专利名称：转移外延层的方法
技术领域：
在已知方法中，在SeOI结构的制造过程中，首先可以在施体衬底上 形成外延层，然后将所述外延层转移到受体衬底或支承衬底上。这种制 造方法特别是可利用SmartCutTM技术来实施。美国专利US 5，374，564和 A丄Aubreton-Herv^等人在Int.Journal of High Speed Electronics and Systerms, Vol.lO， Nol,2000， p.131-146中发表的题目为"Why can Smart-Cut change the fbture of microelectronics "的文章描述了 SmartCutTM 技术实施的示例。
SmartCutTM技术是广泛应用于大量应用中的技术。然而，在某些特 定情况下，特别是当通过注入法来进行转移时为了限制损坏特定电路的 风险，希望能够使用另一种转移技术。
发明内容
本发明的目的是提出一种制造外延层的方法，其中该外延层在形成 后可以与施体衬底相分离。
为此，本发明涉及一种制造外延层的方法，所述方法包括下述步骤
-结构的制造步骤，所述步骤包括
-在施体衬底上形成中间层；和
-通过外延附生在所述中间层上形成外延层，所述中间层的熔化温度比所述外延层的熔化温度低；和
-通过施加至少一次热处理，将所述外延层与所述施体衬底分离的分 离步骤，在介于所述中间层的熔化温度与所述外延层的熔化温度之间的 温度下执行所述热处理。
在所述施体衬底与所述外延层之间形成其熔化温度比所述外延层的 熔化温度低的中间层，使得可以通过熔化所述中间层来将所述外延层与 所述衬底分离。为此，在介于所述中间层的熔化温度与所述外延层的熔 化温度之间的温度下实施热处理。该热处理使得所述中间层熔化而又不 损坏所述外延层。
此外，在分离步骤之后，在去除施体衬底表面上中间层的残余物后， 可以有利地重新利用所述施体衬底，例如根据本发明的制造方法来制造 新的外延层。
在一具体实施方式
中，在制造步骤后且在分离步骤前，根据本发明 的方法进一步包括将所述外延层接合到所述支承衬底上的接合步骤。
因此，根据本发明的方法使得能够通过将所述外延层从所述施体衬底 上转移到所述受体衬底或支承衬底上来制造结构。这种方法有利的是可用
于制造电子应用、微电子应用或光电子应用中的异质结构(例如SeOI型)。 在一具体实施方式
中，根据本发明的方法的特征在于接合所述外延
层的所述支承衬底的表面上具有氧化物层。
因此，根据本发明的方法有利的是能够制造SeOI结构。 在一具体实施方式
中，根据本发明的方法的所述接合步骤是通过分
子键合来执行的。
可替代的，在根据本发明的方法的所述接合步骤中也可采用其它类
型的接合，如阳极接合、共晶接合或粘性接合。
在根据本发明的方法的所述分离步骤中，在所述热处理的同时可以
进一步施加机械分离力。
这种分离力使得所述外延层能够更容易且更快地与所述施体衬底分离。
在根据本发明的所述接合步骤之后能够通过热处理步骤来加强接合界面。
在一具体实施方式
中，根据本发明的方法进一步包括去除步骤，所 述去除步骤将残留在分离后的外延层上的中间层的残余物去除掉。
在另一具体实施方式
中，在根据本发明的方法的所述制造步骤中， 通过外延附生在所述施体衬底上形成所述中间层。
根据本发明的一个特征，在根据本发明的方法的所述制造步骤中，
由SeOI结构形成所述中间层和所述施体衬底。
根据本发明的另一个特征，在根据本发明的方法的所述制造步骤中， 由锗化硅形成所述中间层和所述外延层，所述中间层的锗浓度比所述外延 层的锗浓度高，使得所述中间层的熔化温度比所述外延层的熔化温度低。
因此，用简单方式，可以有利地通过相同元素的合金来形成所述外 延层和所述中间层(例如在本实施方式中用锗化硅)，该相同元素的浓度 不同从而使得能够使所述中间层熔化。锗化硅的熔化温度是根据斯托尔 (Stohr)和科勒姆(Klemm)计算方法的锗浓度的递减函数，所述中间 层中的锗浓度必须大于所述外延层中的锗浓度。
在一具体实施方式
中，在根据本发明的制造方法的所述制造步骤中
-由锗化硅形成所述施体衬底和所述中间层，所述中间层中的锗浓度
比所述施体衬底中的锗浓度高；并且
-通过在所述中间层上生长应力硅(sSI)层来形成所述外延层。
根据本发明的一个特征，在根据本发明的制造方法的所述制造步骤 中，在所述施体衬底与所述中间层之间和/或在所述中间层与所述外延层 之间形成至少一个间隔层。
在另一个具体实施方式
中，在根据本发明的制造方法的所述制造步
-由覆盖有二氧化硅层的硅形成所述施体衬底； -由锗形成所述中间层；并且
-由砷化镓形成所述外延层。
在另一个具体实施方式
中，在根据本发明的制造方法的所述制造步
骤中-由蓝宝石形成所述施体衬底；
-由氮化铟(InN)形成所述中间层；并且
-由氮化镓(GaN)形成所述外延层。
本发明的特征和优点将从结合附图的下述仅以非限制性示例目的给
出的描述中变得更清楚明显，其中在附图中
图1A到1E是示出根据本发明的实施方式的外延层制造的截面示意
图2是根据本发明的实施方式的在图1A至1E中实施的步骤的流程
图3以彼此对应的方式表示曲线图(a)和截面示意图(b):截面示 意图(b)示出在根据本发明的制造方法的制造步骤中，根据由锗化硅形 成各个不同层的具体实施方式
获得的结构，而曲线图(a)表示出所述结 构中的每层的锗浓度-,.
图4以彼此对应的方式表示曲线图(a)和截面示意图(b):截面示 意图(b)示出在根据本发明的制造方法的制造步骤中，根据衬底和中间 层由锗化硅形成，并且外延层通过在所述中间层上生长应力硅而形成的具体实施方式
获得的结构；而曲线图(a)表示出在所述结构中的每层的 锗浓度；
图5表示在本发明的一具体实施方式
中，在绝缘体上砷化镓 (AsGaOI)结构的分离步骤之后，在根据本发明的制造方法的制造步骤 中制造的结构的截面示意图6A和6B示出了在本发明的一具体实施方式
中，在分离外延层的 过程中，在热处理的同时，施加在中间层的平面中的剪切力(平移运动) 的应用。
具体实施例方式
本发明的目的是制造外延层并且将其应用于制造许多种半导体材料结构。在本发明的制造方法中制造出的外延层根据所涉及的应用，可以 自身分离(例如自支承层)或在转移到支承衬底上后分离。
因此，本发明优选但非排它地适用于制造诸如SeOI (绝缘体上半导 体)结构的异质结构，所述绝缘体上半导体结构例如有绝缘体上砷化镓 (AsGaOI)结构，绝缘体上氮化镓(GaNOI)结构，绝缘体上应力硅(sSOI)
结构等。
本发明的原理在于在施体衬底与外延层之间形成了中间层，中间层 的熔化温度比外延层的熔化温度低。对所获得的结构(包括衬底、中间 层以及外延层的结构)施加热处理，使得中间层熔化，从而使得外延层 在熔化的中间层的层面处与衬底分离。为了使得能够熔化中间层而不损 坏外延层，在介于外延层的熔化温度与中间层的熔化温度之间的温度下 执行热处理。
现在参考图1A至1E和图2描述一具体实施方式
中的根据本发明的 制造外延层的方法。
首先考虑施体衬底1 (图1A)。该衬底可以是任何类型，例如单晶硅 衬底，锗化硅衬底等。在此处描述的实施例中，假设施体衬底1是单晶 蓝宝石衬底。施体衬底的其它实施例将参考图3、 4以及5做进一步描述。
在第一步骤Sl (图1A)中，通过在施体衬底1上进行外延生长形 成中间层2。用于外延生长中间层2的外延附生技术可以包括多种类型。 因此，例如可以包括采用化学汽相淀积(CVD)的外延附生、采用金属 有机化学汽相淀积(MOCVD)的外延附生、混合汽相外延附生(HVPE) 或分子束外延附生(MBE)。
在此处描述的实施例中，中间层2是由氮化铟(InN)形成的层。其 熔化温度Tf(2)的值为Tf(2)=1373°C。
在步骤S2 (图1B)中，在氮化铟的中间层2上通过外延生长形成氮 化镓(GaN)层。如此得到的GaN层就是本发明意义上的外延层3。按 照与步骤Sl中相同的方式，所实施的外延附生技术具体可以是CVD、 MOCVD、 HVPE或MBE型。
外延层3的熔化温度Ti^的值为Tfn)=2500°C。
9因此，前两个步骤Sl和S2能够制造包括施体衬底1、中间层2以 及外延层3的结构10 (图1B)。根据本发明，中间层2的熔化温度Tf② 比外延层3的熔化温度Tf(3)低。
能够通过除外延生长以外的其它技术来获得中间层2。因此，在本 发明的另一实施方式中，结构10的中间层2和施体衬底1可由SeOI结 构形成。中间层2因此由该SeOI结构的顶层形成，而施体衬底l由覆盖 有二氧化硅的硅层形成。该SeOI结构是例如在实施SmartCutTM技术的先 前层转移过程中获得的。通过选择使得中间层2的熔化温度Tf口)比外延 层3的熔化温度Tf("低。
在步骤S3 (图1C)的过程中，通过分子键合将支承衬底5接合到结 构10。在此处描述的实施例中，支承衬底5是由氧化物层4 (该情况下 是二氧化硅)覆盖的硅衬底。
在本发明的另一实施方式中，在结构10上形成绝缘体层。该绝缘体 层特别能够确保实现高品质的接合。在可替代实施方式中，在支承衬底5 和结构IO上均形成绝缘体层。
分子键合的粘着原理是已知的，因此本文将不作更详细的描述。另 外，分子键合的粘着基于两个表面紧密接触，即无需使用特殊材料(粘 合剂，胶水，蜡，低熔点金属等)，两个表面之间的吸引力足够强从而产 生分子键合(由吸引力集合(范德华力)引起的接合涉及两个待接合表 面的原子之间和分子之间的电子相互作用)。
在接合步骤S3中也可采用其它类型的接合。比如阳极接合、共晶接 合或粘性接合，只要粘合剂或共晶体以及按一般方式使用的接合能够承 受在中间层2的熔化温度区域内的温度即可。本领域技术人员可以参考 S.Farrens等人于2002年9月在Compound Semiconductor Magazine,Vo1.8， issue 8发表的题为"Chip manufacturers look to wafer-bonding technology" 的文章，从中可获得关于这些不同接合技术的进一步细节。
在接合步骤S3之后，通过在步骤S4中施加热处理，来进行外延层 3与施体衬底1的分离。该热处理是在介于中间层2的熔化温度Tf("与外 延层3的熔化温度Tf(3)之间的温度T下进行的。在此处描述的实施例中，
10温度T约为或者稍大于中间层2的熔化温度Tf(2)，使得可熔化中间层2 而不熔化外延层3或损坏外延层3。该热处理有利地进一步加强了在粘合步骤S3中通过分子键合而紧 密接触的两个表面(这里是外延层3和绝缘层4)的接合界面。当通过分 子键合来进行粘合时，事实上通常需要该利用热处理的加强步骤，并且 其与本发明的制造方法兼容。作为可替代实施方式，可在步骤S3之后且在步骤S4之前，在以低于中间层的熔化温度的温度下进行的退火步骤中 实现所述接合界面的加强。在步骤S4中施加热处理所引起的中间层2的熔化，使得在步骤S5 (图1D)中，外延层3在中间层2的层面上与施体衬底1分离。在此处描述的实施例中，在步骤S4中进行热处理的同时应用机械分 离力可促进外延层3的分离。这种机械分离力优选是在中间层2的平面 上施加的剪切力。可以通过夹紧工具，或者包括涂布有适当涂层的由诸如碳化硅(SiC) 或氮化铝(A1N)材料制成的静电板的装置，来实现在进行热处理的同时 施加剪切力，从而使得能够在结构11的两侧施加良好的夹持力。两个静 电板互相反向运动使其活动，从而在已熔化的中间层2的层面上产生分 离应力，最终导致外延层3从施体衬底1上分离。该运动例如是绕垂直 于中间层2的轴的转动、或平移运动，如图6A和6B所示。静电板还可具有加热装置，用于将结构11加热至比中间层2的熔化 温度更高的温度，以执行外延层3的分离。可替代地，可将各侧上设置 有静电板的结构11放置在被加热至比中间层2的熔化温度更高的温度的 容器内。在进行热处理的同时可以施加其它类型的机械分离力。因此，文献 US 2004/0166653公开了一种夹持工具，其可以在垂直于中间层2的平面 中施加机械分离力。在本发明的另一实施方式中，可以在高压下进行步骤S4和S5。应 用高压使得在低于中间层熔化温度的温度下实施热处理也能够使中间层 相变(即熔化)。例如，这些步骤可以在高压处理器(autoclave)中进行。在使外延层3从施体衬底1上分离的步骤S5之后，进行对已分离的 外延层3的清洁步骤S6 (图1E)。该步骤去除残留在已分离的外延层3 的表面上的中间层的残余物6。在此处描述的实施例中，由此可获得绝缘 体上氮化镓(GaNOI)结构12。此外，在分离步骤S5中，除了获得包括已分离的外延层3的结构 12之外，还获得了施体衬底1。在将其表面清洁后，施体衬底1可以重 新用于例如新的根据本发明的制造方法的实施。将结构10接合到支承衬底5上的接合步骤S3是可选的。在本发明 的另一实施方式中，实际上没有将支承衬底5与外延层3接合。因此， 根据本发明的制造方法在形成外延层3的步骤S2之后仅直接进行外延层 3的分离，即实施上文描述的步骤S4、 S5以及S6。现在参考图3，描述根据上文描述的本发明的制造方法的制造步骤 (由上文描述的步骤Sl和S2组成的步骤)而获得的结构310。图3 (b)中描绘的结构310包括衬底31、外延层33以及衬底31与 外延层33之间的中间层32。此外结构310还包括衬底31与中间层32之 间的间隔层31'。在本实施方式中，结构310的各个不同层由同样元素的合金(即， 这里是锗化硅合金)形成，但其中构成元素的浓度不同。按照使得中间层 32的熔化温度Tf(32)比外延层33的熔化温度Tf(33)低的方式选择这些浓度。因此，如图3 (a)中所示一衬底31是锗的浓度从0增加到20%的SiGe层； 一中间层32是锗的浓度等于60 %的SiGe层； 一外延层33是锗浓度等于20。％的SiGe层。 中间层32的厚度约150A。根据H.Stohr和W.Klemm的计算方法(Z.Anorg.Allgem.Chem.241, 1954,305)，锗化硅的熔化温度以摄氏度(°C)给出为 <formula>formula see original document page 12</formula>其中x表示锗化硅中的锗浓度。因此，锗化硅的熔化温度是锗浓度的递减函数所以可以观察到随着锗化硅层中锗浓度的增加，该层的熔化温度降低。因此在图3示出的结构310中，中间层32的烙化温度(Tf(32产1222'C)低于外延层33的熔 化温度(Tf(33)=13 8 0°C)。在该结构310中，为了保持晶格参数，在施体衬底.31与中间层32 之间插入了锗浓度等于20%的锗化硅间隔层31'。而且该间隔层31'使得 施体衬底31能够与中间层32分离，并使得施体衬底31能够在熔化时得 以保留以使其可重新用于例如再次实施根据本发明的方法。这样，根据等式(等式l)，可以制造出包括具有图3 (a)中所考虑 的不同锗浓度的中间层32和外延层33的结构310。中间层32中的锗浓 度必须比外延层33中的锗浓度大，以保证根据本发明的这两个层的熔化 温度的约束条件。然而，为了在温度T下实施热处理时不损坏外延层33， 优选中间层和外延层各自的熔化温度Tf(巧和Tf(33)不要太接近。因此中间 层32的锗浓度优选被选择为，使得其对应的液相温度低于相邻层，尤其 是外延层33的固相温度。这样使得能够完全熔化中间层32而不损坏其 相邻层，因为该相邻层尚未开始熔化。锗浓度的差在约40%时可以满足这一条件。因此例如在图3 (a)中， 中间层32的锗浓度是60%，而外延层33的锗浓度是20。Z，由此保证了 两个大于IOO(TC的熔化温度之间的差值为158°C。可替代的，可以考虑用其它合金制造结构310。必须对形成结构310 中各个不同层的合金中元素的浓度进行选择，使得中间层32的熔化温度 Tf(32)低于外延层^的熔化温度Tf(33)。图4 (b)描绘了本发明另一具体实施方式
中的结构410的截面示意 图。在图4 (b)中，在根据本发明的制造方法的制造步骤中制造出的结 构410包括施体衬底41、中间层42、外延层43以及分别位于施体衬底 41与中间层42之间以及位于中间层42与外延层43之间的两个间隔层 41'和42'。如图4 (a)中所示一施体衬底41由浓度从0增加到20%的锗化硅层形成； 一中间层42是锗浓度等于60%的锗化硅层；一间隔层41邻42'是锗浓度等于20。Z的锗化硅层。这些间隔层的作 用是稳定结构410的各个不同层的晶格常数。 中间层42的厚度约150A。外延层43是通过在锗化硅中间层42'上外延生长形成的应力硅(sSI) 层。外延层43的熔化温度为Tf(43)=1412°C。如前所述，中间层42的熔化 温度为Tf(42)=1222°C，因此低于外延层43的熔化温度Tf(43)。借助根据本发明的制造方法，该结构410例如使得能够获得绝缘体 上应力硅(sSOI)结构。在参考图5描述的示例中，结构510包括一由二氧化硅层覆盖的硅施体衬底51;一锗中间层52，其熔化温度Tf(52)-937'C。锗中间层52是GeOI结构的顶层。一砷化镓外延层53，其通过在中间层52上的假晶外延附生形成， 并且熔化温度为Tf(5^124(TC。随后，将这样制成的结构510接合至由二 氧化硅Si02层54覆盖的硅支承衬底55上。分离后，获得绝缘体上砷化 镓(AsGaOI)结构。可替代的，现在假设在上述结构510中，砷化镓外延层53是通过在 中间层52上的外延附生形成的厚度为几百微米(例如，400微米)的层。 该层具有能够形成自支承衬底的足够厚度。为此，外延层53的分离是直 接通过熔化中间层52进行的(没有接合至支承衬底的预备步骤)。因此 根据本发明的方法有利地使得能够形成自支承AsGa衬底。如上文所述， 根据本发明的制造方法使得能够在支承衬底上制成自支承外延层。在后 面的实施方式中，根据本发明的制造方法包括将外延层转移至支承衬底 上的方法。因此，根据本发明的制造方法可以与本文中未描述、但本领 域技术人员公知的其它补充处理相结合，通常与将外延层转移至支承衬 底上的方法(例如与SmartCut^方法)相结合。因此在这方面，能够转 移特定图案层，转移量子阱层或量子线，或转移印刷电路。1权利要求
1、一种制造外延层(3；33；43；53)的方法，所述方法包括下述步骤-结构(10；310；410；510)的制造步骤，所述制造步骤包括-在施体衬底(1；31；41；51)上形成中间层(2；32；42；52)(S1)；和-通过外延附生在所述中间层(2；32；42；52)上形成所述外延层(3；33；43；53)(S2)；所述中间层(2；32；42；52)的熔化温度(Tf(32)；Tf(42))比所述外延层(3；33；43；53)的熔化温度(Tf(33)；Tf(43))低；以及-分离步骤(S5)，通过对所获得的结构(10；310；410；510)施加至少一次热处理(S4)，将所述外延层(3；33；43；53)与所述施体衬底(1；31；41；51)分离，所述热处理在介于所述中间层(2；32；42；52)的熔化温度(Tf(32)；Tf(42))与所述外延层(3；33；43；53)的熔化温度(Tf(33)；Tf(43))之间的温度下执行。
2、 如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述制造步骤之后并且在所述分离步骤(S5)之前，所述制造方法还包括将所述外延层(3; 33; 43; 53)接合到所述支承衬底(5; 55)上的接合步骤(S3)。
3、 如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，接合所述外延层(3;53)的支承衬底(5; 55)的表面上包括氧化物层(4; 54)。
4、 如权利要求2或3所述的制造方法，其特征在于，所述接合步骤(S3)通过分子键合来进行。
5、 如权利要求1到4中任意一项所述的制造方法，其特征在于，在所述分离步骤(S4)中，在热处理的同时施加机械分离力。
6、 如权利要求2到5中任意一项所述的制造方法，其特征在于，在所述接合步骤(S3)之后，通过热处理步骤加强接合界面。
7、 如权利要求1到6中任意一项所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括去除步骤(S6)，所述去除步骤(S6)用于去除残留在已分离的外延层(3)上的中间层(2)的残余物(6)。
8、 如权利要求1到7中任意一项所述的制造方法，其特征在于，在所述制造步骤(S2)中，通过在所述施体衬底(1)上进行外延附生来形成所述中间层(2)。
9、 如权利要求l到7中任意一项所述的制造方法，其特征在于，在所述制造步骤中，由SeOI结构形成所述中间层(52)和所述施体衬底(51)。
10、 如权利要求1到7中任意一项所述的制造方法，其特征在于，在所述制造步骤中，由锗化硅形成所述中间层(42)和所述外延层(43)，所述中间层(42)的锗浓度比所述外延层(43)的锗浓度高，使得所述中间层(42)的熔化温度(Tf(42))比所述外延层(43)的熔化温度(Tf(43))低。
11、 如权利要求1到7中任意一项所述的制造方法，其特征在于，在所述制造步骤中一由锗化硅形成所述施体衬底(31)和所述中间层(32)，所述中间层中的锗浓度比所述施体衬底中的锗浓度高；并且一通过在所述中间层(32)上生长应力硅(sSI)层形成所述外延层(33)。
12、 如权利要求10或11中任意一项所述的制造方法，其特征在于，在所述制造步骤中，在所述施体衬底(31'; 41，)与所述中间层(42，)之间和/或在所述中间层(32; 42)与所述外延层(33; 43)之间形成至少一个间隔层(31'; 41'; 42')。
13、 如权利要求1到7中任意一项所述的制造方法，其特征在于，在所述制造步骤中一由覆盖有二氧化硅层的硅形成所述施体衬底(51);一由锗形成所述中间层(52);并且一由砷化镓形成所述外延层(53)。
14、 如权利要求1到7中任意一项所述的制造方法，其特征在于，在所述制造步骤中一由蓝宝石形成所述施体衬底(1);一由氮化铟(InN)形成所述中间层(2);并且一由氮化镓(GaN)形成所述外延层(3)。
全文摘要
一种制造外延层(3)的方法，所述方法包括结构(10)的制造步骤和分离步骤(S5)，所述制造步骤包括在施体衬底(1)上形成中间层(2)；和在中间层(2)上通过外延附生形成外延层(3)(S2)；中间层(2)的熔化温度比外延层(3)的熔化温度低；所述分离步骤通过应用至少一次热处理将外延层(3)与施体衬底(1)分离，所述热处理是在介于中间层(2)的熔化温度与外延层(3)的熔化温度之间的温度下进行的。
文档编号H01L21/762GK101636833SQ200880006632
公开日2010年1月27日 申请日期2008年4月15日 优先权日2007年4月27日
发明者伊夫-马蒂尼·拉瓦伊兰特 申请人:硅绝缘体技术有限公司