专利名称：：用于光刻胶的剥离剂组合物的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种光刻胶剥离剂组合物。本申请要求于2006年5月26日在KIPO提交的第10-2006-0047668号韩国专利申请的优先权，以引用方式将其全部内容并入本申请。
背景技术：
：制备半导体集成电路或液晶显示器的精细电路的方法包括在形成于基板上的由铝、铝合金、铜或铜合金制成的导电金属膜上或者在如二氧化硅膜或氮化硅膜的绝缘膜上均匀地涂覆光刻胶，选择性地对光刻胶曝光并使其显影以形成光刻胶图案，通过采用图案化的光刻胶膜作为掩膜对导电金属膜或绝缘膜进行湿法蚀刻或干法蚀刻以将精细电路图案转移到光刻胶的下层，并且采用剥离剂除去不需要的光刻胶层。当使用剥离剂除去用于制备半导体器件和液晶显示器的光刻胶时，需要考虑下列性能。需要能在短时间内在低温下剥离光刻胶，并且需要极佳的剥离能力从而防止冲洗后光刻胶的剩余物质残留在基板上。此外，需要低的腐蚀性以防止对光刻胶下层的金属膜或绝缘膜的破坏。如果构成剥离剂的溶剂间发生相互作用，该剥离剂的储存稳定性可能会下降并且其物理性能可能会根据制备剥离剂过程中的混合顺序而改变。因此，需要彼此混合时彼此间不反应的溶剂同时即使在高温下也确保稳定性。此外，就毒性而言，当考虑到废物处理时，剥离剂应该对操作者无害并且是环保的。当在高温下进行光刻胶的剥离时，如果出现大量的挥发，则组分的比例迅速改变，降低了剥离剂的稳定性和操作的重复性。因此，应该使剥离剂的挥发性最小化。此外，应该采用少量的剥离剂来处理多种基板，应该以低成本容易地供给构成剥离剂的组分，并且应该重复利用过量的剥离剂以确保经济效率。为了满足上述要求，已经开发出了多种类型的用于光刻胶的剥离剂组合物，其实例如下所述。在JP-A-51-72503中公开了最开始开发的光刻胶剥离剂组合物的实例，其中，该剥离剂组合物含有具有10-20个碳原子的烷基苯磺酸和沸点为150'C或更高的非卣化芳香烃。JP-A-57-844567>开了含有二曱亚砜或二乙基亚砜以及有机砜化合物的剥离剂组合物。此外，第4,256,294号美国专利公开了含有烷基芳基磺酸、具有6~9个碳原子的亲水芳香磺酸和沸点为150'C或更高的非卣化芳香烃的剥离剂组合物。然而，上述组合物由于对由铝、铝合金、铜或铜合金制成的导电金属膜的强腐蚀性、强毒性和环境污染而难以应用。为了避免上述问题，考虑到了包含多种类型的有机溶剂的剥离剂组合物，该有机溶剂含有彼此混合的水溶性链烷醇胺作为必需组分，该剥离剂组合物的实例如下所述。第4,617,251号美国专利公开了基于两种组分的剥离剂组合物，其包含如单乙醇胺(MEA)和2-(2-氨基乙氧基)-l-乙醇(AEE)的有机胺化合物以及如二曱基曱酰胺(DMF)、二曱基乙酰胺(DMAc)、N-曱基吡咯烷二酮(NMP)、二曱亚砜(DMSO)、二甘醇一乙醚乙酸酯和丙二醇单曱醚乙酸酯(PGMEA)的极性溶剂。第4,770,713号美国专利公开了基于两种组分的剥离剂组合物，其包含有机胺化合物以及如N-曱基乙酰胺、二甲基甲酰胺(DMF)、二曱基乙酰胺(DMAc)、N-曱基-N-乙基丙酰胺、二乙基乙酰胺(DEAc)、二丙基乙酰胺(DPAc)、N,N-二曱基丙酰胺和N,N-二曱基丁酰胺的酰胺溶剂。JP-A-62-49355公开了含有亚烷基聚胺砜化合物(alkylenepolyaminesulfonecompound)的剥离剂组合物，其中提供了为链烷醇胺和乙二胺和乙二醇一烷基醚(glycolmonoalkylether)的环氧乙烷。JP-A-63-208043公开了含有水溶性链烷醇胺和1,3-二曱基-2-咪唑啉酮(DMI)的剥离剂组合物。JP-A-63-231343公开了正型光刻胶剥离剂组合物，其含有胺化合物、极性溶剂和表面活性剂。JP-A-64-42653公开了一种剥离剂组合物，其含有50wt。/。或更多的二甲亚砜(DMSO),1~50wt。/。的选自二甘醇一烷基醚、二甘醇二烷基醚、Y-丁内酯和1,3-二曱基-2-咪唑啉酮(DMI)中的一种或多种溶剂，以及如单乙醇胺(MEA)的含氮有机羟基化合物。JP-A-4-124668公开了一种剥离剂组合物，其含有20~90wt。/。的有机胺，0.1~20wt。/。的磷酸酯表面活性剂，0.1~20wt。/。的2-丁炔-l,4-二醇、二甘醇二烷基醚和无质子极性溶剂。就此而言，加入2-丁炔-l,4-二醇和磷酸酯表面活性剂是为了在不降低剥离能力的同时防止金属层被腐蚀。然而，由于该用于剥离光刻胶的组合物对铝和铝合金膜具有差的緩蚀强度，其问题在于在剥离步骤中出现明显的腐蚀并且在为后处理的沉积栅极绝缘膜的过程中形成有缺陷的部分。此外，JP-A-4-350660公开了一种剥离剂组合物，其含有1,3-二甲基-2-咪唑啉酮(DMI)、二曱亚砜(DMSO)和水溶性有机胺，并且JP-A-5-281753公开了一种剥离剂组合物，其含有链烷醇胺、S风化合物或亚^l化合物和(C6H6)n(OH)"n为1、2或3的整数)的羟基化合物。JP-A-8-87118公开了一种剥离剂组合物，其含有5090wt。/。的N-烷基链烷醇胺和50~10wt。/o的二曱亚砜(DMSO)或二曱基曱酰胺(DMF)。然而，在制备液晶显示器和半导体器件的新近方法中，由于加工条件极端，例如在12(TC或更高的高温下处理玻璃基板和硅晶片基板，光刻胶经常要在高温下经受后烘(postbake)。因此，其问题在于由于明显的固化，通过采用上述剥离剂組合物来进行去除并不理想。提出了将含有水和/或羟基胺化合物的光刻胶剥离剂组合物作为用于彻底除去通过采用高温步骤固化的光刻胶的组合物。例如，JP-A-4-289866公开了含有羟基胺、链烷醇胺和水的剥离剂组合物。JP-A-6-266119公开了含有羟基胺、链烷醇胺、水和緩蚀剂的剥离剂组合物。此外，JP-A-7-69618公开了一种剥离剂组合物，其包含按预定比例的如，丁内酯(GBL)、二曱基曱酰胺(DMF)、二曱基乙酰胺(DMAc)和N-曱基吡咯烷二酮(NMP)的极性无质子溶剂，含有2-曱基氨基乙醇(N-MAE)的氨基醇以及水。此外，JP-A-8-123043公开了含有氨基醇、水和如二甘醇一丁醚(BDG)的乙二醇烷基醚的剥离剂组合物。JP-A-8-262746公开了含有链烷醇胺、烷氧基烷基胺、乙二醇一烷基醚、糖化合物、季铵碱和水的剥离剂组合物，并且JP-A-9-152721公开了含有链烷醇胺、羟基胺、二甘醇一烷基醚、用作緩蚀剂的如山梨糖醇的糖化合物和水的剥离剂组合物。JP-A-9-96911公开了一种剥离剂组合物，其含有羟基胺、水、酸解离常数(pKa)为7.5-13的胺、水溶性极性有机溶剂和緩蚀剂。然而，由于超高温处理、干法蚀刻、灰化和离子注入步骤而使上述剥离剂组合物劣化。就对交联的光刻胶膜以及在蚀刻步骤中通过与金属副产物反应形成的光刻胶蚀刻残留物的剥离能力，以及对为光刻胶的下部导电膜的铝或铝合金膜的緩蚀能力而言，上述剥离剂组合物是不理想的。此外，存在羟基胺化合物在高温下不稳定经过一段时候后分解的问题。上述剥离剂组合物根据组分以及与光刻胶的剥离性能、对金属的腐蚀性、剥离后沖洗步骤的类型、操作的重复性、储存稳定性和经济效率相关的组分的比例而相互之间明显不同，并且仍需要开发一种低成本的在多种类型的加工条件下具有最佳性能的剥离剂组合物。同时，液晶显示器的尺寸已经增大了，并且液晶显示器是大规模生产的。因此，通常采用单晶片处理装置进行光刻胶的剥离，其中，一次处理一个晶片而不是使用大量的剥离剂的浸渍法，并使用对该装置有用的剥离剂组合物。例如，公开号为2000-8103的韩国专利特许公开公开了一种剥离剂组合物，其含有5-15wt。/。的链烷醇胺，35~55wt。/。的亚砜或砜化合物以及35~55wt。/。的乙二醇醚。公开号为2000-8553的韩国专利特许公开公开了一种剥离剂组合物，其含有10~30wt。/。的水溶性胺化合物以及70~90wt。/。的二甘醇一烷基醚和N-烷基吡咯烷二酮或羟基烷基吡咯烷二酮。然而，上述组合物的缺点在于尽管对金属的腐蚀性低但在低温下剥离能力差。而且，在剥离步骤中，将光刻胶涂覆在整个表面并形成所需图案后，于其上沉积金属膜或如二氧化硅膜或氮化硅膜的绝缘膜，接着除去光刻胶。因此，其优点在于省去了用于对薄膜进行图案化的蚀刻步骤。然而，由于不是对全部光刻胶曝光，因此需要长时间来进行对光刻胶的剥离步骤。此外，上述所有组合物的缺点在于在剥离过程中对光刻胶的剥离时间为10分钟或更长并且在涂覆该组合物的铝或铜线路处出现腐蚀
发明内容技术问题本发明人对能够在短时间内剥离光刻胶并且在剥离步骤以及剥离光刻胶的已知步骤中对金属膜或绝缘膜具有低腐蚀性的光刻胶剥离剂组合物进行了研究，结果发现含有预定比例的水溶性有机胺化合物12和緩蚀剂的光刻胶剥离剂组合物在剥离步骤过程中能够在短时间内在低温下彻底剥离由于过度光刻处理造成的变性的光刻胶膜，即使仅采用水而非异丙醇为中间沖洗溶液进行清洗也不会破坏光刻胶下部的导电膜和绝缘膜，并且具有对在光刻胶下部的导电金属膜或绝缘膜的极佳的緩蚀能力，从而完成了本发明。因此，本发明的一个目的为提供一种光刻胶剥离剂组合物，其具有对光刻胶极佳的剥离能力以及对导电膜和绝缘膜高度的防破坏能力或緩蚀能力。本发明的另一个目的为提供一种通过采用光刻胶剥离剂组合物来剥离光刻胶的方法。本发明的另一个目的为提供一种制备液晶显示器或半导体器件的方法，该方法包4舌剥离光刻月交的方法。技术方案本发明提供了一种用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物。该光刻胶剥离剂组合物包含l)緩蚀剂，其包括选自由化学式l、2和3表示的化合物组成的组中的至少一种；2)水溶性有机胺化合物，其重量为所述緩蚀剂重量的2~50倍；以及3)极性溶剂[化学式1]其中，R1和R2彼此相同或不同，并且各自独立地为氢或羟基，以及R3为氢、叔丁基、羧酸基(-COOH)、曱酉旨基(-COOCH3)、乙酯基(-COOC2Hs)或丙酉旨基(画COOC3H7)，[化学式2]yW、、R4~~~,N、(、W其中，R4为氢或含有1-4个碳原子的烷基，以及R5和R6彼此相同或不同，并且各自独立地为含有1~4个碳原子的羟烷基，此外，根据本发明的剥离剂组合物可进一步包含水溶性非离子表面活性剂。而且，根据本发明的光刻胶剥离剂组合物可进一步包含非极性溶有益效果在剥离步骤以及已知的剥离光刻胶的步骤中，根据本发明的光刻胶剥离剂组合物能够在短时间内在低温下彻底剥离由于过度的光刻处理造成的变性的光刻胶膜，即使不使用为中间冲洗溶液的异丙醇也不会破坏光刻胶下部的由铝或铝合金制成的导电膜和绝缘膜，其对在光刻胶下部的如铜或铜合金膜的导电金属膜或绝缘膜具有极佳的緩蚀能力，并且无论光刻胶处理的类型都可将其涂覆在含铝、铜或者铝和铜的基板上。图1为显示剥离液晶显示器的光刻胶的步骤的剖视图。14图2为显示采用剥离工艺剥离光刻胶的步骤的剖视图。具体实施例方式下文中将详细描述构成根据本发明的光刻胶剥离剂组合物的组分。在根据本发明的光刻胶剥离剂组合物中，优选将不破坏光刻胶下层的导电金属膜或绝缘膜的化合物用作緩蚀剂1)。即使仅采用水而非异丙醇为中间冲洗溶液进行冲洗，本发明的緩蚀剂也防止了如铝或铝合金膜的导电膜或者绝缘膜被腐蚀。通常，当仅采用水而非异丙醇为中间冲洗溶液进行冲洗时，剥离剂中的胺成分与水混合产生具有强腐蚀性的碱的氢氧离子，因此促使金属被腐蚀。然而，在本发明中，即使在碱性环境中緩蚀剂也被用于与铝形成配合物，这样该配合物吸附在铝的表面形成保护膜，从而防止由氢氧离子造成的腐蚀。在根据本发明的光刻胶剥离剂组合物中，与被广泛用作已知的铜膜的緩蚀剂的苯并三唑和曱苯基三唑相比，由化学式l、2或3表示的緩蚀剂具有显著提高的緩蚀能力。因此，即使仅加入少量的緩蚀剂，光刻胶下层的如铜或铜合金膜的导电膜也不会腐蚀并且所述緩蚀剂对于除去固化的光刻胶的剩余物质非常有效。由化学式l、2或3表示的緩蚀剂的緩蚀机理如下所述。对由化学式1表示的緩蚀剂而言，通过采用碱性溶液使直接加到苯环上的羟基与铝吸附在一起来控制对金属的腐蚀。对由化学式2或3表示的緩蚀剂而言，三唑环富含的氮原子的未共享电子对与铜电子结合(electronicallybonded)来控制乂十金属的腐蚀。在根据本发明的光刻胶剥离剂组合物中，所述緩蚀剂可为由化学式1表示的化合物与由化学式2或3表示的化合物的混合物。在根据本发明的光刻胶剥离剂组合物中，基于所述组合物的总重量，所述緩蚀剂的含量优选为0.01~5wt。/。并且更优选为0.1~1wt%。如果緩蚀剂的含量低于0.01wt%，当要进行剥离的基板与剥离剂长时间接触后，金属线路可能被部分腐蚀。当其含量大于5wto/。时，粘度会增加而降低了剥离能力，并且由于组合物的价格增加，其性价比就不令人满意。在根据本发明的光刻胶剥离剂组合物中，水溶性有才几胺化合物2)优选为选自由伯氨基醇化合物、仲氨基醇化合物和叔氨基醇化合物组成的组中的至少一种。所述氨基醇化合物优选为选自由单乙醇胺(MEA)、1-氨基异丙醇(AIP)、2-氨基-l-丙醇、N-甲基氨基乙醇(N-MAE)、3-氨基-l-丙醇、4-氨基-l-丁醇、2-(2-氨基乙氧基)-l-乙醇(AEE)、2-(2-氨基乙基氨基)-l-乙醇、二乙醇胺(DEA)、三乙醇胺(TEA)和羟乙基哌。秦(HEP)组成的组中的至少一种。考虑到剥离能力、緩蚀能力和经济效率，更优选使用2-(2-氨基乙氧基)-l-乙醇(AEE)。水溶性有机胺化合物的含量可为緩蚀剂含量的2~50倍，并且基于所述组合物的总重量，优选为1~60wt。/。且更优选为3~30wt%。如果水溶性有机胺化合物的含量低于lwt。/。，对变性的光刻胶的剥离能力不理想。如果其含量超过60wt%，由于粘度增加减少了剥离工艺中、渗入到光刻胶中的量，因此增加了剥离时间。此外，增加了不希望出现的对光刻胶下层的导电金属膜的腐蚀。在根据本发明的光刻胶剥离剂组合物中，当緩蚀剂l)为两种或更多种组分的混合物时，水溶性有机胺化合物2)优选为伯氨基醇化合物，并且更优选为2-(2-氨基乙氧基)-l-乙醇(AEE)。在根据本发明的光刻胶剥离剂组合物中，极性溶剂3)对水非常相容且为有机化合物并起到溶解光刻胶的溶剂的作用。此外，极性溶剂降低了剥离剂的表面张力从而改善了对光刻胶膜的湿润性能。所述极性溶剂优选具有lcP或更低的粘度以及150。C或更高的沸点。所述极性溶剂的具体实例包括N-曱基吡咯烷酮(NMP)、1,3-二曱基-2-咪唑啉酮(DMI)、二曱亚砜(DMSO)、二曱基乙酰胺(DMAc)、二甲基曱酰胺(DMF)、N-曱基曱酰胺(NMF)、环丁砜或其混合物。基于所述组合物的总重量，所述极性溶剂的含量优选为1~95wt%,更优选为35~95wt%，并且最优选为50~95wt%。如果极性无质子溶剂的含量为lwt。/。或更低，则剥离剂的粘度增力口，这降低了剥离剂的剥离能力。因此，优选尽可能多地增加极性溶剂的重量。此外，根据本发明的光刻胶剥离剂组合物可进一步包含水溶性非离子表面活性剂。而且，根据本发明的光刻胶剥离剂组合物可进一步包含非极性溶剂。所述非极性溶剂的实例可包括BDG(丁基二甘醇)、EDG(乙基二甘醇)、MDG(曱基二甘醇)、TEG(三甘醇)和DEM(二甘醇一乙醚)。基于所述组合物的总重量，所述非极性溶剂的含量优选为0~40wt%。优选尽可能低地设定非极性溶剂的含量。当非极性溶剂的量增加时，剥离能力降低产生杂质，并且随着处理的光刻胶的增加产率不利地减少。根据本发明的光刻胶剥离剂组合物不破坏光刻胶下部的导电膜和绝缘膜并且具有对光刻胶下部的导电金属膜或绝缘膜极佳的緩蚀能力。所述导电金属膜或绝缘膜可为含铝、铜或其合金的单膜或者具有两层或更多层的多层膜，或者为含铝、铜或其合金和钕、钼或其合金的单膜或者具有两层或更多层的多层膜。通常，在制备半导体器件和液晶显示器的过程中，进行一次或多次光刻胶处理。此外，在基板上形成的导电金属膜或绝缘膜可为含铝和/或铜的单膜或者具有两层或更多层的多层膜。在相关^^支术中，在光刻胶处理过程中将不同的光刻胶剥离剂用于其上形成含铝的导电金属的导电金属膜或绝缘膜的基板上。然而，根据本发明的光刻胶剥离剂组合物对其上形成含铝、铜或者铝和铜的导电金属膜或者绝缘膜的基板具有极佳的剥离和緩蚀能力。换言之，根据本发明的多用途光刻胶剥离剂组合物含有预定比例的水溶性有机胺化合物和緩蚀剂，从而能将其用于任何含铝和/或铜的基板上。此外，本发明提供了一种从含铝、铜或者铝和铜的基板上剥离光刻胶的方法。所述方法包括l)将光刻胶涂覆在形成于基板上的导电金属膜或绝缘膜上，2)在该基板上形成光刻胶图案，3)采用图案化的光刻胶膜作为掩膜来蚀刻导电金属膜或绝缘膜，以及4)采用根据本发明的光刻胶剥离剂组合物剥离光刻胶层。另外，本发明提供了一种从含铝、铜或者铝和铜的基板上剥离光刻胶的方法。所述方法包括l)在整个基板表面涂覆光刻胶，2)在基板上形成光刻胶图案，3)在图案化的基板上沉积导电金属膜或绝缘膜，以及4)采用根据本发明的光刻胶剥离剂组合物剥离光刻胶。在剥离光刻胶的方法中，导电金属膜或绝缘膜可为含铝、铜或其合金的单膜或者具有两层或更多层的多层膜，或者为含铝、铜或其合金和钕、钼或其合金的单膜或者具有两层或更多层的多层膜。具体而言，优选Al-Nd/Mo双层膜或Cu/MoX。18在采用根据本发明的光刻胶剥离剂组合物从其上形成精细电路图案的基板上剥离光刻胶的方法中，既可以使用浸渍法也可以使用单晶片处理法，在浸渍法中将要进行剥离的基板同时浸入大量剥离剂中，而在单晶片处理法中将剥离剂逐一喷洒在基板上以除去光刻胶。采用根据本发明的光刻胶剥离剂组合物能剥离的光刻胶的实例包括正型光刻胶、负型光刻胶和正/负双型的光刻胶。能用的光刻胶的实例包括含有光敏化合物的光刻胶，该光敏化合物含有基于酚醛清;黍的盼树月旨(novolacbasedphenolresin)和重氛茶職(diazonaphthoquinone)，但不限制其组分。此外，本发明提供了一种制备液晶显示器或半导体器件的方法。该方法包括剥离光刻胶的方法。当采用根据本发明的制备方法制备液晶显示器和半导体器件时，当光刻胶被剥离时，具有精细图案的基板既未被腐蚀也未被破坏，并且残留的光刻胶的量少。本发明提供了一种光刻胶剥离剂组合物，其能够在短时间内在高温和低温下容易地除去在光刻工艺过程中变性的光刻胶膜，即使仅采用水而非异丙醇为中间沖洗溶液进行冲洗，其也不腐蚀光刻胶下部的由铝、铝合金、铜或铜合金制成的导电膜和绝缘膜。尤其是，在本发明中，在剥离光刻胶的剥离工艺中能够在短时间内在低温下彻底剥离由于过度光刻工艺造成的变性的光刻胶膜。实施例参照下述为解释说明而列出的实施例可以更好地理解本发明，4旦这些实施例不是为了限制本发明。在下列实施例和比较实施例中，除非特别指明，组合物的组分比例为重量比。<实施例1~33>使用在下表1中描述的组分和构成比例，在常温下搅拌2小时并过滤得到的物质以获得大小为O.lpm的颗粒。从而，制得剥离剂溶液。<比较实施例1~6>采用如下表1中描述的组分和构成比例使用与实施例1相同的步骤制备剥离剂溶液。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>※AEE:2-(2-氨基乙氧基)-l-乙醇，NMF:N-曱基曱酰胺，NMP:N-曱基吡咯烷酮,DMAc:二甲基乙酰胺，MEA:单乙醇胺，NMAE:N-甲基氨基乙醇,BDG:二甘醇一丁醚，EDG:二甘醇一乙醚，MDG:曱基二甘醇，Cl:下化学式5的化合物:[化学式5]<试验实施例>评价用于剥离的剥离能力和腐蚀性采用下列方法评价在实施例1~33和比较实施例1~6中制备的剥离剂组合物的剥离能力和腐蚀性。就用于试验的样品而言，使用了下列两种样品。采用剥离工艺制备像素层玻璃，在经过栅极处理的玻璃上形成2,000A的Al-Nd层，并在制备LCD的TFT电路的过程中于其上形成200A的Mo层，涂覆含有盼趁清漆树脂(novolacresin)和PAC的正型光刻胶并将其干燥，采用光刻工艺形成图案，并进行湿法蚀刻来制备一种样品。在经过栅极处理的玻璃基板上形成300A的钼合金后于其上形成2，000A的Cu层，涂C2:下化学式6的化合物:覆含有酚醛清漆树脂和PAC的正型光刻胶并将其干燥，采用光刻工艺形成图案，并进行湿法蚀刻来制备另一种样品。1.评价剥离能力将样品浸入剥离剂溶液中在7(TC和50。C下保持1分钟，用去离子水沖洗30秒，并用氮气干燥。干燥完成后，采用光学显微镜以l，OOOx的放大倍率和电子显微镜(FE-SEM)以5,000~10,000x的放大倍率观察样品以评价对光刻胶的剥离。采用下列标准评价剥离性能。※②极佳的剥离性能，〇可接受的剥离性能，△:不可接受的剥离性能，x:差的剥离性能。2.评价第一腐蚀状态进行第一腐蚀状态的评价以评价剥离后在采用去离子水进行冲洗的步骤中的腐蚀状态。将要进行评价的样品浸入丙酮溶液中在4crc下保持10分钟然后用异丙醇冲洗30秒并用去离子水冲洗30秒以待评价。将用于评价的样品浸入50g剥离剂溶液和950g水的溶液混合物中在常温下持续3分钟，用去离子水沖洗30秒，并用氮气干燥。利用电子显微镜(FE-SEM)以50，000~10，000x的放大倍率观察样品的表面、侧面和截面来评价腐蚀状态。采用下列标准评价腐蚀状态。※◎:Al-Nd和Mo线路的表面和侧面未被腐蚀，〇Al-Nd和Mo线路的表面和侧面被轻度腐蚀，△:Al-Nd和Mo线^各的表面和侧面净皮部分腐蚀，x:Al-Nd和Mo线路的表面和侧面被严重腐蚀。3.评价第二腐蚀状态将样品浸入剥离剂溶液中在70。C下保持IO分钟，用去离子水冲洗30秒，然后用氮气干燥。连续重复3次剥离试验后，利用电子显微镜(FE-SEM)以50,000~10,000x的放大倍率观察样品的表面、侧面和截面以评价腐蚀状态。采用下列标准评价腐蚀状态。※◎:Cu线路的表面和侧面未被腐蚀，〇Cu线路的表面和侧面被轻度腐蚀，△:Cu线路的表面和侧面被部分腐蚀，x:Cu线路的表面和侧面被严重腐蚀。评价剥离能力和腐蚀状态，并在下表2中描述结果。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>权利要求1、一种用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其包含1)缓蚀剂，其包括选自由化学式1、2和3表示的化合物组成的组中的至少一种；2)水溶性有机胺化合物，其重量为所述缓蚀剂重量的2～50倍；以及3)极性溶剂[化学式1]其中，R1和R2彼此相同或不同，并且各自独立地为氢或羟基，以及R3为氢、叔丁基、羧酸基(-COOH)、甲酯基(-COOCH3)、乙酯基(-COOC2H5)或丙酯基(-COOC3H7)，[化学式2]其中，R4为氢或含有1～4个碳原子的烷基，以及R5和R6彼此相同或不同，并且各自独立地为含有1～4个碳原子的羟烷基，[化学式3]2、根据权利要求1所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其中，所述緩蚀剂l)为由化学式1表示的化合物与由化学式2或3表示的化合物的混合物。3、根据权利要求1所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其中，基于所述组合物的总重量，所述緩蚀剂l)的含量为0.01~5wt%。4、根据权利要求1所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其中，所述水溶性有机胺化合物2)包括选自由伯氨基醇化合物、仲氨基醇化合物和叔氨基醇化合物组成的组中的至少一种。5、根据权利要求1所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其中，所述水溶性有机胺化合物2)包括选自由单乙醇胺(MEA)、l-氨基异丙醇(AIP)、2-氨基-l-丙醇、N-甲基氨基乙醇(N隱MAE)、3-氨基-l-丙醇、4-氨基-l-丁醇、2-(2-氨基乙氧基)-l-乙醇(AEE)、2-(2-氨基乙基氨基)-l-乙醇、二乙醇胺(DEA)、三乙醇胺(TEA)和羟乙基哌。秦(HEP)组成的组中的至少一种。6、根据权利要求1所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其中，基于所述组合物的总重量，所述水溶性有机胺化合物2)的含量为1~60wt%。7、根据权利要求1所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其中，所述緩蚀剂l)为由化学式1表示的化合物与由化学式2或3表示的化合物的混合物，并且所述水溶性有机胺化合物2)为2-(2-氨基乙氧基)-l-乙醇(AEE)。8、根据权利要求1所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其中，所述极性溶剂3)包括选自由N-曱基吡咯烷酮(画P)、1，3-二曱基-2-咪唑啉酮(DMI)、二甲亚砜(DMSO)、二曱基乙酰胺(DMAc)、二曱基曱酰胺(DMF)、N-曱基曱酰胺(NMF)和环丁砜组成的组中的至少一种。9、根据权利要求1所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其中，基于所述组合物的总重量，所述极性溶剂3)的含量为1~95wt°/。。10、根据权利要求1所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其中，基于所述组合物的总重量，所述极性溶剂3)的含量为50~95wt%。11、根据权利要求1所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其另外含有水溶性非离子表面活性剂。12、根据权利要求1所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其另外含有非极性溶剂。13、根据权利要求12所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其中，所述非极性溶剂包括选自由BDG(丁基二甘醇)、EDG(乙基二甘醇)、MDG(曱基二甘醇)、TEG(三甘醇)和DEM(二甘醇一乙醚)组成的组中的至少一种。14、根据权利要求12所述的用于含铝、铜或者铝和铜的基板的光刻胶剥离剂组合物，其中，基于所述组合物的总重量，所述非极性溶剂的含量为大于0wt。/。且小于40wt°/0。15、一种从含铝、铜或者铝和铜的基板上剥离光刻胶的方法，其包括下列步骤1)在形成于基板上的导电金属膜或绝缘膜上涂覆光刻胶；2)在该基板上形成光刻胶图案；3)通过采用图案化的光刻胶膜作为掩膜来蚀刻上述导电金属膜或绝缘膜；以及4)通过采用根据权利要求1~14中任一项所述的光刻胶剥离剂组合物来剥离光刻胶层。16、根据权利要求15所述的从含铝、铜或者铝和铜的基板上剥离光刻胶的方法，其中，所述导电膜或绝缘膜为含铝、铜或铝铜合金的单膜或者具有两层或更多层的多层膜，或者为含铝、铜、铝铜合金和钕、钼或钕钼合金的单膜或者具有两层或更多层的多层膜。17、一种制备液晶显示器的方法，其包括权利要求15所述的方法。18、一种制备半导体器件的方法，其包括权利要求15所述的方法。19、一种从含铝、铜或者铝和铜的基板上剥离光刻胶的方法，其包括下列步骤1)在基板的整个表面涂覆光刻胶；2)在该基板上形成光刻胶图案；3)在图案化的基板上沉积导电金属膜或绝缘膜；以及4)通过采用根据权利要求1~14中任一项所述的光刻胶剥离剂组合物剥离光刻胶层。20、根据权利要求19所述从含铝、铜或者铝和铜的基板上剥离光刻胶的方法，其中，所述导电膜或绝缘膜为含铝、铜或铝铜合金的单膜或者具有两层或更多层的多层膜，或者为含铝、铜、铝铜合金和钕、钼或钕钼合金的单膜或者具有两层或更多层的多层膜。21、一种制备液晶显示器的方法，其包括权利要求19所述的方法。22、一种制备半导体器件的方法，其包括权利要求19所述的方法。全文摘要本发明涉及一种光刻胶剥离剂组合物。在剥离工艺和剥离光刻剂的已知步骤中，该光刻胶剥离剂组合物能够在短时间内在低温下彻底剥离由于过度的光刻工艺造成的变性的光刻胶膜，即使仅通过水而非异丙醇作为中间冲洗溶液进行冲洗也不破坏光刻胶下部的导电膜或绝缘膜，并且其对光刻胶下部的导电金属膜或绝缘膜具有极佳的缓蚀能力。文档编号H01L21/027GK101454872SQ200780019163公开日2009年6月10日申请日期2007年5月25日优先权日2006年5月26日发明者安庆昊,崔棅圭,徐圣佑,朴珉春,权赫俊,金璟晙,闵盛晙,熙韩,黄智泳申请人:Lg化学株式会社