专利名称：大功率射频电阻的制作方法
技术领域：
本实用新型属于一种电子元件，尤其指一种大功率射频电阻或衰减器。
技术背景参照图1，通常，对于大功率射频电阻，负载或衰减器，是将电阻材料(陶瓷衬底4)金属化焊接到铜材料的安装法兰5上，引线2从电阻材料中引出，上 面设有陶瓷封帽，电阻材料主要是BeO， A1N。为了提高器件的功率，陶瓷衬底 的面积也需相应的增加，由于铜跟BeO， A1N的热膨胀系数相差很大，面积增大 时，总的热膨胀差异也显著提高，随着多次的温度变化，它们的焊接面会遭到 损坏，最终直至分离失效，另一种失效的情况是陶瓷衬底断裂当散热法兰通 过法兰孔固定到器件上后，铜受热膨胀，因为两端被固定，所以只能变成一个 拱桥形，这样就会折断陶瓷衬底。在大功率电阻，负载或衰减器的使用过程中， 这种现象非常普遍。实用新型内容本实用新型的一个目的，在于解决现有技术中的不足之处，提供一种防止 陶瓷衬垫断裂的大功率射频电阻。为实现上述目的，本实用新型的大功率射频电阻，包括陶瓷封帽、陶瓷衬底和安装法兰，陶瓷衬底位于陶瓷封帽和安装法兰的中间，陶瓷封帽、陶瓷衬底和安装法兰固定连接在一起，引线从陶瓷衬底中伸出，陶瓷衬底包括多片陶瓷衬底，多片陶瓷衬底之间电连接。优选地，陶瓷衬底是由两片陶瓷衬底组成。优选地，所述两片陶瓷衬底分别位于安装法兰中心线的两侧，对称放置。 本实用新型的优点为将陶瓷衬底由一整片分为多片，减小了单个衬底基片的面积，从而降低了所受到的拉力，弯折力；提高设计电阻的灵活性；有利 于焊接陶瓷衬底和安装法兰时，排出气泡，提高导热系数。
图l为现有大功率射频电阻示意图。图2为本实用新型所述大功率射频电阻示意图。图3为安装法兰中心线的示意图。
具体实施方式
图1为本实用新型所述大功率射频电阻示意图。参照图2，本实用新型的大 功率射频电阻，包括陶瓷封帽l、陶瓷衬底和安装法兰5，陶瓷衬底位于陶瓷封 帽和安装法兰的中间，陶瓷衬底和安装法兰5固定焊接在一起，引线3从陶瓷 衬底中伸出，连接硅脂2将陶瓷封帽和陶瓷衬底固定连接在一起。陶瓷衬底由 两片陶瓷衬底41和42组成，两片陶瓷衬底之间电连接。参照图3，所述两片陶 瓷衬底分别位于安装法兰中心线AB的两侧，对称放置。当用多个陶瓷衬底在安装法兰对称线处拼接时，这就可以消除陶瓷衬底在 对称线处的拉力和弯折力，而陶瓷衬底之间是用铜引线连接，它的膨胀系数跟 散热法兰是一样的，不会产生拉力或弯折力。陶瓷衬底可以由多片陶瓷衬底组成。本实用新型的优点为将陶瓷衬底由一整片分为多片，减小了单个衬底基 片的面积，从而降低了所受到的拉力，弯折力；提高设计电阻的灵活性；有利 于焊接陶瓷衬底和安装法兰时，排出气泡，提高导热系数。综上所述仅为本实用新型较佳的实施例，并非用来限定本实用新型的实施 范围。即凡依本实用新型申请专利范围的内容所作的等效变化及修饰，皆应属 于本实用新型的技术范畴。
权利要求1.一种大功率射频电阻，包括陶瓷封帽、陶瓷衬底和安装法兰，陶瓷衬底位于陶瓷封帽和安装法兰的中间，陶瓷封帽、陶瓷衬底和安装法兰固定连接在一起，引线从陶瓷衬底中伸出，其特征在于陶瓷衬底包括多片陶瓷衬底，多片陶瓷衬底之间电连接。
2. 根据权利要求1所述的大功率射频电阻，其特征在于陶瓷衬底是由两片 陶瓷衬底组成。
3. 根据权利要求2所述的大功率射频电阻，其特征在于所述两片陶瓷衬底 分别位于安装法兰中心线的两侧，对称放置。
专利摘要一种大功率射频电阻，包括陶瓷封帽、陶瓷衬底和安装法兰，陶瓷衬底位于陶瓷封帽和安装法兰的中间，陶瓷封帽、陶瓷衬底和安装法兰固定连接在一起，引线从陶瓷衬底中伸出，陶瓷衬底包括多片陶瓷衬底，多片陶瓷衬底之间电连接。本实用新型的优点为将陶瓷衬底由一整片分为多片，减小了单个衬底基片的面积，从而降低了所受到的拉力，弯折力；提高设计电阻的灵活性；有利于焊接陶瓷衬底和安装法兰时，排出气泡，提高导热系数。
文档编号H01C13/00GK201084506SQ20072012869
公开日2008年7月9日 申请日期2007年9月11日 优先权日2007年9月11日
发明者汛 刘 申请人:深圳市禹龙通电子有限公司