专利名称：多畴垂直取向液晶显示面板的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种液晶显示面板，尤其涉及一种多畴垂直取向液晶显示面板。
背景技术：
液晶显示器(liquid crystal display, LCD)是目前最被广泛使用的一种平面显示器，具有低功耗、外型薄、重量轻以及低驱动电压等特征。 一般而言，LCD的显示区域包含多个子像素区域，每个子像素区域一般为两条栅极线(gate line,又称扫描线)与两条数据线(data line)交叉所定义的矩形或者其他形状区域，其内设置有薄膜晶体管(TFT)以及像素电极，薄膜晶体管充当开关元件。通过在像素中设置TFT形成有源矩阵液晶显示器，适合大画面、高分辨率、多灰度的液晶显示元件。
薄膜晶体管液晶显示器(TFT LCD)都向着高对比、无灰阶反转、高亮度、高色饱和度、快速反应以及广视角等方向发展。目前常见的广视角技术包括扭转向列型液晶(TN)加上广视角膜(wide viewing film)、共平面切换式(In-Plate Switching,IPS)液晶显示器、边缘切换式(Fringe Field Switching, FFS)液晶显示器与多畴垂直配向式(Multi-domain Veritcal Alignment, MVA)液晶显示器。以多畴垂直配向式液晶显示面板为例，其可通过一些配向图案(alignment pattern),如配向凸出物(alignment protmsion)或狭缝(slit)，以使得每一像素中的液晶分子呈多方面排列，进而得到数个不同的配向畴(domain)，因此多畴垂直配向式液晶显示面板能够达成广视角的要求。然而，在不同视角观看同一图像时，使用者所看到的图像色饱和度会有所不同，即所谓的色偏(colorshift)。
为了改善前述的色偏问题，许多将单一像素区分为两种不同电压区域的概念便相继被提出，此概念主要是在单一像素中使用两个彼此电性绝缘的像素电极，并通过驱动使两个彼此电性绝缘的像素电极具有不同的电压。如电容耦合式(Capacitance Coupling, C-C type),双晶体管双栅极线或双数据线(Double Transistor,T-T type),公共电极调制式(Common voltage swinging, Com-swing)。然而，使用T-T式和Corn-swing式技术需要额外的芯片(IC)和电子元器件，增加成本。C-C式技术不需要增加额外的成本，使得单一像素具有两个不同的电压，进行获得不同的配向畴。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种多畴垂直取向液晶显示面板，可以通过电容耦合实现多畴显示。
本实用新型为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种多畴垂直取向液晶显示面板，包括
多条沿第 一方向延伸的栅极扫描线；
多条沿第二方向延伸的数据线，栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域；
设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极，所述像素电极包括彼此绝缘的第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和第二像素电极分别和第一薄膜晶体管
和第二薄膜晶体管相连；
其中，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管具有不同的沟道宽/长比值。
上述的多畴垂直取向液晶显示面板，其中，所述第一薄膜晶体管的沟道宽/长比值和第二薄膜晶体管的沟道宽/长比值相差2倍以上。
上述的多畴垂直取向液晶显示面板，其中，所述液晶显示面板还包括和所述第一像素电极相连的电容耦合线，所述电容耦合线位于所述第二像素电极的下方。
本实用新型对比现有技术有如下的有益效果本实用新型提供的多畴垂直取向液晶显示面板，可以通过电容耦合实现多畴显示。
图1是本实用新型第一实施例的薄膜晶体管阵列基板的俯视图。图2是图1的像素结构的等效电路图。
图3是本实用新型第二实施例的薄膜晶体管阵列基板的俯视图。图中
100阵列基板 110扫描线 112公共电极线
4210第一薄膜晶体管312电容耦合线510像素电极612第一像素电极
212第二薄膜晶体管314,316金属块512第一像素电极614第二像素电极
310数据线
410， 412， 414接触孔514第二像素电极Clcl ， Clc2液晶电容
Cstl， Cst2储存电容 Cx耦合电容具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步的描述。图1是本实用新型第一实施例的薄膜晶体管阵列基板的俯视图。请参照图1 ,本实施例的薄膜晶体管阵列基板100上包括多条扫描线110，多条数据线310，多个彼此独立的公共电极线112以及多个像素电极510。每一个像素与对应的扫描线110及数据线310电性连接，而公共电极线112位于每一像素电极510的下方。其中，每一像素包括第一像素电极512和第二像素电极514，所述第一像素电极512和第二像素电极514分别和第一薄膜晶体管210和第二薄膜晶体管212相连。
本实用新型实施例中，基板100可以是玻璃基板、塑料基板、或是其它硬质基板或软质基板。 一般而言，扫描线110的延伸方向与数据线310的延伸方向垂直。当然随着像素的形状与排列方式不同，如条状排列、三角形排列、蜂巢状排列等。本实用新型可采用不同形态的扫描线110与数据线310。
为了改善前述的色偏问题，本实施例将第一薄膜晶体管210与第二薄膜晶体管212的沟道宽/长比值分别设计为W1/L1以及W2/L2，并使第一薄膜晶体管210与第二薄膜晶体管212的沟道宽/长比值有所差异(即令W1/L1^W2/L2)。为了使每个像素的第一像素电极512和第二像素电极514实现不同的配向电压，需要第一薄膜晶体管210与第二薄膜晶体管212的沟道宽/长比值有足够的差异，通常会使第一薄膜晶体管210与第二薄膜晶体管212的沟道宽/长比值满足(Wl/Ll)/(W2/L2) 的条件。
此外，每个像素可进一步包括电容耦合线312，其中电容耦合线312与第一像素电极512通过接触孔410电性连接，且位于第二像素电极514下方。请参见图1，由于电容耦合线312与第一像素电极512电极连接，且电容耦合线312的电压与第二像素电极514的电压不同，因此电容耦合线312可通过电容耦合效应而影响第二像素电极514的电压。具体来说，在第一薄膜晶体管210与第二薄膜晶体管212开启的期间，第二像素电极514的电压仍会受到电容耦合线312的影响。 图2是图1的像素结构的等效电路图。
请参照图2，本实施例的储存电容包括第一储存电容Cstl和第二储存电容Cst2， 分别为公共电极线112与第一像素电极512和第二像素电极514构成。其中，第一像 素电极512是通过接触孔410电性连接于第一薄膜晶体管Tl的漏极，第二像素电极 514是通过接触孔412电性连接于第二薄膜晶体管T2的漏极。金属块314位于公共电 极线112的上面，通过接触孔410电性连接于第一像素电极512，以增加储存电容Cstl 的值，有利于提高像素开口率；金属块316位于公共电极线112的上面，通过接触孔 414电性连接于第二像素电极514，以增加储存电容Cst2的值，有利于提高像素开口 率。第一像素电极512与第二像素电极514分别与对侧的彩色滤光片形成液晶电容 Clcl和Clc2。耦合电容Cx是由电容耦合线312与第一像素电极512构成，从而影响 第二像素电极514的电压。
图3是本实用新型第二实施例的薄膜晶体管阵列基板的俯视图。
请参照图3，本实施例改变第一薄膜晶体管210与像素电极的连接位置，薄膜晶 体管210与第一像素电极612相连，薄膜晶体管212与第二像素电极614相连。采用 本实施例的像素结构同样可以通过电容耦合实现多畴显示，从而达到改善色偏问题。
虽然本实用新型已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本实用新型，任何 本领域技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作些许的修改和完善， 因此本实用新型的保护范围当以权利要求书所界定的为准。
权利要求1、一种多畴垂直取向液晶显示面板，包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线；多条沿第二方向延伸的数据线，栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域；设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极，所述像素电极包括彼此绝缘的第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和第二像素电极分别和第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管相连；其特征在于，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管具有不同的沟道宽/长比值。
2、 如权利要求1所述的多畴垂直取向液晶显示面板，其特征在于，所述第一薄 膜晶体管的沟道宽/长比值和第二薄膜晶体管的沟道宽/长比值相差2倍以上。
3、 如权利要求1或2所述的多畴垂直取向液晶显示面板，其特征在于，所述液 晶显示面板还包括和所述第一像素电极相连的电容耦合线，所述电容耦合线位于所述 第二像素电极的下方。
专利摘要本实用新型公开了一种多畴垂直取向液晶显示面板，包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线；多条沿第二方向延伸的数据线，栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域；设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极，所述像素电极包括彼此绝缘的第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和第二像素电极分别和第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管相连；其中，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管具有不同的沟道宽/长比值。本实用新型提供的多畴垂直取向液晶显示面板，可以通过电容耦合实现多畴显示。
文档编号H01L27/12GK201289560SQ20082015542
公开日2009年8月12日 申请日期2008年11月17日 优先权日2008年11月17日
发明者李喜峰, 高孝裕 申请人:上海广电光电子有限公司