专利名称：：一种铝电解电容器用低压阳极箔的制备方法
技术领域：
：本发明涉及一种铝箔制备
技术领域：
，特别涉及一种铝电解电容器用低压阳极箔的制备方法。
背景技术：
：低压阳极箔扩面腐蚀，在八十年代中期以前，都是采用50赫兹交流电实M腐蚀，但随着科技的发展进步，对电极箔容量的需要，50赫兹交流腐蚀越来越接近发展瓶颈，于是各国先后放弃这一工艺方法，研究新的腐蚀方法。此项技术走在国际前列的日本发表过很多专利及文章，比较有代表性的有以下几种方法A、在电化学腐蚀中采用交流加直流电的方式；B、交流腐蚀电流波形，幅值及正负半周不对称的方法；C、及变化频率，采用比50赫兹更低的频率腐蚀以达到扩大孔洞的目的方法。但是这些现有技术制备的铝电解电容器用低压阳极箔任然存在生产效率底、工艺不够稳定的弊端。
发明内容本发明的目的在于针对现有技术的不足，而提供一种生产效率高、工艺稳定的铝电解电容器用低压阳极箔的制备方法。本发明的目的是按如下方法实现的一种铝电解电容器用低压阳极箔的制备方法；包括多次对铝箔实施电化学腐蚀，电化学腐蚀施加在铝箔上的电流为交流变频方式，3并按从高频到低频逐级腐蚀，每腐蚀一次变一回频率；温度为5015'C，依次从高到低进行变化；腐蚀液为盐酸和硫酸的混和液；每次腐蚀后、再次腐蚀前要经过中处理，中处理溶液为磷酸溶液，磷酸含量0.110%，中处理温度为4070°C。其中，所述电化学腐蚀施加在铝箔上的电流为交流变频方式，频率为1045赫兹。所述电化学腐蚀施加在铝箔上的电流密度为200500MA/CM2。所述腐蚀液中盐酸含量为10%30%，硫酸根离子的浓度0.13.5%。所述每次电化学腐蚀时间1180秒。所述中处理时间为30180秒。本发明的有益效果为本发明通过多次变频电腐蚀对铝箔进行扩面腐蚀，其中电流大小、频率大小、温度高低，都是按从高到低的顺序逐级施加，随着每级腐蚀频率的变低，温度也要随着变低，相互配合很好，达到变频而扩孔的目的；本发明具有生产效率高，工艺稳定，工艺故障容易排除，生产出产品的电容量比国内普遍的50赫兹交流腐蚀的产品高10%，并且在相同腐蚀失重条件下，利用效率高、强度高、腐蚀孔洞大小更适合、容量大、不产生自腐蚀、箔片减薄并不发生掉粉等；制备出的低压阳极箔具有更大比表面积和更高强度的电容器阳极，縮小了电容体积，适应电子设备小型化的需要。图1为本发明以五级腐蚀为例的工艺流程图。具体实施例方式下面的实施例可以用来使本专业技术人员更全面的理解本发明，但不以任何方式限制本发明。实施例一一级腐蚀腐蚀液为盐酸和硫酸的混合液，温度为46'C，频率为35赫兹，腐蚀时间为两分钟；中处理中处理液为磷酸含量不大于10%的磷酸溶液，中处理时间为两分钟，温度为50°C，处理液浓度为5%;二级腐蚀温度为30。C，频率为20赫兹，腐蚀时间为两分钟；中处理时间为两分钟，温度为5(TC，处理液浓度为5%;三级腐蚀温度为3CTC，频率为20赫兹，腐蚀时间为两分钟；中处理时间为两分钟，温度为5CTC，处理液浓度为5%;四级腐蚀温度为26'C，频率为15赫兹，腐蚀时间为两分钟；中处理时间为两分钟，温度为5(TC，处理液浓度为5%;五级腐蚀温度为24'C，频率为15赫兹，腐蚀时间为两分钟；中处理时间为两分钟，温度为5(TC，处理液浓度为5%;其中一级电流为500MA/CM2，其它四级电流均为300MA/CM2。实施例二一级腐蚀温度为46'C，频率为25赫兹，腐蚀时间为两分钟；中处理时间为两分钟，温度为50'C，处理液浓度为596;腐蚀液和中处理液同实施例一；二级腐蚀温度为30'C，频率为15赫兹，腐蚀时间为两分钟;中处理时间为两分钟，温度为5(TC，处理液浓度为5%;三级腐蚀温度为3(TC，频率为15赫兹，腐蚀时间为两分钟;中处理时间为两分钟，温度为50'C，处理液浓度为5%;四级腐蚀温度为26'C，频率为13赫兹，腐蚀时间为两分钟；中处理时间为两分钟，温度为50。C，处理液浓度为5%;五级腐蚀温度为24'C，频率为12赫兹，腐蚀时间为两分钟;中处理时间为两分钟，温度为5(TC，处理液浓度为5%;其中一级电流为500MA/CM2,其它四级电流均为300MA/CM2。实施例三一级腐蚀温度为46'C，频率为35赫兹，腐蚀时间为两分钟；中处理时间为两分钟，温度为50'C，处理液浓度为5%;腐蚀液和中处理液同实施例一；二级腐蚀温度为30'C，频率为20赫兹，腐蚀时间为两分钟；中处理时间为两分钟，温度为50'C，处理液浓度为5%;三级腐蚀温度为30'C，频率为15赫兹，腐蚀时间为两分钟；中处理时间为两分钟，温度为50'C，处理液浓度为5%;四级腐蚀温度为3(TC，频率为13赫兹，腐蚀时间为两分钟；中处理时间为两分钟，温度为5(TC，处理液浓度为5%;五级腐蚀温度为3CTC，频率为12赫兹，腐蚀时间为两分钟；中处理时间为两分钟，温度为5CTC，处理液浓度为5%;其中一级电流为500MA/CM2，其它四级电流均为300MA/CM2。实施例四一级腐蚀温度为35t:，频率为35赫兹，腐蚀时间为两分钟;中处理时间为两分钟，温度为5(TC，处理液浓度为5%;腐蚀液和中处理液同实施例一；二级腐蚀温度为25'C，频率为20赫兹，腐蚀时间为两分钟；中处理时间为两分钟，温度为50'C，处理液浓度为5%;三级腐蚀温度为23'C，频率为15赫兹，腐蚀时间为两分钟；中处理时间为两分钟，温度为5CTC，处理液浓度为5%;四级腐蚀温度为2rC，频率为13赫兹，腐蚀时间为两分钟；中处理时间为两分钟，温度为5CTC，处理液浓度为5%;五级腐蚀温度为18'C，频率为12赫兹，腐蚀时间为两分钟；中处理时间为两分钟，温度为50'C，处理液浓度为5%;其中一级电流为500MA/CM2，其它四级电流均为300MA/CM2。将上述实施例中制备的铝箔洗千净，在50(TC下烘干一分钟，用标准检测方法在20V进行化成，然后检测容量，如表一。表一<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>由上表可见，本发明具有生产效率高，工艺稳定，工艺故障容易排除，生产出产品的电容量比国内普遍的50赫兹交流腐蚀的产品高10%，并且在相同腐蚀失重条件下，有铝箔利用效率高,强度高，腐蚀孔洞大小更适合等特点。权利要求1、一种铝电解电容器用低压阳极箔的制备方法；包括多次对铝箔实施电化学腐蚀，其特征在于电化学腐蚀施加在铝箔上的电流为交流变频方式，并按从高频到低频逐级腐蚀，每腐蚀一次变一回频率；温度为50～15℃，依次从高到低进行变化；腐蚀液为盐酸和硫酸的混和液；每次腐蚀后、再次腐蚀前要经过中处理，中处理溶液为磷酸溶液，磷酸含量0.1～10％，中处理温度为40～70℃。2、根据权利要求1所述的一种铝电解电容器用低压阳极箔的制备方法；其特征在于所述电化学腐蚀施加在铝箔上的电流为交流变频方式，频率为1045赫兹。3、根据权利要求1所述的一种铝电解电容器用低压阳极箔的制备方法；其特征在于所述电化学腐蚀施加在铝箔上的电流密度为200500MA/CM2。4、根据权利要求1所述的一种铝电解电容器用低压阳极箔的制备方法；其特征在于所述腐蚀液中盐酸含量为10%30%，硫酸根离子的浓度0.15%。5、根据权利要求1所述的一种铝电解电容器用低压阳极箔的制备方法；其特征在于所述每次电化学腐蚀时间1180秒。6、根据权利要求1所述的一种铝电解电容器用低压阳极箔的制备方法；其特征在于所述中处理时间为30180秒。全文摘要本发明涉及铝箔制备
技术领域：
，特别涉及一种铝电解电容器用低压阳极箔的制备方法；本发明通过多次变频电腐蚀对铝箔进行扩面腐蚀，具有生产效率高，工艺稳定，工艺故障容易排除，生产出产品的电容量比国内普遍的50赫兹交流腐蚀的产品高10％，并且在相同腐蚀失重条件下，有铝箔利用效率高强度高等特点。文档编号H01G9/042GK101425391SQ20081002980公开日2009年5月6日申请日期2008年7月29日优先权日2008年7月29日发明者亮冉申请人:东莞市东阳光电容器有限公司