专利名称：电路基板、树脂封装型半导体器件、托架及检查插座的制作方法
技术领域：
本发明涉及能够安装多个半导体芯片的电路基板、通过将安装半导体芯片 的电路基板进行单片化而形成的树脂封装型半导体器件、放置树脂封装型半导 体器件的托架、以及树脂封装型半导体器件在检査时所使用的检査插座。
背景技术：
近年来，为了适应电子设备的小型化及高功能化，越来越迫切要求半导体 元器件进行高密度安装。与之相应，将半导体芯片与形成电路的基板利用浇铸 树脂材料封装成一体而形成的树脂封装型半导体器件的小型化及薄型化得到 迅速发展，再有，为了力图降低生产成本及提高生产率，想了各种各样的办法。
以下， 一面参照图13A及图13B， 一面说明以往的树脂封装型半导体器件。
图13A及图13B所示为以往的电路基板的构成图。 图13A中所示的状态是，在电路基板2上通过裸芯片粘贴材料(未图示)安装多 个半导体芯片(未图示)，利用细线(未图示)将各半导体芯片(未图示)与电路基 板2电接合，再用树脂3浇铸各半导体芯片(未图示)而形成树脂封装型半导体 器件l，通过切割加工或金属模加工进行分离，分割成一个个树脂封装型半导 体器件l。另外，电路基板2在基材2A的第l面侧具有安装半导体芯片的区域 及电连接半导体芯片的电极焊盘及布线、以及在其周边的切断区域，在基材2B 的第2面侧在与第1面电连接的通路的前端具有外部端子4，再在基材2A与基 材2B之间具有防止基材2A与基材2B电泄漏用的芯材2C，再在周边具有前述 切断区域。
这时，如图13B所示，由于切割加工或金属模加工时对电路基板2所加的 冲击力5、以及将通过切割加工或金属模加工进行分离而从电路基板2分割的 树脂封装型半导体器件1放置在电测定用的检査插座或托架(未图示)上时所加 的冲击力5，在电路基板2的基材2A与芯材2C之间或者基材2B与芯材2C之间产生开口破坏部分6那样，在电路基板2内产生剥离，如果维持该状态，则 水或湿气等进入开口破坏部分6，在二次安装时产牛树脂封装型半导体器件1 的损坏(爆米花现象)或引起电短路的迁移问题。另外，开口破坏部分6还有可 能因冲击力5而使开口量增大，具有使树脂封装型半导体器件1与外部端子4 之间的电导通产生短路的危险性。本发明的目的在于，防止树脂封装型半导体器件的电路基板内的开口，提 高合格率。发明内容为了达到上述目的，本发明的电路基板，在安装多个半导体芯片并进行树 脂封装后，在切断区域进行切断，从而形成单片的多个树脂封装型半导体器件， 在第l基材与第2基材之间夹有芯材而形成，具有安装前述半导体芯片的第 1面上的区域；形成在与前述第1面相对的成为背面的第2面上并与前述半导 体芯片电连接的外部端子；以及贯通前述电路基板的贯通件。另外，前述贯通件是l个或多个通路。另外，前述贯通件是在构成前述树脂封装型半导体器件的区域的外周部分 附近连续形成的密封件。另外，在构成前述树脂封装型半导体器件的区域的各拐角部分形成前述贯 通件。另外，在构成前述树脂封装型半导体器件的区域的各边部分形成前述贯通件。另外，在前述切断区域的与前述树脂封装型半导体器件相邻的边形成前述 贯通件。另外，在构成前述树脂封装型半导体器件的区域与前述切断区域的边界部 分形成前述贯通件，另外，在安装多个半导体芯片并进行树脂封装后，在切断区域进行切断，从而形成单片的多个树脂封装型半导体器件，在第1基材与第2基材之间夹有芯材而形成，具有安装前述半导体芯片的第l面上的区域；以及形成在与前 述第1面相对的成为背面的第2面上并与前述半导体芯片电连接的外部端子，而且去除前述电路基板的一部分。另外，前述电路基板的去除，是在规定的范围内去除构成前述树脂封装型 半导体器件的区域的拐角部分的前述芯材及前述第1基材或前述第2基材的某一方的基材。另外，前述电路基板的去除，是将前述电路基板的端部从前述半导体芯片 安装面向着前述外部端子形成面、向前述树脂封装型半导体器件的内侧方向斜 向去除。再有，本发明的树脂封装型半导体器件，在前述电路基板的前述第l面上 电连接并安装前述半导体芯片，在前述切断区域进行切断成单片而形成。再有，本发明的托架，放置树脂封装型半导体器件，前述树脂封装型半导 体器件在电路基板的第1面上电连接并安装半导体芯片，在成为前述第1面的背面的第2面上设置与前述半导体芯片电连接的外部端子，在安装前述半导体芯片的第l面上用树脂封装而构成，通过在前述外部端子、以及前述树脂形成 的面内的相对的两个面的三处保持，来放置前述树脂封装型半导体器件。另外，放置树脂封装型半导体器件并层叠使用，前述树脂封装型半导体器 件在电路基板的第1面上电连接并安装半导体芯片，在成为前述第1面的背面的第2面上设置与前述半导体芯片电连接的外部端子，在安装前述半导体芯片 的第l面上用树脂封装而构成，前述树脂封装型半导体器件的前述电路基板或 前述外部端子，用放置该树脂封装型半导体器件的托架保持，并且前述树脂的 与前述电路基板相对的面用正上方层叠的托架保持。再有，本发明的检查插座，放置树脂封装型半导体器件，前述树脂封装型 半导体器件在电路基板的第l面上电连接并安装半导体芯片，在成为前述第1面的背面的第2面上设置与前述半导体芯片电连接的外部端子，在安装前述半 导体芯片的第l面上用树脂封装而构成，通过在前述外部端子、以及前述树脂 形成的面内的相对的两个面的三处保持，来放置前述树脂封装型半导体器件。
图l所示为实施例1中的在电路基板的拐角部分设置通路的树脂封装型半 导体器件图。图2所示为实施例1中的在电路基板的周边部分设置通路的树脂封装型半 导体器件图。
图3所示为实施例1中的在电路基板的周边部分设置密封环的树脂封装型 半导体器件图。
图4所示为实施例2中的在电路基板的切断区域设置通路的树脂封装型半 导体器件图。
图5所示为实施例2中的在电路基板的切断区域与半导体器件区域的边界 设置通路的树脂封装型半导体器件图。
图6所示为实施例2中的去除电路基板的切断区域附近的基材及芯材的树 脂封装型半导体器件图。
图7所示为实施例2中的去除电路基板的切断区域附近的没有进行树脂浇 铸的基材及芯材的树脂封装型半导体器件图。
图8A所示为实施例2中的在电路基板的拐角部分去除一侧的基材及芯材 的树脂封装型半导体器件图。
图8B所示为实施例2中的在电路基板的拐角部分去除一侧的基材及芯材 的树脂封装型半导体器件图。
图9所示为实施例2中的在电路基板的拐角部分设置斜面的树脂封装型半 导体器件图。
图IO所示为实施例2中的托架或检査插座图。
图U所示为实施例2中的层叠用托架图。
图12为实施例2中的树脂封装型半导体器件的制造方法的说明图。 图13A所示为以往的电路基板的构成图。 图13B所示为以往的电路基板的构成图。
具体实施例方式
以下， 一面参照附图， 一面说明本发明的树脂封装型半导体器件及其制造 方法的实施例。 (实施例1)
图l所示为实施例1中的在电路基板的拐角部分设置通路的树脂封装型半导体器件图。
沐图1中.由路其板？.沐其封？.A的笛1而侧且右右站坐经卩太:lt H^的5T+滞
I ' - I~~""H — I' _^ *- H_、 一 1 - ._|一 —** H一W t ' IIZ 、 J Z 、 I <J^"""^"N 一k、 J ,-J II - /, H J t^ -
及电连接半导体芯片的电极焊盘及布线、以及在其周边为了形成单片用的切断
区域，在基材2B的第2面侧在与第1面电连接的通路的前端具有外部端子4， 在基材2A的第2面与基材2B的第1面之间通过抑制基材2A与基材2B电泄漏 用的芯材2C进行接合，再在其周边设置前述切断区域。在电路基板2上通过 裸芯片粘贴材料(未图示)安装多个半导体芯片(未图示)，利用细线(未图示)将 各半导体芯片(未图示)与电路基板2电接合，再用树脂3浇铸，通过切割加工 或金属模加工进行分离，通过分割来制造树脂封装型半导体器件1。
图l所示的树脂封装型半导体器件1的特征为在电路基板2内的拐角部 分配置贯通电路基板2的正反面的通路7。在图l的例子中，表示了分别在4 个拐角部分各配置1个通路7的情况，在哪一个拐角部分配置几个通路7是任 意的。
通过在电路基板2的拐角部分配置通路7，能够提高拐角部分的基材与芯 材的紧密性，并能够抑制由于切割加工或金属模加工时对电路基板2所加的冲 击力以及将通过切割加工或金属模加工进行分离而从电路基板2分割的树脂封 装型半导体器件1放置在电测定用的检査插座或托架上时所加的冲击力、而在 电路基板2的基材2A与芯材2C之间或者基材2B与芯材2C之间产生以往那样 的开口破坏部分6那样、在电路基板2内产生剥离的情况。
图2所示为实施例1中的在电路基板的周边部分设置通路的树脂封装型半 导体器件图。
在图2中，电路基板2在基材2A的第1面侧具有安装半导体芯片的区域 及电连接半导体芯片的电极焊盘及布线、以及在其周边为了形成单片用的切断 区域，在基材2B的第2面侧在与第1面电连接的通路的前端具有外部端子4， 在基材2A的第2面与基材2B的第1面之间通过抑制基材2A与基材2B电泄漏 用的芯材2C进行接合，再在其周边设置前述切断区域。在电路基板2上通过 裸芯片粘贴材料(未图示)安装多个半导体芯片(未图示)，利用细线(未图示)将 各半导体芯片(未图示)与电路基板2电接合，再用树脂3浇铸，通过切割加工 或金属模加工进行分离，通过分割来制造树脂封装型半导体器件1。图2所示的树脂封装型半导体器件1的特征为在切断区域附近的电路基 诉？由的賴佳部公7J阁i'力都^V.配罟玄小赏诵由欧其未l5 9的7PR 而的诵S夂7
通过这样来提高拐角部分的基材与芯材2C的紧密性。在图2的例子中，表示 了在树脂封装型半导体器件1的外周部分的全部边的整个面以等间隔配置1排 通路7的情况，在哪一边以怎样的间隔形成几排通路7是任意的。另外，通过 在拐角部分配置通路，虽能够提高紧密性，但在能够确保足够的紧密性的情况 下，也可以采用不在拐角部分设置通路的结构。
通过在电路基板2的周边部分配置通路7，能够提高电路基板2的周边部 分的基材与芯材的紧密性，并能够抑制由于切割加工或金属模加工时对电路基 板2所加的冲击力以及将通过切割加工或金属模加工进行分离而从电路基板2 分割的树脂封装型半导体器件1放置在电测定用的检查插座或托架上时所加的 冲击力、而在树脂封装型半导体器件1的拐角部分及周边部分的电路基板2的 基材2A与芯材2C之间或者基材2B与芯材2C之间产生以往那样的开口破坏部 分那样、在电路基板2内产生剥离的情况。
图3所示为实施例1中的在电路基板的周边部分设置密封环的树脂封装型 半导体器件图。
在图3中，电路基板2在基材2A的第1面侧具有安装半导体芯片的区域 及电连接半导体芯片的电极焊盘及布线、以及在其周边为了形成单片用的切断 区域，在基材2B的第2面侧在通过与第1面电连接的通路的通路前端具有外 部端子4，在基材2A的第2面与基材2B的第1面之间通过抑制基材2A与基材 2B电泄漏用的芯材2C进行接合，再在其周边设置前述切断区域。在电路基板 2上通过裸芯片粘贴材料(未图示)安装多个半导体芯片(未图示)，利用细线(未 图示)将各半导体芯片(未图示)与电路基板2电接合，再用树脂3浇铸，通过 切割加工或金属模加工进行分离，通过分割来制造树脂封装型半导体器件1。
图3所示的树脂封装型半导体器件1的特征为在电路基板2内的拐角部 分及周边部分配置贯通电路基板2的正反面的连续的密封环8，通过这样来提 高拐角部分及周边部分的基材与芯材2C的紧密性。
通过在电路基板2的周边部分配置密封环8，能够提高电路基板2的周边 部分的基材与芯材的紧密性，并能够抑制由于切割加工或金属模加工时对电路基板2所加的冲击力以及将通过切割加工或金属模加工进行分离而从电路基板 2分割的树脂封装型半导体器件1放置在电测定用的检查插座或托架上时所加 的冲击力、而在树脂封装型半导体器件1的拐角部分及周边部分的电路基板2 的基材2A与芯材2C之间或者基材2B与芯材2C之间产生以往那样的开口破坏 部分那样、在电路基板2内产生剥离的情况。
(实施例2)
图4所示为实施例2中的在电路基板的切断区域设置通路的树脂封装型半 导体器件图。
在实施例2中也如图1 图3所示，电路基板2在基材2A的第1面侧具有 安装半导体芯片的区域及电连接半导体芯片的电极焊盘及布线、和在其周边为 了形成单片用的切断区域，在基材2B的第2面侧在通过与第1面电连接的通 路的通路前端具有外部端子4，在基材2A的第2面与基材2B的第1面之间通 过抑制基材2A与基材2B电泄漏用的芯材2C进行接合，再在其周边设置前述 切断区域。在电路基板2上通过裸芯片粘贴材料(未图示)安装多个半导体芯片 (未图示)，利用细线(未图示)将各半导体芯片(未图示)与电路基板2电接合， 再用树脂3浇铸，通过切割加工或金属模加工进行分离，通过分割来制造树脂 封装型半导体器件1。
在图4中，形成多个树脂封装型半导体器件的电路基板用切割带22粘接 固定，用切割刀21将切断区域K进行切断，通过这样进行分割，从电路基板 分离成一个个树脂封装型半导体器件。
图4所示的树脂封装型半导体器件的特征为在切断区域K内配置实施例 l中所示的通路或密封环。S卩，将配置在树脂封装型半导体器件的拐角部分或 周边部分的通路或密封环配置在与它的区域相邻的切断区域K。在图4的例子 中，作为与树脂封装型半导体器件的周边部分相邻的区域，在与树脂封装型半 导体器件相邻的切断区域K的周边部分全边配置1排通路。
通过在切断区域K内配置实施例1中所示的通路或密封环，能够提高切断 区域K内的基材与芯材的紧密性，并能够抑制由于切割加工或金属模加工时对 电路基板所加的冲击力、而在树脂封装型半导体器件的电路基板的基材与芯材之间产生以往那样的开口破坏部分那样、在电路基板内产生剥离的情况。再有， 由于在切断区域K内配置通路或密封环，因此在树脂封装型半导体器件上不留 下通路或密封环的痕迹，另外，在树脂封装型半导体器件内不需要设有配置通 路或密封环的空间，能够使树脂封装型半导体器件实现小型化。
图5所示为实施例2中的在电路基板的切断区域与半导体器件区域的边界 设置通路的树脂封装型半导体器件图。
在实施例2中也如图1 图3所示，电路基板2在基材2A的第1面侧具有 安装半导体芯片的区域及电连接半导体芯片的电极焊盘及布线、以及在其周边 为了形成单片用的切断区域，在基材2B的第2面侧在与第l面电连接的通路 前端具有外部端子4,在基材2A的第2面与基材2B的第1面之间通过抑制基 材2A与基材2B电泄漏用的芯材2C进行接合，再在其周边设置前述切断区域。 在电路基板2上通过裸芯片粘贴材料(未图示)安装多个半导体芯片(未图示)， 利用细线(未图示)将各半导体芯片(未图示)与电路基板2电接合，再用树脂3 浇铸，通过切割加工或金属模加工进行分离，通过分割来制造树脂封装型半导 体器件1。
在图5中，形成多个树脂封装型半导体器件的电路基板用切割带22粘接 固定，用切割刀21将切断区域K进行切断，通过这样进行分割，从电路基板 分离成一个个树脂封装型半导体器件。
图5所示的树脂封装型半导体器件的特征为在切断区域与半导体器件区 域的边界配置通路或密封环。
通过在切断区域与半导体器件区域的边界配置通路或密封环，能够提高周 边部分的基材与芯材的紧密性，并能够抑制由于切割加工或金属模加工时对电 路基板所加的冲击力以及将通过切割加工或金属模加工进行分离而从电路基 板分割的树脂封装型半导体器件放置在电测定用的检查插座或托架上时所加 的冲击力、而产生的基板内开口破坏部分的情况，其结果，将提高树脂封装型 半导体器件的合格率，提高生产率。再有，由于在切断区域与半导体器件区域 的边界配置通路或密封环，因此在树脂封装型半导体器件上留下的通路或密封 环的痕迹小，另外，在树脂封装型半导体器件内能够减少配置通路或密封环的 空间，能够使树脂封装型半导体器件实现小型化。图6所示为实施例2中的去除电路基板的切断区域附近的基材及芯材的树 脂封装型半导体器件图。
在图6中，电路基板2在基材2A的第1面侧具有安装半导体芯片的区域 及电连接半导体芯片的电极焊盘及布线、以及在其周边为了形成单片用的切断 区域，在基材2B的第2面侧在与第1面电连接的通路前端具有外部端子4，在 基材2A的第2面与基材2B的第1面之间通过抑制基材2A与基材2B电泄漏用 的芯材2C进行接合，再在其周边设置前述切断区域。在电路基板2上通过裸 芯片粘贴材料10安装多个半导体芯片9，利用细线11将各半导体芯片9与电 路基板2电接合，再用树脂3浇铸，通过切割加工或金属模加工进行分离，通 过分割来制造树脂封装型半导体器件1。
图6所示的树脂封装型半导体器件1的特征为在切断区域附近去除基材 2A及芯材2C，同时使基材2B与树脂3的紧密性比基材2A、 2B与芯材2C的紧 密性要高。由于去除切断区域附近的基材2A及芯材2C，再有基材2B与树脂3 的紧密性比基材2A、 2B与芯材2C的紧密性要高，因此能够抑制由于切割加工 或金属模加工时对电路基板2所加的冲击力以及将通过切割加工或金属模加工 进行分离而从电路基板2分割的树脂封装型半导体器件1放置在电测定用的检 查插座或托架上时所加的冲击力、而在树脂封装型半导体器件1的拐角部分及 周边部分的电路基板2的基材2A与芯材2C之间或者基材2B与芯材2C之间产 生以往那样的开口破坏部分那样、在电路基板2内产生剥离的情况，其结果， 将提高树脂封装型半导体器件的合格率，提高生产率。还具有树脂封装型半导 体器件1的外形形状不变的优点。
另外，关于基材2A及芯材2C的去除，可以在电路基板状态下通过使用化 学材料的刻蚀加工来进行。另外，基材2A及芯材2C的去除范围即使到达切断 区域，但只要基板保持刚性也没关系。
图7所示为实施例2中的去除电路基板的切断区域附近的没有进行树脂浇 铸的基材及芯材的树脂封装型半导体器件图。
在图7中，电路基板2在基材2A的第1面侧具有安装半导体芯片的区域 及电连接半导体芯片的电极焊盘及布线、以及在其周边为了形成单片用的切断 区域，在基材2B的第2面侧在与第1面电连接的通路前端具有外部端子4，在基材2A的第2面与基材2B的第1面之间通过抑制基材2A与基材2B电泄漏用 的芯材2C进行接合，再在其周边设置前述切断区域。在电路基板2上通过裸 芯片粘贴材料10安装多个半导体芯片9,利用细线11将各半导体芯片9与电 路基板2电接合，再用树脂3浇铸，通过切割加工或金属模加工进行分离，通 过分割来制造树脂封装型半导体器件1。
图7所示的树脂封装型半导体器件的特征为在切断区域附近去除基材2B 及芯材2C，同时使基材2A与树脂3的紧密性比基材2A、 2B与芯材2C的紧密 性要高。由于去除切断区域附近的基材2B及芯材2C，因此能够抑制由于切割 加工或金属模加工时对电路基板2所加的冲击力以及将通过切割加工或金属模 加工进行分离而从电路基板2分割的树脂封装型半导体器件1放置在电测定用 的检查插座或托架上时所加的冲击力、而在树脂封装型半导体器件1的拐角部 分及周边部分的电路基板2的基材2A与芯材2C之间或者基材2B与芯材2C之 间产生以往那样的开口破坏部分6那样、在电路基板2内产生剥离的情况，其 结果，将提高树脂封装型半导体器件的合格率，提高生产率。再有，由于去除 基材2B及芯材2C，因此导致树脂封装型半导体器件实现小型轻量化。
另外，关于基材2B及芯材2C的去除，可以在电路基板状态下通过使用化 学材料的刻蚀加工来进行。另外，基材及芯材的去除范围即使到达切断区域， 但只要基板保持刚性也没关系。
图8所示为实施例2中的在电路基板的拐角部分去除一侧的基材及芯材的 树脂封装型半导体器件图，图8B是从底面侧来看的平面图，图8A是图8B的 点划线的剖视图。
在图8中，电路基板2在基材2A的第1面侧具有安装半导体芯片的区域 及电连接半导体芯片的电极焊盘及布线、以及在其周边为了形成单片用的切断 区域，在基材2B的第2面侧在与第1面电连接的通路前端具有外部端子4，在 基材2A的第2面与基材2B的第1面之间通过抑制基材2A与基材2B电泄漏用 的芯材2C进行接合，再在其周边设置前述切断区域。在电路基板2上通过裸 芯片粘贴材料(未图示)安装多个半导体芯片(未图示)，利用细线(未图示)将各 半导体芯片(未图示)与电路基板2电接合，再用树脂3浇铸，通过切割加工或 金属模加工进行分离，通过分割来制造树脂封装型半导体器件1。图8所示的树脂封装型半导体器件的特征为去除树脂封装型半导体器件
的拐角附近的基材2A或基材2B、及芯材2C。在图8中；表示去除基材2B及 芯材2C的情况。由于预先去除切断区域附近的树脂封装型半导体器件的拐角 附近的基材2A或基材2B、及芯材2C，因此能够抑制由于切割加工或金属模加 工时对电路基板2所加的冲击力以及将通过切割加工或金属模加工进行分离而 从电路基板2分割的树脂封装型半导体器件1放置在电测定用的检查插座或托 架上时所加的冲击力、而在树脂封装型半导体器件1的特别是拐角部分的电路 基板2的基材2A与芯材2C之间或者基材2B与芯材2C之间产生以往那样的开 口破坏部分那样、在电路基板2内产生剥离的情况，其结果，将提高树脂封装 型半导体器件的合格率，提高生产率。再有，在拐角部分去除基材2B及芯材 2C的情况下，将导致树脂封装型半导体器件实现小型轻量化。
另外，关于基材及芯材的去除，可以在电路基板状态下通过使用化学材料 的刻蚀加工来进行。
图9所示为实施例2中的在电路基板的拐角部分设置斜面的树脂封装型半 导体器件图。
在图9中，电路基板2在基材2A的第1面侧具有安装半导体芯片的区域 及电连接半导体芯片的电极焊盘及布线、以及在其周边为了形成单片用的切断 区域，在基材2B的第2面侧在与第1面电连接的通路前端具有外部端子4，在 基材2A的第2面与基材2B的第1面之间通过抑制基材2A与基材2B电泄漏用 的芯材2C进行接合，再在其周边设置前述切断区域。在电路基板2上通过裸 芯片粘贴材料(未图示)安装多个半导体芯片(未图示)，利用细线(未图示)将各 半导体芯片(未图示)与电路基板2电接合，再用树脂3浇铸，通过切割加工或 金属模加工进行分离，通过分割来制造树脂封装型半导体器件1。
图9所示的树脂封装型半导体器件的特征为从半导体芯片安装面向着外 部端子形成面、向树脂封装型半导体器件的内侧方向斜向去除。由于预先对切 断区域附近的树脂封装型半导体器件1的电路基板2加工成斜面TS，因此切割 加工或金属模加工时对电路基板2所加的冲击力以及将通过切割加工或金属模 加工进行分离而从电路基板2分割的树脂封装型半导体器件1放置在电测定用 的检查插座或托架上时所加的冲击力，由于电路基板2带有倾斜TS，而使冲击力分散，能够抑制在树脂封装型半导体器件1的拐角部分及周边部分的电路基
板2的基材2A与芯材2C之间或者基材2B与芯材2C之间产生以往那样的开口 破坏部分6那样、在电路基板2内产生剥离的情况，其结果，将提高树脂封装 型半导体器件的合格率，提高生产率。再有，由于将基板进行斜面加工，因此 将导致树脂封装型半导体器件实现小型轻量化。
另外，关于基板的斜面加工，可以在树脂封装型半导体器件状态下，利用 使切割刀的前端形成三角形状的斜面切割加工来实施。
图10所示为实施例2中的托架或检查插座图。
如图IO所示，放置树脂封装型半导体器件1的托架或进行检査的检查插 座31的特征为在托架或进行检査的检查插座31上与外部端子4接触，放置 树脂封装型半导体器件1，用树脂部侧面R保持前述树脂封装型半导体器件1。 前述树脂封装型半导体器件1如图1 图3所示，电路基板2用切断区域划分、 设置多个能够安装半导体芯片的半导体器件区域，在基材2A的第1面侧具有 安装半导体芯片的区域及电连接半导体芯片的电极焊盘及布线、以及在其周边 为了形成单片用的切断区域，在基材2B的第2面侧在与第l面电连接的通路 前端具有外部端子4，在基材2A的第2面与基材2B的第1面之间通过抑制基 材2A与基材2B电泄漏用的芯材2C进行接合，再在其周边设置前述切断区域， 在这样的电路基板2上，安装多个半导体器件，将前述切断区域进行切割加工 或金属模加工而形成。
根据该托架或检查插座31，由于不与电路基板2接触，而用树脂部侧面R 保持树脂封装型半导体器件1，因此托架或检查插庭31不与电路基板2接触， 对电路基板2不施加冲击力，所以能够抑制基板内开口破坏的情况，其结果， 将提高树脂封装型半导体器件l的质量，提高生产率。另外，本发明中的托架 或检查插庭31为了便于用注射成形，廉价进行批量生产，也可以用分割及结 合线B将上下一分为二，进行注射成形，然后将上下通过粘接进行结合。
图11所示为实施例2中的层叠用托架图。
在图11中，树脂封装型半导体器件1如图1 图3所示，在用切断区域划 分、设置的电路基板2上形成多个能够安装半导体芯片的半导体器件区域，电 路基板2在基材2A的第1面侧具有安装半导体芯片的区域及电连接半导体芯片的电极焊盘及布线、以及在其周边为了形成单片用的切断区域，在基材2B 的第2面侧在与第1面电连接的通路前端具有外部端子4，在基材2A的第2面 与基材2B的第1面之间通过抑制基材2A与基材2B电泄漏用的芯材2C进行接 合，再在其周边设置前述切断区域，在这样的电路基板2上，安装半导体器件， 将前述切断区域进行切割加工或金属模加工而形成。而且，放置树脂封装型半 导体器件1的托架32具有特征。
本实施例的托架32形成这样的结构，即在放置了前述树脂封装型半导体 器件1的状态下将托架32层叠使用，上侧的托架32用限制肋条下部32B保持 安装在下侧的托架32上的树脂封装型半导体器件1的树脂部3的表面，下侧 的托架用限制肋条上部32A保持安装在上侧的托架上的树脂封装型半导体器件 1的电路基板2或外部端子4。这时，也可以不设置限制肋条上部32A，直接用 托架32的底部保持外部端子4。
根据该托架32，由于在放置的托架32彼此之间，用上侧的托架32的限制 肋条下部32B保持安装在下侧的托架32上的树脂封装型半导体器件1的树脂 部3的表面，下侧的托架32的限制肋条上部32A保持电路基板2或外部端子4， 因此能够抑制以往那样的基板内开口破坏的情况，其结果，将提高树脂封装型 半导体器件的合格率，提高生产率。
另外，本实施例的托架32为了以廉价进行批量生产，可以用注射成形进 行加工。另外，为了降低限制肋条与树脂封装型半导体器件1的树脂3或电路 基板2或外部端子4的紧密性，也可以对限制肋条下部32B或限制肋条上部32A 的与树脂3或电路基板2或外部端子4的接触部施加氟系表面覆盖层，作为降 低紧密性那样的托架材料，若使用例如PC(聚碳酸酯)等，则不一定必须形成表 面覆盖层等。
图12为实施例2中的树脂封装型半导体器件的制造方法的说明图。 在图12中，表示通过切割加工或金属模加工进行分离、而从电路基板2 分割一个个树脂封装型半导体器件1来进行制造之前的电路基板2的状态。电 路基板2如图1 图3所示，在基材2A的第1面侧具有安装半导体芯片的区域 及电连接半导体芯片的电极焊盘及布线、以及在其周边为了形成单片用的切断 区域，在基材2B的第2面侧在与第1面电连接的通路前端具有外部端子4，在基材2A的第2面与基材2B的第1面之间通过抑制基材2A与基材2B电泄漏用 的芯材2C进行接合，再在其周边设置前述切断区域。在电路基板2上通过裸 芯片粘贴材料(未图示)安装多个半导体芯片(未图示)，利用细线(未图示)将各 半导体芯片(未图示)与电路基板2电接合，再用树脂3浇铸。在图12中，形 成了树脂封装型半导体器件1的电路基板2用切割带22粘接固定，用切割刀 21进行分割，从电路基板2分离成一个个树脂封装型半导体器件1。这里，其 特征为在切割时，仅在切断区域的树脂封装型半导体器件1的拐角部分附近 降低速度，进行切割加工。
根据本树脂封装型半导体器件的制造方法，由于仅在切断区域的树脂封装
型半导体器件1的拐角部分附降低速度，进行切割加工，因此特别能够抑制拐 角部分的基板内开口破坏的情况，其结果，将提高树脂封装型半导体器件1的 合格率，提高生产率。
另外，在本发明中，电路基板厚度约为O. l隱到O. 5mm，为了防止基材间 的电泄漏，对芯材采用玻璃布含有环氧树脂的材料，另外，树脂采用环氧系热 固化性树脂。在切割加工中，刀宽约为0. 02謹到0.8画，进给速度为lmm/s到 300mra/s，转速为5000rpm到60000rpm，可以在上述很大范围的条件下进行加 工。
另外，在本发明中，由于采用在开口抑制用的通路上不附加外部端子的结 构，因此在通路(在本发明中是铜系材料)上为了抑制氧化，最好闪镀金，形成 覆盖层。另外，在本发明中是采用在通路上不附加外部端子的结构，但是即使 不与半导体芯片进行电接合，而通过附加外部端子，也能够降低二次安装时对 树脂封装型半导体器件所施加的重复弯曲应力。
另外，在以上的说明中，说明的是用细线焊接对半导体芯片与电路基板进 行电连接的情况，但也可以采用通过凸点进行连接的结构。
权利要求
1.一种电路基板，其特征在于，是在安装多个半导体芯片并进行树脂封装后，在切断区域进行切断，从而形成单片的多个树脂封装型半导体器件，并且在第1基材与第2基材之间夹有芯材而形成的电路基板，具有第1面上的区域，在该区域安装所述半导体芯片；形成在与所述第1面相对的成为背面的第2面上并与所述半导体芯片电连接的外部端子；以及贯通所述电路基板的贯通件。
2. 如权利要求l所述的电路基板，其特征在于， 所述贯通件是1个或多个通路。
3. 如权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述贯通件是在构成所述树脂封装型半导体器件的区域的外周部分附近 连续形成的密封件。
4. 如权利要求1所述的电路基板，其特征在于，在构成所述树脂封装型半导体器件的区域的各拐角部分形成所述贯通件。
5. 如权利要求2所述的电路基板，其特征在于，在构成所述树脂封装型半导体器件的区域的各拐角部分形成所述贯通件。
6. 如权利要求l所述的电路基板，其特征在于，在构成所述树脂封装型半导体器件的区域的各边部分形成所述贯通件。
7. 如权利要求2所述的电路基板，其特征在于，在构成所述树脂封装型半导体器件的区域的各边部分形成所述贯通件。
8. 如权利要求4所述的电路基板，其特征在于，在构成所述树脂封装型半导体器件的区域的各边部分形成所述贯通件。
9. 如权利要求5所述的电路基板，其特征在于，在构成所述树脂封装型半导体器件的区域的各边部分形成所述贯通件。
10. 如权利要求l所述的电路基板，其特征在于，在所述切断区域的与所述树脂封装型半导体器件相邻的那条边形成所述 贯通件。
11. 如权利要求2所述的电路基板，其特征在于，在所述切断区域的与所述树脂封装型半导体器件相邻的那条边形成所述 贯通件。
12. 如权利要求l所述的电路基板，其特征在于，在构成所述树脂封装型半导体器件的区域与所述切断区域的边界部分形 成所述贯通件。
13. 如权利要求2所述的电路基板，其特征在于，在构成所述树脂封装型半导体器件的区域与所述切断区域的边界部分形 成所述贯通件。
14. 一种电路基板，其特征在于，是在安装多个半导体芯片并进行树脂封装后，在切断区域进行切断，从而 形成单片的多个树脂封装型半导体器件，并且在第1基材与第2基材之间夹有芯材而形成的电路基板， 具有第l面上的区域，在该区域安装所述半导体芯片；以及形成在与所述第1面相对的成为背面的第2面上并与所述半导体芯片电连接的外部端子，而且去除所述电路基板的一部分。
15. 如权利要求14所述的电路基板，其特征在于，所述电路基板的去除，是指在规定的范围内去除构成所述树脂封装型半导 体器件的区域的拐角部分的所述芯材以及去除所述第1基材或所述第2基材中 的某一方的基材。
16. 如权利要求14所述的电路基板，其特征在于，所述电路基板的去除，是指将所述电路基板的端部从所述半导体芯片安装 面向着所述外部端子形成面、向所述树脂封装型半导体器件的内侧方向斜向地 进行去除。
17. —种树脂封装型半导体器件，其特征在于，是在权利要求1至16中的任一项所述的电路基板的所述第1面上电连接 并安装所述半导体芯片，在所述切断区域进行切断来形成单片而形成的树脂封 装型半导体器件。
18. —种托架，其特征在于，放置树脂封装型半导体器件，该树脂封装型半导体器件是在电路基板的第1面上电连接并安装半导体芯片，在成为所述第1面的背面的第2面上设置与 所述半导体芯片电连接的外部端子，在安装所述半导体芯片的第1面上用树脂 封装而构成的树脂封装型半导体器件，通过在所述外部端子、以及所述树脂形成的面内的相对的两个面这三处进 行保持，来放置所述树脂封装型半导体器件。
19. 一种托架，其特征在于，放置树脂封装型半导体器件并层叠使用，该树脂封装型半导体器件是在电 路基板的第1面上电连接并安装半导体芯片，在成为所述第1面的背面的第2 面上设置与所述半导体芯片电连接的外部端子，在安装所述半导体芯片的第1 面上用树脂封装而构成的树脂封装型半导体器件，所述树脂封装型半导体器件的所述电路基板或所述外部端子，用放置该树 脂封装型半导体器件的托架保持，并且所述树脂的与所述电路基板相对的面用 正上方层叠的托架保持。
20. —种检査插座，其特征在于，放置树脂封装型半导体器件，该树脂封装型半导体器件是在电路基板的第 1面上电连接并安装半导体芯片，在成为所述第1面的背面的第2面上设置与 所述半导体芯片电连接的外部端子，在安装所述半导体芯片的第l面上用树脂 封装而构成的树脂封装型半导体器件，通过在所述外部端子、以及所述树脂形成的面内的相对的两个面这三处进 行保持，来放置所述树脂封装型半导体器件。
全文摘要
本发明揭示一种电路基板、树脂封装型半导体器件、托架及检查插座。通过对树脂封装型半导体器件1的周围的一部分或全部、或者电路基板2的切断区域设置贯通电路基板2的通路7或密封环8，由于提高了电路基板2中的基材与芯材2C的紧密性，因此能够抑制电路基板2的剥离，并能够提高合格率。
文档编号H01L21/673GK101308833SQ20081008106
公开日2008年11月19日 申请日期2008年2月20日 优先权日2007年5月18日
发明者内海胜喜, 饭高正裕, 高田隆 申请人:松下电器产业株式会社