专利名称：一种迭层式芯片型固态电解电容器的制作方法
技术领域：
本发明涉及芯片型固态电解电容器，具体为一种迭层式芯片型固态电解电(二) 背景技术常见的固态电解电容器如图l所示，该固态电解电容器l，包括有阳极部4 和阴极部2，阴极部2的中央为多孔性铝金属箔6，多孔性铝金属箔6的外部依 序为氧化铝介电层5、导电高分层7、碳胶层8、银胶层9;阳极部4与阴极部2 之间以一绝缘层3隔离。近年来，为了因应现有电子产品高容量需求的趋势， 迭层式固态电解电容器乃被发展出来。该迭层式固态电解电容器见图2、图3， 系美国6， 421， 227 B2案所揭露的迭层式固态电解电容器，该迭层式固态电解电 容器1系以多个固态电解电容器1相互堆栈所组成，当多数个固态电解电容器1 相互堆栈在一起时，各固态电解电容器1的阴极部2是藉由银导电胶9彼此连 接，最底层的阴极部2并以银导电胶9连结至导线架11。各固态电解电容器l 的阳极部4末端则利用电阻焊接或雷射焊接等方式焊接至导线架12。当相互迭层的多个固态电解电容器1的阳极部4共同焊接至导线架12时， 每个阳极部4与导线架12焊接时会呈现弯曲及变形的现象(如图4所示)。为了减少阳极部4的变形量，虽然可如图3所示，将多数个固态电解电容器 分成上迭层固态电解电容la及下迭层固态电解电容lb;但是，阳极部4为结合 至导线架12所作的变形或弯曲所造成的应力会传递到每个固态电解电容的阴极 部2上，对阴极部2内的介电层造成破坏，使得该固态电解电容器的效能变差(即 漏电流LC增加)，而且，随着迭层数量的增加，破坏的程度愈大。(三) 发明内容针对上述问题，本发明提供一种迭层式芯片型固态电解电容器，其性能不 会受到芯片型固态电解电容器相互堆栈的层数所影响，稳定性好。其技术方案是这样的其包括叠加堆桟的芯片型固态电解电容器，各个芯片型固态电解电容器阴极体通过其外部的导电胶相互连接，芯片型固态电解电 容器的阳极体和阴极体之间并设有绝缘层区隔，在阳极体和阴极体的下端各设 有一对外导通的导线架；其特征在于在所述阳极体以及阳极导电架的外部设 置有保证所述芯片型固态电解电容器的阳极端保持水平的电连接结构。其进一步特征在于所述电连接结构为银包覆层或银合金胶包覆层；所述 电连接结构为锡包覆层及锡合金膏包覆层；所述银包覆层、银合金胶包覆层、 锡包覆层或锡合金膏包覆层直接包覆于芯片型固态电解电容器的阳极端以及阳 极导电架的外部；所述芯片型固态电解电容器的阳极端设置有孔；所述包覆层 包覆于所述阳极端时渗入所述孔；所述孔为圆形孔、方形孔。本发明的上述结构中，导电包覆层实现了各芯片型电容器阳极端与阳极导 线架的连接，在包覆时将各阳极端水平放置，这样既能保证各阳极端与导向架 之间的电连接，同时有避免了各阳极端的弯曲，当整体以树脂封装时，即可避 免因为应力的传递而导致阴极体氧化膜层的破坏，确保了各电容器的稳定性和 使用寿命。(四)
图1迭层式固态电解电电容器的剖面示图；图2、图3、图4分别为现有迭层式固态电解电电容器的剖面示图； 图5、图6、图7分别为本发明各实施例的结构示意图。(五) 实施方式见图5，本发明包括叠加堆栈的芯片型固态电解电容器2、 3、 4，芯片型固 态电解电容器2、 3、 4阴极体5通过其外部的导电胶6相互连接，芯片型固态 电解电容器的阳极体7和阴极体5之间并设有绝缘层8区隔，在阳极体7和阴 极体5的下端各设有一对外导通的导线架9、 10;在阳极体7以及阳极导电架9 的外部设置有保证芯片型固态电解电容器的阳极端保持水平的电连接结构。电 连接结构为固体状的导电体或是填入其间然后再硬化的导电胶；见图6，电连接 结构为银包覆层、银合金胶包覆层、锡包覆层及锡合金膏包覆层；实施时利用 银胶11将芯片型固态电解电容器2、 3、 4的各个阳极端7包覆起来并水平区隔； 亦可利用含浸(Dipping)的方式使多数个芯片型固态电解电容器2、 3、 4的阳极 端7被覆完银胶之后，再利用取放装置(pick & place)导入点交机上进行与导线架的导电胶进行黏结。亦可在现有制程进行焊接之前，利用点胶机于阳极处点上锡或锡其合金，由于锡或锡其合金的溶点约170 25(TC，使用较低的焊接功 率可将应力降低，如此一来可以减低高热对等效串联电阻(ESR)的破坏，锡或锡 其合金黏结层的设置相当于电连接结构，可减少漏电流LC的破坏，亦有助于阳 极的焊接，避免假焊的发生。由于阳极的空间很小，为了避免在点胶及焊接的 过程中跨过阴极造成漏电流上升或是短路，亦可采取一般多层板穿孔 (through-hole)的概念，如第7图所示，芯片型固态电解电容器的阳极端设置 有孔；包覆层包覆于阳极端时渗入所述孔；点胶时直接点至阳极的穿孔12内， 而由于采取穿孔(through-hole)的方式，导通表面积会大增，将有助于降低等 量串联电阻(ESR)的效果。而设于阳极部的穿孔12为方形孔、圆形孔、菱形孔 或其它形孔，孔数则得为一个孔、两个孔或多数个。
权利要求
1、一种迭层式芯片型固态电解电容器，其包括叠加堆栈的芯片型固态电解电容器，各个芯片型固态电解电容器阴极体通过其外部的导电胶相互连接，芯片型固态电解电容器的阳极体和阴极体之间并设有绝缘层区隔，在阳极体和阴极体的下端各设有一对外导通的导线架；其特征在于在所述阳极体以及阳极导电架的外部设置有保证所述芯片型固态电解电容器的阳极端保持水平的电连接结构。
2、 根据权利要求1所述一种迭层式芯片型固态电解电容器，其特征在于 所述电连接结构为银包覆层或银合金胶包覆层。
3、 根据权利要求2所述一种迭层式芯片型固态电解电容器，其特征在于 所述电连接结构为锡包覆层及锡合金膏包覆层。
4、 根据权利要求3所述一种迭层式芯片型固态电解电容器，其特征在于 所述银包覆层、银合金胶包覆层、锡包覆层或锡合金膏包覆层直接包覆于芯片 型固态电解电容器的阳极端以及阳极导电架的外部。
5、 根据权利要求4所述一种迭层式芯片型固态电解电容器，其特征在于 所述芯片型固态电解电容器的阳极端设置有孔。
6、 根据权利要求5所述一种迭层式芯片型固态电解电容器,其特征在于 所述包覆层包覆于所述阳极端时渗入所述孔。
7、 根据权利要求6所述一种迭层式芯片型固态电解电容器，其特征在于 所述孔为圆形孔。
8、 根据权利要求6所述一种迭层式芯片型固态电解电容器，其特征在于 所述孔为方形孔。
全文摘要
本发明提供一种迭层式芯片型固态电解电容器，其性能不会受到芯片型固态电解电容器相互堆栈的层数所影响，稳定性好。其包括叠加堆栈的芯片型固态电解电容器，各个芯片型固态电解电容器阴极体通过其外部的导电胶相互连接，芯片型固态电解电容器的阳极体和阴极体之间并设有绝缘层区隔，在阳极体和阴极体的下端各设有一对外导通的导线架；其特征在于在所述阳极体以及阳极导电架的外部设置有保证所述芯片型固态电解电容器的阳极端保持水平的电连接结构。
文档编号H01G9/15GK101329946SQ20081002308
公开日2008年12月24日 申请日期2008年7月14日 优先权日2008年7月14日
发明者李铭诚, 邱继皓, 陈明宗 申请人:钰邦电子(无锡)有限公司