电容元件和电容元件的制造方法

专利名称：电容元件和电容元件的制造方法
技术领域：
本发明涉及每单位体积的静电电容和耐电压的乘积(cv积)比 以往的电解电容器大的电容元件和电容元件的制造方法。
背景技术：
将作为一种阀金属(Valve metal)氧化物的A1203用作电介质皮 膜的电解电容器迄今为止得到了广泛应用。电解电容器由电介质(电 介体)皮膜和电解液成分的组合构成并具有极性。而且，通过使A1203 皮膜的表面变得粗糙等来谋求面积的扩大，但目前已达到大电容化的 极限。另外，由于具有极性，存在着用途受到限定的课题。
为解决这些课题并实现大电容化，提出了以下方案。具体地说， 在专利文献1中，提出了如下一种方法，即将如图35的平面图所 示的设有多个孔5的多孔基板4用作掩模、如图36的剖视图所示通 过薄膜成膜处理或蚀刻在电容器基板1的面状电极2的表面形成使多 个柱状体2a有规则地排列的第一电极6a、然后如图37的剖视图所示 用MOCVD (有机金属化学气相淀积)法在该第一电极6a的表面使 介电常数100以上的电介质材料成膜而形成电介质薄膜8、进一步在 该电介质薄膜8的表面形成第二电极6b,由此获得电容器结构体。
专利文献1:日本特开2003 — 249417号公报

发明内容
但是，在如上所述的背景技术的电容元件结构体的制造方法中， 由于用多孔基板4作为掩模形成柱状体2a,很容易发生电极材料附着 在上述多孔基板4上和该多孔基板4的孔5的内壁上或因上述多孔基 板4本身的蚀刻而引起的孔5的扩大等。因此，存在着很难以均匀的
截面形状得到所需长度尺寸的柱状体2a的课题。
另外，由于用MOCVD法在竖立着上述柱状体2a的结构的第一 电极6a的表面使介电常数100以上的电介质材料成膜而形成电介质 薄膜8，当上述柱状体2a的高度较高时，在上述第一电极6a的表面 内的面对原料气的气流易于接触到原料气体的部位和难于接触f )J原 料气体的部位，所生成的电介质薄膜8很容易产生膜厚差。因此，存 在着很难稳定地得到每单位体积的静电电容和耐电压的乘积(CV积) 大的电容器的课题。
本发明是鉴于以上课题而开发的，其目的是提供一种每单位体积 的CV积比以往的电解电容器大的电容元件。其目的还在于提供一种 无极性的电容元件。
本发明的另一个目的是提供一种能够稳定地生产大电容、无极性 的电容元件的制造方法。
为达到上述目的，本发明的电容元件，(l)具有由第一阀金属氧 化物构成并交替地配置多个在厚度方向上贯通的属于第一组的孔和 属于第二组的孔的多孔板状的电介质(电介体)、分别在属于上述第
一组的多个孔内形成且基端在上述电介质的一个主面上露出的第一 柱状电极、分别在属于上述第二组的多个孔内形成且基端在上述电介 质的另一个主面上露出的第二柱状电极。并且，具有分别设置成在属 于上述第一组的孔内的上述第一柱状电极的顶端上封堵该孔、在属于 上述第二组的孔内的上述第二柱状电极的顶端上封堵该孔的绝缘体 层。而且，还具有设置成在上述电介质的一个主面上与上述第一柱状 电极的基端连接的第一引出电极、设置成在上述电介质的另一个主面 上与上述第二柱状电极的基端连接的第二引出电极。
因此，即使增大电压也能抑制绝缘性的降低，CV积提高，同时 没有像电解电容器那样的极性。由此可见，由于耐电压提高，可以提 供每单位体积的cv积比以往的电解电容器大、且无极性的电容元件。
另外，本发明的电容元件的主要方式之一，(2)除上述(1)以 外，并且，上述绝缘体层是使导电性高分子热分解(热解)而形成的
层。因此，即使是属于第一组的孔的内部和属于第二组的孔的内部这 样的难于充填绝缘性树脂的部位，也能稳定地得到绝缘性。
另外，本发明的电容元件的主要方式之一，(3)除上述第二课题 解决手段以外，并且，在上述第一引出电极和上述第二引出电极之间 进行了电压施加。按照这种方式，将对置电极间的短路部分烧断。因 此，可以提供减低了漏电流的电容元件。
另外，本发明的电容元件的另一个主要方式之一，(4)除上述第 一课题解决手段以外，并且，上述绝缘体层由Ti02膜构成。丁102膜 与构成电介质层的第一阀金属氧化物(例如A1203 )相比，介电常数 高。因此，当使绝缘层的厚度薄到有助于增大电容元件的电容的程度 时，可以得到电容更高的电容元件。
另外，本发明的电容元件的另一个主要方式之一，(5)除上述第
一课题解决手段以外，并且，上述绝缘体层由Si02膜构成。因此，
可以提供具有高的绝缘性的电容元件。
另外，本发明的电容元件的另一个主要方式之一，(6)除上述第 一课题解决手段以外，并且，上述绝缘体层由绝缘性树脂层构成。因 此，可以提供具有高的绝缘性的电容元件。
另外，本发明的电容元件的另一个主要方式之一，(7)除上述第 一课题解决手段以外，并且，上述绝缘体层由第二阀金属氧化物构成。 因此，可以提供具有高的绝缘性的电容元件。
另外，本发明的电容元件的另一个主要方式之一，(8)除上述第 一课题解决手段以外，并且，上述绝缘体层由空气层构成。因此，可 以提供频率阻抗特性中的谐振频率高的高频特性良好的电容元件。
另外，本发明的电容元件的制造方法，(9)具有在第一阀金属的 箔片的一个主面上按预定的配置通过印压(indentation)而在多个部 位上形成微小凹部的工序、对该阀金属箔片进行阳极氧化、分别在形 成有上述微小凹部的部位形成具有预定深度的属于第一组的凹部、在 形成有上述微小凹部的多个部位之间形成深度比属于上述第一组的 凹部浅的属于第二组的凹部来形成多孔板状的电介质的工序。并且，
具有在上述电介质的属于第一组的凹部的内面和属于第二组的凹部
的内面通过非电解电镀形成种子(seed)层、同时在上述电介质的一 个主面上形成第一引出电极的工序、通过蚀刻将上述电介质的属于第 一组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另 一个主面侧开口的 属于第一组的多个孔的工序。并且，具有在属于上述第一组的孔内的 上述晶粒层种子层上通过电解电镀留下上述电介质的另一个主面侧 的上述孔的前端而形成第一柱状电极的工序、通过蚀刻将上述电介质 的属于第二组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另一个主面 侧开口的属于第二组的多个孔的工序。并且，具有分别在属于上述第 一组的孔内的上述第一柱状电极的顶端上和属于上述第二组的孔内 的上述第一引出电极上通过电解聚合形成导电性高分子层使其将上 述孔封堵的工序、在属于上述第二组的孔内的上述晶粒层种子层上通 过电解电镀形成第二柱状电极、同时在上述电介质的另一个主面上形 成第二引出电极的工序。并且，具有使上述导电性高分子层热分解而 绝缘化后形成绝缘体层的工序、通过施加电压将上述第一柱状电极的 顶端与上述第二引出电极之间和上述第二柱状电极的顶端与上述第 一引出电极之间的短路部位烧断的工序。因此，可以稳定地生产结构 为分别将第 一柱状电极容纳在由第 一 阀金属氧化物构成的多孔板状 的电介质的属于第一组的孔内、将第二柱状电极容纳在属于第二组的 孔内、同时分别设置绝缘体层使其将绝缘性最容易降低的属于上述第 一组的孔内的上述第 一 柱状电极的顶端上封堵并将绝缘性最容易降 低的属于上述第二组的孔内的上述第二柱状电极的顶端上封堵的电 容元件。
另外，本发明的电容元件的制造方法，(10)具有在第1第一阀 金属的箔片的一个主面上按预定的配置在通过印压而在多个部位上 形成微小凹部的工序、对该阀金属箔片进行阳极氧化、并分别在形成 有上述微小凹部的部位形成具有预定深度的属于第1第一组的凹部、
在形成有上述微小凹部的多个部位之间形成深度比属于上述第1第一 组的凹部浅的属于第2第二组的凹部来形成多孔板状的电介质的工
序、通过蚀刻将上述电介质的属于第1第一组的凹部的底部除去而形 成在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第1第一组的多个孔的工 序、在上述电介质的形成有属于上述第2第二组的凹部的一个主面上 形成第1第一供电电极的工序、在属于上述第1第一组的孔内通过电 解电镀留下上述电介质的另一个主面侧的上述孔的前端而形成第1第 一柱状电极的工序、分别在属于上述第1第一组的孔内的上述第1第 一柱状电极的顶端上形成将上述孔封堵的绝缘体层的工序、通过蚀刻 将上述电介质的一个主面上的上述第1第一供电电极和属于上述第2 第二组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另 一个主面侧开口 的属于第2第二组的多个孔的工序、在上述电介质的另一个主面上形
成第2第二引出电极的工序、在属于上述第2第二组的孔内的上述第 2第二引出电极上通过电解电镀留下上述电介质的一个主面侧的上述 孔的前端而形成第2第二柱状电极的工序、分别在属于上述第2第二 组的孔内的上述第2第二柱状电极的顶端上形成将上述孔封堵的绝缘 体层的工序、在上述电介质的一个主面上形成与上述第1第一柱状电 极的基端连接的第1第一引出电极的工序。因此，可以稳定地生产结 构为分别将第1第一柱状电极容纳在由第1第一阀金属氧化物构成的 多孔板状的电介质的属于第1第一组的孔内、将第2第二柱状电极容 纳在属于第2第二组的孔内、同时在上述第l第一柱状电极的顶端和 上述第2第二引出电极之间设置绝缘体层使其将绝缘性最容易降低的 属于上述第1第一组的孔封堵、并在上述第2第二柱状电极的顶端和 上述第1第一引出电极之间设置绝缘体层使其将绝缘性最容易降低的 属于上述第2第二组的孔封堵的电容元件。
另外，本发明的电容元件的制造方法的主要方式之一，(11)除 上述第十课题解决手段以外，并且，在上述第一柱状电极的顶端上形 成绝缘体层的工序和在上述第二柱状电极的顶端上形成绝缘体层的 工序，在分别将上述第一供电电极和上述第二引出电极作为供电层而 形成有导电性高分子膜后，通过热分解而绝缘化。因此，能以简便的 制造工艺稳定地生产具有高的绝缘性的电容元件。
另外，本发明的电容元件的制造方法的另 一 个主要方式之一 ，
(12) 除上述第十课题解决手段以外，并且，在上述第一柱状电极的 顶端上形成绝缘体层的工序和在上述第二柱状电极的顶端上形成绝 缘体层的工序，在分别将上述第一供电电极和上述第二引出电极作为
供电层而形成有Ti02电淀积膜后，通过热处理而绝缘化。因此，能
以简便的制造工艺稳定地生产电容元件。
另外，本发明的电容元件的制造方法的另 一个主要方式之一，
(13) 除上述第十课题解决手段以外，并且，在上述第一柱状电极的 顶端上形成绝缘体层的工序和在上述第二柱状电极的顶端上形成绝 缘体层的工序，分别将上述第一供电电极和上述第二引出电极作为供 电层而对Si02层进行电解电镀。因此，能以简便的制造工艺稳定地 生产具有高的绝缘性的电容元件。
另外，本发明的电容元件的制造方法的另 一个主要方式之一，
(14) 除上述第十课题解决手段以外，并且，在上述第一柱状电极的 顶端上形成绝缘体层的工序和在上述第二柱状电极的顶端上形成绝 缘体层的工序，在分别将上述第一供电电极和上述第二引出电极作为 供电层而形成有Sn — Pd镀层后，在上述Sn — Pd镀层上湿式淀积Si02 层。因此，能以较简便的制造工艺稳定地生产具有高的绝缘性的电容 元件。
另外，本发明的电容元件的制造方法，U5)具有在第一阀金属 的箔片的一个主面上按预定的配置通过印压而在多个部位上形成微 小凹部的工序、对该阀金属箔片进行阳极氧化、并分别在形成有上述 微小凹部的部位形成具有预定深度的属于第一组的凹部、在形成有上 述微小凹部的多个部位之间形成深度比属于上述第 一 组的凹部浅的 属于第二组的凹部来形成多孔板状的电介质的工序、通过蚀刻将上述 电介质的属于第一组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另一 个主面侧开口的属于第一组的多个孔的工序、在上述电介质的形成有 属于上述第二组的凹部的一个主面上形成第一供电电极的工序、在属 于上述第一组的孔内的上述第一供电电极上通过电解电镀留下上述
电介质的另一个主面侧的上述孔的前端而形成第一柱状电极的工序、 通过蚀刻将上述第一供电电极和上述电介质的属于第二组的凹部的 底部除去而形成在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第二组的 多个孔的工序、分别在属于上述第一组的孔内的上述第一柱状电极的 顶端上和属于上述第二组的多个孔内形成将上述孔封堵的绝缘体层 的工序、在上述电介质的另一个主面上形成第二引出电极的工序、在 属于上述第二组的孔内的上述第二引出电极上通过电解电镀留下上 述电介质的一个主面侧的上述孔的前端而形成第二柱状电极的工序、 分别在属于上述第二组的孔内的上述第二柱状电极的顶端上形成将 上述孔封堵的绝缘体层的工序、在上述电介质的一个主面上形成与上 述第一柱状电极的基端连接的第一引出电极的工序。因此，可以稳定 地生产结构为分别将第 一柱状电极容纳在由第 一 阀金属氧化物构成 的多孔板状的电介质的属于第 一组的孔内、将第二柱状电极容纳在属 于第二组的孔内、同时分别设置绝缘体层使其将绝缘性最容易降低的 属于上述第一组的孔内的上述第一柱状电极的顶端上封堵并将绝缘 性最容易降低的属于上述第二组的孔内的上述第二柱状电极的顶端 上封堵的电容元件。
另外，本发明的电容元件的制造方法的主要方式之一，(16)除
上述第一5课题解决手段以外，并且，在上述第一柱状电极的顶端上 形成绝缘体层的工序，在属于上述第一组的孔内的上述第一柱状电极 的顶端上和属于上述第二组的多个孔内分别埋入了绝缘性树脂后，将 属于上述第二组的多个孔内的绝缘性树脂除去，在上述第二柱状电极 的顶端上形成绝缘体层的工序，在属于上述第二组的孔内的上述第二 柱状电极的顶端上分别埋入绝缘性树脂。因此，能以简便的制造工艺 稳定地生产具有高的绝缘性的电容元件。
另外，本发明的电容元件的制造方法的另 一个主要方式之一 ， (17)除上述第一 5课题解决手段以外，并且，在上述第一柱状电极 的顶端上形成绝缘体层的工序，在上述电介质的上述第一柱状电极的 顶端侧的上述另 一个主面上形成有绝缘性树脂膜后，除属于上述第一
组的孔内以外将上述另一个主面上的绝缘性树脂膜除去，在上述第二 柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序，在上述电介质的上述第二柱 状电极的顶端侧的上述另 一个主面上形成有绝缘性树脂膜后，除属于 上述第二组的孔内以外将上述另一个主面上的绝缘性树脂膜除去。因 此，能以较简便的制造工艺稳定地生产具有高的绝缘性的电容元件。
另外，本发明的电容元件的制造方法，(18)具有在第一阀金属 的箔片的一个主面上按预定的配置通过印压而在多个部位上形成微 小凹部的工序、对该阀金属箔片进行阳极氧化、并分别在形成有上述 微小凹部的部位形成具有预定深度的属于第一组的凹部、在形成有上 述微小凹部的多个部位之间形成深度比属于上述第 一 组的凹部浅的 属于第二组的凹部来形成多孔板状的电介质的工序、通过蚀刻将上述 电介质的属于第一组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另一 个主面侧开口的属于第一组的多个孔的工序、在上述电介质的形成有 属于上述第二组的凹部的一个主面上形成第一供电电极的工序、在属 于上述第一组的孔内的上述第一供电电极上通过电解电镀留下上述 电介质的另一个主面侧的上述孔的前端而形成第一柱状电极的工序、 通过蚀刻将上述电介质的属于第二组的凹部的底部除去而形成在上 述电介质的另一个主面侧开口的属于第二组的多个孔的工序、在上述 电介质的上述第一柱状电极的顶端侧的上述另一个主面上形成第二 岡金属层的工序、除属于上述第一组的孔内以外将上述另一个主面上 的第二阀金属层除去的工序、通过将上述第一供电电极作为供电层并 对上述第二阀金属层进行阳极氧化而分别在属于上述第一组的孔内 的上述第一柱状电极的顶端上和属于上述第二组的多个孔内形成将 上述孔封堵的绝缘体层的工序、通过蚀刻将上述第一供电电极除去的 工序、在上述电介质的另一个主面上形成第二引出电极的工序、在属 于上述第二组的孔内的上述第二引出电极上通过电解电镀留下上述 电介质的 一个主面侧的上述孔的前端而形成第二柱状电^l的工序、在 上述电介质的上述第二柱状电极的顶端侧的上述一个主面上形成第 二阀金属层的工序、除属于上述第二组的孔内以外将上述一个主面上
的第二阀金属层除去的工序、分别在属于上述第二组的孔内的上述第 二柱状电极的顶端上形成将上述孔封堵的绝缘体层的工序、通过将上 述第二引出电极作为供电层并对上述第二阀金属层进行阳极氧化而 在上述电介质的一个主面上形成与上述第一柱状电极的基端连接的 第一引出电极的工序。因此，可以稳定地生产结构为分别将第一柱状 电极容纳在由第一阀金属氧化物构成的多孔柱状的电介质的属于第 一组的孔内、将第二柱状电极容纳在属于第二组的孔内、同时分别设 置绝缘体层使其将绝缘性最容易降低的属于上述第一组的孔内的上 述第一柱状电极的顶端上封堵并将绝缘性最容易降低的属于上述第 二组的孔内的上述第二柱状电极的顶端上封堵的电容元件。
另外，本发明的电容元件的制造方法，U9)具有在第一阀金属 的箔片的一个主面上按预定的配置在通过印压而在多个部位上形成 微小凹部的工序、对该阀金属箔片进行阳极氧化、并分别在形成有上 述微小凹部的部位形成具有预定深度的属于第 一 组的凹部、在形成有 上述孩i小凹部的多个部位之间形成深度比属于上述第一组的凹部浅 的属于第二组的凹部来形成多孔板状的电介质的工序、通过蚀刻将上 述电介质的属于第一组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另 一个主面侧开口的属于第一组的多个孔的工序、在上述电介质的形成 有属于上述第二组的凹部的一个主面上形成第一供电电极的工序、在 属于上述第一组的孔内的上述第一供电电极上通过电解电镀留下上 述电介质的另 一个主面侧的上述孔的前端而形成第一柱状电极的工 序、通过蚀刻将上述第一供电电极和上述电介质的属于第二组的凹部 的底部除去而形成在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第二组 的多个孔的工序、在上述电介质的另一个主面上通过溅射在与上述第 一柱状电极的顶端之间隔着空气层形成第二引出电极的工序、在属于 上述第二组的孔内的上述第二引出电极上通过电解电镀留下上述电 介质的一个主面侧的上述孔的前端而形成第二柱状电极的工序、在上 述电介质的一个主面上通过溅射在与上述第二柱状电极的顶端之间 隔着空气层形成与上述第一柱状电极的基端连接的第一引出电极的
工序。因此，可以分别将第一柱状电极容纳在由第一阀金属氧化物构 成的多孔板状的电介质的属于第 一组的孔内、将第二柱状电极容纳在 属于第二组的孔内，同时省略了在上述第一柱状电极的顶端上和上述 第二柱状电极的顶端上分别设置绝缘体层的工序，因而能以简便的制 造工艺稳定地生产电容元件。
其他的本发明的上述和其他目的、特征、优点，从以下的详细说 明和附图将看得很清楚。


图1是表示本发明的电容元件的第 一 实施方式的内部结构的剖视图。
图2是表示上述第 一 实施方式的电容元件的变形例的剖视图。 图3是表示本发明的电容元件的制造方法的第 一 实施方式的 一例
的制造工序的顺序的图。
图4是表示上述第一实施方式的一例的各工序的图。
图5是表示上述第一实施方式的一例的各工序的图。
图6是表示上述第一实施方式的一例的各工序的图。
图7是表示上述第 一 实施方式的另 一 例的制造工序的顺序的图。
图8是表示本发明的电容元件的制造方法的第二实施方式的制造
工序的顺序的图。
图9是表示上述第二实施方式的各工序的图。
图IO是表示上述第二实施方式的各工序的图。
图11是表示上述第二实施方式的一例的制造工序的顺序的图。
图12是表示上述第二实施方式的一例的绝缘体层形成工序的图。
图13是表示本发明的电容元件的制造方法的第三实施方式的一
例的制造工序的顺序的图。
图14是表示上述第三实施方式的一例的绝缘体层形成工序的图。 图15是表示本发明的电容元件的制造方法的第四实施方式的一
例的制造工序的顺序的图。
图16是表示本发明的电容元件的制造方法的第五实施方式的一 例的制造工序的顺序的图。
图17是表示上述第五实施方式的一例的绝缘体层形成工序的图。 图18是表示本发明的电容元件的制造方法的第六实施方式的一
例的制造工序的顺序的图。
图19是表示上述第六实施方式的一例的各工序的图。
图20是表示上述第六实施方式的一例的各工序的图。
图21是表示上述第六实施方式的一例的制造工序的顺序的图。
图22是表示上述第六实施方式的一例的绝缘体层形成工序的图。
图23是表示本发明的电容元件的制造方法的第七实施方式的一
例的制造工序的顺序的图。
图24是表示上述第七实施方式的一例的绝缘体层形成工序的图。 图25是表示本发明的电容元件的制造方法的第八实施方式的一
例的制造工序的顺序的图。
图26是表示上述第八实施方式的一例的各工序的图。 图27是表示上述第八实施方式的一例的各工序的图。 图28是表示上述第八实施方式的一例的各工序的图。 图29是表示本发明的电容元件的制造方法的第九实施方式的一
例的制造工序的顺序的图。
图30是表示上述第九实施方式的一例的各工序的图。 图31是表示上述第九实施方式的一例的各工序的图。
的内部结构的剖视图。
图33是表示采用了本发明的电容元件的电容器的第二实施方式 的内部结构的剖视图。
图34是表示采用了本发明的电容元件的电容器埋入多层配线基 才反的实施方式的内部结构的剖—见图。
图35是表示背景技术的电容元件的制造方法的图。
图36是表示背景技术的电容元件的制造方法的图。
图37是表示背景技术的电容元件的内部结构的剖视图。
具体实施例方式
以下，参照图1和图2说明本发明的电容元件的第一实施方式。
图1是用于说明第一实施方式的电容元件10的内部结构的方文大剖祸L 图，图1 (A)是A —A线的横截面图，图1 (B)是B —B线的纵截 面图。图2是表示上述第一实施方式的电容元件IO的变形例的内部 结构的横截面图。
如图1所示，第一实施方式的电容元件10具有由第一阀金属 氧化物构成的多孔板状的电介质14;分别在交替地配置在上述电介质 14上的属于第一组的孔15a3内和属于第二组的孔15b3内形成的柱状 电极16a、 16b;分别在属于上述第一组的孔15a3内的上述柱状电极 16a的顶端t上和属于上述第二组的孔15b3内的上述柱状电极16b的 顶端t上形成的由有机绝缘体层构成的绝缘体层18a、 18b;以及分别 设置在上述电介质14的一个和另一个主面14a、 14b上并分别与上述 柱状电极16a、 16b连接的引出电极12a、 12b。
上述柱状电才及16a、 16b由在属于第一组的孔15a3内形成的第一 柱状电极16a和在属于第二组的孔15b3内形成的第二柱状电极16b 构成。属于上述第一组的孔15a3、属于第二组的孔15b3的配置如图 l(A)所示，其结构为，当以特定的孔为中心时，属于同一组的孔仅 在将周围6等分中的隔着上述特定的孔而彼此相对的2个方向上邻 接、其他4个方向由属于另一组的孔包围。而且，在图1 (A)所示 的B — B线的纵截面上，属于第一组的孔15a3和属于第二组的孔15b3 沿横向交替地排列。换句话说，上述交替的排列，在向上的方向邻接 的列和向下的方向邻接的列上，呈直线状地连续反复。在这种情况下， 对磁场的对称性良好，因此是等效串联电感(ESL)低的适合于高频 电路的用途的电容元件。
更具体地说，本实施方式的电容元件10具有交替地配置了多 个在厚度方向上贯通的属于第一组的孔15a3和属于第二组的孔15b3
的由第一阀金属氧化物构成的多孔板状的电介质14;分别在属于上述 第一组的多个孔15a3内形成且基端b在上述电介质14的一个主面上 露出的第一柱状电极16a;分别在属于上述第二组的多个孔15b3内形 成且基端b在上述电介质14的另一个主面上露出的第二柱状电极 16b。并且，还具有分别设置成在属于上述第一组的孔15a3内将上 述第一柱状电极16a的顶端t上封堵、并在属于上述第二组的孔15b3 内将上述第二柱状电极16b的顶端t上封堵的由有机绝缘体层构成的 绝缘体层18a、 18b;设置在上述电介质14的一个主面14a上并与上 述第一柱状电极16a的基端b连接的第一引出电极12a;设置在上述 电介质14的另一个主面14b上并与上述第二柱状电极16b的基端b 连接的第二引出电极12b。
此外，上述电介质14中的属于第一组的孔15a和属于第二组的 孔15b的排列，并不限定于上述，也可以例如如下述图2 (C) ~图2 (E)所示，可以是各种变形例。
在图2(C)中示出横截面的电容元件10'，其A' — A'线的纵截面， 与前面的图l(B)—样，属于第一组的孔15a3'和属于第二组的孔15b3' 沿横向交替地排列。而且，上述交替的排列，在向上的方向邻接的列 和向下的方向邻接的列上，呈折线状地连续反复。在这种情况下，与 上述的电容元件IO相比，存在着磁场的定向性稍有降低、ESL要增 加一些的倾向。
另外，在图2(D)中示出横截面的电容元件10"，其A" —A"线 的纵截面，与前面的图1 (B)—样，属于第一组的孔15a3"和属于第 二组的孔15b3"沿横向交替地排列。而且，上述交替的排列，分别在 向上的方向和向下的方向每隔一列呈折线状地反复。在这种情况下， 与上述的电容元件IO相比，第一柱状电极的数目和第二柱状电极的 数目不同，因此耐电流(耐脉动)性稍有降低。而且，ESL与上述相 比也存在着增加的倾向。
并且，在图2 (E)中示出横截面的电容元件10"，，其A"，-A"，线的纵截面，与前面的图l(B)—样，属于第一组的孔15a3"， 和属于第二组的孔15b3"，沿横向交替地排列。而且，上述交替的排 列，分别在向上的方向和向下的方向每隔一列呈直线状地反复。在这
种情况下，与上述电容元件IO"同样地，与上述的电容元件IO相比，
第一柱状电极的数目和第二柱状电极的数目不同，因此耐电流(耐脉
动)性稍有降低。而且，ESL与上述相比也存在着增加的倾向。
另外，本实施方式的电容元件10除上述结构以外，并且，上述 有机绝缘体层是使导电性高分子层17a、 17b热分解而形成的层。
另外，本实施方式的电容元件10除上述结构以外，并且，在上 述第一引出电极12a和上述第二引出电极12b之间进行了施加电压， 将上述第一柱状电极16a的顶端t与上述第二引出电极12b之间和上 述第二柱状电极16b的顶端t与上述第一引出电极12a之间的短路部 位烧断。
以下，参照图3~图6说明本发明的电容元件的制造方法的第一 实施方式。图3是表示本实施方式的电容元件10的制造方法的制造 工艺的一例的概要的流程图。另外，图4~图6是用于说明该制造工 艺的各工序的与上述图1 (B)对应的纵截面图，其顺序为图4(a) ~ (e)、图5(f) ~ (i)、图6(j) ~ (m)。此外，对图3中的各工序 标记的符号与图4~图6的括号内的符号相对应。
首先，本实施方式的电容元件的制造方法的概要如图3中的一例 所示，a:准备第一阀金属的箔片，b、 (d):在该箔片的一个主面上 例如通过印压而形成微小凹部。然后，c、 e:例如通过阳极氧化在上 述箔片的一个主面上形成具有深度不同的属于第一组的凹部和属于 第二组的凹部的电介质。接着，f:在该凹部的内面上，例如通过非 电解电镀形成种子层。接着，g:例如通过化学蚀刻将属于上述第一 组的凹部的底部除去而形成属于第一组的孔。接着，h:例如通过电 解电镀，在属于第一组的孔内留下上述电介质的另一个主面侧的上述 孔的前端而形成第一柱状电极，同时在多孔板状的电介质一个主面上 形成第一引出电极。接着，i:例如通过化学蚀刻将属于上述第二组的 凹部的底部除去而形成属于第二组的孔。接着，j:例如通过电解聚合
形成导电性高分子层，使其封堵属于上述第一组的孔和属于第二组的
孔。接着，k:例如通过电解电镀，在属于上述第二组的孔内，留下
上述电介质的一个主面侧的上述孔的前端而形成第二柱状电极，同时
在多孔板状的电介质另一个主面上形成第二引出电极。接着，1:例如 通过热分解，使上述导电性高分子层绝缘化。接着，m:例如通过施 加电压将对置电极间的短^^部分烧断。
更具体地说，首先，如图4 (a)所示，准备例如由Al等的第一 阀金属构成的箔片13。
然后，如图4(b)所示，将该第一阀金属箔片13放置在支承体 11上，并进行将在一个主面上按预定的配置在多个部位形成有微小突 起llal的压模lla按压在上述箔片13的一个主面13a上的所谓印压， 在上述箔片13的一个主面13a上按预定的配置在多个部位上形成微 小凹4卩15al。
接着，如图4 (c)所示，对上述第一阀金属的箔片13进行阳极 氧化，在形成有上述^:小凹部15al的部位形成属于第一组的凹部 15a2。另外，在形成有上述微小凹部15al的多个部位之间，根据需 要如图4(d)所示与上述同样地进行将在一个主面上按预定的配置在 多个部位形成有微小突起llbl的压模llb按压在上述箔片13的一个 主面13a上的所谓印压，在上述箔片13的一个主面13a上按预定的 配置在多个部位上形成微小凹部15bl。对箔片13再进行一次阳极氧 化。
由此，如图4(e)所示，分别在形成有上述^N、凹部15al的部 位形成具有预定深度的属于第一组的凹部15a2、以及在形成有上述微 小凹部15al的多个部位之间形成深度比属于上述第一组的凹部15a2 浅的属于第二组的凹部15b2，从而形成多孔板状的电介质14。
接着，如图5 (f)所示，通过非电解电镀在上述电介质14的属 于第 一组的凹部15a2的内面和属于第二组的凹部15b2的内面形成种 子层S，同时在上述电介质14的一个主面14a上形成第一引出电极 12a。
接着，如图5 (g)所示，通过化学蚀刻将上述电介质14的属于
第一组的凹部15a2的底部除去而形成在上述电介质14的另一个主面 14b侧开口的属于第一组的多个孔15a3。
接着，如图5(h)所示，在上述电介质14的属于第一组的孔15a3 内的上述种子层S上，通过电解电镀留下上述电介质14的另一个主 面14b侧的上述孔15a3的前端而形成基端b与上述第一引出电极12a 连接的第一柱状电极16a。这时，上述柱状电极16a的长度，最好是 其顶端t没有达到上述电介质14的另一个主面14b的长度。
接着，如图5 (i)所示，通过化学蚀刻将上述电介质14的属于 第二组的凹部15b2的底部除去而形成在上述电介质14的另一个主面 14b侧开口的属于第二组的多个孔15b3。
接着，如图6 (j)所示，分别在上述电介质14的属于第一组的 孔15a3内的上述柱状电极16a的顶端t上和属于上述第二组的多个孔 15b3内的第一引出电极12a上通过电解聚合形成导电性高分子层 17a、 17b,使其分别将上述孔15a3、 15b3封堵。
接着，如图6(k)所示，在上述电介质14的属于第二组的孔15b3 的内面的上述种子层S上通过电解电镀形成第二柱状电极16b,同时 在上述电介质14的另一个主面14b上形成第二引出电极12b。
接着，将通过上述工序得到的电介质14加热到例如300°C,如图 6(1)所示，使上述导电性高分子层17a、 17b热分解而绝缘化后形成 由有机绝缘体层构成的绝缘体层18a、 18b。作为上述热分解前的上述 导电性高分子层17a、 17b整体的漏电流的电阻值例如为0.8mQ。而 作为上述热分解后的上述由有机绝缘体层构成的绝缘体层18a、 18b 整体的漏电流的电阻^i例如为50kQ。
接着，通过施加电压，将上述第一柱状电极16a的顶端t与上述 第二引出电极12b之间和上述第二柱状电极16b的顶端t与上述第一 引出电极12a之间的短路部位烧断，如图6 (m)所示，得到本实施 方式的电容元件10。
其次，上述第一阀金属的箔片13的优选的实施方式如下。即，
作为上述第一阀金属，最好是Al，但并不限定于此，例如也可以是
Ta、 Nb、 Ti、 Hf、 W、 V的单体或其合金，作为上述第一阀金属的箔 片13,可以由1片箔片制成1个电容元件，也可以由1片箔片制成多 个电容元件。当由1片箔片制成l个电容元件时，最好是例如长10mmx 宽10mm~长lmmx宽lmm、厚20|am ~ 500[im。而当由1片箔片制成 多个电容元件时，最好是例如长500mmx宽500mm ~长10mmx宽 10mm、厚20, ~ 500,。
另外，上述印压的优选实施方式如下。即，作为上述印压，当例 如用Al箔片作为第一阀金属的箔片13时，最好是用例如以形成二维 三角点阵状的三角点阵的突起的点阵常数70nm形成有多个微小突起
的SiC制的压模在该Al箔片的表面进行按压，但并不限定于此，例 如也可以用具有单 一 的微小突起的例如圆锥状的压模按预定的配置 反复进行多次按压。
另外，上述阳极氧化的优选实施方式如下。即，作为上述阳极氧 化，最好是例如在阳极氧化浴(0.3M的H2S04、温度10°C)中在使 氧化电压稳定在25V的条件下进行，使属于上述第一组的凹部15a2 分别达到预定的深度。
接着，上述电介质层d的优选实施方式如下。即，作为上述电介 质层d，最好是通过对上述第一阀金属的箔片13进行阳极氧化而形成 为多孔板状。与上述电介质14同样地，最好是上述第一阀金属的氧 化物，例如最好是作为Al的氧化物的A1203。在这种情况下，该电介 质层d的介电常数约为10。另外，不限定性于此，例如也可以是上述 其他的阀金属、例如Ta、 Nb、 Ti、 Hf、 W、 V的氣化物。
接着，上述电介质14的优选实施方式如下。即，作为上述电介 质14，最好是通过对上述第一阀金属的箔片13进行阳极氧化而形成 为多孔板状。作为上述电介质，最好是上述第一阀金属的氧化物，例 如，最好是作为Al的氧化物的A1203，但并不限定于此，也可以是上 述其他的阀金属、例如Ta、 Nb、 Ti、 Hf、 W、 V的氧化物。
接着，上述种子层S的优选实施方式如下。即，作为上述种子层
S，最好是Cu，但并不限定于此，例如也可以是Sn、 Ag、 Au、 Zn、 Cr、 Pt、 Ni的单体或其合金。上述种子层S,最好是从上述多孔板状 的电介质14的一个主面14a侧通过非电解电镀在属于上述第一组的 凹部15a2和属于上述第二组的凹部15b2的各自的内面上形成。而且， 其厚度最好为lnm 10nm。
另外，在上述电介质14的另一个主面14b侧进行的蚀刻的优选 方式如下。即，作为上述蚀刻，最好是将上述电介质14的另一个主 面14b侧浸渍在HgCl2溶液中，进行化学蚀刻。
接着，上述第一柱状电极16a和第二柱状电极16b的优选方式如 下。即，作为上述柱状电极16a、 16b，与上述引出电极12a、 12b同 样地，最好是Cu,但并不限定于此，例如也可以是Sn、 Ag、 Au、 Zn、 Cr、 Pt、 Ni的单体或其合金。另外，上述柱状电极16a、 16b,最好是 通过电解电镀在上述属于第一组和第二组的孔15a3、 15b3的上述种 子层S上形成。上述柱状电极16a、 16b的直径为几nm ~几百nm即 可。而且，上述柱状电极16a、 16b的高度没有特别的限制，几nm 几jim即可，几十nm~几(im更为理想。
接着，上述第一引出电极12a和第二引出电极12b的优选方式如 下。即，作为上述引出电极12a、 12b,最好是Cu,但并不限定于此， 例如也可以是Sn、 Ag、 Au、 Zn、 Cr、 Pt、 Ni的单体或其合金。上述 引出电极12a、 12b，最好是用电解电镀、非电解电镀、或真空蒸镀等 方法形成为面状，使其分别覆盖上述电介质14的一个主面14a和另 一个主面14b，其厚度最好为l|im~100jam。
接着，上述导电性高分子层17a、 17b的优选方式如下。即，作 为上述导电性高分子层17a、 17b,最好是在由单体和电介质构成的水 溶液中对上述电介质14供电并通过电解聚合形成为分别将属于上述 第一组的孔15a3和属于第二组的孔15b3封堵。
作为上述单体，例如，最好是吡咯(浓度0.2mol/l)，但并不限定 于此，例如，最好是聚苯胺、聚乙烯二氧噻吩(polyethlenedihydroxy thiophene)、三唤二硫吩、聚(噻吩并吡咯)等。
另外，作为上述电解质，例如最好是p —磺酸钠(PTS)的水溶
液(浓度0.3mol/l )。
另外，上述导电性高分子层17a、 17b的厚度，例如最好为1 OOnm ~ 10jLim。
另外，在上述第二柱状电极16b和上述第二引出电极12b的形成 中，并不限定为上述电解电镀法，例如也可以是非电解电镀法，或也 可以是真空蒸镀法。
另外，上述有机绝缘体层18a、 18b的优选方式如下。即，最好 是通过将形成有上述导电性高分子层17a、 17b的电介质14例如在空 气中升温到上述导电性高分子层17a、 17b中的上述单体的分解温度 (在吡咯的情况下约为300°C)并例如保持1小时，使上述导电性高 分子层17a、 17b热分解而成为绝缘体。
接着，上述绝缘体层18的优选方式如下。即，作为上述绝缘体 层18,最好是使导电性高分子层热分解后得到的有机绝缘体、对Ti02 电淀积膜进行热处理而得到的Ti02膜、S i02电淀积膜、在Sn — Pd 镀层上进行湿式淀积后的Si02层、绝缘性树脂层等，另外，也可以 是第二阀金属的氧化物层或空气层。
另外，上述电压施加的优选方式如下。即，作为上述电压施加， 最好是，在第一引出电极12a和上述第二引出电极12b之间例如施加 25V的电压，例如使电流流过在上述有机绝纟彖体层18a、 18b中残存 的上述种子层等的短路部分，由此将该短路部分烧断，从而减低漏电流。
(实施例1 )
首先，准备长3.0mm、宽1.5mm、厚200|im的Al制的箔片13， 并用直径10nm的SiC制的压模1 la在多个部位进行印压，在该箔片 13的一个主面上以形成二维三角点阵状的三角点阵的突起的点阵常 凄丈105nm而形成樣i小凹部。
然后，将该箔片13的上述一个主面浸渍在阳极氧化浴(0.3M的 H2S04、温度10。C)中，在使氧化电压为25V的固定的条件下进行阳极氧化，形成具有各自的内径为30nm而深度不同的属于第一组的凹 部15a2和属于第二组的凹部15b2的多孔板状的电介质14。接着，在 上述属于第一和第二组的凹部15a2、 15b2的内面，通过非电解电镀 形成种子层S。接着，通过使用HgCb溶液的化学蚀刻，将属于上述 第一组的凹部15a2的底部除去而形成属于上述第一组的孔15a3。接 着，对属于上述第一组的孔15a3的内面的种子层S供电，通过Cu电 解电镀，在属于第一组的孔15a3内留下上述电介质14的另一个主面 14b侧的上述孔15a3的前端而形成第一柱状电极16a，同时在多孔板 状的电介质14的一个主面14a上形成第一引出电极12a。接着，与上 述同样地通过化学蚀刻将上述电介质14的属于上述第二组的凹部 15b2的底部除去而形成属于第二组的孔15b3。接着，在作为单体的 吡咯(浓度0.2mol/l)和作为电解质的p—甲苯磺酸钠(PTS )的水溶 液(浓度0.3mol/l)中，再次供电，通过电解聚合形成将属于上述第 一和第二组的孔封堵的由聚乙烯吡咯(Poly pyrrol)构成的导电性高 分子层17a、 17b。接着，再次通过Cu电解电镀，在属于上述第二组 的孑L 15b3的内部形成第二柱状电极16b，并且在多孔板状的电介质 14的另一个主面14b上形成第二引出电极12b。接着，在大气中升温 到聚乙烯吡咯的分解温度即300°C,保持l小时，使上述由聚乙烯吡 咯构成的导电性高分子层17a、 17b热分解而失去导电性，从而分别 形成厚3|im的有机绝缘体层18a、 18b。接着，在第一引出电极12a 和上述第二引出电极12b之间施加例如25V的(交流/直流)电压， 将在上述有机绝缘体层18a、 18b中残存的例如种子层S等的对置电 极间的短路部分烧断，从而得到漏电流降低了的长1.5mm、宽1.5mm、 厚0.2mm的电容元件10。此外，在上述电容元件10中，第一柱状电 极16a和第二柱状电极16b，各自的直径为30nm,上述第一柱状电极 16a和第二柱状电极16b的间距为70nm，上述第一柱状电极16a和上 述第二柱状电极16b的彼此相对的长度尺寸为100|im。
对所得到的电容元件10,用AGILENT ^^司生产的LCR计一 4263B测定静电电容，并且用ADVANTEST公司生产的高电阻计R8340测定了耐电压，结果是具有静电电容为0.25mF、耐电压为30V 的初始特性，与以往的同尺寸的电解电容器的静电电容为47pF、耐 电压为4V相比，CV积增大。
此外，本发明的电容元件的制造方法的第一实施方式，并不限定 于前面示出的一例，例3口也可以有i口下的变形。
图7是表示本发明的电容元件的制造方法的第一实施方式的制造 工艺的另 一例的概要的流程图。
具体地说，前面的一例，在1:例如通过热分解，使上述导电性 高分子层绝缘化的工序后，设有m:例如通过施加电压将对置电极间 的短路部分烧断的工序，而在本变形例中，是l，也可以例如通过在 高温下施加电压，在使上述导电性高分子层绝缘化的同时将短路部分 烧断。此外，本实施方式的电容元件的制造方法，全部由湿式工艺构 成，因而可以提供价格低的电容元件。
另外，还具有通过烧端控制漏电流的特征。
以下，说明本发明的电容元件的第二实施方式。本实施方式的电 容元件120的绝缘体层，与前面的第一实施方式同样地，例如由通过 使导电性高分子层热分解而绝缘化后得到的有机绝缘体层构成，因此
省略其说明。
以下，参照图8~图12说明本发明的电容元件的制造方法的第二 实施方式。图8是表示本实施方式的电容元件120的制造方法的制造 工艺的一例的概要的流程图。而图9和图IO是用于说明该制造工艺 的各工序的与上述图1 (B)对应的纵截面图，接续前面的第一实施 方式的图4(a) ~ (e)，其顺序为图9(g2) ~ (i2)、图10(k21) ~ (f22)。此外，对图8中的各工序标记的符号与图9和图10的括号 内的符号相对应。
本实施方式的电容元件的制造方法的概要，如图8所示，a:准 备第一阀金属的箔片13， b、 (d):在该箔片13的一个主面上例如通 过印压形成孩i小凹部15al、 (15bl)。然后，c、 e:通过例如阳才及氧化 在上述箔片13的一个主面13a上形成具有深度不同的属于第一组的 凹部15a2和属于第二组的凹部15b2的电介质14。接着，g2:通过例 如化学蚀刻将上述电介质14的属于第一组的凹部15a2的底部除去而 形成属于第一组的孔15a3。接着，f21:例如通过非电解电lt，在上 述电介质14的一个主面14a上形成第一供电电极12a'。接着，h2: 例如通过电解电镀，在属于上述第一组的孔15a3内，留下上述电介 质14的另一个主面14b侧的上述孔15a3的前端而形成第一柱状电极 16a。接着，j21:在属于上述第一组的孔15a3内形成将第一柱状电极 16a的顶端t封堵的绝缘体层128a。接着，i2:例如通过化学蚀刻将 上述第一供电电极12a，和属于上述第二组的凹部15b2的底部除去而 形成属于第二组的孔15b3。接着，k21:例如通过非电解电镀在上述 电介质14的另一个主面14b上形成第二引出电极12b。接着，k22: 在属于上述第二组的孔15b3内，留下上述电介质14的一个主面14a 侧的上述孔15b3的前端而形成第二柱状电极16b。接着，j22;在属 于上述第二组的孔15b3内形成将第二柱状电极16b的顶端t上封堵的 绝缘体层128b。接着，f22:在上述电介质14的一个主面14a上形成 与第一柱状电极16a的基端部b连接的第一引出电极12a。
以下，说明本实施方式的电容元件120的制造方法与前面的第一 实施方式的电容元件10的制造方法的不同点。在前面的实施方式中， 在属于第一组的孔15a3内的第一柱状电极16a的顶端t上和属于第二 组的孔15b3的底部统一形成绝缘层18，但在本实施方式中，在制造 工艺上的彼此独立的工序中形成属于第一组的孔15a3内的第一柱状 电极16a的顶端t上的绝缘体层128a和属于第二组的孔15b3内的第 二柱状电极16b的顶端t上的绝缘体层128b。此外，本实施方式的电 容元件的制造方法，全部由湿式工艺构成，因而可以提供价格低的电 容元件。
以下，在图11和图12中示出本实施方式的电容元件120的制造 方法的一例。图11是表示本实施方式的制造工艺的一例的概要的流 程图。而图12是用于说明该制造工艺的绝缘体层128的形成工序的 纵截面图，此外，对图11中的各工序标记的符号与图12的括号内的
符号相对应。
具体地说，本实施方式的j21:在第一柱状电极16a的顶端t上形 成绝缘体层128a的工序，是在j211:将上述第 一供电电极12a，作为 供电层例如通过电解聚合在上述第一柱状电极16a的顶端t上形成有 导电性高分子层127a后、进行j212:例如通过热分解使上述导电性 高分子层127a绝缘化而形成绝缘体层128a。同样地，本实施方式的 j22:在第二柱状电极16b的顶端t上形成绝缘体层128b的工序，是 在j221:将上述第二引出电极12b作为供电层例如通过电解聚合在上 述第二柱状电极16b的顶端t上形成有导电性高分子层127b后、进行 j222:使上述导电性高分子层127b绝缘化而形成绝缘体层128b。
以下，说明上述第一供电电极12a，的优选实施方式。即，作为 上述第一供电电极12a，的材料，可以使用从金属(例如，Cu、 Ni、 Cr、 Ag、 Au、 Pd、 Fe、 Sn、 Pt、 Ir、 Rh、 Ru、 Al)选一奪出的至少一 种。而且，上述第一供电电极12a，的厚度最好为几十nm 几^m。 另外，作为上述第一供电电极12a，的形成方法，除非电解电镀以外， 还可以用PVD、 CVD等。 (实施例2)
首先，准备长3.0mm、宽1.5mm、厚200(am的Al制的箔片13， 与前面的第 一 实施例同样地，形成具有深度不同的属于第 一 组的凹部 15a2和属于第二组的凹部15b2的多孔寺反状的电介质14。
然后，通过使用HgCl2溶液的化学蚀刻，将属于第 一组的凹部15a2 的底部除去而形成属于第一组的孔15a3。接着，通过非电解电镀在一 个主面14a上形成由Ni构成的第一供电电极12a，。接着，对上述第 一供电电极12a，供电，通过Cu电解电镀，在属于第一组的孔15a3 内，留下上述电介质14的另一个主面14b侧的上述孔15a3的前端而 形成第一柱状电极16a。接着，在属于上述第一组的孔15a3内的第一 柱状电极16a的顶端t上形成将该孔15a3封堵的由电淀积聚酰亚胺树 脂构成的导电性高分子层127a，并在300。C下进行1小时热处理，通 过热分解使其失去导电性，形成有厚3pm的由有机绝缘体构成的绝
缘体层128a。接着，通过使用HgCl2溶液的化学蚀刻将上述第一供电 电极12a，和属于上述第二组的凹部15b2的底部除去而形成属于第二 组的孔15b3。接着，通过非电解电镀在上述电介质14的另一个主面 14b上形成由Ni构成的第二引出电极12b。接着，在属于上述第二组 的孔15b3内，将上述第一供电电极12a，作为供电层，通过Cu电解 电镀，留下上述电介质14的一个主面14a侧的上述孔15b3的前端而 形成第二柱状电极16b。接着，在属于上述第二组的孔15b3内的第二
脂构成的导电性高分子层127b,并进行热处理而通过热分解使其失去 导电性，形成有厚3pm的由有机绝缘体层构成的绝缘体层128b。接 着，通过Cu电解电镀，在上述电介质14的一个主面14a上形成第一 引出电极12a，使其与上述第一柱状电极16a的基端b连接，从而得 到了电容元件120。此外，在上述电容元件120中，与上述实施例1 的电容元件10同样，第一柱状电极16a和第二柱状电极16b,各自的 直径为30nm，上述第一柱状电极16a和第二柱状电极16b的间距为 70nm，上述第一柱状电极16a和上述第二柱状电极16b的彼此相对的 长度尺寸为100(im。
对所得到的电容元件120,用AGILENT公司生产的LCR计一 4263B测定静电电容，并且用ADVANTEST公司生产的高电阻计 R8340测定了耐电压，结果与上述实施例1相同，具有静电电容为 0.25mF、耐电压为30V的初始特性。
以下，-说明本发明的电容元件的第三实施方式。本实施方式的电 容元件130，在上述绝缘体层由Ti02膜构成这一点上，与前面的第一 和第二实施方式的电容元件不同。其他结构与前面的第一实施方式相 同，因此省略其说明，此外，本实施方式的电容元件具有绝缘性优良 的特征。
以下，参照图13和图14说明本发明的电容元件的制造方法的第 三实施方式。图13是表示本实施方式的电容元件130的制造方法的 制造工艺的一例的概要的流程图。而图14是用于说明该制造工艺的
绝缘体层形成工序的纵剖视图。此外，对图13中的各工序标记的符 号与图14的括号内的符号相对应。
本实施方式的电容元件130的制造方法的概要，如图13所示，a: 准备第一阀金属的箔片13, b、 (d):在该箔片13的一个主面上例如 通过印压形成^H、凹部15al、 (15bl)。然后，c、 e:例如通过阳极氧 化，在上述箔片13的一个主面13a上形成具有深度不同的属于第一 组的凹部15a2和属于第二组的凹部15b2的电介质14。接着，g3:例 如通过化学蚀刻将上述电介质14的属于第一组的凹部15a2的底部除 去而形成属于第一组的孔15a3。接着，f31:例如通过非电解电镀， 在上述电介质14的上述一个主面14a上形成第一供电电极12a，。接 着，h3:例如通过电解电镀，在属于上述第一组的孔15a3内，留下 上述电介质14的另一个主面14b侧的上述孔15a3的前端而形成第一 柱状电极16a。接着，作为与前面第二实施方式的前者的绝缘层形成 工序j21对应的工序，j311:在属于上述第一组的孔15a3内的上述第 一柱状电极16a的顶端t上例如通过电解电镀形成使其将上述孔15a3 封堵的Ti02电淀积膜137a后，j312:例如通过热处理使上述Ti02电 淀积膜137a绝缘化而形成由Ti02膜构成的绝缘体层138a。接着，i3: 例如通过化学蚀刻将上述第一供电电极12a，和属于上述第二组的凹 部15b2的底部除去而形成属于第二组的孔15b3。接着，k31:例如通 过非电解电镀，在上述电介质14的另一个主面14b上形成第二引出 电极12b。接着，k32:在属于上述第二组的孔15b3内，留下上述电 介质14的一个主面14a侧的上述孔15b3的前端而形成第二柱状电极 16b。接着，作为与前面第二实施方式的后者的绝缘层形成工序j22 对应的工序，j321:在属于上述第二组的孔15b3内的上述第二柱状电 极16b的顶端t上形成使其将上述孔15b3封堵的Ti02电淀积膜137b 后，j322:使上述Ti02电淀积膜137b绝缘化而形成由Ti02膜构成的 绝缘体层138b。接着，D2:在上述电介质14的一个主面14a上形成 与上述第一柱状电极16a的基端部b连接的第一引出电极12a。
本实施方式的电容元件的制造方法，与前面第二实施方式同样，
在制造工艺上的彼此独立的工序中形成属于第一组的孔15a3内的第 一柱状电极16a的顶端t上的绝缘体层138a和属于第二组的孔15b3 内的第二柱状电极16b的顶端t上的绝缘体层138b。
以下，说明上述Ti02电淀积膜的优选实施方式。即，作为上述 Ti02电淀积膜，可以使用通过在氯化钛溶液中进行电解电镀处理而得 到的钛氧化物膜。上述Ti02电淀积膜的厚度最好为几十nm 几 左右。
接着，说明上述Ti02层的优选实施方式。即，作为上述Ti02层， 厚度最好为几十nm ~几|am 左右。此外，在本实施方式的电容元件 的制造方法中，具有绝缘膜易于形成的特征。
接着，说明上述热处理的优选实施方式。即，作为上述热处理， 最好是在氧介质气氛中在例如45(TC下进行30分钟左右的热处理。 (实施例3 )
首先，准备长3.0mm、宽1.5mm、厚200|am的Al制的箔片13， 与前面的第一实施例同样，形成具有深度不同的属于第一组的凹部 15a2和属于第二组的凹部15b2的多孔板状的电介质14。
然后，与上述实施例2同样，形成有属于第一组的孔15a3、第一 供电电极12a，、第一柱状电极16a。接着，通过在氯化钬溶液中进行 电解电镀处理，在属于上述第一组的孔15a3内的第一柱状电极16a 的顶端t上形成使其将该孔15a3封堵的电淀积TiCb层137a，并在 450。C下进行30分钟热处理，形成有由Ti02构成的厚度为7.5}im的 绝缘体层138a。接着，与上述实施例2同样，形成有属于第二组的孔 15b3、第二引出电极12b、第二柱状电极16b。接着，与上述同样， 形成有由Ti02构成的厚度为7.5jim的绝缘体层138b。接着，通过Cu 电解电镀，在上述电介质14的一个主面14a上形成第一引出电极12a， 使其与上述第一柱状电极16a的基端b连接，从而得到了电容元件 130。此外，在上述电容元件130中，与上述实施例1的电容元件10 同样，第一柱状电极16a和第二柱状电极16b,各自的直径为30nm, 上述第一柱状电极16a和第二柱状电才及16b的间距为70nm,上述第
一柱状电极16a和上述第二柱状电极16b的彼此相对的长度尺寸为 100阿。
对所得到的电容元件130,用AGILENT公司生产的LCR计一 4263B测定静电电容，并且用ADVANTEST公司生产的高电阻计 R8340测定了耐电压，结果与上述实施例1同样，具有静电电容为 0.25mF、耐电压为30V的初始特性。
以下，说明本发明的电容元件的第四实施方式。本实施方式的电 容元件140,在上述绝缘体层由Si02膜构成这一点上，与前面的第一 ~ 第三实施方式的电容元件不同。其他结构与前面的第一实施方式相 同，因此省略其说明，此外，本实施方式的电容元件140具有热稳定 性优良的特征。
以下，参照图15说明本发明的电容元件140的制造方法的第四 实施方式。图15是表示本实施方式的电容元件140的制造方法的制 造工艺的 一例的概要的流程图。
本实施方式的电容元件140的制造方法的概要，如图15所示，a: 准备第一阀金属的箔片13, b、 (d):在该箔片13的一个主面13a上 例如通过印压形成微小凹部15al、 (15bl)。然后，c、 e:例如通过阳 极氧化，在上述箔片13的一个主面13a上形成具有深度不同的属于 第一组的凹部15a2和属于第二组的凹部15b2的电介质14。接着，g4: 例如通过化学蚀刻将上述电介质14的属于第一组的凹部15a2的底部 除去而形成属于第一组的孔15a3。接着，f41:例如通过非电解电镀， 在上述电介质14的上述一个主面14a上形成第一供电电极12a，。接 着，h4:例如通过电解电镀，在属于上述第一组的孔15a3内，留下 上述电介质14的另一个主面14b侧的上述孔15a3的前端而形成第一 柱状电极16a。接着，作为与前面第二实施方式的前者的绝缘层形成 工序j21对应的工序，j41:在属于上述第一组的孔15a3内的上述第 一柱状电极16a的顶端t上例如通过电解电镀形成使其将上述孔15a3 封堵的由Si02层构成的绝缘体层148a。接着，i4:例如通过化学蚀刻 将上述第一供电电极12a，和属于上述第二组的凹部15b2的底部除去而形成属于第二组的孔15b3。接着，k41:例如通过非电解电镀，在 上述电介质14的另一个主面14b上形成第二引出电极12b。接着，k42: 在属于上述第二组的孔15b3内，留下上述电介质14的一个主面14a 侧的上述孔15b3的前端而形成第二柱状电极16b。接着，作为与前面 第二实施方式的后者的绝缘层形成工序j22对应的工序，j42:在属于 上述第二组的孔15b3内的上述第二柱状电极16b的顶端t上形成使其 将孔15b3封堵的由Si02层构成的绝缘体层148b。接着，f42:在上 述电介质14的一个主面14a上形成与上述第一柱状电极16a的基端 部b连接的第一引出电极12a。
本实施方式的电容元件140的制造方法，与前面的第二实施方式 同样，在制造工艺上的彼此独立的工序中形成属于第一组的孔15a3 内的第 一柱状电极16a的顶端t上的绝缘体层148a和属于第二组的孔 15b3内的第二柱状电极16b的顶端t上的绝缘体层148b。
以下，说明上述Si02层的优选实施方式。即，作为上述Si02层， 可以使用通过在氟硅酸铵溶液中进行电解电镀处理得至"的硅氧化物 膜。上述Si02层的厚度最好为几十nm 几iim。另外，本实施方式 的电容元件的制造方法，具有工艺简便的特征。 (实施例4)
首先，准备长3.0mm、宽1.5mm、厚200|im的Al制的箔片13, 与前面的第一实施例同样，形成具有深度不同的属于第一组的凹部 15a2和属于第二组的凹部15b2的多孔才反状的电介质14。
然后，与上述实施例2同样地，形成有属于第一组的孔15a3、第 一供电电极12a，、第一柱状电极16a。接着，通过在氟硅酸铵溶液中 进行电解电镀处理，在属于上述第一组的孔15a3内的第一柱状电极 16a的顶端t上形成使其将该孔15a3封堵的由Si02膜构成的厚度为 1.5pm的绝缘体层148a。接着，与上述实施例2同样，形成有属于第 二组的孔15b3、第二引出电极12b、第二柱状电极16b。接着，与上 述同样地形成有由Si02膜构成的厚度为1.5(am的绝缘体层148b,接 着，通过Cu电解电镀，在上述电介质14的一个主面14a上形成第一
引出电极12a,使其与上述第一柱状电极16a的基端b连接，从而得 到了电容元件140。此外，在上述电容元件140中，与上述实施例1 的电容元件10同样，第一柱状电极16a和第二柱状电极16b各自的 直径为30nm，上述第一柱状电极16a和第二柱状电极16b的间距为 70nm,上述第一柱状电极16a和上述第二柱状电极16b的彼此相对的 长度尺寸为100pm。
对所得到的电容元件140,用AGILENT公司生产的LCR计_ 4263B测定静电电容，并且用ADVANTEST公司生产的高电阻计 R8340测定了耐电压，结果与上述实施例1同样，具有静电电容为 0.25mF、耐电压为30V的初始特性。
以下，说明本发明的电容元件的第五实施方式。本实施方式的电 容元件150,在上述绝缘体层由Si02膜构成这一点上，与前面第四实 施方式的电容元件相同。其他结构与前面第一实施方式的电容元件10 相同，因此将其"i兌明省略，此外，本实施方式的电容元件150,与前 面第四实施方式的电容元件140同样，具有热稳定性优良的特征。
以下，参照图16和图17说明本发明的电容元件的制造方法的第 五实施方式。图16是表示本实施方式的电容元件150的制造方法的 制造工艺的一例的概要的流程图。而图17是用于说明该制造工艺的 绝缘体层形成工序的纵截面图。此外，对图16中的各工序标记的符 号与图17的括号内的符号相对应。
本实施方式的电容元件150的制造方法的概要，如图16所示，a: 准备第一阀金属的箔片13, b、 (d):在该箔片13的一个主面13a上 例如通过印压形成樣l小凹部15al、 (15bl)。然后，c、 e:例如通过阳 极氧化在上述箔片13的一个主面13a上形成具有深度不同的属于第 一组的凹部15a2和属于第二组的凹部15b2的电介质14。接着，g5: 例如通过化学蚀刻将上述电介质14的属于第一组的凹部15a2的底部 除去而形成属于第一组的孔15a3。接着，f51:例如通过非电解电4度， 在上述电介质14的上述一个主面14a上形成第一供电电极12a，。接 着，h5:例如通过电解电镀，在属于上述第一组的孔15a3内，留下
上述电介质14的另一个主面14b侧的上述孔15a3的前端而形成第一 柱状电极16a。接着，作为与前面第二实施方式的前者的绝缘层形成 工序j21对应的工序，j511:在属于上述第一组的孔15a3内的上述第 一柱状电极16a的顶端t上例如通过电解电镀形成有使其将上述孔 15a3封堵的Sn—Pd镀层157a后，j512:在上述Sn — Pd镀层157a上 通过湿式淀积形成将上述孔15a3封堵的由Si02层构成的绝缘体层 158a。接着，i5:例如通过化学蚀刻将上述第 一供电电极12a，和属 于上述第二组的凹部15b2的底部除去而形成属于第二组的孔15b3。 接着，k51:例如通过非电解电镀，在上述电介质14的另一个主面14b 上形成第二引出电极12b。接着，k52:在属于上述第二组的孔15b3 内，留下上述电介质14的一个主面14a侧的上述孔15b3的前端而形 成第二柱状电极16b。接着，作为与前面第二实施方式的后者的绝缘 层形成工序j22对应的工序，j521:在属于上述第二组的孔15b3内的 上述第二柱状电极16b的顶端t上形成使其将孔15b3封堵的由Sn— Pd镀层157b后，j522:在上述Sn—Pd镀层157b上通过湿式淀积形 成将上述孔15b3封堵的由Si02层构成的绝缘体层158b。接着，f52: 在上述电介质14的一个主面14a上形成与上述第一柱状电极16a的 基端部b连接的第一引出电极12a。
本实施方式的电容元件150的制造方法，与前面第二实施方式同 样，在制造工艺上的彼此独立的工序中形成属于第一组的孔15a3内 的第一柱状电极16a的顶端t上的绝缘体层158a和属于第二组的孔 15b3内的第二柱状电极16b的顶端t上的绝缘体层158b。
以下，说明上述Sn — Pd镀层的优选实施方式。即，作为上述Sn 一Pd镀层，分别通过在SnCl2溶液、PdCl2溶液中进行电解电镀处理 而得到。上述镀层的厚度最好为几十nm 几|im。
接着，说明上述Si02层的湿式淀积的优选实施方式。即，作为 上述Si02层的湿式淀积，可以使用通过在氟硅酸铵溶液中进行非电 解电镀处理得到的硅氧化物膜。厚度最好为几十nm 几(am。另夕卜， 本实施方式的电容元件的制造方法，具有工艺简便的特征。而且，上
述Si02层的湿式淀积，并不限定于上述非电解电镀处理，例如，也
可以用料浆涂敷(slurry-build)法等形成Si02层。 (实施例5)
首先，准备长3.0mm、宽1.5mm、厚200|im的Al制的箔片13,
与前面的第 一 实施例同样，形成具有深度不同的属于第 一组的凹部 15a2和属于第二组的凹部15b2的多孔板状的电介质14。
然后，与上述实施例2同样，形成有属于第一组的孔15a3、第一 供电电极12a，、第一柱状电极16a。接着，通过分别在SnCl2溶液、 PdCl2溶液中进行电解电镀处理，在属于上述第一组的孔15a3内的第 一柱状电极16a的顶端t上形成使其将该孔15a3封堵的Sn — Pd镀层 157a。接着，通过在氟硅酸铵溶液中进行非电解电镀处理，在上述Sn 一Pd镀层上形成将该孔15a3封堵的由Si02层构成的厚度为1.5(im的 绝缘体层158a。接着，与上述实施例2同样，形成有属于第二组的孔 15b3、第二引出电极12b、第二柱状电极16b。接着，与上述同样， 在上述Sn —Pd镀层157b上形成将该孔15b33封堵的由Si02层构成 的厚度为1.5|im的绝缘体层158b。接着，通过Cu电解电镀，在上述 电介质14的一个主面14a上形成第一引出电极12a,使其与上述第一 柱状电极16a的基端b连接，从而得到了电容元件150。此外，在上 述电容元件150中，与上述实施例1的电容元件10同样，第一柱状 电极16a和第二柱状电极16b,各自的直径为30nm,上述第一柱状电 极16a和第二柱状电极16b的间距为70nm,上述第一柱状电才及16a 和上述第二柱状电极16b的彼此相对的长度尺寸为100pm。
以下，i兌明本发明的电容元件的第六实施方式。本实施方式的电 容元件160,在上述绝缘体层由绝缘性树脂层构成这一点上，与前面 的第一 ~第五实施方式的电容元件不同。其他结构与前面的第一实施 方式相同，因此将其说明省略。
以下，参照图18~图20说明本发明的电容元件的制造方法的第 六实施方式。图18是表示本实施方式的电容元件160的制造方法的 制造工艺的一例的概要的流程图。而图19和图20是用于说明该制造
工艺的各工序与上述图1 (B)对应的纵截面图，接续前面第一实施
方式的图4(a) ~ (e)，其顺序为图19 (g6) ~ (i61 )、图20(k61) ~ (f62)。此外，对图18中的各工序标记的符号与图19和图20的括 号内的符号相对应。
本实施方式的电容元件160的制造方法的概要，如图18所示，a: 准备第一阀金属的箔片13， b、 (d):在该箔片13的一个主面13a上 例如通过印压形成樣i小凹部15al、 (15bl)。然后，c、 e:例如通过阳 极氧化，在上述箔片13的一个主面13a上形成具有深度不同的属于 第一组的凹部15a2和属于第二组的凹部15b2的电介质14。接着，g6: 例如通过化学蚀刻将上述电介质14的属于第一组的凹部15a2的底部 除去而形成属于第一组的孔15a3。接着，f61:例如通过非电解电镀， 在上述电介质14的上述一个主面14a上形成第一供电电极12a，。接 着，h6:例如通过电解电镀，在属于上述第一组的孔15a3内，留下 上述电介质14的另一个主面14b侧的上述孔15a3的前端而形成第一 柱状电极16a。接着，i6:例如通过化学蚀刻将上述第一供电电极12a， 和属于上述第二组的凹部15b2的底部除去而形成属于第二组的孔 15b3。接着，j61:在属于上述第一组的孔15a3内的上述第一柱状电 极16a的顶端t上形成将上述孔15a3封堵的绝缘体层168a。接着， k61:例如通过非电解电镀，在上述电介质14的另一个主面14b上形 成第二引出电极12b。接着，k62:在属于上述第二组的孔15b3内的 上述第二引出电极12b上，留下上述电介质14的一个主面14a侧的 上述孔15b3的前端而形成第二柱状电极16b。 j62:在属于上述第二 组的孔15b3内的上述第二柱状电极16b的顶端t上形成将孔15b3封 堵的绝缘体层168b。接着，f62:在上述电介质14的一个主面14a上 形成与上述第一柱状电极16a的基端部b连接的第一引出电极12a。
本实施方式的电容元件160的制造方法，与前面的第二实施方式 同样，在制造工艺上的彼此独立的工序中形成属于第一组的孔15a3 内的第 一柱状电极16a的顶端t上的绝缘体层168a和属于第二组的孔 15b3内的第二柱状电极16b的顶端t上的绝缘体层168b。
以下，在图21和图22中示出本实施方式的电容元件160的制造 方法的一例。图21是表示本实施方式的制造工艺的一例的概要的流 程图。而图22是用于说明该制造工艺的绝缘体层形成工序的纵截面图。
具体地说，本实施方式的j61:在上述第一柱状电极16a的顶端t 上形成绝缘体层168a的工序，首先，例如在容器内在将上述电介质 14浸渍在树脂溶液中的状态下使上述容器减压，j611:在属于上述第 一组的孔15a3内的第一柱状电极16a的顶端t上和属于第二组的孔 15b3内埋入绝缘性树脂的溶液167a，使其将孔15b3封堵。接着，例 如从上述电介质14的一个主面14a侧进4于减压抽吸，j612:将属于上 述第二组的孔15b3内的树脂溶液167a除去。之后，例如在大气中在 150 °C下进行30分钟热处理，使有选择地仅留在属于上述第 一组的孔 15a3内的第一柱状电极16a的顶端t上的树脂溶液167a固化而形成 绝乡彖体层168a。
以下，说明上述绝缘性树脂的优选实施方式，即，作为上述绝缘 性树脂，最好是聚酰亚胺树脂或环氧树脂等。上述绝缘性树脂的厚度 最好为几十nm 几(im。此外，当使用聚酰亚胺树脂作为绝缘性树脂 层时，具有绝缘击穿电位达到400000V/m这样的的特征。而当使用环 氧树脂作为绝缘性树脂层时，具有吸湿性低、回流焊接耐热试验的耐 久性高的特征。 (实施例6)
首先，准备长3.0mm、宽1.5mm、厚200|im的Al制的箔片13,
与前面的第一实施例同样，形成具有深度不同的属于第一组的凹部 15a2和属于第二组的凹部15b2的多孔板状的电介质14。
然后，通过使用H g C12溶液的化学蚀刻，将属于第 一 组的凹部15 a2 的底部除去而形成属于第一组的孔15a3。接着，通过非电解电镀在一 个主面14a上形成由Ni构成的第一供电电极12a，。接着，对上述第 一供电电极12a，供电，通过Cu电解电^t,在属于第一组的孔15a3 内，留下上述电介质14的另一个主面14b侧的上述孔15a3的前端而
形成第一柱状电极16a。接着，通过使用HgCl2溶液的化学蚀刻将上 述第一供电电极12a，和属于上述第二组的凹部15b2的底部除去而形 成属于第二组的孔15b3。接着，在将上述电介质14放在存有聚酰亚 胺树脂溶液的容器(chamber)中之后，使上述容器减压，充填聚酰 亚胺树脂的溶液，使其将属于上述第一组的孔15a3内的第一柱状电 极16a的顶端t上和属于第一组的孔15a3封堵。接着，通过从上述电 介质14的一个主面14a侧进行减压抽吸将属于上述第二组的孔15b3 内的树脂溶液除去后，在大气中在150。C下进行30分钟热处理，使有 选择地仅留在属于上述第一组的孔15a3内的上述第一柱状电极16a 的顶端t上的树脂溶液167a固化，形成有厚75nm的由绝缘性树脂构 成的绝缘体层168a。接着，通过非电解电镀在上述电介质14的另一 个主面14b上形成由Ni构成的第二引出电极12b。接着，在属于上述 第二组的孔15b3内，将上述第二引出电极12b作为供电层，通过Cu 电解电镀留下上述电介质14的一个主面14a侧的上述孔15b3的前端 而形成第二柱状电极16b。接着，与上述同样充填聚酰亚胺树脂的溶 液167b,与上述同样地在属于上述第二组的孔15b3内的上述第二柱 状电极16b的顶端t上将该孔15b3封堵，并与上述同样地进行热处理， 形成有将属于上述第二组的孔15b3内的上述第二柱状电极16b的顶 端t上封堵的厚75nm的由绝缘性树脂构成的绝缘体层168b。接着， 通过Cu电解电镀，在上述电介质14的一个主面14a上形成第一引出 电极12a,使其与上述第一柱状电极16a的基端b连接，从而得到了 电容元件160。此外，在上述电容元件160中，与上述实施例l的电 容元件10同样地，第一柱状电极16a和第二柱状电极16b,各自的直 径为30nm,上述第一柱状电极16a和第二柱状电极16b的间距为 70nm,上述第一柱状电极16a和上述第二柱状电极16b的彼此相对的 长度尺寸为lOOjim。
对所得到的电容元件160,用AGILENT公司生产的LCR计一 4263B测定静电电容，并且用ADVANTEST公司生产的高电阻计 R8340测定了耐电压，结果与上述实施例1相同，具有静电电容为0.25mF、耐电压为30V的初始特性。
以下，说明本发明的电容元件的第七实施方式。本实施方式的电 容元件170,在上述绝缘体层由绝缘性树脂层构成这一点上，与前面 的第六实施方式的电容元件相同，因此省略其说明。
以下，参照图23和图24说明本发明的电容元件的制造方法的第 七实施方式。图23是表示本实施方式的电容元件170的制造方法的 制造工艺的一例的概要的流程图。而图24是用于说明该制造工艺的 绝缘体层形成工序的纵截面图。此外，对图23中的各工序标记的符 号与图24的括号内的符号相对应。
本实施方式的电容元件170的制造方法的概要，如图23所示，a: 准备第一阀金属的箔片13, b、 (d):在该箔片13的一个主面13a上 例如通过印压形成孩t小凹部15al、 (15bl)。然后，c、 e:例如通过阳 极氧化，在上述箔片13的一个主面13a上形成具有深度不同的属于 第一组的凹部15a2和属于第二组的凹部15b2的电介质14。接着，g7: 例如通过化学蚀刻将上述电介质14的属于第一组的凹部15a2的底部 除去而形成属于第一组的孔15a3。接着，f71:例如通过非电解电镀， 在上述电介质14的上述一个主面14a上形成第一供电电一及12a， 。 4妾 着，h7:例如通过电解电镀，在属于上述第一组的孔15a3内，留下 上述电介质14的另一个主面14b侧的上述孔15a3的前端而形成第一 柱状电极16a。接着，i7:例如通过化学蚀刻将上述第 一供电电极12a， 和属于上述第二组的凹部15b2的底部除去而形成属于第二组的孔 15b3。接着，作为与前面第六实施方式的前者的绝缘层形成工序j61 对应的工序，j711:在属于上述第一组的孔15a3内的上述第一柱状电 极16a的顶端t侧的另一个主面14b上形成有绝缘性树脂膜177a后， j712:除属于上述第一组的孔15a3内以外将另一个主面14b上的绝缘 性树脂膜177a除去，从而在属于上述第一组的孔15a3内的上述第一 柱状电极16a的顶端t上形成将上述孔15a3封堵的绝缘体层178a。 接着，k71:例如通过非电解电镀，在上述电介质14的另一个主面14b 上形成第二引出电极12b。接着，k72:在属于上述第二组的孔15b3
内，留下上述电介质14的一个主面14a侧的上述孔15b3的前端而形 成第二柱状电极16b。接着，作为与前面第六实施方式的后者的绝缘 层形成工序j62对应的工序，j721:在属于上述第二组的孔15b3内的 上述第二柱状电极16b的顶端t上形成将孔15b3封堵的绝缘性树脂膜 177b后，j722:除属于上述第二组的孔15b3内以外将一个主面14a 上的绝缘性树脂膜177b除去，从而在属于上述第二组的孔15b3内的
178b。接着，f72:在上述电介质14的一个主面14a上形成与上述第 一柱状电极16a的基端部b连接的第一引出电极12a。
本实施方式的电容元件170的制造方法，与前面的第二实施方式 同样，在制造工艺上的彼此独立的工序中形成属于第一组的孔15a3 内的第 一柱状电极16a的顶端t上的绝缘体层178a和属于第二组的孔 15b3内的第二柱状电极16b的顶端t上的绝缘体层178b。
以下，说明上述绝缘性树脂膜的优选实施方式，即，作为上述绝 缘性树脂膜的材料，最好是聚酰亚胺树脂或环氧树脂等。上述绝缘性 树脂膜的厚度最好为几十nm 几pm左右。上述绝缘性树脂膜的形 成方法，可以用旋转涂敷法或喷涂法等众所周知的涂敷方法。 (实施例7)
首先，准备长3.0mm、宽1.5mm、厚200|im的Al制的箔片13,
与前面的第 一 实施例同样，形成具有深度不同的属于第 一组的凹部 15a2和属于第二组的凹部15b2的多孔板状的电介质14。
然后，与上述第六实施例同样，形成有属于第一组的孔15a3、第 一柱状电极16a和属于第二组的孔15b3。接着，用旋转涂Ji法在上述 电介质14的另一个主面14b上涂敷聚酰亚胺树脂的溶液，通过充填 聚酰亚胺树脂的溶液，形成有绝缘性树脂膜177a，使其将在属于上述 第一组的孔15a3内的上述第一柱状电极16a的顶端t上和属于上述第 一组的孔15a3的另一个主面14b侧封堵。接着，通过光刻法将属于 上述第二组的孔15b3内和另一个主面14b上的绝缘性树脂膜177a除 去后，在大气中在150。C下进行30分钟热处理，使有选择地仅留在属
于上述第一组的孔15a3内的上述第一柱状电极16a的顶端t上的绝缘 性树脂膜177a固化，形成有厚75nm的由绝缘性树脂构成的绝缘体层 178a。接着，通过非电解电镀在上述电介质14的另一个主面14b上 形成由Ni构成的第二引出电极12b。接着，在属于上述第二组的孔 15b3内将上述引出电极12b作为供电层通过Cu电解电镀留下上述电 介质14的一个主面14a侧的上述孔15b3的前端而形成第二柱状电极 16b。接着，与上述同样地涂敷聚酰亚胺树脂的溶液，形成有绝缘性 树脂膜177b,与上述同样地在属于上述第二组的孔15b3内的上述第 二柱状电极16b的顶端t上将该孔15b3封堵。接着，通过深腐蚀将上 述一个主面14a上的绝缘性树脂膜177b除去后，与上述同样地进行 热处理，形成有将属于上述第二组的孔15b3内的上述第二柱状电极 16b的顶端t上封堵的厚75nm的由绝缘性树脂构成的绝缘体层178b。 接着，通过Cu电解电镀，在上述电介质14的一个主面14a上形成第 一引出电极12a,使其与上述第一柱状电极16a的基端b连接，从而 得到了电容元件170。此外，在上述电容元件170中，与上述实施例 1的电容元件10同样地，第一柱状电极16a和第二柱状电极16b，各 自的直径为30nm,上述第一柱状电极16a和第二柱状电才及16b的间 距为70nm,上述第一柱状电极16a和上述第二柱状电极16b的彼此 相对的长度尺寸为lOOjim。
对所得到的电容元件170,用ADVANTEST公司生产的高电阻计R8340测定静电电容，并且用ADVANTEST公司生产的高电阻计R8340测定了耐电压，结果与上述实施例1相同，具有静电电容为 0.25mF、耐电压为30V的初始特性。
以下，说明本发明的电容元件的第八实施方式。本实施方式的电 容元件180,在上述绝缘体层由第二阀金属氧化物构成这一点上，与 前面的第一 ~第七实施方式的电容元件不同。其他结构与前面的第一 实施方式相同，因此省略其i兌明。此外，本实施方式的电容元件180, 当绝缘体层与电介质层为同物质时，具有绝缘体层与电介质层的亲合 性高的特征。
以下，参照图25 ~图28说明本发明的电容元件的制造方法的第 八实施方式。图25是表示本实施方式的电容元件180的制造方法的 制造工艺的一例的概要的流程图。而图26~图28是用于说明该制造 工艺的各工序的与上述图1 (B)对应的纵剖视图，接续前面第一实 施方式的图4(a) ~ (e)工序，其顺序为图26(g8) ~ (j811)、图 27(j812) ~ (k82)、图28(j821) ~ (f82 )。此外，对图25中的各 工序标记的符号与图26~图28的括号内的符号相对应。
本实施方式的电容元件180的制造方法的概要，如图25所示，a: 准备第一阀金属的箔片13, b、 (d):在该箔片13的一个主面13a上 例如通过印压形成孩i小凹部15al、 (15bl)。然后，c、 e:例如通过阳 极氧化在上述箔片13的一个主面13a上形成具有深度不同的属于第 一组的凹部15a2和属于第二组的凹部15b2的电介质14。接着，g8: 例如通过化学蚀刻将上述电介质14的属于第一组的凹部15a2的底部 除去而形成属于第一组的孔15a3。接着，f81:例如通过非电解电镀， 在上述电介质14的上述一个主面14a上形成第一供电电极12a， 。 4妾 着，h8:例如通过电解电镀，在属于上述第一组的孔15a3内，留下 上述电介质14的另一个主面14b侧的上述孔15a3的前端而形成第一 柱状电极16a。接着，i81:例如通过化学蚀刻将属于上述第二组的凹 部15b2的底部除去而形成属于第二组的孔15b3。接着，j811:在属 于上述第一组的孔15a3内的上述第一柱状电极16a的顶端t侧的另一 个主面14b上形成第二阀金属层187a。接着，j812:除属于上述第一 组的孔15a3内以外将另一个主面14b上的第二阀金属层187a除去。 接着，j813:将上述第一供电电极12a，作为供电层对上述第二阀金 属层187a进行阳极氧化，形成由第二阀金属氧化物构成的绝缘体层 188a。接着，i82:例如通过化学蚀刻将上述第一供电电极12a，除去。 接着，k81:例如通过非电解电镀，在上述电介质14的另一个主面14b 上形成第二引出电极12b。接着，k82:在属于上述第二组的孔15b3 内的第二引出电极12b上，留下上述电介质14的一个主面14a侧的 上述孔15b3的前端而形成第二柱状电极16b。 j821:在属于上述第二
组的孔15b3内的上述第二柱状电极16b的顶端t侧的一个主面14a 上形成第二阀金属层187b。接着，j822:除属于上述第二组的孔15b3 内以外将一个主面14a上的第二阀金属层187b除去。接着，j823:将 第二引出电极12b作为供电层对第二阀金属层187b进行阳极氧化， 形成由第二阀金属氧化物构成的绝缘体层188b。接着，f82:在上述 电介质14的一个主面14a上形成与上述第一柱状电极16a的基端部b 连接的第一引出电极12a。
本实施方式的电容元件180的制造方法，与前面的第二实施方式 同样，在制造工艺上的彼此独立的工序中形成属于第一组的孔15a3 内的第 一柱状电极16a的顶端t上的绝缘体层188a和属于第二组的孔 15b3内的第二柱状电极16b的顶端t上的绝缘体层188b。
以下，说明上述第二阀金属的优选实施方式。即作为上述第二阀 金属，可以使用Al、 Ta、 Nb、 Ti、 Zr、 Hf、 Zn、 W、 Sb等。而且， 由上述第二阀金属氧化物构成的绝缘体层的厚度最好为几nm~几百 nm。另夕卜，上述第二阀金属也可以与上述第一阀金属相同。 (实施例8)
首先，准备长3.0mm、宽1.5mm、厚200(im的Al制的箔片13， 与前面的第一实施例同样，形成具有深度不同的属于第一组的凹部 15a2和属于第二组的凹部15b2的多孔板状的电介质14。
然后，通过使用HgCl2溶液的化学蚀刻，将属于第一组的凹部15a2 的底部除去而形成属于第一组的孔15a3。接着，通过非电解电镀，在 一个主面14a上形成由Ni构成的第一供电电极12a，。接着，对上述 第一供电电极12a，供电，通过Cu电解电镀，在属于第一组的孔15a3 内，留下上述电介质14的另一个主面14b侧的上述孔15a3的前端而 形成第一柱状电极16a。接着，通过使用HgCl2溶液的化学蚀刻将属 于上述第二组的凹部15b2的底部除去而形成属于第二组的孔15b3。 接着，在上述电介质14的另一个主面14b侧'减射Al,在属于上述第 一组的孔15a3内的第一柱状电极16a的顶端t上形成由Al构成的第 二阀金属层187a。接着，通过蚀刻，除属于上述第一组的孔15a3内
以外将另一个主面14b上的第二阀金属层187a除去。接着，将上述 第一供电电极12a，作为供电层对上述第二岡金属层187a进行阳极氧 化，形成由上述第二阀金属氧化物(A1203 )构成的厚3iim的绝缘体 层188a。接着，通过化学蚀刻将上述第一供电电极12a，除去。接着， 通过非电解电镀，在上述电介质14的另一个主面14b上形成由Ni构 成的第二引出电极12b。接着，在属于上述第二组的孔15b3内，将上 述引出电极12b作为供电层，通过Cu电解电镀，留下上述电介质14 的一个主面14a侧的上述孔15b3的前端而形成第二柱状电极16b。接 着，与上述同样，形成有将属于第二组的孔15b3内的第二柱状电极 16b的顶端t上封堵的由第二阀金属氧化物(A1203 )构成的厚度3pm 的绝缘体层188b。接着，通过Cu电解电镀，在上述电介质14的一 个主面14a上形成第一引出电极12a,以使其与上述第一柱状电极16a 的基端b连接，从而得到了电容元件180。此外，在上述电容元件180 中，与上述实施例1的电容元件10同样，第一柱状电极16a和第二 柱状电极16b，各自的直径为30nm,上述第一柱状电极16a和第二柱 状电极16b的间距为70nm，上述第一柱状电极16a和上述第二柱状 电才及16b的4皮此相对的长度尺寸为10(Vm。
对所得到的电容元件180，用AGILENT ^>司生产的LCR计一 4263B测定静电电容，并且用ADVANTEST公司生产的高电阻计 R8340测定耐电压，其结果与上述实施例1相同，具有静电电容为 0.25mF、耐电压为30V的初始特性。
以下，-说明本发明的电容元件的第九实施方式。本实施方式的电 容元件190，在上述绝缘体层由空气层构成这一点上，与前面第一 第八实施方式的电容元件不同。其他结构与前面第一实施方式相同， 因此省略其说明。此外，本实施方式的电容元件190具有漏电流小的 特征。
以下，参照图29~图31说明本发明的电容元件的制造方法的第 九实施方式。图29是表示本实施方式的电容元件190的制造方法的 制造工艺的一例的概要的流程图。而图30和图31是用于说明该制造工艺的各工序的与上述图1 (B)对应的纵截面图，接续前面第一实
施方式的图4(a) ~ (e)工序，其顺序为图30 (g9) ~ ( i9 )、图 31 (k91) ~ (f92)。此外，对图29中的各工序标记的符号与图30 和图31的括号内的符号相对应。
本实施方式的电容元件190的制造方法的概要，如图29所示，a: 准备第一阀金属的箔片13, b、 (d):在该箔片13的一个主面13a上 例如通过印压形成^:小凹部15al、 (15bl)。然后，c、 e:例如通过阳 极氧化，在上述箔片13的一个主面13a上形成具有深度不同的属于 第一组的凹部15a2和属于第二组的凹部15b2的电介质14。接着，g9: 例如通过化学蚀刻将上述电介质14的属于第一组的凹部15a2的底部 除去而形成属于第一组的孔15a3。接着，f91:例如通过非电解电镀， 在上述电介质14的上述一个主面14a上形成第一供电电4及12a，。接 着，h9:例如通过电解电镀，在属于上述第一组的孔15a3内，留下 上述电介质14的另一个主面14b侧的上述孔15a3的前端而形成第一 柱状电极16a。接着，i9:例如通过化学蚀刻将第 一供电电极12a，和 属于第二组的凹部15b2的底部除去而形成属于第二组的孔15b3。 4妄 着，k91:在上述电介质14的另一个主面14b上，例如通过賊射在与 上述第一柱状电极16a的顶端t之间隔着由空气层构成的绝缘体层 198a形成第二引出电极12b。接着，k92:在属于上述第二组的孔15b3 内的第二引出电极12b上，留下上述电介质14的一个主面14a侧的 上述孔15b3的前端而形成第二柱状电极16b。接着，f92:在上述电 介质14的一个主面14a上，在与第二柱状电极16b的顶端t之间隔着 由空气层构成的绝缘体层198b形成与第一柱状电极16a的基端部b 连接的第一引出电极12a。
本实施方式的电容元件190的制造方法，与前面第二实施方式同 样，在制造工艺上的彼此独立的工序中形成属于第一组的孔15a3内 的第一柱状电极16a的顶端t上的绝缘体层198a和属于第二组的孔 15b3内的第二柱状电极16b的顶端t上的绝纟彖体层198b。
以下，说明上述空气层的优选实施方式。即，上述空气层的厚度
尺寸，最好为几十nm~几|am。另外，本实施方式的电容元件190的 制造方法，具有工艺简便的特征。 (实施例9)
首先，准备长3.0mm、宽1.5mm、厚200|im的Al制的箔片13,
与前面第一实施例同样，形成具有深度不同的属于第一组的凹部15a2 和属于第二组的凹部15b2的多孔板状的电介质14。
然后，与上述第六实施例同样，形成有属于第一组的孔15a3、第 一柱状电极16a和属于第二组的孔15b3。接着，在上述电介质14的 另一个主面14b上，通过Ni'溅射，在与上述第一柱状电极16a的顶 端t之间隔着由间隙尺寸为8.5|im的空气层构成的绝缘体层198a而形 成第二引出电极12b。接着，在属于上述第二组的孔15b3内，将上述 引出电极12b作为供电层，通过Cu电解电镀形成第二柱状电极16b。 接着，与上述同样地，在上述电介质14的一个主面14a上，通过Ni 賊射，在与属于上述第二组的孔15b3内的上述第二柱状电极16b的 顶端t之间隔着由间隙尺寸为8.5|am的空气层构成的绝缘体层198b 形成与上述第一柱状电极16a的基端部b连接的第一引出电极12a, 从而得到了电容元件190。此外，在上述电容元件190中，与上述实 施例1的电容元件10同样，第一柱状电极16a和第二柱状电极16b， 各自的直径为30nm,上述第一柱状电极16a和第二柱状电极16b的 间距为70nm,上述第一柱状电极16a和上述第二柱状电极16b的彼 此相对的长度尺寸为100jim。
对所得到的电容元件190，用AGILENT公司生产的LCR计一 4263B测定静电电容，并且用ADVANTEST公司生产的高电阻计 R8340测定了耐电压，结果与上述实施例1相同，具有静电电容为 0.25mF、耐电压为30V的初始特性。
在上述第二 第九实施方式的电容元件的制造方法中，如上所 述，都是在制造工艺上的彼此独立的工序中形成属于第一组的孔内的 第 一柱状电极的顶端上的绝缘体层和属于第二组的孔内的第二柱状 电极的顶端t上的绝缘体层。
因此，并不限定上述的各实施方式，例如，可以由材质各不相同 的绝缘体层构成第 一柱状电极的顶端上的绝缘体层和第二柱状电极 的顶端上的绝缘体层。另外，当第一柱状电极的长度与第二柱状电极 的长度不同时，也可以形成厚度各不相同的绝缘替层。
以下，用图32说明采用了本发明的电容元件的电容器的第一实 施方式。图32是将上述第一实施方式的电容元件10作为电容单元 CU的电容器20。该电容器20将例如由导电性的金属板构成的端子 部29a、 29b分别与第一引出电极12a及第二引出电极12b连接，并 且具有包覆上述电容单元CU的封装树脂。
上述端子部29a、 29b,最好是铜、磷青铜、各种不锈钢、Ni42 一Fe合金等。另外，图中虽然省略，但上述引出电极12a、 12b和上 述端子部29a、 29b的连接，最好是电阻焊或扩散接合、利用碳膏之 类的导电性粘接剂的粘接等。
以下，用图33说明采用了本发明的电容元件的电容器的第二实 施方式。图33是将上述第一实施方式的电容元件IO作为电容单元 CU1、 CU2、 CU3的电容器30。该电容器30将端子部39a、 39b分别 与各电容单元CU1、 CU2、 CU3并联连接，具有大的静电电容。
以下，用图34说明采用了本发明的电容元件的电容器埋入多层 配线基板的实施方式。图34是将上述第一实施方式的电容元件10作 为电容单元的电容器埋入多层配线基板40。
上述电容器埋入多层配线基板40,在其底部埋入电容单元CU, 并将第一引出电极12a与上述电容器埋入多层配线基板的内部导体连 接。而且，使第二引出电极12b与其他端子电极一起在上述多层配线 基板的底面露出。
按照本发明，适合于利用了小型且大电容的电容器的轻便、薄型 的各种小型电子设备的用途。
权利要求
1.一种电容元件，其特征在于，包括由第一阀金属氧化物构成并交替地配置有多个在厚度方向上贯通的属于第一组的孔和属于第二组的孔的多孔板状的电介质；分别在属于上述第一组的多个孔内形成且基端在上述电介质的一个主面上露出的第一柱状电极；分别在属于上述第二组的多个孔内形成且基端在上述电介质的另一个主面上露出的第二柱状电极；分别被设置成在属于上述第一组的孔内的上述第一柱状电极的顶端上封堵该孔、在属于上述第二组的孔内的上述第二柱状电极的顶端上封堵该孔的绝缘体层；被设置成在上述电介质的一个主面上与上述第一柱状电极的基端连接的第一引出电极；以及被设置成在上述电介质的另一个主面上与上述第二柱状电极的基端连接的第二引出电极。
2. 根据权利要求1所述的电容元件，其特征在于 上述绝缘体层是使导电性高分子热分解而形成的层。
3. 根据权利要求2所述的电容元件，其特征在于 在上述第一引出电极和上述第二引出电极之间施加有电压。
4. 根据权利要求1所述的电容元件，其特征在于 上述绝缘体层由Ti02膜构成。
5. 根据权利要求1所述的电容元件，其特征在于 上述绝缘体层由Si02膜构成。
6. 根据权利要求1所述的电容元件，其特征在于 上述绝缘体层由绝缘性树脂层构成。
7. 根据权利要求1所述的电容元件，其特征在于 上述绝缘体层由第二阀金属氧化物构成。
8. 根据权利要求1所述的电容元件，其特征在于 上述绝缘体层由空气层构成。
9. 一种电容元件的制造方法，其特征在于，包括在第一阀金属的箔片的一个主面上按预定的配置通过印压而在多个部位上形成微小凹部的工序；对该阀金属箔片进行阳极氧化，分别在形成有上述微小凹部的部 位形成具有预定深度的属于第一组的凹部、在形成有上述微小凹部的 多个部位之间形成深度比属于上述第一组的凹部浅的属于第二组的 凹部，从而形成多孔才反状的电介质的工序；通过非电解电镀在上述电介质的属于第一组的凹部的内面和属 于上述第二组的凹部的内面形成种子层，并且在上述电介质的一个主 面上形成第一引出电极的工序；通过蚀刻将上述电介质的属于第一组的凹部的底部除去而形成 在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第一组的多个孔的工序；在属于上述第一组的孔内的上述种子层上通过电解电镀留下上 述电介质的另 一个主面侧的上述孔的前端而形成第一柱状电极的工通过蚀刻将上述电介质的属于第二组的凹部的底部除去而形成 在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第二组的多个孔的工序；分别在属于上述第一组的孔内的上述第一柱状电极的顶端上和 属于上述第二组的孔内的上述第一引出电极上通过电解聚合而形成 导电性高分子层以使其将上述孔封堵的工序；形成第二柱状电极，并且在上述电介质的另一个主面上形成第二引出 电才及的工序；使上述导电性高分子层热分解而绝缘化后形成绝缘体层的工序；以及通过施加电压而将上述第一柱状电极的顶端与上述第二引出电 极之间和上述第二柱状电极的顶端与上述第 一 引出电极之间的短路部位烧断的工序。
10. —种电容元件的制造方法，其特征在于，包括 在第一阀金属箔片的一个主面上按预定的配置通过印压而在多个部位上形成微小凹部的工序；对该阀金属箔片进行阳极氧化，并分别在形成有上述微小凹部的 部位形成具有预定深度的属于第一组的凹部、在形成有上述微小凹部 的多个部位之间形成深度比属于上述第 一组的凹部浅的属于第二组 的凹部，从而形成多孔板状的电介质的工序；通过蚀刻将上述电介质的属于第一组的凹部的底部除去而形成 在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第一组的多个孔的工序；在上述电介质的形成有属于上述第二组的凹部的一个主面上形 成第一供电电极的工序；在属于上述第一组的孔内通过电解电镀留下上述电介质的另一 个主面侧的上述孔的前端而形成第 一柱状电^l的工序；分别在属于上述第一组的孔内的上述第一柱状电极的顶端上形 成将上述孔封堵的绝缘体层的工序；通过蚀刻将上述电介质的一个主面上的上述第一供电电极和属 于上述第二组的凹部的底部除去而形成在上述电介质的另 一个主面 侧开口的属于第二组的多个孔的工序；在上述电介质的另一个主面上形成第二引出电极的工序；在属于上述第二组的孔内的上述第二引出电极上通过电解电镀 留下上述电介质的一个主面侧的上述孔的前端而形成第二柱状电极 的工序；分别在属于上述第二组的孔内的上述第二柱状电极的顶端上形 成将上述孔封堵的绝缘体层的工序；以及在上述电介质的一个主面上与上述第一柱状电极的基端连接而 形成第一引出电极的工序。
11. 根据权利要求10所述的电容元件的制造方法，其特征在于 在上述第一柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序和在上述第二柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序，在分别将上述第 一供电电极和上述第二引出电极作为供电层而形成导电性高分子膜之后，通过 热分解而进行绝缘化。
12. 根据权利要求IO所述的电容元件的制造方法，其特征在于 在上述第一柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序和在上述第二柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序，在分别将上述第一供电电 极和上述第二引出电极作为供电层而形成Ti02电淀积膜之后，通过 热处理而进行绝缘化。
13. 根据权利要求IO所述的电容元件的制造方法，其特征在于 在上述第一柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序和在上述第二柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序，分别将上述第一供电电极 和上述第二引出电极作为供电层而对Si02层进行电解电镀。
14. 根据权利要求IO所述的电容元件的制造方法，其特征在于 在上述第一柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序和在上述第二柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序，在分别将上述第一供电电 极和上述第二引出电极作为供电层而形成Sn — Pd镀层之后，在该Sn 一Pd镀层上湿式淀积Si02层。
15. —种电容元件的制造方法，其特征在于，包括 在第一阀金属箔片的一个主面上按预定的配置通过印压而在多个部位上形成樣l小凹部的工序；对该阀金属箔片进行阳极氧化，并分别在形成有上述微小凹部的 部位形成具有预定深度的属于第一组的凹部、在形成有上述微小凹部的多个部位之间形成深度比属于上述第一组的凹部浅的属于第二组 的凹部，从而形成多孔才反状的电介质的工序；通过蚀刻将上述电介质的属于第一组的凹部的底部除去而形成 在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第一组的多个孔的工序；在上述电介质的形成有属于上述第二组的凹部的一个主面上形 成第一供电电极的工序；在属于上述第一组的孔内的上述供电电极上通过电解电镀留下 上述电介质的另一个主面侧的上述孔的前端而形成第一柱状电极的 工序；通过蚀刻将上述第一供电电极和上述电介质的属于第二组的凹 部的底部除去而形成在上述电介质的另 一个主面侧开口的属于第二组的多个孔的工序；分别在属于上述第一组的孔内的上述第一柱状电极的顶端上和属于上述第二组的多个孔内形成将上述孔封堵的绝缘体层的工序； 在上述电介质的另一个主面上形成第二引出电极的工序； 在属于上述第二组的孔内的上述第二引出电极上通过电解电镀留下上述电介质的一个主面侧的上述孔的前端而形成第二柱状电极的工序；分别在属于上述第二组的孔内的上述第二柱状电极的顶端上形 成将上述孔封堵的绝缘体层的工序；以及在上述电介质的一个主面上与上述第一柱状电极的基端连接而 形成第一引出电极的工序。
16. 根据权利要求15所述的电容元件的制造方法，其特征在于 在上述第一柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序，在属于上述第一组的孔内的上述第一柱状电极的顶端上和属于上述第二组的多 个孔内分别埋入绝缘性树脂之后，将属于上述第二组的孔内的绝缘性 树脂除去；在上述第二柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序，在属于上述 第二组的孔内的上述第二柱状电极的顶端上分别埋入绝缘性树脂。
17. 根据权利要求15所述的电容元件的制造方法，其特征在于 在上述第一柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序，在上述电介质的上述第一柱状电极的顶端侧的上述另一个主面上形成绝缘性树 脂膜之后，将除了属于上述第一组的孔内之外的上述另一个主面上的 绝缘性树脂膜除去；在上述第二柱状电极的顶端上形成绝缘体层的工序，在上述电介 质的上述第二柱状电极的顶端侧的上述另一个主面上形成绝缘性树 脂膜之后，将除了属于上述第二组的孔内之外的上述另一个主面上的 绝缘性树脂膜除去。
18. —种电容元件的制造方法，其特征在于，包括在第一阀金属的箔片的一个主面上按预定的配置通过印压而在多个部位上形成微小凹部的工序；对该阀金属箔片进行阳极氧化，分别在形成有上述微小凹部的部 位形成具有预定深度的属于第 一组的凹部、在形成有上述微小凹部的 多个部位之间形成深度比属于上述第一组的凹部浅的属于第二组的 凹部，从而形成多孑L板状的电介质的工序；通过蚀刻将上述电介质的属于第一组的凹部的底部除去而形成 在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第一组的多个孔的工序；在上述电介质的形成有属于上述第二组的凹部的一个主面上形 成第一供电电极的工序；在属于上述第一组的孔内的上述供电电极上通过电解电镀留下 上述电介质的另 一个主面侧的上述孔的前端而形成第一柱状电^^的工序；通过蚀刻将上述电介质的属于第二组的凹部的底部除去而形成 在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第二组的多个孔的工序；在上述电介质的上述第一柱状电极的顶端侧的上述另 一个主面 上形成第二阀金属层的工序；将除了属于上述第一组的孔内之外的上述另一个主面上的第二 阔金属层除去的工序；通过将上述第一供电电极作为供电层并对上述第二阀金属层进 行阳极氧化而分别在属于上述第一组的孔内的上述第一柱状电极的 顶端上和属于上述第二组的多个孔内形成将上述孔封堵的绝缘体层 的工序；通过蚀刻将上述第一供电电极除去的工序； 在上述电介质的另一个主面上形成第二引出电极的工序； 在属于上述第二组的孔内的上述第二引出电极上通过电解电镀 留下上述电介质的一个主面侧的上述孔的前端而形成第二柱状电^L 的工序；在上述电介质的上述第二柱状电极的顶端侧的上述一个主面上 形成第二阀金属层的工序；将除了属于上述第二组的孔内之外的上述一个主面上的第二阀金属层除去的工序；分别在属于上述第二组的孔内的上述第二柱状电极的顶端上形成将上述孔封堵的绝缘体层的工序；以及通过将上述第二引出电极作为供电层并对上述第二阀金属层进 行阳极氧化而在上述电介质的一个主面上与上述第一柱状电极的基 端连接而形成第一引出电极的工序。
19. 一种电容元件的制造方法，其特征在于，包括在第一阀金属的箔片的一个主面上按预定的配置通过印压而在 多个部位上形成、凹部的工序；对该阀金属箔片进行阳极氧化，分别在形成有上述微小凹部的部 位形成具有预定深度的属于第一组的凹部、在形成有上述微小凹部的 多个部位之间形成深度比属于上述第一组的凹部浅的属于第二组的 凹部，从而形成多孔^反状的电介质的工序；通过蚀刻将上述电介质的属于第一组的凹部的底部除去而形成 在上述电介质的另一个主面侧开口的属于第一组的多个孔的工序；在上述电介质的形成有属于上述第二组的凹部的一个主面上形 成第一供电电极的工序；在属于上述第一组的孔内的上述第一供电电极上通过电解电镀 留下上述电介质的另 一个主面侧的上述孔的前端而形成第一柱状电 极的工序；通过蚀刻将上述第一供电电极和上述电介质的属于第二组的凹 部的底部除去而形成在上述电介质的另 一个主面侧开口的属于第二 组的多个孔的工序；在上述电介质的另 一个主面上通过'减射在与上述第一柱状电极 的顶端之间隔着空气层而形成第二引出电极的工序；在属于上述第二组的孔内的上述第二引出电极上通过电解电镀 留下上述电介质的一个主面侧的上述孔的前端而形成第二柱状电极 的工序；以及在上述电介质的一个主面上，通过賊射在与上述第二柱状电极的 顶端之间隔着空气层而形成与上述第一柱状电极的基端连接的第一 引出电极的工序。
全文摘要
本发明提供一种电容元件和电容元件的制造方法。该电容元件具有多孔板状的电介质(14)、分别在交替地配置在电介质上的属于第一组的孔(15a3)内和属于第二组的孔(15b3)内形成的柱状电极(16a)、(16b)、分别在第一和第二组的孔内的柱状电极的顶端上形成的封堵各孔的由有机绝缘体层构成的绝缘体层(18a)、(18b)、分别设置在电介质的一个主面(14a)和另一个主面(14b)上并与柱状电极的基端b相连接的引出电极(12a)、(12b)。按照这种结构，由于耐电压提高，可以提供每单位体积的CV积比现有的电解电容器大且无极性的电容元件。
文档编号H01G9/07GK101359537SQ20081014404
公开日2009年2月4日 申请日期2008年7月25日 优先权日2007年7月30日
发明者八幡和志, 增田秀俊, 水野高太郎, 黑泽胜 申请人:太阳诱电株式会社