处 理中使用的第一处理溶液经开口 14a'流入第一容器14a，在处理中使用的 第二处理溶液经开口 14b'流入第二容器14b。每个开口 14b邻开口 14a' 彼此上下布置。第一回收管线14a"连接在第一回收容器14a上，第二回 收管线14b"连接在第二回收容器14b上。沿着第一回收管线14a"回收空 间Sl中容纳的第一处理溶液，沿着第二回收管线14b"回收空间S2中容 纳的第二处理溶液。每个处理流体供应部件20a和20b都具有与上述处 理流体供应部件20相同的构造。处理流体供应部件20a配置成喷射第一 处理溶液，处理流体供应部件20b配置成喷射第二处理溶液。例如，第 一处理溶液为用于去除残留在晶片W表面上的异物的清洁溶液，第二处 理溶液为用于去除残留在晶片W表面上的清洁溶液的漂洗溶液。 前述设备l'配置成独立回收处理中使用的第一处理溶液和第二处理溶液。也就是说，由于晶片W的离心力，处理流体供应部件20a所喷射 的第一处理溶液从晶片W散开，并且将被容纳在第一回收容器14a的空 间Sl中。通过相同的方式，处理流体供应部件20b所喷射的第二处理溶 液将被容纳在第二回收容器14b的空间S2中。根据处理过程，基材支撑 单元IOO移动到与开口 14a'或14b'相对应的位置，以将处理中使用的第 一和第二处理溶液回收到空间Sl或S2。因此，独立地回收处理中使用 的第一和第二处理溶液。下面将详细描述基材支撑单元100的构造。图4为图2所示的基材 支撑单元的剖视图，图5为图4所示的基材支撑单元的剖视图。图6为 沿着图4的线A-A'的剖视图，示出了涡流产生部件的例子。参照图4-图6，基材支撑单元IOO包括夹板110、基座120、驱动部 件130和涡流供应部件。夹板IIO大致呈圆盘形状。夹板110具有在处 理中与晶片W相对的顶面112。夹板110的中心形成有开口 114。开口 114为在处理中喷射涡流的孔。基座120与夹板110底部连接以支撑夹板110，并且该基座呈直径 大于夹板110的圆盘形状。因为基座120从中心到边缘向下倾斜，所以 在处理中落在基座120上的处理溶液沿着基座120边缘形成的斜面向下 流动。基座120设置有多个侧导引销124，以防止晶片W从夹板IIO上 横向脱离。侧导引销124的内侧面是圆形的，相应于晶片W的侧面，并 且即使在晶片W与内侧面124a接触时，该侧导引销也可抑制晶片W侧 面上的刮擦。侧导引销124配置成比晶片W的直径更宽，使得这些侧导 引销在处理中不与晶片W的侧面接触。因此，晶片W在处理中不与侧 导引销124接触，并且在晶片W从夹板110的预设处理位置脱离的情况 下晶片W的运动被限制。支撑轴126与基座120的中心底部连接以支撑 基座120。支撑轴126配置成穿过杯状体12底面的中心。驱动部件130配置成使夹板110和基座120上升或下降。驱动部件 130与基座120的支撑轴126连接。驱动部件130使支撑轴126上升或下 降以调节夹板IIO所支撑的晶片W的高度。也就是说，当装载和卸载晶 片W时，驱动部件130使夹板IIO上升，以通过杯状体12的敞开顶部
将夹板IIO的顶面暴露于外部，并且当清洁晶片W时，该驱动部件使升 高的夹板IIO下降到杯状体12中。该涡流供应部件配置成在处理中向面对夹板110的晶片侧供应涡 流。该涡流供应部件包括气体供应部件140和涡流产生体150。气体供应 部件140包括气体供应源142和气体供应管线。该气体供应管线包括主 供应管线144、歧管146和多条喷射管线148。喷射管线148包括第一喷 射管线148a和第二喷射管线148b。主供应管线144配置成从气体供应源 142向歧管146供应气体。主供应管线144安装有流动控制部件144a， 以控制经由主供应管线144供应的气体的流速。流动控制部件144a可以 是质量流量计控制器(MFC)。歧管146配置成向各个喷射管线148a和 148b均匀分配供应的气体。喷射管线148配置成向涡流产生体150供应 由歧管146分配的气体。喷射管线148的一端连接在歧管146上，其另 一端连接在涡流产生体150上。在示例性实施例中，各个喷射管线148a 和148b的另一端连接在涡流产生体150的侧底面上。在外壳152周围， 沿着外壳152的侧面以规则的角度配置各个喷射管线148a和148b。喷射 管线148配置成向涡流产生体150的进气孔152b供应气体。进气孔152b 将在后面描述。涡流产生体150接收来自喷射管线148的气体并产生涡流。涡流产 生体150包括配置在夹板IIO底部中心的桶形外壳152。外壳152具有与 夹板110的开口 114连接的敞开顶部。外壳150内部限定了圆柱形空间。 外壳150形成有进气孔152b。沿着喷射管线148a和148b供应的气体经 过进气孔152b流入外壳150。进气孔152b允许沿着喷射管线148供应的 气体沿着外壳150的内侧面152a的切线方向流动。多个进气孔152b以 规则间隔设置在外壳152周围。进气孔152b允许在水平方向上供应气体。 进气孔152b设置有用于使进气孔152b与喷射管线148连接的连接装置 154。连接装置154可以为接头或连接器。在处理中，上述涡流产生体150 接收来自气体供应部件140的气体并产生涡流。向基材W的底面喷射所 产生的涡流，使基材W从夹板110的顶面112上漂浮。漂浮的基材W因 涡流而旋转。如图7B所示，虽然本实施例的特征在于，涡流产生体150设置有进
气孔152b以允许气体沿着涡流产生体150的内侧面的切线方向流动，但 是喷射管线148a和148b可以直接延伸至涡流产生体150的内侧面以沿 着涡流产生体150的内侧面的切线方向喷射气体。虽然图6示出了接收来自两个喷射管线148a和148b的气体并产生 涡流的涡流产生部件，但是可以设置一个喷射管线或至少三个喷射管线 以向涡流产生部件供应气体。例如，图8所示的涡流供应部件接收来自 三个喷射管线148a、 148b和148c的气体并产生涡流。可选择的是，图9 所示的涡流供应部件接收四个喷射管线148a、 148b、 148c和148d并产 生涡流。此外，虽然本实施例的特征在于，喷射管线148和进气孔152b设置 成在水平方向上向外壳152供应气体，但是气体的供应角度可以改变。 例如，图IO所示的涡流供应部件150c装配有用于允许气体朝涡流产生 体150内部向上供应的喷射管线148和进气孔152b。如果供应至外壳152 的气体的上升气流比图2所示的涡流产生体150中的上升气流更大，则 涡流产生部件150c配置成产生涡流。此外，虽然本实施例的特征在于，涡流产生体150具有圆柱形内侧 面152a，但是外壳150的内侧面152a可以具有各种变化和修改形式。另 外，如图11所示，本发明另一实施例的涡流产生体150的内侧面可以设 置有螺纹式凹槽152a'。此外，虽然本实施例的特征在于，夹板110的中心配置有一个涡流 产生体150,但是涡流产生体150的位置和数量可以变化。例如，图12 和图13所示的基材支撑单元100a可以包括四个以规则间隔设置在夹板 IIO周围的涡流产生体150。此外，虽然本实施例的特征在于，仅通过一个涡流产生部件供应的 涡流使晶片W漂浮，但是基材支撑单元可以进一步设置有使晶片W漂 浮的辅助装置。例如，基材支撑单元100b可以设置有辅助漂浮装置160， 以在处理中向晶片W的底面喷射气体。辅助漂浮装置160包括形成在 夹板110上的喷射孔162和气体沿其供应至喷射孔162的气体供应管线 164。喷射孔162配置成包围夹板110的开口 114。喷射孔162的形状和
尺寸可以变化。气体供应管线164配置成向各个喷射孔162供应气体。 向晶片W的底面喷射沿着气体供应管线164供应的气体以使晶片W漂 浮。因此，基材支撑单元100b可以利用涡流供应部件和气体喷射部件160 使晶片W漂浮。结果，晶片W可以更有效地漂浮。此外，虽然本实施例的特征在于，仅利用涡流产生部件供应的涡流 使晶片W旋转，但是基材支撑单元可以设置有利用涡流使晶片W旋转 的辅助装置。例如，图16所示的基材支撑单元还包括辅助旋转装置170。 辅助旋转装置170包括旋转体172和卡销174。旋转体172制造成大致呈 环形形状并且围绕基座120'安装。旋转轴172a设置在旋转体172的中心， 并且该旋转轴安装在基座120'的支撑轴126上，以便可以从支撑轴126 的外面旋转。旋转轴172a与支撑轴126之间设置有轴承176。旋转体172 借助旋转马达(图中未示)旋转。旋转体172的边缘安装有卡销174，以在 处理中卡住支撑在夹板110上的晶片W的部分边缘。在处理中，辅助旋转装置170利用旋转马达使晶片W机械地旋转。 因此，基材支撑单元100c可以利用涡流供应部件和辅助旋转装置170使 晶片W旋转。结果，晶片W可以更加有效地旋转。特别的是，在处理 中，上述基材支撑单元100c可以利用涡流供应部件或辅助旋转装置170 选择性地使晶片W旋转。也就是说，在要求晶片W低速旋转的处理中， 通过供应涡流使晶片W旋转，并且在要求晶片W高速旋转的处理中， 利用辅助旋转装置170使晶片W旋转。例如，典型的晶片清洁处理包括 化学清洁处理和晶片干燥处理，在化学清洁处理中利用化学品清洁晶片 W，在晶片干燥处理中利用干燥气体使清洁的晶片W干燥，这两种处理 可以依次进行。晶片W在干燥处理中以高速旋转，在清洁处理中以相对 较低速度旋转。因此，晶片W在化学清洁处理中可以利用涡流供应部件 旋转，在干燥处理中可以利用辅助旋转装置170旋转。下面，详细描述本发明的基材处理设备1的工序处理。使用相同的 附图标记表示相同的元件，并且将不再详细描述。图17为示出本发明的基材处理方法的剖视图，图18为沿着图17的 线C-C'的剖视图。图19示出由本发明的涡流供应部件供应的涡流的流 动，图20为沿着图19的线D-D'的剖视图。图21示出本发明的涡流产生
体内部的涡流的产生。参照图17和图18，当处理开始时，晶片W被装载在基材支撑单元 100的夹板110上。通过形成在夹板110的开口 114，涡流供应部件向与 夹板110的顶面112相对的晶片表面供应涡流。也就是说，参照图19和 图20，机械供应管线140向涡流产生体150供应气体。在这一点上，流 动控制部件144a预先控制主供应管线144内部流动的气体，从而以预设 流速供应。喷射到涡流产生体150的外壳152中的气体产生涡流，同时 沿着外壳152的内侧面152a形成漩涡。所产生的涡流通过夹板110的开 口114喷射，以供应至晶片W的中心部分。向晶片W供应的涡流使晶片W从夹板110的顶面112上漂浮。经 过晶片W的底面与夹板110的顶面112之间的空间"c"排放的涡流使 漂浮的晶片W支撑在夹板110的上方。也就是说，空间"c"的内部压 力因经过空间"c"排放的涡流而上升，从而能够使晶片W通过Bernoulli (柏努利)效应紧密地支撑在夹板上方。在晶片W装载在夹板110上之前， 供应涡流以使晶片W漂浮。可选择的是，可以在晶片W装载在夹板llO 的顶面112之后，供应涡流以使晶片W漂浮。利用供应的涡流使晶片W以预设的处理旋转速度旋转。也就是说， 因为供应至晶片W中心的涡流漩涡式地从空间"c"的中心向边缘移动， 所以晶片W旋转。根据从涡流供应部件供应的涡流量来控制晶片W的 旋转速度。也就是说，涡流供应部件的流动控制部件144a控制主供应管 线144中的气体流速，以将晶片W的旋转速度设置到预设的旋转速度。 在利用流动控制部件144a进行的流速控制中，在进行处理之前设置数值， 从而以预设流速供应气体。可选择的是，实时感测晶片W的旋转速度以 控制主供应管线144中的气体流速，使得晶片W的旋转速度符合预设速 度。如果晶片W以预设处理速度旋转，那么处理流体供应部件20向旋 转的晶片W的处理表面供应处理溶液。也就是说，处理流体供应部件20 的喷嘴转送部件将喷嘴22从等待位置"b"转送到处理位置"a"。当喷 嘴22配置在处理位置"a"时，喷嘴22向晶片W的处理表面供应处理 溶液。在供应处理溶液并处理晶片W的表面之后，该处理溶液经过杯状 体12的排放管线12a排放。处理过的晶片W在从基材支撑单元100上 卸载之后被取出放到杯状体12外部。如上文所述，向晶片W供应涡流，以使晶片W在处理中漂浮并旋 转。在处理中，在不接触诸如基材支撑单元100的夹板110和侧导引销 124等的晶片支撑装置的情况下处理晶片W。因此，使晶片W免于受到 由接触晶片W的装置引起的损坏。另外，晶片W从夹板110上漂浮并旋转，以处理夹板110上的晶片 表面。例如，向漂浮的晶片W的底面供应处理气体或处理溶液以处理晶 片W。另外，控制使晶片W漂浮并旋转的涡流的供应量。因此，根据处理 条件控制涡流的供应量，以调节晶片W的漂浮程度和晶片W的旋转速 度。另外，不提供用于紧密保持晶片W并使其旋转的部件，从而简化了 设备的构造并降低了制造成本。尽管已经结合附图中所示的本发明实施例描述了本发明，但是本发 明不限于此。显然，在不脱离本发明的范围和精神的情况下，本领域技 术人员可以做出各种替换、修改和变化。
权利要求
1.一种基材支撑单元，包括夹板；以及涡流供应部件，用于向与所述夹板相对的基材表面供应涡流，以使所述基材从所述夹板上漂浮。
2. 如权利要求1所述的基材支撑单元，其特征在于，所述涡流供应 部件包括.-桶形涡流产生体，其具有敞开顶部；以及气体供应管线，用于向所述涡流产生体中喷射气体，以允许气体沿 着所述涡流产生体的内侧面在所述涡流产生体的内部空间中形成漩涡。
3. 如权利要求2所述的基材支撑单元，其特征在于，所述涡流产生 体的内部空间呈圆柱体形状；并且所述气体供应管线配置成沿着所述涡流产生体的内侧面的切线方向 供应气体。
4. 如权利要求2所述的基材支撑单元，其特征在于，所述涡流产生 体的内部空间呈圆柱体形状；并且所述涡流产生体包括进气孔，经过所述进气孔沿着所述涡流产生体 的内侧面的切线方向使气体流入。
5. 如权利要求4所述的基材支撑单元，其特征在于，所述气体供应 管线包括多条喷射管线，所述喷射管线与所述涡流产生体连接，以在所 述涡流产生体内部沿着相同方向旋转。
6. 如权利要求2所述的基材支撑单元，还包括侧导引销，设置在所述夹板上装载的基材周围，以在处理中防止所 述基材从所述夹板脱落。
7. 如权利要求2所述的基材支撑单元，其特征在于，所述涡流产生 体安装在所述夹板的中心。
8. 如权利要求2所述的基材支撑单元，还包括流动控制部件，其安装在所述气体供应管线上，以控制向所述气体 供应管线供应的气体的量。
9. 如权利要求l所述的基材支撑单元，还包括 辅助漂浮装置，用于在处理中辅助基材漂浮，其特征在于，所述辅助漂浮装置包括喷射孔和气体供应管线，所述 气体供应管线向所述喷射孔供应气体，所述喷射孔形成在所述夹板中并 且向所述基材的底面喷射气体。
10. 如权利要求9所述的基材支撑单元，其特征在于，所述涡流产 生体安装在所述夹板的中心；并且所述喷射孔环形地排列成包围所述涡流产生体的敞开顶部。
11. 如权利要求l所述的基材支撑单元，还包括辅助旋转装置，用于在处理中辅助基材旋转，所述辅助旋转装置包 括卡销，用于在处理中卡住所述基材的侧面；其上安装所述卡销的旋 转体；以及驱动马达，用于使所述旋转体旋转。
12. 如权利要求ll所述的基材支撑单元，其特征在于，所述旋转体 设置成环形形状。
13. —种处理基材的设备，包括 杯状体，其中限定进行处理的空间；基材支撑单元，包括配置在所述杯状体内部的夹板；以及 处理流体供应部件，用于在处理中向与所述夹板相对的基材供应处 理流体，其特征在于，所述基材支撑单元包括涡流供应部件，用于向与所述表示了所述芯片10的平面、及放大了其一部分的图。此芯片IO例如由单晶硅基板形成。 另外，在芯片10的主面的周边部，配置了多个焊垫(电极)11，所述焊垫ll与形成在芯 片10内的半导体集成电路电气连接。夹板相对的基材表面供应涡流，以使所述基材从所述夹板上漂浮。
14. 如权利要求13所述的设备，其特征在于，所述涡流供应部件包括桶形涡流产生体，其具有敞开顶部；以及气体供应管线，用于向所述涡流产生体中喷射气体，以允许气体沿 着所述涡流产生体的内侧面在所述涡流产生体的内部空间中形成漩涡。
15. 如权利要求14所述的设备，其特征在于，所述涡流产生体的内 部空间呈圆柱体形状；并且所述气体供应管线配置成沿着所述涡流产生体的内侧面的切线方向 供应气体。
16. 如权利要求14所述的设备，其特征在于，所述涡流产生体的内 部空间呈圆柱体形状；并且所述涡流产生体包括进气孔，经过所述进气孔沿着所述涡流产生体 的内侧面的切线方向使气体流入。
17. 如权利要求15所述的设备，其特征在于，所述气体供应管线包 括多条喷射管线，所述喷射管线与所述涡流产生体连接，以在所述涡流 产生体内部沿着相同方向旋转。
18. 如权利要求17所述的设备，还包括侧导引销，设置在所述夹板上装载的基材周围，以在处理中防止所 述基材从所述夹板脱落。
19. 如权利要求14所述的设备，其特征在于，所述涡流产生体安装 在所述夹板的中心。
20. 如权利要求14所述的设备，还包括流动控制部件，其安装在所述气体供应管线上，以控制向所述气体图7是将所述薄膜片材2的形成了探针7的区域的一部分放大表示的主要部分平面 图，图8是薄膜片材2的主要部分剖面图。图8中，将形成了探针7的区域表示为B — B区域， 将薄膜片材2粘接到探卡的接合环6 (参照图3)时位于接合环6下方的区域表示为A — A 区域及C一C区域。所述探针7是薄膜片材2中被图案化为平面四角形的金属膜21A的一部分，并且是在 金属膜21A中的薄膜片材2的下表面突出为四角锥状或者四角锥台状的部分。探针7在薄 膜片材2的主面上与形成在所述芯片10上的焊垫11的位置对准而配置，图7中表示了与焊 垫ll (图7中以虚线图示)相对应的探针7的配置。另外，图7中也图示了两个芯片10的 芯片外周10A的一部分(以点划线表示)。金属膜21A例如从下层依次层叠铑膜及镍膜而形成。在金属膜21A上形成了聚酰亚 胺膜(第一绝缘膜)22，在聚酰亚胺膜22上形成了与各金属膜21A电气连接的配线(第 一配线)23。另外，在与配线23相同的配线层上，也形成了不与金属膜21A电气连接的 配线23A。配线23在形成在聚酰亚胺膜22上的通孔(第一通孔)24的底部与金属膜21A 接触。另外，在聚酰亚胺膜22及配线23、 23A上，形成了聚酰亚胺膜(第二绝缘膜)25。 在聚酰亚胺膜25上，选择性地形成了到达一部分配线23的通孔(第二通孔)26，在聚酰 亚胺膜22上形成了在通孔26的底部与配线23接触的配线(第二配线)27。然后，在与配 线27相同的配线层上，也形成了不与金属膜21A及配线23电气连接的配线27A。在聚酰 亚胺膜25及配线27、 27A上，形成了聚酰亚胺膜28。如图8所示，在薄膜片材2上，在接合环6下方的位置6A (参照A — A区域及C一C区域)产生了台阶。在产生如此台阶的部分，与其他部分相比聚酰亚胺膜22、 25、 28的厚度不均匀。另外，因为配线23、 23A、 27、 27A的厚度及宽度也不均匀，所以相对于薄膜片材2的应力的机械强度容易下降。因此，本实施形态l中，在产生了此台阶的部分将供应管线供应的气体的量。
21. 如权利要求13所述的设备，还包括 辅助漂浮装置，用于在处理中辅助基材漂浮，其特征在于，所述辅助漂浮装置包括喷射孔和气体供应管线，所述 气体供应管线向所述喷射孔供应气体，所述喷射孔形成在所述夹板中并且向所述基材的底面喷射气体。
22. 如权利要求20所述的设备，其特征在于，所述涡流产生体安装 在所述夹板的中心；并且所述喷射孔环形地排列成包围所述涡流产生体的敞开顶部。
23. 如权利要求13所述的设备，还包括辅助旋转装置，用于在处理中辅助基材旋转，所述辅助旋转装置包 括卡销，用于在处理中卡住所述基材的侧面；其上安装所述卡销的旋 转体；以及驱动马达，用于使所述旋转体旋转。
24. 如权利要求23的基材支撑单元，其特征在于，所述旋转体设置 成环形形状。
25. —种处理基材的方法，包括在支撑基材时进行基材处理，其特征在于，通过向所述基材底面供 应涡流使所述基材漂浮来进行所述基材的支撑。
26. 如权利要求25所述的方法，还包括 在利用涡流旋转基材时进行基材处理。
27. 如权利要求26所述的方法，其特征在于，向所述基材的中心喷 射涡流。
28. 如权利要求25所述的方法，其特征在于，向所述基材的中心喷射涡流；在处理中向所述基材喷射气体，以帮助利用涡流进行的基材漂浮；以及在围绕喷射涡流部分的位置进行气体喷射。
29. 如权利要求25所述的方法，其特征在于，在销的帮助下利用涡 流使基材旋转，所述销与基材侧面接触以使基材旋转。
30. 如权利要求25所述的方法，其特征在于，所述基材旋转包括 当基材的处理旋转速度低于参考速度时，供应涡流使基材旋转；以及当基材的处理旋转速度高于参考速度时，利用旋转马达使基材机械 地旋转。
全文摘要
在处理中，基材支撑单元向基材供应涡流以使基材旋转并从夹板上漂浮。在使基材旋转并漂浮时进行处理。因此，当基材以无接触方式从夹板漂浮时支撑并旋转该基材。
文档编号H01L21/683GK101211811SQ200710199078
公开日2008年7月2日 申请日期2007年12月12日 优先权日2006年12月27日
发明者李泽烨, 金奉主 申请人:细美事有限公司