高性能宽谱带oled器件的制作方法

专利名称：：高性能宽谱带oled器件的制作方法
技术领域：
：本发明涉及宽谱带发光OLED显示器。
背景技术：
：有机发光二极管器件(亦称作0LED)通常包含阳极、阴极和夹在所述阳极和所述阴极之间的有机电致发光(EL)单元。有机EL单元包含至少一个空穴输送层(HTL)、发光层(LEL)和电子输送层(ETL)。OLED因其低驱动电压、高亮度、广视角和用于全色显示器和其它应用的能力而引人注目。邓青云等在其美国专利第4，769，292号和第4，885，211号中描述了这种多层的0LED。取决于其LEL的发光性质，OLED可以发出不同颜色的光，例如红色、绿色、蓝色或白色。近来，对于将宽谱带OLED引入到诸如固态光源、彩色显示器或全色显示器等各种应用中的需求日益增加。宽谱带发光意味着OLED发出遍及可见光谱的足够宽谱的光，从而这样的光能够与滤光片或变色模块结合使用而生产出具有至少两种不同颜色的显示器或全色显示器。为实现OLED的宽谱带发光，需要激发多于一种的分子，因为在通常条件下每种分子仅发出光谱较窄的光。具有主体材料和一种以上发光掺杂物的发光层在主体材料向掺杂物的能量传递不完全时可以实现同时由主体和掺杂物发光，从而导致在可见光谱内的宽谱带发光。然而，为实现具有一个发光层的宽谱带0LED，发光掺杂物的浓度必须得到精细的控制，而这将带来制造上的困难。较之具有一个发光层的器件，具有两个以上发光层的宽谱带OLED能够具有更好的颜色和更高的发光效率，并且对于掺杂物浓度的变化的耐受性更高。还发现，具有两个发光层的宽谱带OLED通常比具有一个发光层的OLED更稳定。有时会观察到多层宽谱带发光器件色调偏移的问题。随着流过器件的电流改变，不同发射层的相对贡献也可以变化，这导致色调随电流变化而变化。这是不理想的；对于发光器件而言，理想的是提供恒定的色调，并且随着电流变化仅仅改变亮度。另外，还存在在保持良好的宽谱带发光的同时改善OLED器件的效率的需求。
发明内容因此本发明的一个目的是提供具有改善的效率和对于电流的色调稳定性的宽谱带OLED器件。此目的可以通过下述OLED器件实现，所述OLED器件具有两个隔开的电极，并且包含(a)第一发光层，所述第一发光层产生绿色发光，并包含⑴蒽主体；禾口(ii)2，6-二氨基蒽发光掺杂物；和(b)第二发光层，所述第二发光层产生红色发光，并包含主体和红色发光掺杂物。本发明的一个优点在于，提供了具有良好效率和低电压要求的宽谱带发光结构。本发明的另一个优点在于，还提供了随着电流改变而显示极小色调变化的宽谱带发光结构。图1显示了本发明的OLED器件的一个实施方式；图2显示了本发明的OLED器件的另一个实施方式；并且图3显示了本发明的OLED器件的又一个实施方式。由于如层厚等器件特征尺寸通常在亚微米范围内，因此附图的绘制比例主要是为了便于查看而非显示尺寸准确性。具体实施例方式术语“0LED器件”使用的是包含有机发光二极管作为像素的显示器件的本领域内所公知的意义。其可以指具有单个像素的器件。此处所用的术语“0LED显示器”是指包含多个可以是不同颜色的像素的OLED器件。彩色OLED器件发出至少一种颜色的光。术语“全色”用于描述能在可见光谱的红色、绿色和蓝色区域发光并且可以以色调的任意组合来显示图像的显示面板。红色、绿色和蓝色构成了三原色，通过适当混合可由所述三原色产生所有其它颜色。术语“色调”是指在可见光谱内发光的光强分布，不同的色调表现颜色的视觉上可辨别的差异。术语“像素”采用的是其在本领域中所公知的用法，用于指定显示面板的独立于其它区域的受激发光的区域。据认为，在全色系统中，若干不同颜色的像素将被一起使用，以产生大范围的颜色，观看者可将这样的组称为单个像素。为便于这里的讨论，这样的组将被认为是若干不同颜色的像素。根据本公开内容，宽谱带发光是指在可见光谱的多个部分(例如红色和绿色)具有显著的分量的光。宽谱带发光也可以包括下述情况在光谱的红色、绿色和蓝色部分发光，以产生白光。白光是使用者所感觉到的具有白色的光，或者是其发射光谱足以与滤色器结合使用从而形成实际上的全色显示的光。现在参见图1，图1显示了本发明的一个实施方式的宽谱带发光OLED器件10的像素的截面图。OLED器件10包含基片20、两个隔开的电极(阳极30和阴极90)和产生绿色发光的第一发光层(例如绿色发光层50g)和产生红色发光的第二发光层(例如红色发光层50r)。第一发光层与第二发光层接触。理想的是，红色发光层50r比绿色发光层50g更靠近阳极30，但是本发明的实施不限于这种设置。诸如此处所述的发光层等发光层响应于空穴-电子复合而发光。诸如来自供体材料的蒸发、溅射、化学气相沉积、电化学工艺或者辐射热转移等任何适当的方法都可以沉积所需要的有机发光材料。本发明中的发光层包含一种以上主体材料，所述主体材料掺杂有一种以上发光客体化合物或掺杂物，其中发光主要来自掺杂物。对掺杂物进行选择，以产生具有特定光谱的色光，并拥有其它所希望的性质。掺杂物通常以0.01重量％15重量％的比例涂布在主体材料中。第一发光层50g含有蒽主体和2，6-二氨基蒽发光掺杂物。理想的是，所述蒽主体为9，10-二芳基蒽，已知它的某些衍生物(式A)构成了一类有用的能够支持电致发光的主体材料，并且特别适于波长长于400nm的发光，例如蓝光、绿光、黄光、橙光或红光<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>其中，R^R2R3和R4表示在各环上的一个以上的取代基，各取代基各自选自以下组组1氢或具有124个碳原子的烷基；组2具有520个碳原子的芳基或具有取代基的芳基；组3实现蒽基、芘基或茈基的稠合芳环所必需的具有424个碳原子的烃基；组4:实现呋喃基、噻吩基、吡啶基、喹啉基或其它杂环体系的稠合杂芳环所必需的具有524个碳原子的杂芳基或具有取代基的杂芳基；组5具有124个碳原子的烷氧基氨基、烷基氨基或芳基氨基；和组6:氟或氰基。特别有用的是下述化合物，其中，R1和R2(有时也包括R3)表示附加的芳环，例如组3。用作发光层中的主体的可用的蒽材料的具体实例包括<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>COt0OOC^cro在另一适当的实施方式中，理想的是，9，10-二芳基蒽主体(A)为2，9，10_三芳基蒽，已知它的某些衍生物(式B)构成了一类有用的能够支持电致发光的主体材料，并且特别适于波长长于400nm的发光，例如蓝光、绿光、黄光、橙光或红光<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>其中，Cl1和d3d8可以相同或不同，并各自表示氢或独立选择的取代基，并且各g可以相同或不同，并各自表示独立选择的取代基，条件是两种取代基可以组合形成环基，并且p、r和s独立地为O5。用作发光层中的主体的可用的2，9，10-三芳基蒽材料的具体实例包括上述结构AlO和All。其它实例在以上引用的Klubek等的美国专利申请第11/668，515号中已有描述，通过援引将其内容并入本说明书中。在另一适当的实施方式中，理想的是，2，9，10-三芳基蒽主体(B)为2，6，9，10-四芳基蒽，已知它的某些衍生物(式C)构成了一类有用的能够支持电致发光的主体材料，并且特别适于波长长于400nm的发光，例如蓝光、绿光、黄光、橙光或红光<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>其中，Clpd3(15和d7d8可以相同或不同，并各自表示氢或独立选择的取代基，并且各g可以相同或不同，并各自表示独立选择的取代基，条件是两种取代基可以组合形成环基，并且P、r、s和t独立地为05。用作发光层中的主体的可用的2，6，9，10-四芳基蒽材料的具体实例在以上引用的Klubek的美国专利申请第11/668，515号中已有描述，通过援引将其内容并入本说明书中。在本发明中特别有用的是2-芳基-9，10-二(2-萘基)蒽，例如结构AlO和All。除了上述主体材料之外，第一发光层50g还包含如下式所表示的2，6-二氨基蒽发光掺杂物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>其中，Cl1、d3d5和d7d1(1可以相同或不同，并各自表示氢或独立选择的取代基，并且各h可以相同或不同，并各自表示一个以上独立选择的取代基，条件是两种取代基可以组合形成环基，并且ad独立地为05。它的一个可用的实施方式为结构E<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>其中i和j独立地为05。在另一适当的实施方式中，2，6_二氨基蒽发光掺杂物为由式F表示的2，6，9_三氨基蒽发光掺杂物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>其中，Clpd3(15和d7d8可以相同或不同，并各自表示氢或独立选择的取代基，并且各h可以相同或不同，并各自表示独立选择的取代基，条件是两种取代基可以组合形成环基，并且af和j独立地为05。在另一适当的实施方式中，2，6_二氨基蒽发光掺杂物为由式G表示的2，6，9，10-四氨基蒽发光掺杂物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>其中，Clpd3(15和d7d8可以相同或不同，并各自表示氢或独立选择的取代基，并且各h可以相同或不同，并各自表示独立选择的取代基，条件是两种取代基可以组合形成环基，并且ah独立地为O5。结构DG的二氨基蒽在以上引用的Klubek等的美国专利申请第11/668，515号中已有详细描述，通过援引将其内容并入本说明书中。二氨基蒽掺杂物存在的浓度范围可以为1体积％25体积％，理想的是2体积％15体积％，有用的是3体积％10体积％。也可以用作发光掺杂物的有9，10-二氨基蒽衍生物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>其中，Cl1d8可以相同或不同，并各自表示氢或独立选择的取代基，并且各h可以相同或不同，并各自表示一个以上独立选择的取代基，条件是两种取代基可以组合形成环基，并且ad独立地为05。第一发光层50g可以可选地包含少量蓝色发光掺杂物作为稳定剂。作为较高能量的掺杂物的蓝色发光化合物的存在提供了比二氨基蒽掺杂物的绿色发光更高的亮度稳定性，同时保持了绿色发光掺杂物的良好效率。蓝色发光化合物可以是用于蓝色发光层50b的下述化合物。蓝色发光化合物存在的浓度范围可以是0.2体积％10体积％，有用的是1体积％5体积％。作为稳定剂，可以使用少量的第二绿色发光掺杂物作为替代。例如，可以使用少量喹吖啶酮化合物，例如具有以下结构的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>其中，取代基R1和R2独立地为烷基、烷氧基、芳基或杂芳基；并且取代基R3R12独立地为氢、烷基、烷氧基、卤素、芳基或杂芳基，并且相邻的取代基R3Rltl可以可选地连接形成一个以上的环体系，包括稠合芳环和稠合杂芳环，条件是对取代基进行选择以使发射最大值在510nm540nm。烷基、烷氧基、芳基、杂芳基、稠合芳环和稠合杂芳环取代基可以得到进一步取代。可用的喹吖啶酮的一些实例包括美国专利第5，593，788号和美国专利申请第2004/0001969A1号公报中所公开的那些化合物。可用的喹吖啶酮绿色掺杂物的实例包括<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>第二发光层50r包含一种以上主体材料和一种以上红色发光掺杂物。红色发光掺杂物可以包括具有以下结构J的二茚并茈化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>其中X1X16独立地选择为氢或下述取代基，所述取代基包括具有124个碳原子的烷基；具有520个碳原子的芳基或具有取代基的芳基；实现一个以上稠合芳环或环体系的含有424个碳原子的烃基；或卤素，条件是对这些取代基进行选择以使发射最大值在560nm640nmo有用的此类红色掺杂物的说明性实例如Hatwar等在共同转让的美国专利第7，247，394号中所示，通过援引将其内容并入本说明书中。一些其它红色掺杂物属于由式K表示的DCM类染料<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>其中，Y1Y5表示一个以上独立地选自以下基团的基团氢、烷基、具有取代基的烷基、芳基或具有取代基的芳基J1Y5独立地包含无环基团或者可以成对地结合以形成一个以上的稠合环；条件是Y3和Y5不会共同形成稠合环。特别有用的DCM类掺杂物的结构如Ricks等在共同转让的美国专利第7，252，893号中所示，通过援引将其内容并入本说明书中。第二发光层50r中的主体材料包括空穴输送材料。用作发光层中的主体的空穴输送材料是公知的，包括如芳香叔胺等化合物，其中芳香叔胺被认为是含有至少一个仅键合到碳原子的三价氮原子的化合物，所述碳原子中的至少一个是芳环的组成部分。在一种形式下，芳香叔胺可以是芳基胺，例如单芳基胺、二芳基胺、三芳基胺或聚芳基胺。示例性的单体三芳基胺如Klupfel等在美国专利3，180，730中所说明。在Brantley等的美国专利3，567，450和3，658，520中，公开了其它合适的三芳基胺，所述三芳基胺取代有一个以上的乙烯基并且/或者包含至少一个含有活性氢的基团。更优选的一类芳香叔胺是如美国专利4，720，432和5，061，569中所描述的包含至少两个芳香叔胺部分的那类芳香叔胺。这些化合物包括由结构式L表示的那些化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>其中Q1和Q2是独立地选择的芳香叔胺部分；并且G为诸如亚芳基、环亚烷基或亚烷基等碳_碳键合的连接基团。这种芳香叔胺有一类是四芳基二胺。理想的四芳基二胺包括通过亚芳基连接的两个二芳基氨基。可用的四芳基二胺包括由式M表示的那些化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>其中各Are是独立地选择的亚芳基，例如亚苯基或蒽部分；η是14的整数；并且Ar、R7、R8和R9是独立地选择的芳基。前述结构式L和M的各种烷基、亚烷基、芳基和亚芳基部分又均可被取代。典型的取代基包括烷基、烷氧基、芳基、芳氧基和诸如氟、氯和溴等商素。各种烷基和亚烷基部分通常含有1约6个碳原子。环烷基部分可以含有3约10个碳原子，但是通常含有5、6或7个碳原子，例如环戊基、环己基和环庚基环结构。芳基和亚芳基部分通常是苯基和亚苯基部分。有用的是，空穴输送主体材料是N，N，N',N'-四芳基联苯胺，其中式M的Are表示亚苯基并且η等于2。如上所述，第二发光层50r还可以包含9，10-二芳基蒽衍生物作为共主体。9，10-二芳基蒽衍生物可以存在的浓度范围是1体积％95体积％，有用的是25体积％75体积％。第二发光层501还可以包含黄色发光掺杂物。黄色发光掺杂物可以包括具有以下结构的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>其中A1A6和Α’工A’6表示在各环上的一个以上的取代基，并且其中各取代基各自选自以下类别之一类别1氢或具有124个碳原子的烷基；类别2具有520个碳原子的芳基或具有取代基的芳基；类别3可实现稠合芳环或环体系的含有424个碳原子的烃；类别4诸如噻唑基、呋喃基、噻吩基、吡啶基、喹啉基或者其它杂环体系等具有524个碳原子的杂芳基或具有取代基的杂芳基，这些杂芳基或具有取代基的杂芳基通过单键相连或实现稠合杂芳环体系；类别5具有124个碳原子的烷氧基氨基、烷基氨基或芳基氨基；或类别6氟或氰基。特别有用的黄色掺杂物的实例如Ricks等在共同转让的美国专利第7，252，893号中所示。可用在本发明中的其它OLED器件层在本领域中已经得到了较详尽的描述，OLED器件10和本说明书中所描述的其它这样的器件可以包括常用于这些器件的层。除了下述层和材料，可用的材料在其它文献中也有着详尽的描述，例如Klubek等已在以上引用的美国专利申请第11/668，515号中详细地描述了可用的材料，通过援引将其内容并入本说明书中。OLED器件通常在基片(例如OLED基片20)上形成。所述基片在本领域中已经得到了较详尽的描述。底电极形成在OLED基片20上方，并且最常见的是被构造为阳极30，尽管本发明的实践不限于这种构造。当通过阳极查看EL发射时，阳极应该对于所关注的发射是透明的，或者是基本上透明的。用于本发明中的常见透明阳极材料是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化锡，但也可以使用其它金属氧化物，这些金属氧化物包括但不限于铝或铟掺杂的氧化锌、氧化镁铟和氧化镍钨。除这些氧化物外，还可以使用诸如氮化镓等金属氮化物、诸如硒化锌等金属硒化物和诸如硫化锌等金属硫化物作为阳极。对于仅通过阴极电极查看EL发射的应用，阳极的透射特性并不重要，因此可以使用许多种导电材料，而无论其透明、不透明或反射与否。用于本发明的示例性导体包括但不限于金、铱、钼、钯和钼。典型的阳极材料，无论透射与否，都具有不小于4.OeV的功函数。诸如蒸发、溅射、化学气相沉积或电化学工艺等任何适当的方法都可以沉积所需的阳极材料。使用公知的光刻法，可使阳极材料图案化。可以在阳极上方形成和设置空穴输送层40。空穴输送层40可以包含OLED器件中有用的任何空穴输送材料，它们的许多实例对于本领域技术人员而言都是已知的。有用的空穴输送材料的一些实例在上文中作为空穴输送主体材料而描述，但是空穴输送层40不限于这些材料。诸如来自供体材料的蒸发、溅射、化学气相沉积、电化学工艺、热转移或激光热转移等任何适当的方法都可以沉积所需要的空穴输送材料。电子输送层55可以包含OLED器件中有用的任何电子输送材料，它们的许多实例对于本领域技术人员而言都是已知的。电子输送层55可以含有一种以上金属螯合化羟基喹啉酮化合物(metalchelatedoxinoidcompound)，包括羟基喹啉自身(其也常称作8_羟基喹啉(8-quinolinol或8-hydroxyquinoline))的螯合物。其它电子输送材料包括如美国专利第4，356，429号中所公开的各种丁二烯衍生物和如美国专利第4，539，507号中所描述的各种杂环荧光增白剂。氮茚、噁二唑、三唑、吡啶噻二唑、三嗪、邻菲咯啉衍生物和一些噻咯(Silole)衍生物也是可用的电子输送材料。Klubek等已在以上引用的美国专利申请第11/668，515号中描述了其它电子输送材料，通过援引将其内容并入本说明书中。最常被构造为阴极90的上电极形成在电子输送层55上方。如果器件是顶部发光的，则该电极必须是透明的或接近透明的。对于这种应用，金属必须要薄(优选小于25nm)或者必须使用透明导电氧化物(例如氧化铟锡、氧化铟锌)，或者组合使用这些材料。美国专利5，776，623中已经较详细地描述了光透明的阴极。通过蒸发、溅射或化学气相沉积可以沉积阴极材料。如果需要，可以通过许多公知的方法来实现图案化，所述方法包括但不限于掩模沉积、如美国专利第5，276，380号和EP0732868中所述的整体阴影掩模(integralshadowmasking)、激光烧蚀和选择性的化学气相沉积。OLED器件10还可以包含其它层。例如，可以如美国专利第4，720，432号、美国专利第6，208，075号、EP0891121Al和EP1029909Al所述，在阳极上方形成空穴注入层35。Son等在美国专利第6，720，573号中公开了可用具有以下结构的材料<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>Klubek等已在以上所引用的美国专利申请第11/668，515号中描述了其它空穴注入材料。在阴极90与电子输送层55之间还可以存在电子注入层，例如碱金属或碱土金属、碱金属卤化物盐、或碱金属或碱土金属掺杂的有机层。Klubek等已在以上所引用的美国专利申请第11/668，515号中描述了其它电子注入材料。现在参见图2，图2显示了本发明的OLED器件的另一个实施方式。OLED器件15包含OLED器件10的层，还包含第三发光层，例如黄色发光层50y，所述黄色发光层50y与第一和第二发光层50g和50r接触并产生黄色发光。发光层50y包含一种以上主体材料和黄色发光掺杂物。上文中已经描述了黄色发光掺杂物。理想的是，产生黄色发光的黄色发光掺杂物为红荧烯衍生物，即上述结构N2的化合物。主体可以包含如上所述的9，10-二芳基蒽、如上所述的N，N，N',N'-四芳基联苯胺或者它们的混合物作为共主体。现在参见图3，图3显示了本发明的OLED器件的又一个实施方式。OLED器件25包含OLED器件10的层，还包含第三发光层，例如蓝色发光层50b，所述蓝色发光层50b与第一发光层50g接触并产生蓝色发光。发光层50b包含一种以上主体材料和蓝色发光掺杂物。主体可以包含如上所述的9，10_二芳基蒽或者9，10_二芳基蒽与如上所述的N，N，N'，N'-四芳基联苯胺的混合物。蓝色发光化合物可以包括具有结构Q的二(吖嗪基)氮烯硼络合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>其中A和Α’表示独立的吖嗪环体系，所述吖嗪环体系对应于含有至少一个氮的6元芳环体系；(Xa)n和(Xb)m表示一个以上独立地选择的取代基，并包括无环取代基，或者结合起来以形成稠合于A或A’的环；m禾口η独立地为04;Za和Zb为独立地选择的取代基；1、2、3、4、1，、2，、3，和4’独立地选择为碳原子或氮原子；并且条件是对^^13、？3*1^』』、^’、？’』，和4’进行选择以提供蓝色发光。Ricks等在共同转让的美国专利第7，252，893号中公开了上述种类的掺杂物的一些实例。另一类蓝色掺杂物为茈类。具体可用的茈类蓝色掺杂物包括茈和四叔丁基茈类(TBP)。另一类蓝色掺杂物包括诸如二苯乙烯基苯、苯乙烯基联苯和二苯乙烯基联苯等苯乙烯基芳烃和二苯乙烯基芳烃的蓝色发光的衍生物，包括Helber等在美国专利第5，121，029号和美国专利申请第2006/0093856号公报中所述的化合物。在提供蓝色发光的这些衍生物中，具体可用的是取代有二芳基氨基的那些衍生物。其实例包括具有下示通式结构Rl的二[2-[4-[N,N-二芳基氨基]苯基]乙烯基]-苯<image>imageseeoriginaldocumentpage16</image>具有下示通式结构R2的[N，N-二芳基氨基][2-[4_[N,N-二芳基氨基]苯基]乙烯基]联苯<image>imageseeoriginaldocumentpage16</image>和具有下示通式结构R3的二[2-[4-[N，N-二芳基氨基]苯基]乙烯基]联苯<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>在式RlR3中，X1X4可以相同或不同，并各自表示一个以上取代基，例如烷基、芳基、稠合芳基、卤素或氰基。在一个优选实施方式中，X1X4各自为烷基，各含有1约10个碳原子。Ricks等在共同转让的美国专利第7，252，893号中公开了上述种类的特别优选的蓝色掺杂物。通过以下比较例，可以更好地理解本发明及其优点。实施例210是本发明的代表性实例，而实施例1是用于比较目的非发明性OLED器件的实例。被描述为真空沉积的层通过在约10_6托的真空下由加热的舟中蒸发而沉积。在沉积OLED层之后，将各器件转移至干燥箱中以进行封装。OLED的发光面积为10mm2。除褪色稳定性在80mA/cm2下测量之外，在电极间施加20mA/cm2的电流来测试器件。实施例110的结果提供在表1中。实施例1(比较用)1.通过溅射在清洁的玻璃基片上沉积氧化铟锡(ITO)，以形成60nm厚的透明电极。2.使用等离子体氧蚀刻处理如上制备的ITO表面。3.通过真空沉积IOnm厚的六氰基六氮杂苯并菲(CHATP)层作为空穴注入层(HIL)来进一步处理如上制备的基片。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>4.通过真空沉积lOnm厚的4，4'-二[N_(l_萘基)_N_苯氨基]联苯(NPB)层作为空穴输送层(HTL)来进一步处理如上制备的基片。5.通过真空沉积20nm厚的红色发光层来进一步处理如上制备的基片，所述红色发光层包含94.5%的NPB作为主体和5%的二苯基四叔丁基红荧烯(PTBR)作为黄色发光掺杂物及0.5%的二苯并{[f，f，]-4，4，，7，7，-四苯基}二茚并-[1,2,3-cd1，，2，3，-Im]茈(TPDBP)作为红色发光掺杂物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>6.通过真空沉积40nm厚的绿色发光层来进一步处理如上制备的基片，所述绿色发光层包含84.5%的2-苯基-9，10-二(2-萘基)蒽(PBNA)和15%的NPB作为共主体及0.5%的二苯基喹吖啶酮(DPQ)作为绿色发光掺杂物。7.通过真空沉积20nm厚的蓝色发光层来进一步处理如上制备的基片，所述蓝色发光层包含99%的PBNA主体和1%的BEP作为蓝色发光掺杂物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>8.真空沉积40nm厚的混合电子输送层，所述混合电子输送层包含49%的4，7~二苯基-1，10-邻菲咯啉(也称为bathophen或Bphen)和49%的三(8-羟基喹啉)铝(III)(ALQ)作为共主体及2%的Li金属。9.向基片上蒸发沉积IOOnm厚的铝层，以形成阴极层。实施例2(发明件)如以上实施例1所述构造OLED器件，不同之处在于步骤6如下6.通过真空沉积40nm厚的绿色发光层来进一步处理如上制备的基片，所述绿色发光层包含90%的PBNA作为主体和10%的2，6-双(二苯基氨基)-9，10-二苯基蒽作为绿色发光掺杂物。实施例3(发明件)1.通过溅射在清洁的玻璃基片上沉积ΙΤ0，以形成60nm厚的透明电极。2.使用等离子体氧蚀刻处理如上制备的ITO表面。3.通过真空沉积IOnm厚的CHATP层作为HIL来进一步处理如上制备的基片。4.通过真空沉积IOnm厚的NPB层作为HTL来进一步处理如上制备的基片。5.通过真空沉积20nm厚的红色发光层来进一步处理如上制备的基片，所述红色发光层包含94.5%的NPB作为主体和5%的PTBR作为黄色发光掺杂物及0.5%的TPDBP作为红色发光掺杂物。6.通过真空沉积40nm厚的绿色发光层来进一步处理如上制备的基片，所述绿色发光层包含89%的PBNA作为主体、10%的2，6-双(二苯基氨基)-9，10-二苯基蒽作为绿色发光掺杂物及的BEP作为稳定剂。7.真空沉积40nm厚的混合电子输送层，所述混合电子输送层包含49%的Bphen、49%的ALQ及2%的Li金属。8.向基片上蒸发沉积IOOnm厚的铝层，以形成阴极层。实施例4(发明件)如以上实施例3所述构造OLED器件，不同之处在于步骤6如下6.通过真空沉积40nm厚的绿色发光层来进一步处理如上制备的基片，所述绿色发光层包含89.7%的PBNA作为主体、10%的2，6-双(二苯基氨基)-9，10-二苯基蒽作为绿色发光掺杂物及0.3%的二苯基喹吖啶酮(DPQ)作为稳定剂。实施例5(发明件)如以上实施例3所述构造OLED器件，不同之处在于步骤5如下5.通过真空沉积20nm厚的红色发光层来进一步处理如上制备的基片，所述红色发光层包含99.5%的NPB作为主体及0.5%的TPDBP作为红色发光掺杂物。实施例6(发明件)如以上实施例3所述构造OLED器件，不同之处在于步骤5如下5.通过真空沉积20nm厚的红色发光层来进一步处理如上制备的基片，所述红色发光层包含69.5%的NPB和30%的9-(1-萘基)-10-(2-萘基)蒽(NNA)作为共主体及0.5%的TPDBP作为红色发光掺杂物。实施例7(发明性)如以上实施例6所述构造OLED器件，不同之处在于步骤5中使用39.5%的NPB和60%的NNA作为共主体。实施例8(发明性)1.通过溅射在清洁的玻璃基片上沉积ΙΤ0，以形成60nm厚的透明电极。2.使用等离子体氧蚀刻处理如上制备的ITO表面。3.通过真空沉积IOnm厚的CHATP层作为HIL来进一步处理如上制备的基片。4.通过真空沉积IOnm厚的NPB层作为HTL来进一步处理如上制备的基片。5.通过真空沉积20nm厚的红色发光层来进一步处理如上制备的基片，所述红色发光层包含74.5%的NPB和25%的NNA作为共主体及0.5%的TPDBP作为红色发光掺杂物。6.通过真空沉积4nm厚的黄色发光层来进一步处理如上制备的基片，所述黄色发光层包含74%的NPB和24%的NNA作为共主体及2%的橙黄色发光掺杂物PTBR。7.通过真空沉积40nm厚的绿色发光层来进一步处理如上制备的基片，所述绿色发光层包含91.5%的PBNA作为主体、7.5%的2，6-双(二苯基氨基)-9，10-二苯基蒽作为绿色发光掺杂物及的BEP作为稳定剂。8.真空沉积40nm厚的混合电子输送层，所述混合电子输送层包含49%的Bphen、49%的ALQ及2%的Li金属。9.向基片上蒸发沉积IOOnm厚的铝层，以形成阴极层。实施例9(发明件)如以上实施例8所述构造OLED器件，不同之处在于步骤6中使用的是24%的NPB和74%的NNA。实施例10(发明件)如以上实施例8所述构造OLED器件，不同之处在于，在步骤7中使用91.5%的2，9，10-三(2-萘基)蒽代替PBNA作为主体。这些实施例的测试结果显示在下表1中。发明性实施例(210)显示出较之比较用实施例获得了改善的发光效率、量子效率和对色调随不同电流而变化的抵抗性。还显示了相似的电压要求。<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>15OLED器件20基片25OLED器件30阳极35空穴注入层40空穴输送层50y黄色发光层50b蓝色发光层50r红色发光层50g绿色发光层55电子输送层90阴极权利要求一种OLED器件，所述器件具有两个隔开的电极，并且包含(a)第一发光层，所述第一发光层产生绿色发光，并包含(i)蒽主体；和(ii)2，6-二氨基蒽发光掺杂物；和(b)第二发光层，所述第二发光层产生红色发光，并包含主体和红色发光掺杂物。2.如权利要求1所述的OLED器件，其中，所述蒽主体为9，10-二芳基蒽。3.如权利要求2所述的OLED器件，其中，所述蒽主体为2，9，10-三芳基蒽。4.如权利要求3所述的OLED器件，其中，所述蒽主体为2，6，9，10-四芳基蒽。5.如权利要求1所述的OLED器件，其中，所述2，6-二氨基蒽发光掺杂物为2，6，9-三氨基蒽。6.如权利要求5所述的OLED器件，其中，所述2，6，9_三氨基蒽发光掺杂物为2，6，9，10-四氨基蒽。7.如权利要求1所述的OLED器件，其中，所述第一发光层还包含蓝色发光掺杂物。8.如权利要求1所述的OLED器件，其中，所述第一发光层与所述第二发光层接触。9.如权利要求1所述的OLED器件，其中，所述红色发光掺杂物为二茚并茈化合物。10.如权利要求1所述的OLED器件，其中，所述第二发光层主体为芳香胺。11.如权利要求10所述的OLED器件，其中，所述芳香胺为N，N，N’，N’_四芳基联苯胺。12.如权利要求10所述的OLED器件，其中，所述第二发光层还包含9，10-二芳基蒽衍生物共主体。13.如权利要求1所述的OLED器件，其中，所述第二发光层还包含黄色发光掺杂物。14.如权利要求1所述的OLED器件，所述器件还包含第三发光层，所述第三发光层与所述第一发光层和第二发光层接触并产生黄色发光。15.如权利要求14所述的OLED器件，其中，所述黄色发光由红荧烯衍生物掺杂物产生。16.如权利要求15所述的OLED器件，其中，所述黄色发光层还包含N，N，N'，N’-四芳基联苯胺与9，10-二芳基蒽的混合物作为共主体。17.如权利要求1所述的OLED器件，所述器件还包含第三发光层，所述第三发光层与所述第一发光层接触并产生蓝色发光。全文摘要本发明涉及一种OLED器件，所述器件具有两个隔开的电极(30，90)，并且包含第一发光层(50g)和第二发光层(50r)，所述第一发光层(50g)产生绿光发射并包含蒽主体和2，6-二氨基蒽发光掺杂物，所述第二发光层(50r)产生红色发光并包含主体和红色发光掺杂物。文档编号H01L51/54GK101803060SQ200880107927公开日2010年8月11日申请日期2008年8月6日优先权日2007年8月20日发明者凯文·保罗·鲁贝克,图卡拉姆·姬珊·哈特瓦尔,杰弗里·保罗·斯皮德勒申请人:全球Oled科技有限责任公司