专利名称：半导体材料的触头制作方法和半导体器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于半导体材料的触头连接方法和一种半导体器件。
背景技术：
在半导体器件的生产中，或者在半导体器件被集成到电路中 时，需要形成半导体材料与一个金属导体之间的电连接。特别地， 太阳能电池的生产，需要与半导体材料的电触头连接，以移走该半 导体材料中产生的电荷栽流子。通常希望这种连接是永久可靠的， 所以这种触头连接必须与半导体材料接合在一起。另外，还希望所采用的材料具有尽可能好的导电性； 一方面希望对材料的要求尽可 能地低，另一方面希望以最小的表面面积形成具有足够高的导电率 的电供给或排放部分。现有技术中有复杂程度不同的多种电触头连接方法。如果没有 适当的金属既能够与所用的半导体材料进行良好的掩^又具有所需 的导电性，可以例如首先在半导体材料上汽相淀积一层第 一金属， 该第一金属能够充分地接合到该半导体材料上。随后，在该第一金 属上加上一层第二金属，该第二金属与第一层能够良好地接合并具 有尽可能好的导电性。借助汽相淀积的触头，可以在满足小的表面面积的要求的同时 实现高质量的触头，但由于所需的真空设备，其生产成^f艮高。另 外，在作为最常用的半导体材料的硅的情况下，形成令人满意的触 头需要稀有的、通常昂贵的材料，诸如与银结合的钛和钯，这对于量产而言是一种阻碍。另外，在很多情况下，可用的金属的范围受到这样的要求的限 制，即它们不能对半导体材料的被利用的性质造成不利的影响。因 此，在很多情况下，某些材料的使用被排除了，因为它们在随后的 热处理中太快地扩散到半导体材料体中，并在半导体材料体中形成 了例如电荷载流子的再结合中心，而这对该半导体材料所制成的器 件造成了不利的影响。另外，已知通过施加和烧结包含金属的糊等而形成与半导体材 料的连接触头。特别是在太阳能电池生产领域，为此目的而开发了 多种糊，这些糊借助诸如丝网或模版印刷技术而被加到半导体材料 上，且在通常被称为烧结或触头烧结的热处理之后，形成了与该半 导体材料的一种欧姆接触。银和/或铝在此情况下通常被用作糊中的 金属。借助这样的方法，可以比较低成本地实现半导体材料的触头连 接。然而，所要求的表面面积比较大。例如，在太阳能电池的情况 下，这会使能够用于产生电力的半导体面积减小。这不一定是需要 某种最小空间的印刷技术造成的，而在很多情况下是由于这样的事 实造成的，即借助一种印刷操作，所用的糊只能以可控的方式被施 加至一定的厚度。然而，通过多重印刷的加厚，已经需要对所用的 印刷设备(如丝网或模版)和已经被印刷过的半导体材料进行定位 和对准。另外，在各次印刷操作之间，还需要附加的热处理，以使已经 印刷上去的层稳定，而这些附加热处理会加重材料特性的恶化。例 如，这会导致杂质至半导体材料体内的扩散增加，而这种增加又会 对所产生的半导体器件的特性造成不利影响，甚至使之不能使用。发明内容因此，本发明的一个目的，是提供一种方法，借助该方法能够 实现可靠、低成本的半导体材料触头连接，且同时实现尽可能低的 表面面积要求和尽可能大的导电性。根据本发明的一种基本的方案，实现了上述目的。 根据本发明的一种进一步的实施方案，提供了用于为一种半导体器件(特别是一种硅半导体器件)的半导体材料提供触头连接的一种方法。另外，本发明的一个目的，是提供一种半导体器件，该半导体 器件包括一种半导体材料，且该半导体材料能够得到可靠且低成本 的触头连接，且其触头连接具有低的表面面积要求且同时具有高的 导电性。才艮据本发明的一种进一步的实施方案，实现了上述目的。 根据本发明的其他进一步的实施方案，实现了本发明的其他的 有利的特点。本发明的构思是，通过在一个半导体的表面的至少一部分上或 覆盖该半导体表面的 一个层的至少 一部分上施加一种包含金属的 糊，而在该半导体表面的至少一部分上形成一种电触头连接和接合 扩散阻挡层，并在该扩散阻挡层上形成一个金属层。为本发明的目 的，包含金属的糊被理解为这样的糊，即它包含至少一种纯的金属 和/或一种金属合金和/或一种金属化合物，特别是至少一种金属氧 化物。该扩散阻挡层在此起到了半导体材料与金属层之间的接合层的 作用，并阻止金属从该金属层至半导体材料中的扩散以及可能伴随 的对半导体材料的特性或半导体器件的特性的不利影响，从而能够更多地采用可大量获得的金属，虽然这些金属在所用的半导体材料 中的扩散较快。同时，包含金属的糊的采用，使得可以借助低成本 的印刷技术来施加这些糊。加到扩散阻挡层上的金属层则使得触头 连接可以获得尽可能大的导电性。以此方式，能够实现半导体材料的一种可靠、低成本的触头连 接，并同时实现低的表面面积要求和大的导电性，或实现以这样的 方式形成的一种半导体器件。
以下结合附图
对本发明进行详细描述。在附图中 图l显示了才艮据本发明的方法的一种示例性的第一实施例； 图2显示了才艮据本发明的方法的一种示例性的第二实施例； 图3以剖视图显示了根据本发明的半导体器件的一种示例性的第 一实施例；图4以剖视图显示了根据本发明的半导体器件的一种示例性的第 二实施例；图5以投影图显示了作为根据本发明的半导体器件的一种示例 性的第三实施例的一种太阳能电池。
具体实施方式
图l显示了才艮据本发明的方法的一种示例性的第一实施例。在此 方法中，首先， 一种包含金属的糊，借助一种丝网印刷技术，而被 加到10—种半导体材料的表面上。该包含金属的糊随后在一个热处 理步骤中与所述半导体材料形成合金，而这种热处理通常被称为烧 结12或触头烧结。在此过程中，来自糊的金属与所述半导体材料形 成一种欧姆接触。在以硅作为所用的半导体材料的情况下，这可形 成例如金属硅化物。另外，显而易见的是，其他基本的半导体，诸 如锗，或者化合物半导体材料，诸如砷化镓或铜铟亚盐酸(copper indium diselenide )，也可以被用作所述半导体材料。在此情况下，所述包含金属的糊及其组分被适当选择，从而使 它们起到随后施加的金属层的扩散阻挡层的作用。在硅作为所采用 的半导体材料的情况下，为此可釆用含诸如银和/或镍和/或钼和/或 钯和/或铬和/或铝的糊，也可以使所述材料在各种情况下具有合金 或化合物的形式。 一旦它们形成了合金，就形成了起扩散阻挡层的
作用的一个层，特别是对于含银和/或锡和/或铜的金属层。为此而 采用铜是特别有利的，因为铜可以大量获得，而银要稀有得多。由于所形成的扩散阻挡层，在上述例子中的所述材料可在一个随后的电淀积操作14中4皮淀积到该扩散阻挡层上，而不会有半导体 材料由于淀积的材料至半导体材料中的扩散而发生恶化的危险。在 此情况下，用于金属层和扩散阻挡层的材料必须彼此适合。然而， 用于其中硅被用作所述半导体材料的情况的上述材料，也可以被用 于半导体技术中常用的其他材料的情况。除了电淀积之外，也可采用已知的无电淀积技术或镀技术。如果淀积若干种不同的材料，还 可以采用不同的淀积技术的组合。图2显示了才艮据本发明的方法的一种进一步的示例性实施例。在 图2中，先在半导体材料的表面上淀积16作为介电层的氮化硅，然后 借助丝网印刷在该氮化硅层上施加17包含金属的糊。在此，不一定 采用丝网印刷。作为代替，也可以在所有实施例中采用施加糊的其 他技术，特别是丝网印刷、喷印印刷、巻筒印刷、镂空版印刷或模 版印刷(stamp printing)。在施加包含金属的糊之后，进行烧结步 骤12,这是从图l的示例性实施例已知的。在此之后，在扩散阻挡层上以进一步的包含金属的糊的形式施 加15图2的示例性实施例中的金属层。这也可借助印刷技术特别是丝 网印刷来进行。然而，也可以釆用施加糊的所有其他已知印刷方 法。在图2的示例性实施例中，在一个随后的步骤，该进一步的包含 金属的糊被烧结19,以排放出溶剂并形成所述扩散阻挡层与所述金 属层之间的欧姆接触。然而，还可以把烧结操作12和19结合成一个烧结步骤。在此情 况下，在把包含金属的糊丝网印刷至所述介电层(在本例中即氮化 硅层)上之后，没有烧结操作。作为代替，用于金属层的包含金属 的糊被加上。随后在一个共同的烧结步骤中，形成所述半导体材料 与所述扩散阻挡层之间以及所述扩散阻挡层与所述金属层之间的欧 姆接触。在图l的示例性实施例中，还可以想到的是，通ii拖加包含金属 的糊而形成所述金属层。如在开始时已经说过的，在此需要进行半 导体材料与用于施加糊的装置(例如一个丝网印刷i殳备的丝网)的准确对准。否则，用于金属层的进一步的包含金属的糊的一部分将 会沿着扩散阻挡层被直接施加到半导体表面上，从该表面这些包含 金属的糊会无阻挡地扩散至半导体材料体中并对其特性造成不利影 响，特别是在半导体材料的热处理中。因而，在^f艮多情况下，有利 的作法是不在整个扩散阻挡层上施加金属层，而是使金属层的表面 区域比扩散阻挡层的表面区域小。结果，对于优化施加的金属层， 扩散阻挡层从金属层下伸出。此时有一个容差范围，它即使在金属 层在扩散阻挡层上的定位具有有限的不精确性的情况下，也防止了 糊与半导体材料的表面的直接接触。如果先在半导体区域上施加一个介电层，如图2的示例性实施例 的情况，金属层的不精确对准，或伸出扩散阻挡层之外的金属层， 是不严重的，因为它并不与半导体材料的表面直接接触而是与介电 层直接接触，而介电层阻止了杂质向半导体材料中的扩散。这在图4 所示意显示的示例性实施例中得到了表示，并在以下结合根据本发 明的一种半导体器件得到了进一步的详细描述，该半导体器件的金 属层34伸出至扩散阻挡层32的表面区域范围之外并部分地覆盖了相 邻的介电层31。所描述的金属层的配置，也可被用于借助至少部分地伸出到扩 散阻挡层的范围之外的金属层，通过增大导电横截面积，而增大扩 散阻挡层与金属层所形成的触头连接中的导电性。根据本发明的所述方法和所述的示例性实施例，能够被有利地 用于太阳能电池的触头连接，特别是其对着光的面。另外，它们还 能够被用于其中半导体材料需要以导电的方式得到触头连接的所有 情况。图3以剖视图示意显示了才艮据本发明的一种半导体器件的一个示 例性的第一实施例，该半导体器件具有半导体材料20的导电触头连 接。在该半导体材料20的表面上，设置有一个扩散阻挡层22,而在 扩散阻挡层22上设置有一个金属层24。扩散阻挡层22因而提供了半 导体材料20与金属层24之间的导电接触。另外，扩散阻挡层22是借 助施加并烧结到半导体表面的至少一部分上的一种包含金属的糊而 形成的。在图3的示例性实施例中，金属层24，可通过例如电淀积金属或 金属合金(特别是银或铜)，而形成。该半导体器件可借助例如示例性实施例l的方法而被制备出来。图4显示了根据本发明的半导体器件的一个进一步的示例性实施 例。与图3的示例性实施例相比，在此一个介电层31与一个扩散阻挡 层32相邻地设置。扩散阻挡层32和介电层31被设置在半导体材料30 的表面上。如已经结合才艮据本发明的方法所描述的，在此可釆用任 何基本的半导体或化合物半导体。一个金属层34被设置在扩散阻挡层32上。在图4的示例性实施例 中，该金属层延伸至扩散阻挡层32的表面区域之外且至少部分地覆 盖了相邻的介电层31。如已经从图2结合根据本发明的方法的示例性 实施例所描述的，这是有利的，特别是当金属层是以包含金属的糊 的形式被施加的时候，因为对准误差或容差不会导致糊到达半导体
材料的表面上并从该表面扩散至半导体材料体中。金属层34因而优 选地是从包含金属且烧结的糊形成。其中金属层以与图4的示例性实施例对应的方式部分地覆盖了 介电层的一种半导体器件，也可借助形成金属层的其他方式实现。 例如，它可借助电淀积或借助无电淀积或涂覆技术而施加。也可采 用不同的淀积技术的结合。图3和4的才艮据本发明的半导体器件的示例性实施例， 一方面可 被认为是金属-半导体接触意义下的半导体器件，另 一方面也可被认 为是其他其中半导体材料具有相应形式的电触头的已知的具体半导 体器件如二极管、晶体管、闸流晶体管、微处理器、检测器、微开关、太阳能电池、探测器等等。图5示意显示了作为一种半导体器件的一个太阳能电池40,其正 面金属层的指形部62是根据本发明而形成，且在该太阳能电池的第 一介电层56和第二介电层58被认为是图4意义下的介电层31的情况 下，则图4表明了太阳能电池40的细节。图5中的太阳能电池4 O是以p掺杂半导体材料5 0作为起始材料的 一个p型太阳能电池，特别是以p掺杂的硅作为起始材料。然而，根 据本发明的触头连接也可以以相同的方式被用于n型太阳能电池或n掺杂的半导体材料。正面金属层的指形部62是根据本发明而形成的并具有一个扩散 阻挡层52;扩散阻挡层52是由包含金属和烧结的糊形成的。在本例 中通过电淀积一种金属(优选地是银或铜)而形成的一个金属层 54,净皮加到扩散阻挡层52上。然而，如上所述，金属层54也可以以 某些其他的方式被施加。在太阳能电池40的上側，以一种已知的方式形成了一个n掺杂发 射极60。该发射极对来自金属层的杂质的进入特别敏感，因为这一 方面会造成经过发射极60的、可使太阳能电池短路的导电连接且极 大地降低太阳能电池40的转换效率，另一方面这样的杂质会构成在 半导体材料50体内产生的电荷载流子的再结合中心，而导致所产生 的电力的减小。杂质(特别是金属)从金属层所采用的半导体材料 50中扩散得越快，这些不利效果的危险就越大，这在太阳能电池40 生产中的热处理中是特别重要的。然而，根据本发明，从金属层54至太阳能电池40的半导体材料 体中的杂质扩散受到了所加的扩散阻挡层52的阻挡甚至阻止。结 果，通常的金属如铜和/或镍或这些材料的合金可被用于例如硅太阳 能电池40的金属层54,而不会在太阳能电池40的随后的热处理中产 生不利影响。在图5的示例性实施例中，在太阳能电池的背面，提供了一个背
表面区68，该背表面区是通过比半导体材料体更强的p掺杂(在n型 太阳能电池的情况下则是更强的n掺杂)而形成的。该背表面区68减 小了所产生的电荷栽流子的再结合，从而提高了太阳能电池40的转 换效率。从原理上讲，可以不设置全区域的背表面区，或者只局部 地提供背表面区。太阳能电池的背面的触头连接，即半导体材料50体的触头连 接，是利用背面触头66而实现的，在相应的情况下是通过图5中显示 的背表面区68而实现的。在图5的示例性实施例中，太阳能电池40的 背面触头不是才艮据本发明而形成的。在此，在半导体材料50与背面 触头66的金属层之间没有提供扩散阻挡层。因此，必须釆用适合的 材料，且生产中在施加了背面触头之后对太阳能电池40的热处理必 须在尽可能低的温度下进行。然而，在原理上，背面触头66能够根 据本发明而方便地被提供有一个扩散阻挡层。在所生产的太阳能电池，由于制作的原因，而在背面金属层施 加之后被暴露于高温的情况下，上述设置是有利的。已经证明，正面金属层的指形部62的宽度在10至100nm的范围 是有利的。优选地，该宽度处于30至70ium的范围，且最优选地是30 jam。以此方式，相对于电力产生而实现了对太阳能电池40的工作表 面的最小遮挡。在此情况下，使电流得到优化引出的指形部62的导 电性，是通过对具有尽可能好的导电性的金属层54的材料的选择和 对指形部62的相应横截面的选择，而得到保证的。当指形部宽度减 小时，所需的指形部横截面是由金属层54沿着与太阳能电池40的表 面垂直的方向的更大厚度来补偿的，因而是由增大的指形部厚度补 偿的。在图5的示例性实施例中，为了进一步提高太阳能电池40的效 率，太阳能电池40上还设置有位于其正面上的一种表面紋理64。这 可用已知的方式机械或化学地施加。这表明，才艮据本发明的半导体 器件特别是太阳能电池的形式，以及根据本发明的方法的使用，不 限于具有平整半导体表面的半导体器件。相反地，也可为相对不平 整的半导体表面提供根据本发明的电接触，这对于采用不具有平整表面的新颖材料(诸如薄膜型珪(Foliensiliziumart ))的太阳能 电池的情况是特别有利的。这是通过根据本发明，通过施加包含金 属的糊而形成扩散阻挡层，而得到实现的，这种实现方式能够对半 导体材料的表面不规则性具有比较大的容差。附图标记IO在半导体表面上丝网印刷包含金属的糊，以形成扩散阻挡层 12烧结14在扩散阻挡层上电淀积一个金属层15把包含金属的糊形式的金属层加到扩散阻挡层上16在半导体表面上淀积氮化硅17在氮化硅层上丝网印刷包含金属的糊，以形成一个扩散阻挡层19烧结20半导体材料 22扩散阻挡层 24金属层30半导体材料 31介电层 32扩散阻挡层 34金属层40太阳能电池50半导体材料(p掺杂)52扩散阻挡层54金属层56氧化硅的第一介电层58氮化硅的第二介电层60发射极(n+掺杂)62正面金属层的指形部64表面紋理66背面触头68背表面区(p+掺杂)
权利要求
1. 半导体材料(20；30)的触头连接方法，包括以下步骤在一个半导体(20；30；50)的表面的至少一部分上形成一个电触头连接和接合扩散阻挡层(22；32；52)；在所述扩散阻挡层上形成(14；15，19)一个金属层，其特征在于，为了形成所述扩散阻挡层(22；32；52)在所述半导体(20；30；50)的表面的至少一部分上或在覆盖所述半导体表面的一个层(31)的至少一部分上施加(10)一种包含金属的糊。
2. 根据权利要求l的方法，其特征在于所述包含金属的糊借助一 种印刷技术而得到施加(10),该印刷技术优选地是丝网印刷、喷 印印刷、巻筒印刷、镂空版印刷或才莫版印刷。
3. 根据权利要求1或2的方法，其特征在于在施加所述糊之后直 接或间接地进行触头烧结(12)，该烧结优选地是在300。 C至900。 C范围的温度下进行，且更优选地是在500。 C至900。 C范围的温度下 进行。
4. 根据权利要求1至3中的任何一项的方法，其特征在于在所述 半导体表面的至少一部分上设置了至少一个介电层(31),作为覆 盖所述半导体表面的层(31)。
5. 根据权利要求4的方法，其特征在于淀积了 一个氧化或氮化物 层，优选地是氧化硅或氮化硅层，作为所述介电层(31)。
6. 根据权利要求1至5中的任何一项的方法，其特征在于所述包 含金属的糊包含银和/或镍和/或钼和/或钯和/或铬和/或铝和/或具 有这些元素之一的合金和/或这些元素之一的化合物。
7. 根据权利要求1至6中的任何一项的方法，其特征在于所述金 属层(34 )是通过在所述扩散阻挡层(32 )上覆盖印刷(15 ) —种 第二包含金属的糊(34)而形成在所述扩散阻挡层(32)上的，该 第二包含金属的糊(34)优选地是包含银和/或铝和/或铜的糊，这 种覆盖印刷优选地是借助丝网印刷、喷印印刷、巻筒印刷、镂空版 印刷或模版印刷而进行的。
8. 根据权利要求1至6中的任何一项的方法，其特征在于所述金 属层(24)是通过电淀积(14)或无电淀积至少一种金属或至少一 种金属合金而形成在所述扩散阻挡层(22)上的，所述金属合金优 选地是银或铜的合金。
9. 根据权利要求1至8中的任何一项的方法，其特征在于所述金属层(34)被以这样的方式施加到所述扩散阻挡层(32)上，即所 述金属层(34 )延伸至所述扩散阻挡层(32 )之外并覆盖了与扩散 阻挡层(32)相邻且至少部分地覆盖了半导体表面(30)的一个层(31) 的至少一部分，该层(31)优选地是一个介电层(31)。
10. 根据权利要求1至9中的任何一项的方法在一种半导体器件 (40)特别是一种硅半导体器件(40)的半导体材料(20; 30;50)的触头连接上的使用。
11. 根据权利要求10的使用，其特征在于所述方法被用于一种太 阳能电池(40)特别是一种太阳能电池(40)的正和背面的触头连 接。
12. —种半导体器件，包括一个扩散阻挡层(22; 32; 52)，它被设置在所述半导体的表 面上并提供了半导体材料(20; 30; 50)与一个金属层(24; 34; 54)之间的电连接；加到所述扩散阻挡层(22; 32; 52 )上的一个金属层(24; 34; 54);其特征在于所述扩散阻挡层(22; 32; 52)是由施加到半导体 表面的至少一部分上并被烧结的一种包含金属的糊(22; 32、 52) 形成的。
13. 根据权利要求12的半导体器件，其特征在于所述包含金属的 糊(22; 32; 52 )是借助一种印刷技术施加的，优选地是借助丝网 印刷、喷印印刷、巻筒印刷、镂空版印刷或模版印刷施加的。
14. 根据权利要求12或13的半导体器件，其特征在于所述扩散阻 挡层(22; 32; 52)包括银和^L的化合物和半导体材料(20; 30; 50)和/或镍和镍的化合物和半导体材料(20; 30; 50)和/或钯和 钯的化合物和半导体材料(20; 30; 50)和/或钼和钼的化合物和半 导体材料(20; 30; 50 )和/或铬和铬的化合物和半导体材料(20; 30; 50)和/或铝和铝的化合物和半导体材料(20; 30; 50)和/或 上述元素之一的合金和该合金的化合物和半导体材料(20; 30;50)。
15. 根据权利要求l2至14中的任何一项的半导体器件，其特征在 于设置在所述半导体表面上的至少一个介电层(31)至少部分地与 所述扩散阻挡层(32)相邻，并优选地围绕所述扩散阻挡层(32) 。
16. 根据权利要求15的半导体器件，其特征在于所述介电层 (31)是以氧化物或氮化物层的形式形成的，优选地是以氧化硅或氮化硅层的形式形成的。
17. 根据权利要求15或16的半导体器件，其特征在于金属层(34)覆盖了与所述扩散阻挡层(32)相邻的介电层(31)的至少 一部分。
18. 根据权利要求12至17中的任何一项的半导体器件，其特征在 于金属层(34)是由包含金属且烧结的糊形成的，该糊优选地包含 4艮和/或铝和/或铜。
19. 根据权利要求12至17中的任何一项的半导体器件，其特征在 于至少一种金属或金属合金作为金属层(24; 54)而被施加，该至 少 一种金属优选地是银或铜。
20. 根据权利要求12至19中的任何一项的半导体器件，其特征在 于所述半导体器件被制成太阳能电池(40)的形式。
21. 根据权利要求20的太阳能电池，其特征在于所述太阳能电池 (40)的正面金属层的指形部(62)至少部分地由扩散阻挡层 (52)和施加在所述扩散阻挡层(52)上的金属层(54)所形成。
22. 才艮据权利要求20或21的太阳能电池，其特征在于所述太阳能 电池(40)的背面触头(66)至少部分地由扩散阻挡层和施加在其 上的金属层所形成。
23. 根据权利要求20至22中的任何一项的太阳能电池，其特征在 于正面金属层的指形部(62)具有10和100pm之间的宽度，优选地 是30与70 n m之间的宽度且更优选地是30 |i m的宽度.
全文摘要
半导体材料(20；30)的触头制作方法，包括在半导体(20；30；50)表面的至少一部分上形成(10、12)有助于电接触和附着的扩散阻挡层(22；32；52)，以及，在扩散阻挡层上形成(14；15、19)金属层，其中为了形成扩散阻挡层而在半导体表面的至少一部分上或者在覆盖半导体表面的一个层(31)的至少一个部分上施加(10)含有金属的糊。还涉及半导体元件，其包括扩散阻挡层(22；32；52)，其被设在半导体表面内并有助于半导体材料(20；30；50)和金属层(24；34；54)之间的电接触；以及，被加到扩散阻挡层上的金属层(24；34；54)，其中，扩散阻挡层是通过被施加在半导体表面的至少一部分上并被烧结的含有金属的糊形成的。
文档编号H01L31/0224GK101401214SQ200780009013
公开日2009年4月1日 申请日期2007年2月26日 优先权日2006年3月21日
发明者彼得·法斯, 艾哈尔·米尔因克 申请人:Gp太阳能有限公司