专利名称：混合集成电路装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种混合集成电路装置，其防止在采用于大型平面电祸3几用等离 子显示器的放电维持电路等中的开关晶体管被驱动脉冲导通、截止时，因脉沖电 压施加在自举用陶瓷电容器上而产生声音噪声。
背景技术：
在大型电祸i/L等中采用等离子显示器。
如图2所示，等离子显示器的图^4空制电路向地址驱动器和扫描驱动器发送
控制信号，^^光单位(单元(ir/W)映射(7:y匕。y夕、')。接着，向构成混合 集成电路的驱动电路12A、 12B发送如图3A所示的控制信号，使羊元以4ms的 间隔放电。每个亮度等级(子场(廿7、:7吖一》K) =lms)进行一次映射，通 iti文电实现l个彗形像差的图像，通过反复60个彗形像差每秒，就成为动画。
如图4所示，放电维持电路12A、 12B将来自电源电路的电源电压E施加在 自举电容器Cl、 C3、 C4上。此外，由图像控制电路13向驱动器IC17的端子 HIN和端子LIN施加250kHz的脉沖信号。据此，从驱动器IC17的端子HO和端 子LO产生250kHz的脉沖信号。
向预驱动器18的开关晶体管Ql、 Q2的基fe^/。从驱动器IC17的端子HO 产生的高电平的脉冲信号，使开关晶体管Ql导通，使晶体管Q2截止。由此， 通过开关晶体管Ql，在电源电压上叠加在开关晶体管Ql截止期间自举电容器 Cl中所充电的电荷的放电电压，通过开关晶体管Ql施加在驱动器19的IGBT1、 2的一册极上，使驱动器19的晶体管IGBT1、 IGBT2导通。
在此，以lkHz和60他的周期驱动从图^4空制电路13产生的250kHz的脉 冲信号，进行等离子显示器的放电控制。
为了提高散热效果，如本申请人在日本专利第2951102号中所记载的那样， 在绝缘处理后的金属U^Ji^v上述的放电维持电路12A、 12B，形成混合集成 电路。图6中示出该混合集成电路。通it^加绝缘层31，在绝缘处理后的金属_|^反 30上的导电通路32中，与开关晶体管Q1 —并^v陶资电容器Cl。
图7是在金属基敗30上形成的导电通路32、 32上用焊料33固定陶瓷电容 器C1的电极34、 34的图。虽然用焊料33、 33将陶资电容器C1固定在导电通路 32上，^^f时会因焊料裂缝而引起绝缘不良，因此，为了防止绝缘不良，利用环 W脂等顺性树脂35进行緣
图8是陶瓷电容器C1的剖面图。陶瓷电容器C1具有层叠在电极34、 34之 间的陶瓷层35、35。陶瓷因其介电常数高且可靠性高，因》化电容器中广泛使用。 但是，若对电极34、 34施加lkHz的驱动脉沖和60Hz的驱动脉沖，陶瓷层35、 35因压电效应而变形， 一招封卓驱动脉沖就复原。由于在施加驱动脉冲信号的期间 反复进行上述动作，因此，陶瓷电容器振动而产生声音噪声。
在日本特开平10-201250号公报中记载有一种斩波型升压电路，该电路通过 使用陶瓷电容器来抑制振动。
专利文献1:日本专利第2951102号公报
专利文献2:日本特开平10-201250号公报
但是，在等离子显示器的放电维持电^各等中采用的混合集成电路中，为了避 免焊料裂缝，如上所述，用环WM旨铸模陶瓷电容器。但是，由于环l^t脂是硬 质的，因此，仍然能传递陶资电容器的振动。此外，为了提高散热效果，将等离 子显示器的放电维持电路中使用的混合集成电鴻安^表面绝缘的金属^^反上。 但是，若在金属14反上形成混合集成电路，陶瓷电容器的振动就产生共鸣，金属
^S4反振动，从而产生声音噪声。
发明内容
本发明提供一种为了提高散热效果而采用金属基板的'"曰洽集成电路装置，在 该装置中，防止因陶瓷电容器根据开关晶体管的导通、截止产生伸缩引起的振动 传递到金属1^反上产生声音噪声，
在绝缘处理后的金属基板上的导电通路中装入由驱动脉冲驱动的开关晶体 管和与该开关晶体管连接的陶瓷电容器，
用焊料将上述陶乾电容器的两端固定在上述导电通路上，用^^性树脂 上述焊料，避免上述金属1^反的热膨胀引起的焊料裂缝，
用柔性树脂覆盖整个上述陶瓷电容器和上述石M性树脂，用上述柔性树脂吸
4收由上述陶覺电容器在开关时产生的膨胀引起的声音噪声，防止上述金属J^反共鸣。
本发明提供一种〉V曰洽集成电路装置，其中，用柔性树脂的硅树脂覆盖由上述 陶瓷电容器在开关时产生的膨胀引起的声音噪声。
本发明提供一种混合集成电路装置，其中，用硬质性的环氧树脂覆盖将陶瓷 电容器的两端固定在上述导电通路上的焊料。
本发明提供一种混合集成电路装置，其中，用传递模塑后的环l^于脂覆盖上 述金属勤錄面。
本发明的混合集成电路装置为了提高散热效果，在绝缘处理后的金属J4^Jl 的导电通路中装入由驱动脉沖驱动的开关晶体管和与该开关晶体管连接的陶瓷 电容器，用柔性树脂覆盖整个陶瓷电容器，用柔性树脂吸收由陶瓷电容器在开关 时产生的膨月財口伸缩引起的振动，因此，能够防止金属J^反共鸣而产生声音噪声。
并且，由于用硬质树脂覆盖将陶瓷电容器的两端固定在导电通路上的焊料， 因此，能够避免金属^^反的热膨胀《I起的焊料裂缝。
图1是示出本发明的混合集成电路装置的一部分的剖面图； 图2是用于说明本发明的混合集成电路装置而釆用的等离子显示器的图{^空 制电路的方框图3是图2的脉沖信号波形图，图3A是1个子场的信号波形图，图3B是1 个帧的信号波形图4是说明本发明的混合集成电路装置的脉沖驱动部分的驱动电路图5是用于说明本发明的混合集成电路装置的整体的斜视图6是用于说明i贿的';f^集成电路装置的整体的斜视图7是示出^W的';^^集成电路装置的一卩分的剖面图8是一4W吏用的陶瓷电容器的剖面图。
附图标记说明
Cl作为自举电容器使用的陶瓷电容器 C3作为自举电容器使用的陶瓷电容器 C4作为自举电容器使用的陶瓷电容器 Ql开关晶体管Q2开关晶体管 Q3开关晶体管 Q4开关晶体管 1 电极
2陶瓷 3导电通路 4焊料 5金属勤反 6绝缘层 7石柳生树脂 8歸性树脂
具体实施例方式
图1是示出本发明的混合集成电路装置的一部分的剖面图，图2是用于说明 本发明的混合集成电路装置而采用的等离子显示器的图^4空制电路的方框图，图 3A、图3B是图2的脉沖信号波形图，图4是说明本发明的'^給集成电路装置的 脉沖驱动部分的驱动电路图，图5是用于说明本发明的混合集成电路装置的M 的釗—见图。
图l是示出本发明的混合集成电路装置的一部分的剖面图，例如应用在等离 子显示器的放电维持电路中。
陶瓷电容器C1由两端的电极l、 l和设置在电极l、 l之间的陶瓷2构成。 陶瓷电容器Cl两端的电极用焊料4、 4固定在设置于^T属1^反5上的绝纟彖层6上 的导电通路3、 3上。用环勤对脂等硬质性树脂7覆盖焊料4、 4的表面，进一步 用硅树脂等软质性树脂8覆盖整个上述陶瓷电容器Cl和-M性树脂7。
图2是采用本发明的混合集成电路装置的等离子显示器的图#4空制电路的方 框图，由包括驱动电路12A、 12B的本发明的混合集成电路装置、图^4空制电路 13和等离子显示器15构成。
如图3A所示，如果通过图^4空制电路13向放电维持电路12A、 12B 口控 制电压，则在1个子场(lms)内/A^文电维持电路12A、 12B产生250kHz的脉冲 信号，进行地址扫描映射。
反复如图3B所示的动作，在1秒内显示60幅动画。图4是形成本发明的混合集成电路装置的放电维持电路12A、 12B的电路图。
驱动电路12A、 12B由驱动器IC17、预驱动器18和驱动器19构成，其中预 驱动器18由开关晶体管Q1、 Q2、 Q3、 Q4和自举电容器C1、 C3、 C4构成，驱 动器19由IGBT1、 2、 3、 4构成。自举电容器C1、 C3、 C4是陶覺电容器。
下面说明驱动电路12A、 12B的动作。将来自电源电路的电源电压E ^i/口在 自举电容器Cl、 C3、 C4上。此外，从图<|^空制电路13向驱动器IC17的端子 HIN和端子LIN施力。250kHz的脉沖信号。由此，从驱动器IC17的端子HO和端 子LO产生电压变^y^的250kHz的脉冲信号。
从驱动器IC17的端子HO产生的高电平的脉沖信号 0在预驱动器18的开 关晶体管Q1、 Q2的基极上，使开关晶体管Q1导通，使晶体管Q2截止。据此， 通过开关晶体管Q1,在电源电压E上叠加在开关晶体管Q1截止期间自举电容器 Cl中所充电的电荷的放电电压，通过开关晶体管Ql施加在驱动器19的IGBT1、 2的4册极上，使驱动器19的IGBT1 、 2导通。
在此，从驱动器IC17施加在上述预驱动器18的基极上的脉沖信号是5V， j旦是通过预驱动器18，驱动器19的IGBT1、 2的驱动电压被升压到15 ~ 18V。 通过将驱动电压升压为15-18V,进行放大电流，使IGBT1、 2的损失减小。
由于IGBT1、 2导通，因此，来自端子VS的电源电压通过IGBT1、 2输出 到端子SUS和端子T1、 T2、 T3中。
在此，从图f^空制电路13产生的250kHz的脉冲信号和lkHz、 60kHz的脉 冲信号，施加在等离子显示器15的端子SUSJ3UT上，进行1场60幅/秒的动画 和1个子场的;^文电。
18的开关晶体管Q3、 Q4的基极上，使晶体管Q4导通，使晶体管Q3截止。据 此，通过开关晶体管Q4，叠加在开关晶体管Q4截止期间自举电容器C3、 C4中 所充电的电荷的放电电压，通过开关晶体管Q4施加在驱动器19的IGBT3、 4的 栅极上，使驱动器19的IGBT3、 4导通。
由于IGBT1、 2—截止，IGBT3、 4就变为导通，因》b^IGBTl、 2导通的期 间积蓄的电荷通过IGBT3 、 4放电。
图5是本发明的';fA集成电路的斜视图。
金属基〖反5在散热效果优良的铝板上通过氧化其表面而形成绝缘层6。在金 属基板5的绝缘层6上形成有导电通路3、 3，在该导电通路3、 3中pv马区动器
同样地，从驱动著IC17、开关晶体管Q1、 Q2或者自举电容器C1。自举电容器C1、 C3、 C4是采 用作为电介质介电常数高且具有可靠性的陶瓷的陶瓷电容器。
如图l所示，陶资电容器C1两端的电极l、 l用焊料4、 4固定在导电通路 3、 3上。焊料4、 4的表面由环|^对脂等石赠性树脂7 ，防止因金属^fe5 热膨胀而产生的焊料裂缝。
进而，用硅树脂等软质性树脂8对整个上述陶瓷电容器Cl和石M性树脂7 进行覆盖。如上所述，通&于预驱动器18的开关晶体管Ql、 Q2等进行导通、 截止，在陶瓷电容器C1的电极1、 l上施加脉沖状的电压。如果通过电极l、 1 施加电压，陶资2因压电现象而产生变形。如M加在电极1、 1上的电压变为0, 陶瓷2就复原。由于在每次施加脉冲状电压时反复进行上述动作，因此，陶瓷电 容器C1就振动。
由于陶瓷电容器C1的振动与金属14反5产生共鸣，因》沐可能产生声音噪 声，但是，在本发明的混合集成电路装置中，用專 性树脂8对整个陶瓷电容器 Cl和^f盖焊4+ 4的硬质性树脂7进行覆盖，因此，陶瓷电容器Cl的^展动,皮4i^ 性树脂8吸收，从而防止产生声音噪声。
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权利要求
1. 一种混合集成电路装置，在绝缘处理后的金属基板上的导电通路中装入由驱动脉冲驱动的开关晶体管和与该开关晶体管连接的陶瓷电容器，其特征在于，用焊料将上述陶瓷电容器的两端固定在上述导电通路上，用硬质性树脂覆盖上述焊料，避免上述金属基板的热膨胀引起的焊料裂缝，用柔性树脂覆盖整个上述陶瓷电容器和上述硬质性树脂，用上述柔性树脂吸收由上述陶瓷电容器在开关时产生的伸缩引起的噪声，防止上述金属基板共鸣。
2. 如权利要求1所述的混合集成电路装置，其特征在于，上述柔性树脂是 硅树脂。
3. 如权利要求1所述的混合集成电路装置，其特征在于，上述石M性树月旨 是环频脂。
4. 如权利要求1所述的混合集成电路装置，其特征在于，用传递模塑后的环氧树脂覆盖上述金属14^4面。
全文摘要
在采用金属基板的一种混合集成电路装置中，防止因陶瓷电容器根据开关晶体管的导通、截止产生伸缩而引起的振动传递到金属基板上产生声音噪声。为了提高散热效果，在绝缘处理后的金属基板(5)上的导电通路(3)中装入由驱动脉冲驱动的开关晶体管(Q1)和与该开关晶体管(Q1)连接的陶瓷电容器(C1)，用焊料(4)将陶瓷电容器的两端固定在上述导电通路(3)上，用硬质性树脂(7)覆盖焊料(4)，避免金属基板的热膨胀引起的焊料裂缝，用柔性树脂(8)覆盖整个陶瓷电容器(C1)和硬质性树脂(7)，用柔性树脂吸收由陶瓷电容器在开关时产生的膨胀引起的噪声，从而防止金属基板共鸣。
文档编号H01L25/00GK101452926SQ20081019118
公开日2009年6月10日 申请日期2008年9月26日 优先权日2007年9月26日
发明者寺内正志, 比护孝, 茂木昌巳 申请人:三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社