多谐振宽带天线的制作方法

专利名称：多谐振宽带天线的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于多频带的多谐振宽带天线，更特另哋，涉及具有分形 结构的多谐振宽带^。 背景M
目前所用的多波IK^的实例包括平面倒F (PIFA)，它具有用作
辐射元件的曲折线结构M或叠置型贴片天线。常规PIFA能以倒F型构造在天 线接地面上，并分为馈线和将PIFA的辐射元件从天线接地面短路的短接电路， 它表现出的谐振特性取决于馈线与短接电路的间距，以及馈线和短接电路的形 状。为了在PIFA内实现多谐振特性，PIFA上的辐射元件被划分为具有不同尺 寸的多个部分，然后组合在一起。换言之，将几个具有单波段特性的天线组合 使用。PIFA可实现具有多波段特性的小型天线。但如果几4^线M PIFA结 构组合在一起，天线的辐射效率和增益将急剧陶氏。因此，PIFA不适合用作产 生三谐振，多谐振的多波段，。
当曲折线结构用作織的辐射元件时，所得到的繊表现出的特性与PIFA 相似。换言之，一1 说，PIFA、曲折线型天线以及具有几个单波段特性的天 线常常组合在一起以获得小型多波段天线。但如果这样获得的小型多波段天线 表现出多谐振特性，那么小型多频段織的辐射效率将急居l應化。因此，如果 此小型多波段天线用作产生三谐振或更多谐振的多谐振天线，贝U小型多波段天 线的性能会出现问题。
另外，使用叠置型贴片天线结构的多谐振天线包含具有不同尺寸并上下排列的辐射元件。相舰，多谐振天线的尺寸会增大。因此，与以上描述的PIFA 和曲折线型天线类似，由于结构所限，多谐振天线不适合用作产生三谐振或更 多谐振的多波段天线。
现代设计的斜及^^用Hilbert (希耳伯特)栅结构，其具有多波段频率 特性；但是它所形成的谐振频带窄。另外，如果单极天线做的小，则谐振频带 会变得更窄，单极天线的效率会陶氏。此外，还存在困扰单极天线设计的技术 P蹄lj，这会限制^^特殊频带内的适当应用。

发明内容
本发明的目的在于,^iH，。 另一目的是在平面倒F M^中提供多谐振特性。 再一 目的是,产^H谐皿更多谐振的小型多波段，。 还一目的;iJlf共产^H谐驗更多谐振、工作特性增强的小型多波段織。 又一目的JiJI供在宽频带ill示出改善的回波损耗的小型、多谐振織。 进一步的目的是提供具有显现出多频带的分形栅结构的天线。 这些目的和其它目的可用微，获得，此微，采用具有分形栅结构的特 殊图案的分,射元件，其表现出多频带和宽 性。
本发明的原理的实施例3ai供包含短接电路的宽带、高效M，短接电路
中堆叠有分形辐射元件和分形寄生辐射元件，以及在分形辐射元件和分形寄生 辐射元件之间形成导电 。
根据本发明的方面，提供用介质寂反、分形辐射元件、馈线以及天线接地 面构造的多谐振宽带天线，其中分形辐射元件粘接在介质基板的上表面上且具 有预定分形栅结构，馈线粘接在介质基板的上表面上并给分形辐射元件馈电， 以及織接地面位于介质M的下表面上以与馈线相对。从而，舰介质翻 j跃线接地面与馈纖理地分离。
形成分,射元件的分形图案结构可以被形成为闭合的电连续环，也可环 ，m称排列地形成，或者替换地，被形成为电开口结构，并且分形图案的 ifi端子电耦合至馈线，以及分形图案的一个或多4^端子与馈线及分形图案的 其它部，理分离且电气分离。
本发明的细节和鹏在以下描舰附属权利要求中详细公开。


Mil参考以下详细说明连同附图，将易于更魏明白且更好地理解本发明
以及本发明的多^点，附图中相似的参考^iB指示相同或相似的元件，其中: 图1为示出现代平面倒F型天线结构的糾见图； 图2为示出现代曲折线结构天线的平面图3和图4分另际出具有Hilbert栅结构的现代對及天线的平面图和截面图; 图5 ^出图3和图4中所示单极天线以分贝计的回波损耗的变化的两坐
标图6是根据本发明的原理的一个实施例构造的使用分,射元件的多谐振 宽带，的正视图7是图6所示多谐振宽带天线的侧视图8是根据本发明的原理的另一实施例，^ffi分形辐射元件和分形寄生辐
射元件的多谐振宽带天线的侧视图9是根据本发明的原理的另一实施例，^ffi分,射元件、分形寄生辐
射元件和短接电路的多谐振宽带天线的侦舰亂
图10是根据本发明的原理的另一实施例的多谐振宽带織的侧视亂 图11是根据本发明的原理的另一实施例的多谐振宽带織的侧视亂 图12是根据本发明的原理的另一实施例的多谐振宽带纖的侦舰图； 图13是根据本发明的原理的另一实施例的多谐振宽带殘的侧视图； 图14至图26示出根据本发明的原理，构造用于多种实施例的元件的分形
结构图案；
图27 是对于本发明的原理的典型多谐振宽带天线，示出以分贝计的回波损 耗与频率函数关系的两坐标图。
具体实施例方式
现在回到图，当前使用的多波段天线的实例包括图1所示的平面倒F型天 线(PIFA)、图2所示的具有曲折线结构的天线、叠置型贴片天线等。
图1所示的现代PIFAIO的结构是在接地面11上构造成倒F皿，并划分 为馈线13和短接电路14。短接电路部分14使PIFA 10的辐射元件12从接地面 11短路，并且表现出的谐振特性取决于馈线13和短接电路14间的分隔距离以 及馈线13和短接电路14的形状。为实现PIFA10中的多谐振特性，PIFA10之 上的辐射元件12被分成具有不同尺寸的部分并且然后被组合起来。换言之，组合荆OT几个具有单波段特性的天线。PIFA10可实现为具有多波段特性的小型 天线。但假如用PIFA结构将几4^线组合起来，则天线的辐射效率和增益会急 剧陶氏。因此，PIFA10不适用于产43皆^M多谐振的多波段織。
图2示出具有曲折线结构15的天线。这里，^^现出的特性与图1所示 的PIFA10特性相似。
换言之，在当前的实践中，PIFA、曲折线型天线和几个具有，段特性的 天线常常组合起来以在物理上实现小型多波段天线。但如果这样实现的小型多 波段織表现出多谐麟性，鄉射效率会急居IJ恶化。从而，如果用小型多波 段殘构造成产生三谐振或更多谐振的多谐振天线，贝ij所获得的小型多波段天 线繊性能会出现问题。
另外，^f顿叠置型贴片纖结构的多谐振天线包括具有不同尺寸的辐射元 件，并上下排列起来。因此，所获得的多谐振天线的物理尺寸会增大。另外， 与以上描述的PrFA和曲折线型M类似，由于结构所限，此多谐振，不适合
用作产生三谐振或更多谐振的多波段天线。
图3和图4示出现代单极織的平面和截面正视图，它舰固定在介质基 板18的平面表面上的Hilbert栅结构16，并由施加到馈线20上的信号驱动，以 及图5为图3和图4所示^^及天线以分贝度量的回波损耗的示意图。
参见图3和图4，单极天线能具有多波段频率特性。如图5所示，所形成 的谐振频带窄。另外，如果单极天线做的小，则谐振频带会相应变得更窄，单 极天线的效率会降低。此外，还存在困扰单极天线设计的技术限制，这会限制 ，m频带内应用的兼容性。
现在，参考附图详细说明根据本发明的原理构造的优选实施例。
图6为根据本发明的实施例使用分形辐射元件的多谐振宽带天线的正视 图，以及图7为图6的多谐振宽带天线的侧视图。
如图所示，分形图案为粗糙或碎片几何皿，它可再分为多个部分，其每 一个是，至少近似是，尺寸减縮的整体复制。作为几何对象，分形是自相似对 象，至少近似地或随机池是，其具有任意小比例的精细结构，它太不规则以至 于不肖^传统欧几里德几何语言描述，并且它具有简单递归定义。
参见图6和图7，根据本发明实施例的多谐振宽带天线包括介质 600 和700、天线接地面610和710、馈线620和720以及分形辐射元件630和730。介质基板600和700是微带基板，如RF4，或高度弯曲薄膜。介质基板600 和700可以是双面介质 或单面介质基板，，是包括高度弯曲或柔性薄膜 的双面繊。
，接地面610和710位于介质基板600和700的背表面上。^接地面 610和710用作馈给分,射元件630和730的馈线620和720的接地参考面， 例如决定馈线阻抗的参考面。
馈线620和720包括将功率馈给到分形辐射元件630和730的馈线。馈线 位于介质基板600和700的前表面上。天线接地面610和710位于与馈线620 和720相对的介质S^ 600和700的部分背表面上，并且没有在其上方设置分 ,射元件630和730的部分背表面处。
分,射元件630和730为八边形，其中排列着奴形分形栅结构。这里， 分形结构指其中具有预定微的小结构在齡结构上方重复的结构。换言之， 分形结构是具有表示具有相同皿的片段和整体的自相似性和递归性的几何结 构。
分形辐射元件630和730的#尺寸可以是40x40mm或更小。粘附在介质 600和700的背表面上的天线接地面610和710形成由通信设备中的导体 构成的外部面，在所^1信设备中安 ^射元件，如便携式电话，通信终端 等。这里，除了图6所示的奴,卜，分繊射元件630和730还可包括人 字形、闪电形、Hilbert分形栅形以及倒V形。
其中具有交叉形、人字形、闪电形或倒V形的分形栅^^被在维度上分形 并且然后排列起来的辐射元件可用来实现具有多频带和宽带特性的天线。可修 改分形栅微和阵列结构以舰多谐振宽带纖的辐射效率和宽带特性。
使用修改后的结构而不是普通分形结构来扩大多谐振宽带天线每单元面积 的线长，以使多谐振宽带天线小型化。另外，当多谐振宽带天线相对于相应波 长{附寻小型化时，用修鹏的结构来使多谐振宽带天线的辐射效率最大化。
图8是根据本发明的另一实施例JOT分,射元件和分形寄生辐射元件的 多谐振宽带織的侧视图。参见图8，多谐振宽带天线包括介质繊800、織 接地面810、馈线820、分形辐射元件830和分形寄生辐射元件840。本实施例 的多谐振宽带天线与图7不同之处在于，分形寄生辐射元件840位于与分形辐 射元件830相对的介质基板800的背表面上。分,射元件830和分形寄生辐射元件840保^(te的特性，并且多^z:存 在。分形寄生辐射元件840位于織接地面810所处的介质繊800的背表面 上。因此，从分繊射元件830初始辐射的电波舰分形寄生辐射元件840被 再次辐射。换言之，如果分形辐射元件830和分形寄生辐射元件840之间的间 隙窄，则电波可由分形寄生辐射元件840再次辐射，并且由于分形辐射元件830 和分形寄生辐射元件840之间的耦合，线的长度可以延长。线长度的延长有助 于舰多谐振宽带天线的低频带特性、回波损耗和增益，并使多谐振宽带天线 小型化。
分形辐射元件830和分形寄生辐射元件840可具有相同的分形结构或不同 的分形结构。例如，分繊射元件830可具有奴形分形结构，且分形寄生辐 射元件840可具有人字形分形结构。
图9是根据本发明的另一实施例使用分形辐射元件、分形寄生辐射元件和 短接电路的多谐振宽带殘的侧视图。参见图9，本实施例的多谐振宽带織包 括介质基板900、天线接地面910、馈线920、分,射元件930、分形寄生辐 射元件940和导电ffij^ 950。本实施例的多谐振宽带天线与图8不同之处在于， 分^lt元件930和分形寄生辐射元件940 ffiil导电通路950相互连接。
在图9的多谐振宽带天线中，分形辐射元件930和分形寄生辐射元件940 M:导电通路950相互连接以形成短路。如果分,射元件930和分形寄生辐 射元件940相互连接形成短路，则可在窄天线中增大多谐振宽带天线的有效辐 射面积。另外，因为分形寄生辐射元件940安装在天线接地面910所处的介质 ■ 900的背表面上，因此可防止由于分形寄生辐射元件940而增大多谐振宽 带，的,尺寸。
导电通路950将分自射元件930连接至分形寄生辐射元件940。另外， 多谐振宽带天线的性能根据导M路950的位置而变化。相应地，导电3M950 可以形，远离馈线920的位置中，即在多谐振宽带天线的外部或中心，以增 大有效辐射面积并实现小型多谐振宽带天线。替换地，导电通路950既可位于 多谐振宽带天线的外部，也可位于其中心。
图10是根据本发明另一实施例的多谐振宽带纖的侧视图。参见图10， 此多谐振宽带天线包括介质基板IOOO、，接地面IOIO、馈线1020、分形辐射 元件1030、分形寄生辐射元件1040以及导电通路1050。介质基板1000和分形寄生辐射元件1060 U,堆叠在分鹏射元件1030上。因此，具有与分繊射 元件1030的多谐赚性相同或不同的多谐振特性的分形寄生辐射元件1040和 1060被堆叠。从而，可将分形辐射元件1030和分形寄生辐射元件1040和1060 的多谐振特性组合成一个以获得宽带特性。
图11是根据本发明另一实施例的多谐振宽带織的侦i舰图。参见图11， 此多谐振宽带天线包括介质繊1100、天线接地面川0、馈线1120、分形辐射 元件1130以及分形寄生辐射元件1140和1150。介质繊1100和分形寄生辐射 元件1150 )l,堆叠在分形寄生辐射元件1140上。因此，具有与分形辐射元件 1130的多谐振特性相同跡同的多谐振特性的分形寄生辐射元件1140和1150 可以被堆叠。从而，可将分鹏射元件1130和分形寄生辐射元件1140和1150 的多谐振特性组合成一个以获得宽带特性。
图12是根据本发明另一实施例的多谐振宽带殘的侧视图。
参见图12，此多谐振宽带織包括介质繊1200、繊接地面1210、馈 线1220、分形辐射元件1230、分形寄生辐射元件1240、 1250和1260，以及导 1270。介质,1200和分形寄生辐射元件1250 jl,堆叠在分形寄生辐 射元件1230上。另外，介质繊1200和分形寄生辐射元件1260 )l,堆叠在分 形寄生辐射元件1240下方。因此，可以堆叠具有与分鹏射元件1230的多谐 赚性相同#同的多谐赚性的分形寄生辐射元件1240、 1250和1260。从而， 可将分形辐射元件1230和分形寄生辐射元件1240、 1250和1260的多谐振特性 组合成一个以获得宽带特性。
如图10至图12所示，分形寄生辐射元件可形自双面介质 上并且具 有相同形状或不同皿。另外，分形寄生辐射元件可具有不对称结构，其中分
形寄生辐射元^m堆叠在双面s^上方或下方；或者分形寄生辐射元件具有对
称结构，其中分形寄生辐射元件堆叠皿面基板的上方和下方。替换地，分形 寄生辐射元件可具有不娥尔结构，其中分形寄生辐射元件堆叠在双面繊上方。 然而，堆叠在双面基板上方的分形寄生辐射元件的数量可与堆叠在双面基板下 方的分形寄生辐射元件的数量不相同。替换地，分形寄生辐射元件可用导电通 路堆叠，也可不用导电iTO，以实现叠置型，。
如上所述，分形辐射元件和分形寄生辐射元件可以单层或多层形式堆叠在 双面,的上方、下方或两侧。从而，从分形辐射元件和分形寄生辐射元件辐射的电波可以被再次辐射，由于分形辐射元件和分形寄生辐射元件之间的耦合, 可以在窄天线内增大有效辐射面积。有效辐射面积的增大有助于改进多谐振宽 带殘在低频带内的性能、回波损舰增益，以使多谐振宽带天线做的小型化。
图13是根据本发明另一实施例的多谐振宽带織的正视图。参见图13， 多谐振宽带殘包括介质繊、織接地面1310、馈线1320、分鄉射元件1330 和三个导电通路1340。虽然未在图13中示出，但分形寄生辐射元fHi于介质基 板1300的背表面上，并ilii^^个导电通路1340连接至盼形辐射元件1330。
这里，分,射元件1330具有交，分形栅结构，其中排列着八边形。分 形辐射元件1330的整体尺寸可以在40x40mm范围内。与位于介质基板1300的 背表面上的分形辐射元件1330相对的分形寄生辐射元件可以具有^X形分形栅 结构或不同靴的分形栅结构。三个导电鹏1340位于其中排列有八边形的交 ，分形栅结构的上部和两侧。三个导电通路1340可以设置得离馈线1320尽 可能远，以增大多谐振宽带繊的有效辐射面积汲实现多谐振宽带殘。
、皿形自射元件1330的环形分形图案外部，导电通路1340位于分, 射元件1330的上部中心和直径方向相对的拐角处，基本上是在分形辐射元件 1330的分形图案周围，在纵向方向与馈线1360相对。导电通路1340尽可能远 地与馈线1360有效分离；也就是说，导电通路1340与馈线2160大约隔开了分 形图案1330的宽度"d"。
图14至26示出在根据本发明的原理的实例中，适合用作分,射元件和 分形寄生辐射元件的不同分形结构。
图14示出图13的分形辐射元件1330的详细结构。图14更清楚地示出了 至少三个导电 1340的位置。沿着分形辐射元件1330的分形图案周围的最 外环，导电 1340位于分鹏射元件1330的上部中心舰直径方向相对的 拐角处，在纵向方向与馈线1360相对。导 ^§ 1340尽可能 与馈线1360 有效分离；也就是说，导电 1340与馈线2160大约隔幵了分形图案1330的 宽度。电耦合馈线1360以驱动分,射元件1330。
谐振特性取决于馈线1360与导电通路1340之间的距离以及馈线1360和导 电鹏函的微。
图15至22的多谐振宽带殘包括介质繊、纖接地面、馈线和分形辐 射元件。多谐振宽带織还包括至少一个或多个分形寄生辐射元件和导电鹏。电耦合馈线1560以驱动分,射元件1510、 1520和1530中的每一个。除了分 形辐射元件或分形寄生辐射元件的堆叠位置及堆 量和导电 的位置外， 其它元件的功能和操作与图13的那些相同，因此在以下段落中不需要对它们再 次详细描述。
图15的分形辐射元件1500具有三分形结构。在三分形结构中，第一， 外面的分糊射元件1510具有与图14的分鹏射元件1330相同的形状。另外， 第二或中间的分,射元件1520比第一分,射元件1510小，但其形状与第 —分鹏射元件1510相同，體在第一分繊射元件1510内部。第三^ftM 面的辐射元件1530特征在于其截面尺寸(如直径)比第二分形辐射元件1520 小，但其形状与第二分,射元件1520相同，體在第二分形辐射元件1520 内部。换言之,图15的分自射元件500具有其中将图4的分,射元件1330 分成几个单元然后同轴排列起来的结构。替换地，除了图15所示的三分形结构， 分 射元件1500还可为双分形结构或四分形结构。构成三分形结构的第一、 第二和第三分形辐射元件1510、 1520和1530在操作JJi接至顿线1550。导电 ili 各1540的位置与图14的导电 1340的那些相同。
图16的分,射元件是对图15的分,射元件1500的修改。电耦，线 1760以驱动每一个形成分 射元件1700的分自射元件。虽然形成图15的 分形辐射元件1500的每一个分形环构成耦合到馈线1560的完全闭合环，但在 图16所示的实施例中，本实施例的分鹏射元件1600沿馈线1610的一侧有开 口。虽然在图16所示的实施例中示出分形元件沿馈线1610的一侧电开口，但 圆形、矩形或多边形分形图案可在沿着形成用于分形辐射元件或分形寄生辐射 元件的分形图案的单个环或多个环的其它位置处电开口 。
图17的分,射元件1700是对图15的分形辐射元件1500的修改。将不 对称的"L"形分形栅结构，即具有不等长度的腿的"L"形分形栅结构，力倒 图15的分,射元件1500的四角中的每一个，以形成图17所示的分形辐射元 件1700。不对称"L"形分形栅结构1710未形成电闭合环。与图15的导顿 路1540及图16的导电通路1620不同之处在于，导电通路1720位于"L"形分 形栅结构nio的拐角处，所述"L"形分形栅结构在切线方向耦合至同轴排列、
物理分离并形成分鹏射元件noo的多个环的最外面环或第一环的外围。因此，
导电通路1720可以与馈线1730相距更远。将对称"L"形分形栅结构，即具有相等长度的腿的"L"形分形栅结构， 加至咖图17的分鹏射元件1700的分形结构，以形成完全闭合环1810，从而 构成图18的分形辐射元件1800。与图17类似，导电通路1820位于影卜面环上 部的中心和拐角处，最外面环iM:形成分形辐射元件1800的对称"L"形栅结 构而扩大。
图19的分形辐射元件1900具有格子图案'其中M形分形栅结构排成阵 列以限定闭合、矩形形状的分形图案。与图17所示类似，导电,1910 分繊射元件1900的上部，位于周围鶴夕KI啲中心和拐角处。
图20的分形辐射元件2020具有格子图案，其中排列着人字形或闪电形和 交叉形分形栅结构。 形分形栅结构用在格子图案线汇合的部分，且人字形 或闪电形分形栅结构用在其它部分。替换地，人字形或闪电形分形栅结构可用 在分,射元件2020的部分，且交观分形栅结构可用在其它部分2010。与图
17类似，导电M^2010位于分,射元件2000上部的中心和拐角处。
图21的分形辐射元件2120具有格子图案,其中排列着^X^分形栅结构。 换言之，交叉形分形栅结构 入格子图案中心的空白空间，在此空白空间内 未排列分形栅结构。另外，所插入的交叉形分形结构的四个方向面连接到其内 部排列有分形栅结构的格子图案的空间。与图17所示类似，导电鹏2110沿 着形成分，射元件2120的上部，位于最外侧的中心和拐角处，目分形辐射 元件1900的分形图案周围的最外环，在纵向上与馈线2060相对。导M路2110 尽可會誕地与馈线2160有效分离，也就是说，导顿路2110与馈线2160隔开 大约分形图案2120的宽度。
图22示出具有Hilbert分形栅结构的分自射元件2220。与图17类似，导 电M 2120位于分鹏射元件上部的中心和拐角处，、髓分繊射元件2120 的夕Mi， 径方向或对角方向上与馈线2060和分,射元件2020之间所形 成的结的距离最远。
图23示出环形分鹏射元件2310，其中重复排列着倒V形分形结构。图 24示出的分糊射元件中，预定M的倒V形分形结构2410、 2420、 2430、 2440 和2450尺寸不同，以同心圆形式同轴排列，并电齢至馈线2460。,地，倒 V形分形结构可在维处分形预定次数，然后重复排列以形成圆形。
图24的分形辐射元件包括5个分自射元件2410、 2420、 2430、 2440和2450，其中倒V鹏维肚分形一次，重复排列成圆形。将馈线2460电齢以 驱动分形辐射元件2410、 2420、 2430、 2440和2450的每一个。替换地，对于 形成闭合环的分,射元件，也可将分,射元件2400的其它实施例构造成每 一个分形辐射元件的一侧电开口 。
图25示出方形分繊射元件2510，其中重复排列割到V形分形结构。图 26示出的5个分,射元件2610、 2620、 2630、 2640和2650为方形，其中与 图24所示类似，倒V形分形结构在维度上分形一次并重复排列。将馈线2660 电掛合以驱动分繊射元件2610、 2620、 2630、 2640和2650中的每一个。
图27是根据本发明的多谐振宽带織回波损耗的示意图。这里，回波损耗 是在100MHz和2700MHz之间的频带内测量的。如图27所示，回波损耗在宽 频带上得到改善。
如以上所述，具有分形结构的多谐振宽带天线可i!31^现代分形结构天线 修改的阵列实现。因此，每单位面积的多谐振宽带天线的尺寸可最大化。从而, 多谐振宽带殘的辐射效率增大，且对于相应波长的多谐振宽带織可做的小 型化。
根据本发明的原理，多种多谐振宽带天线实施例可由以下部分构造而成 介质基板，其上表面支撑具有预定分形栅结构的分形辐射元件，分形栅结构粘 接到介质鎌的上表面；歸介质繊上表面设置以懒分繊射元件的馈线； 以及粘接到与馈线相对的介质S^下表面的接地面。相邻的分形寄生辐射元件 用来再次辐射来自分形辐射元件的电磁波，它可设置在与分形辐射元件相对的 介质基板下表面的位置上，与分形辐射元件相对并通过介质元件与分形辐射元 件隔开。
形成分形辐射元件图案或分形寄生辐射元件图案的分形元件或多个分形元 件，可用同轴方式排列构造成围绕馈线对称设置的闭合环。在其它实施例中， 分形辐射元件图案或分形寄生辐射元件图案可构造成电开路环，例如，辐射元 件的近端电耦合至馈线，辐射元件的远端物理开路且电气开路。
多谐振宽带天线还可构造成，在介质繊的下表面上，至少一个附加分形 寄生辐射元件堆叠在相邻的寄生辐射元件上，与分形辐射元件几何对准，所述 附加分形寄生辐射元件再次辐射从分MI射元件辐射的电磁波。
至少一个被定向为再次辐射从分,射元件辐射的电磁波的附加分形寄生辐射元件，可在介质基板的上表面上堆叠于分,射元件上并与其对准。
在具体实施例中，多谐振宽带纖可用至少一个附加分形寄生辐射元件构 造，附加分形寄生辐射元件用来再次辐射从分形辐射元件辐射的电磁波，附加 分形寄生辐射元件堆叠在分形辐射元件上，与分,射元件几何对准。
一个或多个导电M可形成在其中一个分形辐射元件和相邻的分形辐射元 件之间，或者形鹏一对附加分形寄生辐射元件之间。导电通路被设置为电耦 合相邻分形图案的外周部，且通路在纵向上隔开大约分形图案的宽度，以尽可 肯巨 与馈线分离。也就是说，构成的短接电^fe括分形辐射元件、分形寄生
辐射元件以及在分,射元件和分形寄生辐射元件之间形成的导电3Ii^从而，
可实现宽带、高效率微，。
虽然参考其示意性实施例具体描述了本发明，但应理解，在不脱离由附属
权禾頓求限定的本发明的精神和范围情况下，本领域技术人员可在形式和细节 ，其做多种变化。
权利要求
1、一种多谐振宽带天线，包括介质基板；粘接在介质基板的上表面上的分形辐射元件，其具有预定分形栅结构；粘接在介质基板的上表面上以馈给分形辐射元件的馈线；和设置在与馈线相对的介质基板的下表面上的接地面。
2、 如权利要求1的多谐振宽带，，包括被设置以再次辐射从分形辐射元 件辐射的电磁波的分形寄生辐射元件，其粘接在与分形辐射元件相对的介质基 板的下表面的位置上。
3、 如权利要求2的多谐振宽带織，包括介质繊以鹏一步堆叠在其中 一个分形辐射元件上或堆叠在分形寄生辐射元件下方的至少一个或多个分形寄 生辐射元件。
4、 如权利要求2的多谐振宽带織，包括在分胸射元件和分形寄生辐射 元件之间形成的至少一个或多个导电iM。
5、 如权利要求3的多谐振宽带M，包括在分形寄生辐射元件之间形成的 至少一个或多个导电通路。
6、 如权利要求l的多谐振宽带天线，包括包含分形结构的电导体，所述分 形结构包括重复设置形成阵列以形成分,射元件的交XJ移、人字形、闪电形、 Hilbert形和倒V形中的至少一种。
7、 如权利要求6的多谐振宽带天线，包括具有分形栅结构的分,射元件， 所述分形栅结构包括具有八边形、圆形和方形之一的至少一个或多个基本结构 的阵列。
8、 如权利要求7的多谐振宽带殘，且分形辐射元件包括具有开口部的分 形栅结构。
9、 如权利要求7的多谐振宽带繊，包括加到八边形分糊射元件的四个 角的"L"形分形栅结构，且"L"形分形栅结构的端部开口或闭合。
10、 如权禾腰求4的多谐振宽带繊，包括设置得尽可能舰与馈线隔开 的所述至少一个或多个导电通路。
11、 如权利要求5的多谐振宽带纖，包括體得尽可倉^fe与馈线隔开的所,少一个或多个导 路。
12、 如权禾腰求2的多谐振宽带殘，包括具有相同分形结构的分繊射元件和分形寄生辐射元件。
13、 如权禾腰求2的多谐振宽带織，包括具有不同分形结构的分,射 元件和分形寄生辐射元件。
14、 如权利要求3的多谐振宽带天线，包括具有相同分形结构的分,射 元件和分形寄生辐射元件。
15、 如权利要求3的多谐振宽带天线，包括具有不同分形结构的分,射 元件和分形寄生辐射元件。
全文摘要
一种多谐振宽带天线，由以下构造而成介质基板、具有粘接在介质基板的上表面上的预定分形栅结构的分形辐射元件。馈线粘接在介质基板的上表面上，馈给分形辐射元件，以及接地面位于与馈线相对的介质基板的下表面上，它与馈线通过介质基板物理分离。
文档编号H01Q5/00GK101291014SQ20071030615
公开日2008年10月22日 申请日期2007年11月29日 优先权日2007年4月16日
发明者太贤植, 裵基亨, 金建佑 申请人:三星泰利斯株式会社