专利名称:钨基二极管的制作方法
技术领域:
本发明涉及一种半导体器件,尤其是一种二极管。
背景技术:
LED在照明领域的应用备受关注,特别在全球能源短缺的情况下,LED在照 明市场的前景更备受全球瞩目,二十一世纪将进入以LED为代表的新型照明光 源时代,而目前的LED阳极材料熔点不够高,时间长了易烧坏,这就减短了LED 使用寿命。
发明内容
本发明针对现有技术的缺陷,提供一种经济实用型的二极管。 为了实现上述目的,本发明采取以下措施来实现
一种钨基二极管,包括阳极,阴极,半导体,其特征在于采用金属钨作为 二极管的阳极,以N型半导体为负极,由此所组成的半导体器件。
本发明相对于已有技术具有如下特点钨的熔点为3410±20°C,沸点为 5927°C,金属钨作为阳极材料,因此不易烧坏,从而延长了 LED的使用寿命。
具体实施例方式
将金属钨作为正极,以N型半导体为负极,N型半导体中存在着大量的电 子,金属钨中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的N型半导体中向 浓度低的金属钨中扩散,从而形成单向流通的电流。
实际中,本发明可应用在LED中,有效的提高了LED的使用寿命。
权利要求
1、一种钨基二极管,包括阳极,阴极,半导体,其特征在于采用金属钨作为二极管的阳极,以N型半导体为负极,由此所组成的半导体器件。
全文摘要
本发明提供一种钨基二极管,包括阳极,阴极,半导体,采用金属钨作为二极管的阳极,以N型半导体为负极,由此所组成的半导体器件,钨的熔点为3410±20℃,沸点为5927℃,金属钨作为阳极材料,因此不易烧坏,从而延长了LED的使用寿命。
文档编号H01L33/00GK101483215SQ20081024612
公开日2009年7月15日 申请日期2008年12月24日 优先权日2008年12月24日
发明者吴晓阳 申请人:张家港市晓阳节能电器有限公司