专利名称：一种片式二极管及其制备方法
技术领域：
本发明涉及一种片式二极管及其制备方法，尤其涉及一种芯片并联方式、 共阴极、共阳极、共阴阳极的片式二极管及其制备方法。
背景技术：
中国专利CN1150336公开了一种陶瓷片型半导体二极管及制造方法，是在 预制的陶瓷板状壳体上设有一个半导体二极管芯片的安装座，该芯片藉玻璃 构接在安装座上，芯片的两个电极层须作电气回路连接的部位应不被玻璃覆 盖，在芯片的两个电极层分别设有一个导电件，并延伸至壳体两端，形成外 接端子，在芯片部位上设有玻璃绝缘覆盖层，由此制成外形为片形的半导体 二极管。
中国专利CN1722469公开了一种二极管及其制备方法，在本发明的二极管 中，表层电极、极性标记位于基片的上表层，而底层电极、芯片、上层电极 等位于基片的下表层，这样的产品弯板后焊点可靠。
上述产品的制备方法都用了片式电阻的丝网印刷厚膜技术，制得片式二 极管，但这些二极管芯片只有一个，在一些触发(高、低电平)电路中， 一般 采用两粒4148二极管产品以共阴的形式连接在电路中，形成或门关系，如图 1所示。由于此种电路是采用两粒二极管产品以焊接连接方式形成，因此存 在占用电路板空间大、操作麻烦等缺点。
发明内容
本发明需解决的技术问题是提供一种适用于触发(高、低电平)电路中的 片式二极管，本发明需解决的另一技术问题是提供这种二极管的制备方法。
本发明的技术方案是 一种片式二极管，以基板为基础，在基板一面的 两端附有背电极、在基板的另一面依次附有底层导电膜、绝缘保护膜、上层
导电膜、表层保护层以及基片两端的端电极，所述的底层导电膜与上层导电膜之间有2个半导体芯片，半导体芯片相互间有间隙，形成半导体芯片以并联 方式连接。该二极管在一些触发(高、低电平)电路中广泛应用。
进一步在上述的片式二极管中，所述的端电极由三层导电金属层组成， 位于二极管的阴极端电极最内导电金属层是阴极端面层和位于二极管的阳极 端电极最内导电金属层是阳极端面层；半导体芯片的阴极通过银胶层粘接在 整张底层导电膜上，由底层导电膜引出并与阴极端面层相连；所述的阳极端 面层的中间有阳极凹口，阳极凹口将阳极端面层分隔为两部份，半导体芯片 阳极由二条隔开的上层导电膜引出并分别与阳极凹口隔开的两部份阳极端面 层相连，实现半导体芯片共阴极连接。
或者所述的阴极端面层的中间有阴极凹口，阴极凹口将阴极端面层分 隔为两部份，半导体芯片的阴极通过银胶层分别粘接在二条隔开的底层导电 膜上，由底层导电膜引出并分别与阴极凹口隔开的两部份阴极端面层相连； 半导体芯片阳极由整片上层导电膜引出并与阳极端面层相连，实现半导体芯 片共阳极连接。
或者所述的阴极端面层的中间有阴极凹口，阴极凹口将阴极端面层分 隔为两部份，所述的阳极端面层的中间有阳极凹口，阳极凹口将阳极端面层 分隔为两部份；半导体芯片的阴极通过银胶层粘接在二条隔开的底层导电膜 上，由底层导电膜引出并分别与阴极凹口分隔开的两部份阴极端面层相连， 半导体芯片阳极由二条隔开的上层导电膜引出并分别与阳极凹口隔开的两部 份阳极端面层相连；在一条底层导电膜搭接一条附加底层导电膜二，附加底层 导电膜二另一端搭接另一半导体芯片阳极对应的部份阳极端面层，通过阳极 端面层实现半导体芯片共阴阳式连接。
或者所述的阴极端面层的中间有阴极凹口，阴极凹口将阴极端面层分 隔为两部份，所述的阳极端面层的中间有阳极凹口，阳极凹口将阳极端面层 分隔为两部份；半导体芯片的阴极通过银胶层粘接在二条隔开的底层导电膜 上，由底层导电膜引出并分别与阴极凹口分隔开的两部份阴极端面层相连， 半导体芯片阳极由二条隔开的上层导电膜引出并分别与阳极凹口隔开的两部 份阳极端面层相连；在一条上层导电膜搭接一条附加上层导电膜二，附加导电
膜二另一端搭接另一半导体芯片阴极对应的部份阴极端面层，通过阴极端面 层实现半导体芯片共阴阳式连接。
或者所述的阴极端面层的中间有阴极凹口，阴极凹口将阴极端面层分 隔为两部份，所述的阳极端面层的中间有阳极凹口，阳极凹口将阳极端面层 分隔为两部份；半导体芯片的阴极通过银胶层粘接在二条隔开的底层导电膜 上，半导体芯片阳极由二条隔开的上层导电膜引出；其中一条底层导电膜连 接阳极凹口隔开的对应部份阳极端面层，对应的半导体芯片阳极上的一条上 层导电膜连接阴极凹口隔开的对应部份阴极端面层；另一条底层导电膜连接 由阴极凹口隔开的两部份阴极端面层，对应的半导体芯片阳极上另一条上层 导电膜连接阳极凹口隔开的对应部份阳极端面层，通过阴极端面层实现半导 体芯片共阴阳式连接。
或者所述的阴极端面层的中间有阴极凹口，阴极凹口将阴极端面层分 隔为两部份，所述的阳极端面层的中间有阳极凹口，阳极凹口将阳极端面层 分隔为两部份；半导体芯片的阴极通过银胶层粘接在二条隔开的底层导电膜 上，半导体芯片阳极由二条隔开的上层导电膜引出；其中一条底层导电膜连 接阳极凹口隔开的两部份阳极端面层，对应的半导体芯片阳极上的一条上层 导电膜连接阴极凹口隔开的对应部份阴极端面层；另一条底层导电膜连接由 阴极凹口隔开的对应部份阴极端面层，对应的半导体芯片阳极上另一条上层 导电膜连接阳极凹口隔开的对应部份阳极端面层，通过阳极端面层实现半导 体芯片共阴阳极连接。
或者所述的阴极端面层的中间有阴极凹口，阴极凹口将阴极端面层分 隔为两部份，所述的阳极端面层的中间有阳极凹口，阳极凹口将阳极端面层 分隔为两部份；半导体芯片的阴极通过银胶层粘接在二条隔开的底层导电膜 上，半导体芯片阳极由二条隔开的上层导电膜引出；其中一条底层导电膜连 接阳极凹口隔开的对应部份阳极端面层，对应的半导体芯片阳极上的一条上 层导电膜连接阴极凹口隔开的两部份阴极端面层；另一条底层导电膜连接由 阴极凹口隔开的对应部份阴极端面层，对应的半导体芯片阳极上另一条上层 导电膜连接阳极凹口隔开的对应部份阳极端面层，通过阴极端面层实现半导 体芯片共阴阳式连接。
或者所述的阴极端面层的中间有阴极凹口，阴极凹口将阴极端面层分 隔为两部份，所述的阳极端面层的中间有阳极凹口，阳极凹口将阳极端面层 分隔为两部份；半导体芯片的阴极通过银胶层粘接在二条隔开的底层导电膜 上，半导体芯片阳极由二条隔开的上层导电膜引出；其中一条底层导电膜连 接阳极凹口隔开的对应部份阳极端面层，对应的半导体芯片阳极上的一条上 层导电膜连接阴极凹口隔开的对应部份阴极端面层；另一条底层导电膜连接 由阴极凹口隔开的对应部份阴极端面层，对应的半导体芯片阳极上另一条上 层导电膜连接阳极凹口隔开的两部份阳极端面层，通过阳极端面层实现半导 体芯片共阴阳式连接。
再进一步所述底层导电膜层与上层导电膜层之间的剩余空间由绝缘保 护膜填隙。所述的端电极由三层导电金属层组成，由内向外依次是镍铬金属
层、镍金属层、锡金属层；所述的阴极端面层和阳极端面层是镍铬金属层； 或者所述的端电极由三层导电金属层组成，由内向外依次是银金属层、镍 金属层、锡金属层；所述的阴极端面层和阳极端面层是银金属层。
本发明的另一技术方案是 一种制备上述片式二极管的方法，基板上有 划槽面，在基板的划槽面上形成背电极、在基板另一面形成芯体、折条后形 成端面层，折粒后镀金属层的过程，所述的芯体形成步骤为，
A、 在陶瓷基板设定面用丝网印刷的方法印上树脂浆料，再在180 210 'C的温度下固化，根据不同的网框结构形成连续/间隔底层导电膜层；
B、 在底层导电膜层上覆盖一层银胶，通过模具贴片技术将半导体芯片的 阴极粘在银胶上，且半导体芯片相互间有间距，再在180 21(TC的温度下固 化；
C、 采用中空钢网印刷方法印刷环氧树脂浆，将半导体芯片的方座致密地 包封起来，再在150 21(TC温度下进行固化，形成绝缘保护层；
D、 采用研磨、抛光方法使半导体芯片阳极显露；
E、 采用丝网印刷方法在每粒半导体芯片阳极上覆盖上一层树脂导电浆， 再在180 21(TC温度下固化，根据不同的网框结构形成连续/间隔/搭接式上 层导电膜层；
F、 采用丝网印刷方法在上层导电膜上覆盖一层环氧树脂浆，再在150
2HTC温度下固化，形成表面保护层。
进一步在上述制备方法中，所述基板的划槽形为Y形，且分为横向划 槽和纵向划槽。所述折条后形成端面层是在步骤F后，沿横向划槽折成条形 产品，再采用真空溅射镀镍铬合金方法或浸封银浆方法分别形成产品的阴极 端面层和阳极端面层，在溅射或浸封时，可用挡板，也可用其他相应填充料 形成相互隔开的阳极端面层或阴极端面层。所述折粒后镀金属层的过程是将 具有阴极端面层和阳极端面层的条形产品沿槽折成单元产品后，先放入电镀 槽中电镀镍金属层，再放到电镀槽中电镀锡金属层。
上述产品的制备方法是将片式电阻的丝网印刷厚膜技术作改进而制得片 式二极管，方法简单，工艺先进、成本低廉、绿色环保。
图1是二极管芯片共阴极芯片连接时的原理图； 图2是二极管芯片共阳极芯片连接时的原理图； 图3是二极管芯片共阴、阳极芯片连接时的原理图；，， 图4是共阴极芯片连接时，刚粘上半导体芯片时的示意图； 图5是共阴极芯片连接时，印刷上上层导电膜时的示意图； 图6是本发明阴、阳极端面层示意图7当产品为共阴极芯片连接时，沿图8 A-A向的纵截面示意图； 图8是本发明纵截面结构示意图9是共阳极芯片刚粘上半导体芯片时的示意图10是共阳极芯片连接时印刷上层导电膜时的示意图11是当产品为共阳极芯片连接时，沿图8 A-A向的纵截面示意图12是共阴、阳连接的方式一时，刚粘上半导体芯片时的示意图，且对
应的上层导电膜结构图是图5;
图13是共阴、阳连接的方式二时，印刷上层导电膜时的示意图，且对应
的刚粘上半导体芯片时的示意图是图9;
图14是共阴、阳连接的方式三时，印刷底层导电膜时且粘上半导体芯片 时的示意图15是共阴、阳连接的方式三时，印刷上层导电膜时的示意图16是共阴、阳连接的方式四时，印刷底层导电膜时且粘上半导体芯片 时的示意图17是共阴、阳连接的方式四时，印刷上层导电膜时的示意图； 图18是共阴、阳连接的方式五时，印刷底层导电膜时且粘上半导体芯片 时的示意图19是共阴、阳连接的方式五时，印刷上层导电膜时的示意图； 图20是共阴、阳连接的方式六时，印刷底层导电膜时且粘上半导体芯片 时的示意图21是共阴、阳连接的方式六时，印刷上层导电膜时的示意图； 图22是本发明具有划槽的基板图。
其中，l基板、2背电极、3底层导电膜、3'附加底层导电膜、4半导体 芯片、5绝缘保护膜、6上层导电膜、6'附加上层导电膜、7表面保护膜、8 阴极端面层、9阳极端面层、10镍金属层、11锡金属层、12阴极凹口、 121 阳极凹口、 Ll横向划槽、L2纵向划槽。
具体实施例方式
本发明的主旨是利用改进成熟的片式电阻器的丝网印刷工艺，将2个单 导体芯片集成在同一单元基片上，根据不同的网框结构形成连续/间隔/搭接
式底层导电膜3;以及根据不同的网框结构形成连续/间隔/搭接式上层导电 膜6;使半导体芯片形成并联方式、共阴/共阳/共阴阳式连接，在一些触发(高、 低电平)电路中广泛应用的片式二极管，这些二极管的具体连接结构，本领域 的技术人员根据本发明的思路得出的不同结构均属于本发明的保护范围；同 时，该二极管的制备方法工艺先进、成本低廉、绿色环保。下面结合附图1-22 和实施例对本发明的内容作进一步详述，实施例中所提及的内容并非对本发 明的限定，方法中温度及相关条件的选择可因地制宜而对结果并无实质性影 响。下面先说明本发明各种连接方式的共有技术特征部份，首先，简述本发
明的基本方案 一种片式二极管，以基板为基础，在基板1 一面的两端附有
背电极2、在基板l的另一面依次附有底层导电膜3、绝缘保护膜5、上层导 电膜6、表层保护层7以及基片两端的端电极，所述的底层导电膜3与上层
导电膜6之间有2个半导体芯片，半导体芯片4相互间有间隙，形成半导体 芯片4以并联方式连接。
上述二极管的制备方法为在基板1的划槽面形成背电极2、在基板1 另一面形成芯体、折条后形成端面层，折粒后镀金属层的过程，所述的芯体 形成步骤为，
A、 在陶瓷基板l设定面用丝网印刷的方法印上树脂浆料，再在180 210 'C的温度下固化，根据不同的网框结构形成连续/间隔底层导电膜层3;
B、 在底层导电膜层3上覆盖一层银胶，通过模具贴片技术将半导体芯片 4的阴极粘在银胶上，且半导体芯片4相互间有间距，再在180 21(TC的温 度下固化；
C、 采用中空钢网印刷方法印刷环氧树脂浆，将半导体芯片4的方座致密 地包封起来，再在150 21(TC温度下进行固化，形成绝缘保护层5;
D、 采用研磨、抛光方法使半导体芯片4阳极显露；
E、 采用丝网印刷方法在每粒半导体芯片4阳极上覆盖上一层树脂导电浆， 再在180 21(TC温度下固化，根据不同的网框结构形成连续/间隔/搭接式上 层导电膜层6;
F、 采用丝网印刷方法在上层导电膜6上覆盖一层环氧树脂浆，再在150 21(TC温度下固化，形成表面保护层7。
所述基板1的划槽形为Y形，且分为横向划槽Ll和纵向划槽L2;在步骤F 后的折条后形成端面层的步骤是，沿横向划槽L1折成条形产品，再采用真空 溅射镀镍铬合金方法或浸封银浆方法分别形成产品的阴极端面层8和阳极端 面层9。在形成端面层的步骤后是折粒后镀金属层步骤，该步骤是将具有阴极 端面层8和阳极端面层9的条形产品沿槽折成单元产品后，先放入电镀槽中 电镀镍金
由上述方法所得的片式二极管，所述的端电极由三层导电金属层组成， 位于二极管的阴极端电极最内导电金属层是阴极端面层8和位于二极管的阳 极端电极最内导电金属层是阳极端面层9;阴极端面层8和阳极端面层9的中间 都有凹口，阴极凹口12将阴极端面层8分隔为两部份，阳极凹口12i将阳极端 面层9分别隔为两部份；半导体芯片4的阴极通过银胶层粘接在二条隔开的底
层导电膜3上，由底层导电膜3引出并与相应的阴极端面层8相连，半导体芯片 4阳极由二条隔开的上层导电膜6引出并与阳极端面层9相连；所述底层导电膜 3与上层导电膜6之间的剩余空间由绝缘保护膜5填隙。
具体参照附图l、 4、 5，半导体芯片共阴极连接的方式半导体芯片4的 阴极通过银胶层粘接在整张底层导电膜3上，由底层导电膜3引出并与阴极端 面层8相连；所述的阳极端面层9的中间有阳极凹口121，阳极凹口12i将阳极端 面层9分隔为两部份，半导体芯片4阳极由二条隔开的上层导电膜6引出并分别 与阳极凹口隔开的两部份阳极端面层9相连，实现半导体芯片4共阴极连接。
具体参照附图2、 9、 10，半导体芯片共阳连接的方式所述的阴极端面 层8的中间有阴极凹口12，阴极凹口12将阴极端面层8分隔为两部份，半导体 芯片4的阴极通过银胶层分别粘接在二条隔开的底层导电膜3上，由底层导电 膜3引出并分别与阴极凹口隔开的两部份阴极端面层8相连；半导体芯片4阳极 由整片上层导电膜6引出并与阳极端面层9相连，实现半导体芯片4共阳极连 接。
具体参照图3、 5、 6、 12，半导体芯片共阴、阳连接的方式一所述的 阴极端面层8的中间有阴极凹口12，阴极凹口12将阴极端面层9分隔为两部份， 所述的阳极端面层9的中间有阳极凹口121，阳极凹口12i将阳极端面层9分隔为 两部份；半导体芯片4的阴极通过银胶层粘接在二条隔开的底层导电膜3上， 由底层导电膜3引出并分别与阴极凹口12分隔开的两部份阴极端面层8相连， 半导体芯片4阳极由二条隔开的上层导电膜6引出并分别与阳极凹口12卞鬲开 的两部份阳极端面层9相连；在一条底层导电膜3搭接一条附加底层导电膜31, 附加底层导电膜31 ，另一端搭接另一半导体芯片4阳极对应的部份阳极端面 层9，通过阳极端面层9实现半导体芯片4共阴阳式连接；
具体参照图3、 6、 9、 13，半导体芯片共阴、阳连接的方式二所述的阴 极端面层8的中间有阴极凹口12，阴极凹口12将阴极端面层9分隔为两部份， 所述的阳极端面层9的中间有阳极凹口121，阳极凹口12'将阳极端面层9分隔为 两部份；半导体芯片4的阴极通过银胶层粘接在二条隔开的底层导电膜3上， 由底层导电膜3引出并分别与阴极凹口12分隔开的两部份阴极端面层8相连， 半导体芯片4阳极由二条隔开的上层导电膜6引出并分别与阳极凹口12'隔开
的两部份阳极端面层9相连；在一条上层导电膜6搭接一条附加上层导电膜61， 附加导电膜61另一端搭接另一半导体芯片4阴极对应的部份阴极端面层8，通 过阴极端面层8实现半导体芯片4共阴阳式连接。
具体参照图3、 6、 14、 15，半导体芯片共阴、阳连接的方式三所述的 阴极端面层8的中间有阴极凹口12，阴极凹口12将阴极端面层9分隔为两部份， 所述的阳极端面层9的中间有阳极凹口121，阳极凹口12'将阳极端面层9分隔为 两部份；半导体芯片4的阴极通过银胶层粘接在二条隔开的底层导电膜3上， 半导体芯片4阳极由二条隔开的上层导电膜6引出；其中一条底层导电膜连接 阳极凹口 12i隔开的对应部份阳极端面层9，对应的半导体芯片阳极上的一条 上层导电膜连接阴极凹口12隔开的对应部份阴极端面层8;另一条底层导电膜 连接由阴极凹口12隔开的两部份阴极端面层8，对应的半导体芯片阳极上另一 条上层导电膜连接阳极凹口12'隔开的对应部份阳极端面层，通过阴极端面层 实现半导体芯片4共阴阳式连接。
具体参照图3、 6、 16、 17,半导体芯片共阴、阳连接的方式四所述的 阴极端面层8的中间有阴极凹口12，阴极凹口12将阴极端面层9分隔为两部份， 所述的阳极端面层9的中间有阳极凹口121，阳极凹口12'将阳极端面层9分隔为 两部份；半导体芯片4的阴极通过银胶层粘接在二条隔开的底层导电膜3上， 半导体芯片4阳极由二条隔开的上层导电膜6引出；其中一条底层导电膜连接 阳极凹口12'隔开的两部份阳极端面层9，对应的半导体芯片阳极上的一条上 层导电膜连接阴极凹口12隔开的对应部份阴极端面层8;另一条底层导电膜连 接由阴极凹口12隔开的对应部份阴极端面层8，对应的半导体芯片阳极上另一 条上层导电膜连接阳极凹口12'隔开的对应部份阳极端面层，通过阳极端面层 9实现半导体芯片4共阴阳极连接。
具体参照图3、 6、 18、 19，半导体芯片共阴、阳连接的方式五所述的 阴极端面层8的中间有阴极凹口12，阴极凹口12将阴极端面层9分隔为两部份， 所述的阳极端面层9的中间有阳极凹口121，阳极凹口12'将阳极端面层9分隔为 两部份；半导体芯片4的阴极通过银胶层粘接在二条隔开的底层导电膜3上， 半导体芯片4阳极由二条隔开的上层导电膜6引出；其中一条底层导电膜连接 阳极凹口12卞商开的对应部份阳极端面层9，对应的半导体芯片阳极上的一条
上层导电膜连接阴极凹口12隔开的两部份阴极端面层8;另一条底层导电膜连
接由凹口12隔开的对应部份阴极端面层8，对应的半导体芯片阳极上另一条上 层导电膜连接凹口12卞高开的对应部份阳极端面层，通过阴极端面层8实现半 导体芯片4共阴阳极连接。
具体参照图3、 6、 20、 21，半导体芯片共阴、阳连接的方式六所述的 阴极端面层8的中间有阴极凹口12，阴极凹口12将阴极端面层9分隔为两部份， 所述的阳极端面层9的中间有阳极凹口121，阳极凹口12,阳极端面层9分隔为 两部份；半导体芯片4的阴极通过银胶层粘接在二条隔开的底层导电膜3上， 半导体芯片4阳极由二条隔开的上层导电膜6引出；其中一条底层导电膜连接 阳极凹口12i隔开的对应部份阳极端面层9，对应的半导体芯片阳极上的一条 上层导电膜连接阴凹口12隔开的对应部份阴极端面层8;另一条底层导电膜连 接由凹口12隔开的对应部份阴极端面层8，对应的半导体芯片阳极上另一条上 层导电膜连接凹口12卞扇开的两部份阳极端面层，通过阳极端面层9实现半导 体芯片4共阴阳式连接。
上述制备方法工艺先进、成本低廉、绿色环保，所得的片式二极管产品 体积小、产品稳定性好、广泛应用于触发的高、低电平电路中。
权利要求
1.一种片式二极管，以基板为基础，在基板(1)一面的两端附有背电极(2)、在基板(1)的另一面依次附有底层导电膜(3)、绝缘保护膜(5)、上层导电膜(6)、表层保护层(7)以及基片两端的端电极，其特征在于所述的底层导电膜(3)与上层导电膜(6)之间有2个半导体芯片，半导体芯片(4)相互间有间隙，形成半导体芯片(4)以并联方式连接。
2、 根据权利要求l所述的片式二极管，其特征在于所述的端电极由三 层导电金属层组成，位于二极管的阴极端电极最内导电金属层是阴极端面层(8)和位于二极管的阳极端电极最内导电金属层是阳极端面层(9)。
3、 根据权利要求2所述的片式二极管，其特征在于半导体芯片(4)的 阴极通过银胶层粘接在整张底层导电膜(3)上，由底层导电膜(3)引出并 与阴极端面层(8)相连；所述的阳极端面层(9)的中间有阳极凹口 (121)，阳极凹口 (121)将阳 极端面层(9)分隔为两部份，半导体芯片(4)阳极由二条隔开的上层导电 膜(6)引出并分别与阳极凹口隔开的两部份阳极端面层(9)相连，实现半 导体芯片(4)共阴极连接。
4、 根据权利要求2所述的片式二极管，其特征在于所述的阴极端面层 (8)的中间有阴极凹口 (12)，阴极凹口 (12)将阴极端面层(8)分隔为两部份，半导体芯片(4)的阴极通过银胶层分别粘接在二条隔开的底层导电膜 (3)上，由底层导电膜(3)引出并分别与阴极凹口隔开的两部份阴极端面 层(8)相连；半导体芯片(4)阳极由整片上层导电膜(6)引出并与阳极端 面层(9)相连，实现半导体芯片(4)共阳极连接。
5、 根据权利要求2所述的片式二极管，其特征在于所述的阴极端面层 (8)的中间有阴极凹口 (12),阴极凹口 (12)将阴极端面层(9)分隔为两部份，所述的阳极端面层(9)的中间有阳极凹口 (121)，阳极凹口 (121)将 阳极端面层(9)分隔为两部份；半导体芯片(4)的阴极通过银胶层粘接在二条隔开的底层导电膜(3) 上，由底层导电膜(3)引出并分别与阴极凹口 (12)分隔开的两部份阴极端 面层(8)相连，半导体芯片(4)阳极由二条隔开的上层导电膜(6)引出并 分别与阳极凹口 (121)隔开的两部份阳极端面层(9)相连；在一条底层导电膜(3)搭接一条附加底层导电膜二 (32)'，附加底层导 电膜二 (32)另一端搭接另一半导体芯片(4)阳极对应的部份阳极端面层 (9)，通过阳极端面层(9)实现半导体芯片(4)共阴阳式连接；或者，在一条上层导电膜(6)搭接一条附加上层导电膜二 (62),附加 导电膜二 (62)另一端搭接另一半导体芯片(4)阴极对应的部份阴极端面 层(8)，通过阴极端面层(8)实现半导体芯片(4)共阴阳式连接。
6、根据权利要求2所述的片式二极管，其特征在于所述的阴极端面层(8) 的中间有阴极凹口 (12)，阴极凹口 (12)将阴极端面层(9)分隔为两 部份，所述的阳极端面层(9)的中间有阳极凹口 (121)，阳极凹口 (121)将 阳极端面层(9)分隔为两部份；半导体芯片(4)的阴极通过银胶层粘接在二条隔开的底层导电膜(3) 上，半导体芯片(4)阳极由二条隔开的上层导电膜(6)引出；其中一条底层导电膜连接阳极凹口 U21)隔开的对应部份阳极端面层(9) ,对应的半导体芯片阳极上的一条上层导电膜连接阴极凹口 (12)隔开 的对应部份阴极端面层(8);另一条底层导电膜连接由阴极凹口 (12)隔开 的两部份阴极端面层(8)，对应的半导体芯片阳极上另一条上层导电膜连接 阳极凹口 (121)隔开的对应部份阳极端面层，通过阴极端面层实现半导体芯 片(4)共阴阳式连接；或者其中一条底层导电膜连接阳极凹口 (121)隔开的两部份阳极端面 层(9)，对应的半导体芯片阳极上的一条上层导电膜连接阴极凹口 (12)隔 开的对应部份阴极端面层(8);另一条底层导电膜连接由阴极凹口 (12)隔 开的对应部份阴极端面层(8)，对应的半导体芯片阳极上另一条上层导电膜 连接阳极凹口 (121)隔开的对应部份阳极端面层，通过阳极端面层(9)实 现半导体芯片(4)共阴阳极连接；或者其中一条底层导电膜连接阳极凹口 (121)隔开的对应部份阳极端面层(9)，对应的半导体芯片阳极上的一条上层导电膜连接阴极凹口 (12)隔开的两部份阴极端面层(8);另一条底层导电膜连接由凹口 (12)隔开的 对应部份阴极端面层(8)，对应的半导体芯片阳极上另一条上层导电膜连接 凹口 (121)隔开的对应部份阳极端面层，通过阴极端面层(8)实现半导体 芯片(4)共阴阳极连接；或者其中一条底层导电膜连接阳极凹口 (121)隔开的对应部份阳极端 面层(9)，对应的半导体芯片阳极上的一条上层导电膜连接阴凹口 (12)隔开的对应部份阴极端面层(8);另一条底层导电膜连接由凹口 (12)隔开的对应部份阴极端面层(8)，对应的半导体芯片阳极上另一条上层导电膜连接 凹口 (121)隔开的两部份阳极端面层，通过阳极端面层(9)实现半导体芯 片(4)共阴阳式连接。
7、根据权利要求1 6中择一所述的片式二极管，其特征在于所述底层 导电膜层(3)与上层导电膜层(6)之间的剩余空间由绝缘保护膜(5)填隙。 所述的端电极由三层导电金属层组成，由内向外依次是镍铬金属层、镍金属 层、锡金属层；所述的阴极端面层(8)和阳极端面层(9)是镍铬金属层；或者所述的端电极由三层导电金属层组成，由内向外依次是银金属层、镍金属层、锡金属层；所述的阴极端面层(8)和阳极端面层(9)是银金属层。
8、 一种制备权利要求1 6中择一所述片式二极管的方法，基板(1)的 一面是划槽面，在划槽面上形成背电极(2)、在基板(1)另一面形成芯体、 折条后形成端面层，折粒后镀金属层的过程，其特征在于所述的芯体形成 步骤为，A、 在陶瓷基板(1)设定面用丝网印刷的方法印上树脂浆料，再在180 21(TC的温度下固化，根据不同的网框结构形成连续/间隔/搭接式底层导电膜 层(3);B、 在底层导电膜层(3)上覆盖一层银胶，通过模具贴片技术将半导体 芯片(4)的阴极粘在银胶上，且半导体芯片(4)相互间有间距，再在180 21CTC的温度下固化； 'C、 采用中空钢网印刷方法印刷环氧树脂浆，将半导体芯片(4)的方座致 密地包封起来，再在150 21(TC温度下进行固化，形成绝缘保护层(5);D、 采用研磨、抛光方法使半导体芯片(4)阳极显露；E、 采用丝网印刷方法在每粒半导体芯片(4)阳极上覆盖上一层树脂导电 浆，再在180 21(TC温度下固化，根据不同的网框结构形成连续/间隔/搭接 式上层导电膜层(6);F、采用丝网印刷方法在上层导电膜(6)上覆盖一层环氧树脂浆，再在 150 21(TC温度下固化，形成表面保护层(7)。
9、根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于所述基板(1)的划 槽形为Y形，且分为横向划槽(Ll)和纵向划槽(L2);在步骤F后的折条后 形成端面层的步骤是，沿横向划槽(Ll)折成条形产品，再采用真空溅射镀 镍铬合金方法或浸封银浆方法分别形成产品的阴极端面层(8)和阳极端面层 (9)。
10、根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于在形成端面层的步 骤后是折粒后镀金属层步骤，该步骤是将具有阴极端面层(8)和阳极端面层 (9)的条形产品沿槽折成单元产品后，先放入电镀槽中电镀镍金属层，再放 到电镀槽中电镀锡金属层。
全文摘要
一种片式二极管，以基板为基础，在基板一面的两端附有背电极、在基板的另一面依次附有底层导电膜、绝缘保护膜、上层导电膜、表层保护层以及基片两端的端电极，所述的底层导电膜与上层导电膜之间有2个半导体芯片，半导体芯片相互间有间隙，形成半导体芯片以并联方式连接。该二极管在一些触发的高、低电平电路中广泛应用。利用厚膜丝网印刷技术制备上述二极管，该方法工艺先进、成本低廉、绿色环保。
文档编号H01L25/07GK101369575SQ20081019890
公开日2009年2月18日 申请日期2008年9月26日 优先权日2008年9月26日
发明者兰昌云, 张远生, 李志坚, 杨晓平, 杨理强, 林伯流, 赖燕琼 申请人:广东风华高新科技股份有限公司