被处理体的处理系统和被处理体的热处理方法

专利名称：被处理体的处理系统和被处理体的热处理方法
被处理体的处理系统和被处理体的热处理方法技术区域本发明涉及从收纳半导体晶片等的被处理体的收容箱将被处理体 移载到被处理体移载区域内的被处理体载置器上并对被处理体进行热 处理的处理系统和被处理体的热处理方法。
背景技术：
通常，为了制造IC或LSI等半导体集成电路，对半导体晶片反复 进行各种成膜处理、氧化扩散处理、蚀刻处理等，进行各种处理时， 需要在对应的装置之间搬送半导体晶片。在该情况下，每次将多枚、 例如每次25枚半导体晶片收容搬送到收容箱内。作为这种收容箱，公 知的是像箱那样相对于大气处理开放状态下进行搬送的收容箱，或 者像FOUP (注册商标)那样，为了抑制微粒或者自然氧化膜的附着，使通过幵闭盖封闭的箱内形成为N2气体等的不活泼气体或清洁空气的气氛的收容箱(专利文献1 3)。并且，操作上述收容箱的例如分批式处理系统包括通过搬送机 构搬送上述收容箱的箱输送区域，和为了对半导体晶片进行热处理、 通过该收容箱将该半导体晶片移载到晶舟等的被处理体移载区域(例 如，专利文献4 6)。而且，通过具有为了搬送晶片可开闭的开口闸的 划分壁划分两个区域，为了防止自然氧化膜等附着到晶片表面，使被 处理体以裸露状态进行搬送的上述被处理体移载区域内形成不活泼气 体，例如氮气气氛或者清洁空气气氛。但是，在上述被处理体移载区域中，如上所述，将收容例如25枚 晶片的收容箱内的晶片移载到晶舟内直至例如晶舟成为满载为止，为 了完成该移载操作需要一定的时间，例如，晶舟的容量为能够收纳IOO 枚晶片的大小时，必须更换4个上述收容箱同时进行晶片的移载，根 据移载臂机构的能力，该移载操作需要例如14分钟左右。因此，为了增大生产量，通常在上述被处理体移载区域一侧设置多台、例如2台晶舟，在一个晶舟对晶片进行热处理期间，在另一个 晶舟中进行热处理完成的晶片的搬出和未处理晶片的向晶舟的移载操作，尽可能地縮短空闲时间(专利文献4、 5)。 [专利文献l]:特开平8-279546号公报 [专利文献2]:特开平9-306975号公报 [专利文献3]:特开平1U74267号公报 [专利文献4]:特开2002-76089号公报 [专利文献5]:特开2003_37148号公报 [专利文献6]:特开2004-22674号公报但是，进行上述晶片的移载的移载臂机构使用热时比较脆弱的耐 热性较差的部件。例如，在该移载臂机构中，使映像传感器露出地设 置，该映像传感器用于检测被晶舟支承的晶片的位置、或者在收容箱 内跨越多层收容的晶片的位置等。另外，在移载臂机构中，大多情况 下搭载有各种电子部件，或者通过压縮空气获得驱动力。因此，使供 给排出该压縮空气的空气管等露出地设置，上述映像传感器或电子部 件或气体管等任一个的耐热性都低，根据部件不同耐热性例如大约只 有50 200。C。并且，上述被处理体移载区域内循环冷却气体或清洁空气等，当 向被处理体移载区域内卸载通过热处理达到最高大约700 80(TC的处 理完成的高温晶片时，则该被处理体移载区域内尤其是上部的气氛温 度通过对流或辐射热变成200。C以上。因此，为了防止上述耐热性差的 移载臂机构受到热损伤，在晶片的卸载时，使上述移载臂机构退避并 位于被处理体移载区域内的下部的温度较低的部分，并禁止晶片的移 载操作。但是，在该情况下，正因为使上述移载臂机构退避的退避时间通 常是从卸载开始至卸载完成并且被处理体移载区域内的上部的气氛温 度充分冷却位置的较长的时间。因此，例如，尽管被处理体移载区域 内的上部的气氛温度降低到对于构成移载臂机构的上述各构件的安全 温度，但是，存在晶片的移载操作保持被禁止的状态，因此产生生产 量降低的问题。发明内容本发明的目的在于提供一种防止移载臂机构受到热损伤，并且使 移载臂机构退避的时间最短，有效地进行被处理体的移载操作，从而， 能够提高生产量的被处理体的处理系统和被处理体的热处理方法。本发明提供一种被处理体的处理系统，其由划分壁包围，其特征 在于，包括用于对所述被处理体进行热处理的立式处理单元；设置 在所述处理单元的下方的被处理体移载区域；多层地保持所述被处理 体的多个被处理体载置器；使一个被处理体载置器升降并对所述处理 单元内进行装载和卸载的载置器升降单元，设置在所述被处理体移载 区域、当移载被处理体时载置另一个所述被处理体载置器的移载用载 置器载置台；用于在设置于所述划分壁上的移载台上的收容箱、与载 置在所述移载用载置器载置台上的另一个被处理体载置器之间，移载 所述被处理体的移载臂机构；使所述移载臂机构升降的臂升降单元； 设置在所述被处理体移载区域内的上部的温度测量单元；和基于来自 所述温度测量单元的测量值控制所述移载臂机构的移载动作的移载控 制部。如上所述，在用于相对被处理体载置器移载被处理体的被处理体 移载区域内的上部设置温度测量单元，基于该温度测量单元的测量值 控制移载臂机构的移载动作，因此，防止移载臂机构受到热损伤，并 且使移载臂机构退避的时间最短，有效地进行被处理体的移载，从而， 能够提高生产量。本发明的被处理体的处理系统的特征在于，在所述被处理体移载 区域内，设置有用于使所述被处理体载置器暂时待机的待机用载置器 载置台。本发明的被处理体的处理系统的特征在于，所述被处理体移载区 域内形成为不活泼气体或者清洁空气的气氛。本发明的被处理体的处理系统的特征在于，在开始使所述一个被 处理体载置器从所述处理单元降下的卸载之后，且在所述温度测量单 元检测出所述第一温度之后，所述移载控制部控制移载臂机构和臂升 降单元，禁止所述被处理体的移载，当完成所述卸载后，且在所述温 度测量单元检测出比所述第一温度高的所述第二温度时，所述移载控制部控制所述移载臂机构和臂升降单元，解除对被处理体的移载的禁 止。本发明的被处理体的处理系统的特征在于，所述移载控制部在控 制所述移载臂机构和臂升降单元禁止被处理体的移载之后，使所述移 载臂机构退避并位于所述被处理体移载区域内的下部。本发明的被处理体的处理系统的特征在于，在所述移载臂机构中， 设置有映像传感器，该映像传感器检测所述收容箱中收容的被处理体 的位置、或者由所述被处理体载置器支承的被处理体的位置，所述第 二温度为所述映像传感器的耐热上限温度。本发明的被处理体的处理系统的特征在于，在所述移载臂机构中， 设置有由盖保护的电子部件，所述第一温度为所述电子部件的耐热上 限温度。本发明的被处理体的处理系统的特征在于，所述温度测量单元设 置有1个或者多个，并且使至少一个温度测量单元位于所述移载臂机 构的上方。本发明提供一种被处理体的热处理方法，其使用被处理体的处理 系统对被处理体进行热处理，所述被处理体的处理系统由划分壁包围， 其特征在于，包括用于对所述被处理体进行热处理的立式处理单元；设置在所述处理单元下方的被处理体移载区域；多层地保持所述被处 理体的多个被处理体载置器；使一个被处理体载置器升降并对所述处 理单元内进行装载和卸载的载置器升降单元；设置在所述被处理体移 载区域、当移载被处理体时载置另一个所述被处理体载置器的移载用 载置器载置台；用于在设置于所述划分壁上的移载台上的收容箱、与 载置在所述移载用载置器载置台上的另一个被处理体载置器之间移载 所述被处理体的移载臂机构；使所述移载臂机构升降的臂升降单元； 设置在所述被处理体移载区域内的上部的温度测量单元；和基于来自 所述温度测量单元的测量值控制所述移载臂机构的移载动作的移载控 制部，所述被处理体的热处理方法的特征在于，包括热处理工序， 其通过载置器升降单元向处理单元内装载保持有多枚被处理体的一个 被处理体载置器，对所述被处理体进行热处理，并且在进行热处理后， 通过载置器升降单元卸载所述被处理体载置器；移载工序，其使用移载臂机构和臂升降单元在收容箱与另一个被处理体载置器之间移载被处理体；温度测量工序，其通过温度测量单元测量被处理体移载区域 内的上部的气氛的温度；第一判断工序，其对所述温度测量单元检测 出第一温度做出应答，移载控制部控制移载臂机构和臂升降单元禁止 进行所述移载工序中的移载动作；和第二判断工序，其对所述温度测量单元检测出第二温度做出应答，移载控制部控制移载臂机构和臂升 降单元解除对所述移载工序中的移载动作的禁止。本发明的被处理体的热处理方法的特征在于，在禁止所述移载动 作的期间，所述移载控制部控制移载臂机构和臂升降单元，使移载臂 机构退避到所述被处理体移载区域内的下部的位置。本发明的被处理体的热处理方法的特征在于，所述移载控制部， 以在所述热处理工序的途中开始卸载为条件，实施第一判断工序。本发明的被处理体的热处理方法的特征在于，所述移载控制部， 以在所述热处理工序的途中完成卸载为条件，实施第二判断工序。本发明的被处理体的热处理方法的特征在于，在所述移载臂机构 中，设置有映像传感器，该映像传感器检测所述收容箱中收容的被处 理体的位置、或者由所述被处理体载置器支承的被处理体的位置，所 述第二温度为所述映像传感器的耐热上限温度。本发明的被处理体的热处理方法的特征在于，在所述移载臂机构 中，设置有由盖保护的电子部件，所述第一温度为所述电子部件的耐 热上限温度。本发明提供一种计算机程序，其用于使计算机执行热处理方法， 其特征在于所述热处理方法是使用被处理体的处理系统对被处理体 进行热处理的处理方法，所述被处理体的处理系统由划分壁包围，其 特征在于，包括用于对所述被处理体进行热处理的立式处理单元； 设置在所述处理单元下方的被处理体移载区域；多层地保持所述被处 理体的多个被处理体载置器；使一个被处理体载置器升降并对所述处 理单元内进行装载和卸载的载置器升降单元；设置在所述被处理体移 载区域、当移载被处理体时载置另一个所述被处理体载置器的移载用 载置器载置台；用于在设置于所述划分壁上的移载台上的收容箱、与 载置在所述移所述被处理体的移载臂机构；使所述移载臂机构升降的臂升降单元； 设置在所述被处理体移载区域内的上部的温度测量单元；和基于来自 所述温度测量单元的测量值控制所述移载臂机构的移载动作的移载控 制部，所述热处理方法包括热处理工序，其通过载置器升降单元向 处理单元内装载保持有多枚被处理体的一个被处理体载置器，对所述 被处理体进行热处理，并且在进行热处理后，通过载置器升降单元卸 载所述被处理体载置器；移载工序，其使用移载臂机构和臂升降单元 在收容箱与另一个被处理体载置器之间移载被处理体；温度测量工序， 其通过温度测量单元测量被处理体移载区域内的上部的气氛的温度； 第一判断工序，其对所述温度测量单元检测出第一温度做出应答，移 载控制部控制移载臂机构和臂升降单元禁止进行所述移载工序中的移 载动作；和第二判断工序，其对所述温度测量单元检测出第二温度做 出应答，移载控制部控制移载臂机构和臂升降单元解除对所述移载工 序中的移载动作的禁止。本发明提供一种存储介质，其存储有用于通过计算机执行热处理 方法的计算机程序，其特征在于所述热处理方法是使用被处理体的 处理系统对被处理体进行热处理的处理方法，所述被处理体的处理系 统由划分壁包围，其特征在于，包括用于对所述被处理体进行热处 理的立式处理单元；设置在所述处理单元下方的被处理体移载区域； 多层地保持所述被处理体的多个被处理体载置器；使一个被处理体载 置器升降并对所述处理单元内进行装载和卸载的载置器升降单元；设 置在所述被处理体移载区域、当移载被处理体时载置另一个所述被处 理体载置器的移载用载置器载置台；用于在设置于所述划分壁上的移 载台上的收容箱、与载置在所述移载用载置器载置台上的另一个被处 理体载置器之间移载所述被处理体的移载臂机构；使所述移载臂机构 升降的臂升降单元；设置在所述被处理体移载区域内的上部的温度测 量单元；和基于来自所述温度测量单元的测量值控制所述移载臂机构 的移载动作的移载控制部，所述热处理方法包括热处理工序，其通 过载置器升降单元向处理单元内装载保持有多枚被处理体的一个被处 理体载置器，对所述被处理体进行热处理，并且在进行热处理后，通 过载置器升降单元卸载所述被处理体载置器；移载工序，其使用移载臂机构和臂升降单元在收容箱与另一个被处理体载置器之间移载被处理体；温度测量工序，其通过温度测量单元测量被处理体移载区域内 的上部的气氛的温度；第一判断工序，其对所述温度测量单元检测出 第一温度做出应答，移载控制部控制移载臂机构和臂升降单元禁止进 行所述移载工序中的移载动作；和第二判断工序，其对所述温度测量 单元检测出第二温度做出应答，移载控制部控制移载臂机构和臂升降 单元解除对所述移载工序中的移载动作的禁止。根据本发明的被处理体的处理系统和被处理体的热处理方法，能 够发挥如下所述良好的作用效果。在相对被处理体载置器移载被处理体的被处理体移载区域内的上 部设置温度测量单元，基于该温度测量单元的侧量值，控制移载臂机 构的移载动作，因此，防止移载臂机构受到热损伤，并且使移载臂机 构退避的时间最短，有效地进行被处理体的移载操作，从而，能够提 高生产量。


图1为示意性表示本发明的被处理体的处理系统的一个例子的大 致结构图。图2为表示被处理体移载区域内的各构成部件的排列位置的一个例子的平面图。图3为表示被处理体的移载臂机构的一个例子的图。图4为表示在1批处理中的各工序的时间图的一个例子的图。图5为表示没有使移载臂机构退避时的被处理体移载区域内的各部的温度变化的曲线图。图6为表示使移载臂机构退避时的被处理体移载区域内的各部的温度变化的曲线图。图7为表示包括搬送半导体晶片的整个热处理工序的流程图。
具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的被处理体的处理系统和被处理体的 热处理方法的理想的一个例子进行详细说明。图1为表示本发明的被处理体的处理系统的一个例子的大致结构 图，图2为表示在被处理体移载区域内的各构成构件的排列位置的一 个例子的平面图，图3为表示被处理体的移载臂机构的一个例子的图。首先，如图1和图2所示，该被处理体的处理系统2被整体作为 划分壁发挥作用的、例如由不锈钢等构成的框体4包围，通过划分壁 12将其内部分为用于搬送收容箱6的收容箱搬送区域8和移载作为 被处理体的半导体晶片W的被处理体移载区域10两个部分。而且， 在此，晶片W使用直径为300mm的晶片，但并不局限于此，也能够 使用直径为8英寸、6英寸的晶片。在上述收容箱6内，多枚、例如 25枚晶片以层状被支承，并且上述收容箱6通过开闭盖6A形成密闭 状态，内部形成N2气等不活泼气体气氛或清洁空气气氛。而且，在上 述收容箱输送区域8内流通清洁空气的下向流(down flow),在上述被 处理体移载区域10内形成N2等不活泼气体气氛。此外，在该区域IO 内也有流通清洁空气的情况。该处理系统2具备设置在框体4的一侧、对保持在被处理体载 置器(boat) 20上的半导体晶片W进行规定的热处理的处理单元24; 设置在框体4另外一侧、相对于处理系统2内搬入搬出收容箱6的搬 入搬出口 16，设置在搬入搬出口 16附近、暂时储存上述收容箱6的储 存部18，在从储存部18送出的收容箱6与被处理体移载区域10内的 被处理体载置器20之间移载半导体晶片W的移载台22。在上述搬入搬出口 16中，形成有通常向框体4开放的箱搬入搬出 口 26。此外，该箱搬入搬出口 26也存在形成为能够通过开闭门开闭的 情况。在该箱搬入搬出口 26的外侧设置有用于载置从外部搬送来的收 容箱6的外侧载置台28，同时在该箱搬入搬出口 26内侧设置有内侧载 置台30,该内侧载置台30用于在其上面载置从上述外侧载置台28滑 动过来的收容箱6。在上述外侧或者内侧载置台28、 30的上部设置有 滑板32,该滑板32能够在两个载置台28、 30之间滑动移动，能够在 上面载置有收容箱6的状态下进行移动。另一方面，在收容箱搬送区域8内的上方设置有上述储存部18。 如图例所示，该储存部18，并列设置有暂时将上述收容箱6例如2歹U、 2层地载置保管的货架34。而且，对该货架34的数量没有特别限制，实际设置的更多。在上述2个货架34之间使升降机36立起地设置，在该升降机36 上设置有能够沿水平方向前进后退和旋转的箱搬送臂38。因此，通过 使该箱搬送臂38屈伸和升降，能够用箱搬送臂38保持收容箱6，在搬 入搬出口 16与储存部18之间进行搬送。另外，在上述移载台22中，在划分两个区域8、 10的划分壁12 中形成有开口40，该开口40稍稍大于收容箱6的开闭盖6A。在该开 口 40的收容箱输送区域8 —侧水平地设置有载置台42，能够在该载置 台42上载置收容箱6。另外，在该载置台42 —侧设置有水平促动器 (actuator) 44，用于将载置在上述载置台上的收容箱6向划分壁12 侧施加按压作用，在使上述收容箱6的开闭盖6A面对上述开口 40的 状态下，收容箱6的开口部的开口边缘与划分壁12的开口 40的开口 边缘大致气密地接触。另外，在该开口 40的被处理体移载区域10 —侧设置有开闭该开 口40的开闭门46，该开闭门46能够横向滑动。另夕卜，在该开闭门46 上设置有盖开闭机构48，该盖开闭机构48用于开闭上述收容箱6的开 闭盖6A (参照图2)。而且，在收容箱搬送区域8内设置有用于使收容 箱6在该开口40的附近待机的待机用箱搬送臂50，接着，从箱搬送臂 38接收收容应该处理的晶片的收容箱6，在待机后，将其放置到移载 台22上，此外，也存在不设置上述待机用箱搬送臂50的情况，这时， 通过上述箱搬送臂38将收容箱6设置到移载台22上。另一方面，在上述被处理体移载区域10内设置有载置作为晶片载 置器的被处理体载置器20的2个载置器载置台，即设置有移载用载置 器载置台52和待机用载置器载置台54。在上述2个载置器载置台52、 54内，在该待机用载置器载置台52与上述移载台22之间设置有移载 臂机构56，该移载臂机构56能够沿着水平方向前进后退和旋转，能够 通过升降机那样的臂升降单元58上下移动。作为该臂升降单元58，能够使用例如滚珠丝杠等。因此，通过驱动该移载臂机构56屈伸、旋转和升降，能够在载置 台42上的收容箱6与移载用载置器载置台52上的被处理体载置器20 之间移载晶片W。在此，关于被处理体载置器20，设置有多台、例如2台被处理体载置器20A、 20B，这2台能够交替使用。此外，也能够 设置3台以上被处理体载置器20。该被处理体载置器20例如由石英形成，能够以规定的间距多层地 支承例如大约50 150枚的晶片W。并且，具体地说，如图3所示， 上述移载臂机构56具有通过上述臂升降单元58升降的基台76，在该 基台76上设置能够滑动移动和旋转移动的臂台78。而且，在该臂台 78上上下并列地设置有多个形成为2股状的臂80，在该臂80上载置 有晶片W并形成为能够沿水平方向分别前进和后退。在此，关于上述 臂80，设置有5个臂80A、 80B、 80C、 80D、 80E， 一次能够移载最 多5枚晶片W。而且，在上述5个臂80A 80E内的一个臂、例如中央的臂80C 顶端部，设置有用于检测有无晶片W的映像传感器(Mapping Sensor) 82。通过纵向扫描上述收容箱6内，或者纵向扫描上述被处理体载置 器20，检测收容晶片W的位置。该映像传感器82例如由发光受光器 构成，其耐热性没有那么强，耐热上限温度例如为13(TC左右。另外，电子部件84在由基台76的盖76A保护的状态下搭载在上 述基台76上，该电子部件84形成例如与上述映像传感器82等有关的 电路、或上述各臂80A 80E的驱动控制用电路等。上述电子部件84 的耐热上限温度比上述映像传感器82低，例如为5(TC左右。另外，在 该移载臂机构56上配置有具有可挠性的树脂制送气管(未图示)，该 送气管用于供给、排放用于驱动上述各臂80A 80E或臂台78等的加 压气体。另外，由立式热处理炉构成的处理单元24通过基板62被支承配 置在该被处理体移载区域10的一侧的上方。该处理单元24具有石英 制的圆筒状处理容器64，圆筒状加热器66设置在该处理容器64的周 围，能够加热处理容器64内的晶片。由此， 一次对多枚晶片W实施 成膜或氧化扩散等的规定的热处理。在该情况下，根据处理内容，使晶片温度为例如最大大约800 1000°C。在该处理容器64的下方配置有盖70，该盖70能够通过升降 机那样的载置器升降单元68升降。作为该载置器升降单元68例如能 够使用滚珠丝杠等。而且，通过在该盖70上载置被处理体载置器20使其上升，从而能够从处理容器64的下端开口部向该处理容器64内 加载该被处理体载置器20。这时，处理容器64的下端开口部通过上述 盖70气密地关闭。另外，在处理容器64的下端开口部的侧部，可滑动地设置有闸板 (shutter) 72，其当卸载上述被处理体载置器20并使其向下方降下时， 关闭上述下端开口部。而且，降下后的盖70和上述两个载置器载置台 52、 54附近设置有形成为能够屈伸和旋转的载置器移载机构74，在上 述两个载置器载置台52、 54和盖70之间、以及在两个载置器载置台 52、 54之间形成为能够进行被处理体载置器20的移载。而且，在上述被处理体移载区域10内的上部，设置作为本发明的 特征的温度测量单元86 (参照图1)，测量该被处理体移载区域10内 的气氛的温度。具体地说，上述温度测量单元86由热电偶86A构成， 该热电偶86A设置在上述移载臂机构56上方的顶部，即臂升降单元 58的上端部的附近，测量该部分的气氛的温度。此外，作为温度测量单元86不限于上述热电偶86A，例如，也可 以使用辐射温度计等取代该热电偶86A。另外，作为上述温度测量单 元86的设置位置，并不局限于上述顶部，也能够设置在例如上述移载 臂机构56移载晶片时的上止点(移载臂机构到达的最上端的位置)部 分。而且，将该温度测量单元86的测量值输入例如由计算机等构成的 移载控制部88，该移载控制部88基于该测量值控制上述移载臂机构 56和臂升降单元58的移载动作。具体地说，上述移载控制部88按照 以下方式进行控制，在开始从上述处理装置24降下上述被处理体载置 器20的卸载之后，上述温度测量单元86测量出第一温度时之后，禁 止(不容许)上述晶片的移载，当上述被处理体载置器20到达最下端， 从而完成上述卸载之后，上述温度测量单元86测量出高于上述第一温 度的第二温度之后，解除对上述晶片的移载的禁止(不容许)，成为能 够进行晶片的移载，由此，防止上述移载臂机构56受到热损伤。在此，在禁止上述晶片的移载的期间，使上述移载臂机构56退避 并位于该被处理体移载区域10内温度最低的区域，即该被处理体移载 区域10内的下部(底部)，例如底部位置(下止点)90 (参照图1)。并且，在该被处理体移载区域10内，通常形成清洁空气、或者 N2等不活泼气体的侧向流，保持该被处理体移载区域10内的清洁，同 时降低该气氛的温度。
并且，通过例如由计算机构成的装置控制部92控制该处理系统2 整体的动作，例如，在收容箱搬送区域8内的搬入和搬出收容箱6的 操作、在被处理体移载区域10内的移载晶片W的操作、移载被处理 体载置器20的操作、升降被处理体载置器20的操作、处理单元24的 热处理操作(成膜处理等)等。在该情况下，上述移载控制部88由上 述装置控制部92控制。并且，上述装置控制部92或者移载控制部88 的控制所需要的程序(能够由计算机读取)存储在存储介质94中。作 为该存储介质94例如由软盘、CD (Compact Disc:光盘)、硬盘或闪 存等构成。
接着，参照图4 图7对上述构成的处理系统2的动作进行说明。 图4为表示1批处理中各工序的时间图的一个例子的图，图5为表示 移载臂机构没有退避时的被处理体移载区域内的各部分温度变化的曲 线图，图6为表示移载臂机构已退避时的被处理体移载区域内的各部 分的温度变化的曲线图。图7为表示包括搬送半导体晶片的整个热处 理工序的流程图。
首先，为了防止自然氧化膜附着到晶片表面，被处理体移载区域 10内成为由不活泼气体、例如N2气体的侧向流(side flow)形成的N2 气氛。另外，收容箱搬送区域8内形成清洁空气的下向流，维持清洁 空气的气氛。
最初，对半导体晶片W的整体的流程进行说明，对于从外部向收 容箱搬送区域8 —侧搬送来的收容箱6，使其开闭盖6A朝向箱搬入搬 出口 26 —侧载置到外侧载置台28上。并且，使载置有收容箱6的外 侧载置台28上的滑板32前进，由此将其转移到内侧载置台30上。
接着，通过驱动箱搬送臂38，去取在内侧载置台30上设置的收容 箱6并保持，再驱动升降机36，从而将该收容箱6搬送设置到上方的 储存部18的货架34的规定位置，将其暂时保管。与此同时，通过该 箱搬送臂38去取收容已经暂时储存到货架34中且成为处理对象的晶 片的收容箱6，如上所述地驱动升降机36使其下降。并且，当移载台22的载置台42为空时，将该收容箱6移载到移 载台22的载置台42上。另外，当已经将其他收容箱6放置到载置台 42上时，通过待机用箱搬送臂50保持箱搬送臂38上的收容箱6，将 其搬送到开口 40附近使其待机。并且，载置台42上的收容箱6的开 闭盖6A朝向开闭门46 —侧，而且，通过在载置台42的一侧设置的水 平促动器44对收容箱6施加按压作用并被固定在载置台42上。
在该状态下，通过驱动盖开闭机构48，卸下开口 40的开闭门46 和收容箱6的开闭盖6A，使其沿着例如水平方向滑动移动退避。并且， 通过驱动移载臂机构56和臂升降单元58，在此每次5枚地取出收容在 收容箱6内的晶片W，将其移载到设置在移载用载置器载置台52上的 被处理体载置器(一个被处理体载置器)20上。
在该情况下，若被处理体载置器20收纳晶片的枚数为100枚，且 收容箱6内收纳晶片的枚数为25枚，则从4个收容箱6内取出晶片并 进行移载，进行1批处理。
如果向上述被处理体载置器20移载晶片W完成，则接着驱动载 置器移载机构74，将该移载用载置器载置台52上的被处理体载置器 20载置到下降到最下端的盖70上。在此，当收容完成热处理并被卸载 后的晶片的被处理体载置器20位于上述盖70上时，使用载置器移载 机构74预先将该被处理体载置器20转移到待机用载置器载置台54上。
并且，如果收纳该未处理的晶片的被处理体载置器20的移载完成， 则驱动载置器升降单元68，使被处理体载置器20与载置该被处理体载 置器20的盖70整体上升，通过其下端开口部将该被处理体载置器20 向处理单元24的处理容器64内导入并加载。而且，通过该盖70密闭 处理容器64的下端开口部，在该状态下，在处理单元24内对晶片W 进行规定的热处理、例如成膜处理或氧化扩散处理等。这时，根据热 处理的方式，使晶片W的温度达到800 1000'C的高温。
如上所述，若完成规定时间的热处理，则进行与上述相反的操作， 取出已处理完成的晶片W。 gp，通过开始卸载使被处理体载置器20从 处理容器64内降下，完成卸载。这时，当开始卸载，并开始降下被处 理体载置器20时，则被处理体移载区域10内的气氛变成高温状态， 因此，如下所述地使耐热性差的移载臂机构56向下方退避。并且，通过载置器移载机构74使该被卸载的被处理体载置器20经由待机用载 置器载置台54或者不经由该待机用载置器载置台54而直接移载到移 载用载置器载置台52上。其间，对上述以处理完成的晶片W进行一 定程度的冷却。
并且，使用移载臂机构56和臂升降单元58将已处理完成的晶片 W从被处理体载置器20移载到移载台22的载置台42上的空的收容箱 6内。如果向该收容箱6内的已处理完成的晶片W的移载完成，则将 幵闭门46按照到开口 40，进一步驱动盖开闭机构48，使保持在此处 的开闭盖6A向收容箱6 —侧安装。
接着，驱动收容箱搬送区域8内的箱搬送臂38，暂时将该收容箱 6储存到储存部18中，或者不储存而是通过箱搬入搬出口 26搬送到处 理系统2外。当该箱搬送臂38搬送收容已处理完成的晶片的收容箱6 期间，已经保持空收容箱6待机的待机用箱搬送臂50将该空的收容箱 6放置到载置台42上，开始向以处理完成的晶片的收容箱6内的收容。 在该情况下，例如使用4个空的收容箱6。从而由此对1批晶片完成处 理。下面，重复进行相同操作。此外，上述收容箱6的流程仅仅是一 个例子，当然并不局限于此。
在此，在进行使高温状态下的上述被处理体载置器20从高温状态 的处理容器64内降下的卸载时，如上所述，为了防止耐热性不高的移 载臂机构56受到热损伤，禁止移载臂机构56的移载动作，使该移载 臂机构56向下方降下，退避并位于图1中的底部位置90。像这样，使 移载臂机构56向下方退避的理由是，在该被处理体移载区域10内， 通过来自高温状态的被处理体载置器20或晶片W的散热，还有通过 内部气氛的对流，使上部一侧的气氛温度大幅度上升，与此相对，下 部一侧的气氛温度上升幅度小。
并且，在现有技术的处理系统中，将移载臂机构的移载禁止的期 间固定设定为从开始卸载到被处理体载置器20到达最下端并且完成卸 载之后被处理体移载区域10内的气氛根据经验被充分冷却的这段时 间，例如固定第设定为大约IO分钟左右，经过该较长时间禁止晶片的 移载。其结果是，如上所述，延迟晶片的移载操作，发生生产量降低 的情况。与此相对，在本发明中，通过在被处理体移载区域10内的顶部设
置的例如由热电偶86A构成的温度测量单元86测量该区域10内的气 氛温度，移载臂机构56不是在被处理体载置器20的卸载开始后立即 退避，而是在卸载开始后，当上述温度测量单元86测量出第一温度时 进行退避，而且，当卸载完成之后，在上述温度测量单元86测量出高 于上述第一温度的第二温度时，解除对移载的禁止。换句话说，从上 述温度测量单元86测量出第一温度开始，到气氛温度变得最高，之后 该温度降低并且测量出第二温度时为止，在上述期间内，禁止进行上 述晶片的移载操作。
由此，能够使不会对移载臂机构56产生热损伤的移载禁止的期间 最短，由此能够提高移载效率，增大生产量。此外，上述控制通过处 于控制该处理系统2的整体的动作的装置控制部92的支配下的移载控 制部88进行。
将上述热处理的各个工序分批，针对每批制作时间图，图4表示 其时间图的一个例子。在此，表示第n (正的整数)批处理与第n+l 批处理的时间表的一个例子。
在此，如图所示，若表示各批处理的主要工序，则分别按照晶片 移载工序、被处理体载置器的更换工序、载置器的装载工序、热处理 工序、载置器卸载工序、载置器冷却工序、载置器更换工序、晶片移 载工序(处理完成)的顺序进行各批处理。例如，在第n批处理中， 当通过装置控制部92达到第n+l批处理的要求时，则开始晶片移载操 作，在被处理体移载区域10内，将第n+l批处理用的未处理晶片移载 到被处理体载置器20，例如，如上所述，更换收容箱6的同时，移载 全部4个收容箱6内的100枚晶片W。
并且，即使在该晶片移载的期间，完成第n次热处理操作开始卸 载被处理体载置器20，也继续移载晶片，之后，在温度测量单元86 测量出第一温度之后立即禁止移载晶片，中断移载晶片的操作。
在该晶片移载禁止的期间，如上所述，成为使上述的移载臂机构 56退避并位于下部的底部位置90的状态。而且，之后，被处理体载置 器20的卸载完成之后，在上述温度测量单元86测量出第二温度时， 立即解除对晶片移载的禁止，在此，使中断的晶片移载的操作恢复。从而，在晶片移载的禁止期间，在现有的处理系统中大约为26分钟， 但在本发明的处理系统中，能够縮短到20分钟之内。因此，能够迅速 且有效地进行晶片的移载，因此，能够提高生产量。
此外，如图4所示，针对第n+l批处理，通过载置器的卸载将晶 片的移载操作分为2个部分，但是，若与第n+l批处理有关的处理晶 片所要求的时间不同，例如稍稍提前，那么当然能够不间断地连续进 行上述晶片的移载操作。
在此，由于实际测量上述被处理体移载区域10内的温度变化，因 此，参照图5和图6说明其结果。图5为表示没有使移载臂机构退避 时的被处理体移载区域内的各部的温度变化的曲线图，图6为表示使 移载臂机构退避时的被处理体移载区域内的各部的温度变化的曲线 图。在此，使用3个热电偶，将第一个设置在与温度测量单元86的设 置位置相对应的顶部，将第二个设置在移载臂机构56的中央的臂80C 的顶端部的映像传感器82的位置，将第三个设置在由基台76的盖76A 覆盖的电子部件84 (参照图3)上。
并且，曲线A1表示顶部的热电偶的测量值，曲线A2表示设置在 映像传感器上的热电偶的测量值，曲线A3表示设置在电子部件上的热 电偶的测量值。在此，在被处理体移载区域10内形成有侧向流，当被 处理体载置器20被加热到78(TC时的状态下，显示进行卸载时的温度。 另外，将卸载时间设定为16分钟左右。
首先，如图5所示，在即使开始卸载也不使移载臂机构56退避继 续进行晶片移载操作的工作的情况下，各曲线A1 A3，在开始卸载后 暂时没有发现温度上升，然后，经过3分钟之后温度开始上升。在该 情况下，表示顶部的热电偶的温度的曲线Al显示温度非常快速地上 升，虽然在途中产生一些温度的上下波动，但是直至完成卸载温度都 持续上升，最高温度达到170。C。而且，完成卸载之后温度快速降低。
另外，与曲线Al相比，表示映像传感器的热电偶的温度的曲线 A2显示温度以稍缓的角度上升，直至完成卸载时温度持续上升，最高 温度达到12(TC左右。并且，完成卸载后温度缓慢降低。另外，与曲线 A2相比，表示电子部件的热电偶的温度的曲线A3显示温度以更为缓 和的角度上升，直至完成卸载时温度持续上升，最高温度达到90。C左右。而且，完成卸载之后，温度缓慢降低。
从上述结果可以看出，即使被处理体载置器20的卸载开始，也不
需要立即使移载臂机构56退避，其后，即使在大约3分钟的时间继续 晶片的移载操作，也不会使该移载臂机构56受到热损伤。
在此，与上述映像传感器82的耐热上限温度例如为大约13(TC相 对，由盖76A覆盖的上述电子部件84的耐热上限温度比上述映像传感 器82低，例如为大约5(TC，因此，为了不使移载臂机构56受到热损 伤有效地进行晶片的移载操作，作为上述第一温度设定为电子部件84 的耐热上限温度，即设定为5(TC，作为上述第二温度设定为上述映像 传感器82的耐热上限温度，即设定为130。C。
其原因是，禁止晶片的移载操作发出退避指示时，被处理体移载 区域10内的气氛温度、尤其是顶部的气氛温度有快速上升的趋势，并 且底部的气氛温度虽然上升缓慢但也有上升的趋势，因此，换句话说， 在变成高温的严峻环境的过程中，在此，可以使耐热性最差的电子部 件84的耐热上限温度成为进行退避的触发。
与此相对，当发出解除晶片的移载禁止的退避解除指示时，被处 理体移载区域10内的气氛温度，尤其是顶部的气氛温度有快速下降的 趋势，并且由于底部的气氛温度虽然缓慢降低，但也有降低的趋势， 因此，换句话说，在变成较低温度环境的过程中，在此，可以使直接 暴露在气氛中的映像传感器82的耐热上限温度成为进行退避的触发。 在该情况下，耐热性差的电子部件84可能受到热损伤，但是，如上所 述由于通过盖76保护该电子部件84，因此，温度不会发生快速上升(参 照图5中的曲线A3)，不会受到热损伤。
基于上述概念，当温度测量单元86测量出第一温度(50'C)时， 禁止晶片的移载操作发出使移载臂机构56退避的指示，在完成卸载后， 当测量出第二温度(130°C)时，发出退避解除的指示时的温度变化如 图6所示。
如图6所示，可以看出，根据退避指示使移载臂机构56位于下方 的底部位置90，因此，如曲线A2、 A3所示，映像传感器82或电子部 件84的温度上升被抑制，由此不会受到热损伤。在该情况下，由于晶 片移载的禁止时间tl大约为19分钟，因此，与现有技术的处理系统的
2426分钟相比能够大幅度縮短时间，因此，能够提高晶片移载效率。 接着，参照图7所示的流程图说明上述一系列的操作。 首先，在装置控制部92中判断是否需要处理晶片(Sl)。在该情
况下，例如，将收容未处理晶片的收容箱6储存在储存部18中，或者
从外部搬送来收容未处理晶片的收容箱6，则按照该顺序，完成晶片处
理的要求。
在此，在有晶片处理的要求时(Sl为"是")，如上所述，在移载 台22的载置台42上设置收容箱6，将该晶片W移载到被处理体区域 10内的待机中的被处理体载置器20 (S2)。并且，例如，若4个收容 箱6的100枚的晶片W的移载完成，则通过载置器移载机构74将该 被处理体载置器(一个被处理体载置器)20移载到载置器升降单元68 上(更换载置器)(S3)。
若进行上述被处理体载置器20的移载，则通过载置器升降单元68 使该被处理体载置器20上升并进行装载(加载)，将被处理体载置器 20收纳到处理单元24的处理容器64中，开始对晶片W的热处理(S4)。
接着，判断在该晶片W的热处理中是否有晶片处理的要求(S5)， 当有晶片处理的要求时(S5为"是")，与上述步骤S2相同，开始进行 移载操作，将收纳未处理晶片的收容箱6内的晶片W移载到待机中的 被处理体载置器(另外一个被处理体载置器)20中(S6)。此外，被处 理体载置器20在此为2台，g卩，具有被处理体载置器20A、 20B，这 两台被处理体载置器20A、 20B交替使用。
然后，在没有上述晶片处理的要求时(S5为"否")或者进行上述 晶片的移载时，判断是否有被处理体载置器20的卸载的开始指示(S7)。 此外，若完成晶片的上述热处理操作，则装置控制部92发出卸载的开 始指示。
上述判断的结果为，没有卸载的开始指示的情况下(S7为"否")， 返回到上述步骤S5。另外，该判断的结果为，有卸载的开始指示的情 况下(S7为"是")，装置控制部92使处于例如大约78(TC高温状态的 被处理体载置器20降下并开始卸载。开始后，如图5和图6所示，暂 时使被处理体移载区域10内的气氛温度上升。
另外，根据卸载开始信号，将上述卸载的开始指示由上述装置控制部92向移载控制部88通知。若接收到该通知，则该移载控制部88 开始判断在被处理体移载区域10内的顶部设置的温度测量单元86是 否测量出第一温度(例如50°C) (S8为"否")。g卩，进行第一判断工 序。并且，在该第一判断工序中，测量出第一温度(例如50°C)时(S8 为"是")，上述移载控制部88禁止或者不容许晶片的移载操作(S9)， 在晶片移载过程中的情况下(S10为"是")，中断晶片的移载操作，控 制移载臂机构56和臂升降单元58，使移载臂机构56退避并位于下部 (S12)。另外，即使不是在晶片移载过程中的情况下(S10为"否")， 也同样使移载臂机构56退避并位于下部(S12)。由此，防止上述移载 臂机构56受到热损伤。
并且，如上所述，在使移载臂机构56处于退避的状态中，上述移 载控制部88判断是否从装置控制部92 —侧被通知表示卸载的完成的 卸载完成信号，等待卸载完成信号的通知(S13)。然后，若移载控制 部88接收到卸载完成信号，则该移载控制部88开始判断上述温度测 量单元86是否测量出第二温度(例如I30。C) (S14为"否")。即，实 施第二判断工序。
并且，在第二判断工序中，若测量出第二温度(例如13CTC) (S14 为"是")，则解除对晶片移载操作的禁止(不容许)(S15)。通过该解
除，在晶片的移载操作被中断的情况下，或者有晶片处理的要求的情
况下(S16为"是")，返回到步骤S2，恢复或者开始晶片的移载操作。 另外，在没有晶片的移载操作的中断或者晶片处理的要求时(S16为 "否")，处理完成。
如上所述，根据本发明，在用于相对被处理体载置器20移载作为 被处理体的半导体晶片W的被处理体移载区域10内的上部设置温度 测量单元86，基于该温度测量部件86的测量值，控制移载臂机构56 和臂升降单元58，调整移载臂机构56的移载动作，因此，防止移载臂 机构56受到热损伤，同时使移载臂机构56退避的时间最短，从而有 效地进行被处理体的移载，因而，能够提高生产量。
另外，上述实施例中的第一温度和第二温度，只不过表示一个例 子，若改变对应的各部件的耐热上限温度，则与此相对应，当然应改 变第一温度和第二温度的各值。另外，在此，以设置一个温度测量单元86的情况为例进行了说明，
但是，并不局限于此，也可以设置多个，这时，优选的是在上述移载
臂机构56的上方必须设置一个温度测量单元86。而且，设置多个该温 度测量单元86的情况下，将测量出最高气氛温度的温度测量单元86 的测量值作为有效值处理。
另外，在此，以将温度测量单元86设置在被处理体移载区域10 内的上部、即顶部为例进行了说明，但并不局限于此，也可以设置在 移载臂机构56进行晶片移载操作时到达的最上部(上止点)位置。
另外，在上述实施例中，在被处理体移载区域10内的上部设置有 温度测量单元86，在此基础上，为了操作的安全性，也可以在移载臂 机构56上设置其它温度测量单元。具体地说，例如由热电偶构成的其 它温度测量单元设置在移载臂机构56的映像传感器82或电子部件84 等上，直接监视想要监视的对象物的温度，检测到监视对象物的耐热 上限温度时，使移载臂机构56退避。由此，即使顶部的温度测量单元 出现故障等，也能够增强操作的安全性。
另外，在此，作为不活泼气体以使用N2为例进行了说明，但并不
局限于此，也可以使用Ar气体、He气体等稀有气体。
另外，在此，作为处理系统2，以在被处理体移载区域10的前部 设置收容箱搬送区域8为例进行了说明，但并不局限于此，也可以为 具有下述结构的处理系统不设置收容箱搬送区域8，将该部分作为清 洁室内的作业区域，升降机直接将收容箱6载置到移载台22的载置台 42上。
另外，在此，以将半导体晶片作为被处理体为例进行了说明，但 并不局限于此，也可以在玻璃基板、LCD基板、陶瓷基板等中使用本 发明。
权利要求
1.一种被处理体的处理系统，其由划分壁包围，其特征在于，包括用于对所述被处理体进行热处理的立式处理单元；设置在所述处理单元的下方的被处理体移载区域；多层地保持所述被处理体的多个被处理体载置器；使一个被处理体载置器升降并对所述处理单元内进行装载和卸载的载置器升降单元，设置在所述被处理体移载区域、当移载被处理体时载置另一个所述被处理体载置器的移载用载置器载置台；用于在设置于所述划分壁上的移载台上的收容箱、与载置在所述移载用载置器载置台上的另一个被处理体载置器之间，移载所述被处理体的移载臂机构；使所述移载臂机构升降的臂升降单元；设置在所述被处理体移载区域内的上部的温度测量单元；和基于来自所述温度测量单元的测量值控制所述移载臂机构的移载动作的移载控制部。
2. 如权利要求1所述的被处理体的处理系统，其特征在于 在所述被处理体移载区域内，设置有用于使所述被处理体载置器暂时待机的待机用载置器载置台。
3. 如权利要求1所述的被处理体的处理系统，其特征在于-所述被处理体移载区域内形成为不活泼气体或者清洁空气的气氛。
4. 如权利要求1所述的被处理体的处理系统，其特征在于 在开始使所述一个被处理体载置器从所述处理单元降下的卸载之后，且在所述温度测量单元检测出所述第一温度之后，所述移载控制 部控制移载臂机构和臂升降单元，禁止所述被处理体的移载，当完成所述卸载后，且在所述温度测量单元检测出比所述第一温 度高的所述第二温度时，所述移载控制部控制所述移载臂机构和臂升 降单元，解除对被处理体的移载的禁止。
5. 如权利要求4所述的被处理体的处理系统，其特征在于 所述移载控制部在控制所述移载臂机构和臂升降单元禁止被处理体的移载之后，使所述移载臂机构退避并位于所述被处理体移载区域 内的下部。
6. 如权利要求1所述的被处理体的处理系统，其特征在于 在所述移载臂机构中，设置有映像传感器，该映像传感器检测所述收容箱中收容的被处理体的位置、或者由所述被处理体载置器支承 的被处理体的位置，所述第二温度为所述映像传感器的耐热上限温度。
7. 如权利要求1所述的被处理体的处理系统，其特征在于 在所述移载臂机构中，设置有由盖保护的电子部件，所述第一温度为所述电子部件的耐热上限温度。
8. 如权利要求1所述的被处理体的处理系统，其特征在于 所述温度测量单元设置有1个或者多个，并且使至少一个温度测量单元位于所述移载臂机构的上方。
9. 一种被处理体的热处理方法，其使用被处理体的处理系统对被 处理体进行热处理，所述被处理体的处理系统由划分壁包围，其特征 在于，包括用于对所述被处理体进行热处理的立式处理单元；设置 在所述处理单元下方的被处理体移载区域；多层地保持所述被处理体 的多个被处理体载置器；使一个被处理体载置器升降并对所述处理单 元内进行装载和卸载的载置器升降单元；设置在所述被处理体移载区 域、当移载被处理体时载置另一个所述被处理体载置器的移载用载置 器载置台；用于在设置于所述划分壁上的移载台上的收容箱、与载置 在所述移载用载置器载置台上的另一个被处理体载置器之间移载所述被处理体的移载臂机构；使所述移载臂机构升降的臂升降单元；设置 在所述被处理体移载区域内的上部的温度测量单元；和基于来自所述 温度测量单元的测量值控制所述移载臂机构的移载动作的移载控制 部，所述被处理体的热处理方法的特征在于，包括热处理工序，其通过载置器升降单元向处理单元内装载保持有多 枚被处理体的一个被处理体载置器，对所述被处理体进行热处理，并 且在进行热处理后，通过载置器升降单元卸载所述被处理体载置器；移载工序，其使用移载臂机构和臂升降单元在收容箱与另一个被 处理体载置器之间移载被处理体；温度测量工序，其通过温度测量单元测量被处理体移载区域内的 上部的气氛的温度；第一判断工序，其对所述温度测量单元检测出第一温度做出应答， 移载控制部控制移载臂机构和臂升降单元禁止进行所述移载工序中的 移载动作；和第二判断工序，其对所述温度测量单元检测出第二温度做出应答， 移载控制部控制移载臂机构和臂升降单元解除对所述移载工序中的移 载动作的禁止。
10. 如权利要求9所述的被处理体的热处理方法，其特征在于 在禁止所述移载动作的期间，所述移载控制部控制移载臂机构和臂升降单元，使移载臂机构退避到所述被处理体移载区域内的下部的 位置。
11. 如权利要求9所述的被处理体的热处理方法，其特征在于 所述移载控制部，以在所述热处理工序的途中开始卸载为条件，实施第一判断工序。
12. 如权利要求9所述的被处理体的热处理方法，其特征在于-所述移载控制部，以在所述热处理工序的途中完成卸载为条件，实施第二判断工序。
13. 如权利要求9所述的被处理体的热处理方法，其特征在于 在所述移载臂机构中，设置有映像传感器，该映像传感器检测所述收容箱中收容的被处理体的位置、或者由所述被处理体载置器支承 的被处理体的位置，所述第二温度为所述映像传感器的耐热上限温度。
14. 如权利要求9所述的被处理体的热处理方法，其特征在于 在所述移载臂机构中，设置有由盖保护的电子部件，所述第一温度为所述电子部件的耐热上限温度。
15. —种计算机程序，其用于使计算机执行热处理方法，其特征在于所述热处理方法是使用被处理体的处理系统对被处理体进行热处 理的处理方法，所述被处理体的处理系统由划分壁包围，其特征在于， 包括用于对所述被处理体进行热处理的立式处理单元；设置在所述 处理单元下方的被处理体移载区域；多层地保持所述被处理体的多个 被处理体载置器；使一个被处理体载置器升降并对所述处理单元内进 行装载和卸载的载置器升降单元；设置在所述被处理体移载区域、当 移载被处理体时载置另一个所述被处理体载置器的移载用载置器载置 台；用于在设置于所述划分壁上的移载台上的收容箱、与载置在所述 移载用载置器载置台上的另一个被处理体载置器之间移载所述被处理 体的移载臂机构；使所述移载臂机构升降的臂升降单元；设置在所述 被处理体移载区域内的上部的温度测量单元；和基于来自所述温度测量单元的测量值控制所述移载臂机构的移载动作的移载控制部， 所述热处理方法包括热处理工序，其通过载置器升降单元向处理单元内装载保持有多 枚被处理体的一个被处理体载置器，对所述被处理体进行热处理，并 且在进行热处理后，通过载置器升降单元卸载所述被处理体载置器；移载工序，其使用移载臂机构和臂升降单元在收容箱与另一个被 处理体载置器之间移载被处理体；温度测量工序，其通过温度测量单元测量被处理体移载区域内的上部的气氛的温度；第一判断工序，其对所述温度测量单元检测出第一温度做出应答， 移载控制部控制移载臂机构和臂升降单元禁止进行所述移载工序中的 移载动作；和第二判断工序，其对所述温度测量单元检测出第二温度做出应答， 移载控制部控制移载臂机构和臂升降单元解除对所述移载工序中的移 载动作的禁止。
16. —种存储介质，其存储有用于使计算机执行热处理方法的计 算机程序，其特征在于所述热处理方法是使用被处理体的处理系统对被处理体进行热处理的处理方法，所述被处理体的处理系统由划分壁包围，其特征在于，包括用于对所述被处理体进行热处理的立式处理单元；设置在所述处理单元下方的被处理体移载区域；多层地保持所述被处理体的多个被处理体载置器；使一个被处理体载置器升降并对所述处理单元内进行装载和卸载的载置器升降单元；设置在所述被处理体移载区域、当移载被处理体时载置另一个所述被处理体载置器的移载用载置器载置台；用于在设置于所述划分壁上的移载台上的收容箱、与载置在所述移载用载置器载置台上的另一个被处理体载置器之间移载所述被处理体的移载臂机构；使所述移载臂机构升降的臂升降单元；设置在所述 被处理体移载区域内的上部的温度测量单元；和基于来自所述温度测量单元的测量值控制所述移载臂机构的移载动作的移载控制部， 所述热处理方法包括热处理工序，其通过载置器升降单元向处理单元内装载保持有多 枚被处理体的一个被处理体载置器，对所述被处理体进行热处理，并 且在进行热处理后，通过载置器升降单元卸载所述被处理体载置器；移载工序，其使用移载臂机构和臂升降单元在收容箱与另一个被 处理体载置器之间移载被处理体；温度测量工序，其通过温度测量单元测量被处理体移载区域内的 上部的气氛的温度；第一判断工序，其对所述温度测量单元检测出第一温度做出应答，移载控制部控制移载臂机构和臂升降单元禁止进行所述移载工序中的移载动作；和第二判断工序，其对所述温度测量单元检测出第二温度做出应答， 移载控制部控制移载臂机构和臂升降单元解除对所述移载工序中的移 载动作的禁止。
全文摘要
本发明提供一种防止移动臂机构受到热损伤，并且有效地进行被处理体的移载操作的被处理体的处理系统。从被处理体(W)的收容箱(6)取出被处理体进行热处理的处理系统(2)包括立式的处理单元(24)；在处理单元的下方设置的被处理体移载区域(10)；保持被处理体的多个被处理体载置器(20)；使被处理体载置器(20)升降的载置器升降单元(68)；载置被处理体载置器的移载用载置器载置台(52)；在收容箱(6)与载置在移载用载置器载置台(52)上的被处理体载置器(20)之间移载被处理体的移载臂机构。移载臂机构(56)通过臂升降单元(58)升降。在被处理体移载区域内的上部设置有温度测量单元(86)，基于温度测量单元(86)的测量值通过移载控制部(88)控制移载臂机构(56)和臂升降单元(58)，从而控制移载臂机构的移载动作。
文档编号H01L21/00GK101404243SQ200810167408
公开日2009年4月8日 申请日期2008年9月26日 优先权日2007年10月3日
发明者菱谷克幸, 高桥喜一 申请人:东京毅力科创株式会社