专利名称：：电介质陶瓷组合物和电子部件的制作方法
技术领域：
：本发明涉及在电子部件的电介质层等中使用的电介质陶瓷组合物，进而详细来说，涉及具有高介电常数，同时温度特性较好、介电损耗低、且绝缘电阻和交流击穿电压高的电介质陶瓷组合物以及使用该电介质陶瓷组合物的电子部件。
背景技术：
：近年来，伴随着急速进行的电子仪器的高性能化，电子电路的小型化、复杂化也在迅猛发展。因而电子部件也被要求进一步的小型化、高性能化。即，为了维持良好的温度特性，同时即使对于小型化也可维持静电容量，人们要求介电常数高的电介质陶瓷组合物和电子部件，进而为了在高电压下使用，还要求交流击穿电压高的电介质陶瓷组合物和电子部件。作为介电常数高、进而交流击穿电压也高的电介质陶瓷组合物，例如在特开2006-096576号公报中得到公开。但是，在该现有例中，烧成温度高达1400°C，另外在电极形成时使用溅射法等的薄膜形成法，因此制备成本变高。另一方面，在特开2003-104774号公报中同样介绍了介电常数或交流击穿电压良好、且不使用薄膜形成法的例子，但在上述现有例中，作为添加物，将Mn换算成MnO时含有2重量％，因此在形成价格便宜的Cu电极时通过暴露在还原氛围中，而使电介质被还原，有可靠性变差的担心。
发明内容本发明是鉴于这种现状而作出的发明，其目的在于提供电介质陶瓷组合物，其在较低的温度下可进行电介质的烧结，进而具有高介电常数，同时温度特性好、进而介电损耗低、绝缘电阻高，且交流击穿电压高。另外，本发明的目的还在于提供使用这种电介质陶瓷组合物得到的电子部件。本发明人们为了达到上述目的进行了努力研究，结果发现通过使电介质陶瓷组合物的组成为特定的成分、并使它们的比例在规定范围，可以实现上述目的，并完成本发明。g卩，对于解决上述课题的本发明的第l观点的电介质陶瓷组合物，其具有用通式(Ba^-yCaxSryUTi^ZigOs表示的主成分，包含选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y的至少1种元素的化合物的第1副成分，和包含选自Si和Ag的至少1种元素的化合物的第2副成分，其特征在于，在上述通式中，0.02《x復3、0举0.05、0.06《z復2，且0.995《m《1.015，相对于上述主成分100摩尔％，上述第1副成分以各金属元素换算含有4摩尔％以下(但不含零)，相对于上述主成分100摩尔％，上述第2副成分以各金属元素换算含有3摩尔％以下(但不含零)。对于解决上述课题的本发明的第2观点的电介质陶瓷组合物，其具有用通式(Ba^-yCaxSryUTi^ZrJOs表示的主成分，包含选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y的至少1种元素的化合物的第1副成分，和包含选自Si和Ag的至少1种元素的化合物的第2副成分，其特征在于，在上述通式中，0.02《x復3、0举0.05、0.06《z復2、且1.01《m《1.035，相对于上述主成分100摩尔％，上述第1副成分以各金属元素换算含有4摩尔％以下(但不含零)，相对于上述主成分100摩尔％，上述第2副成分以各金属元素换算含有3摩尔％以下(但不含零)。并且，在本发明中"化合物"主要是指氧化物，但也可以是与其它元素的化合物，或者与其它化合物的复合化合物。根据本发明，可以提供具有由上述电介质陶瓷组合物构成的电介质层的电子部件。本发明的电子部件没有特别地限定，优选列举在开关电源电路中，以除去噪音为目的的作为Y电容器使用的电容器。根据本发明，可以得到电介质陶瓷组合物，其能够在较低温度下进行烧成，进而具有高介电常数，同时温度特性好、进而介电损耗低、绝缘电阻高，且交流电压高。另外，可以得到安全规格认定为中高压的电容器，其具有高介电常数，同时温度特性较好、进而介电损耗低、绝缘电阻高，且交流击穿电压高。以下，基于附图中所示的实施方案说明本发明。图l(A)是本发明一实施方案的陶瓷电容器的主视图，图l(B)是本发明一实施方案的陶瓷电容器的侧面截面图。具体实施例方式陶瓷电容器2如图l(A)、图1(B)所示，本实施方案的陶瓷电容器2形成具有电介质层10、在其对向表面上形成的一对端子电极12，14、和分别在该端子电极12，14上连接的管脚56，8这样的构成，它们被保护树脂4覆盖。陶瓷电容器2的形状可以根据目的或用途适当决定，优选是电介质层10形成圆板形状的圆板型的电容器。另外，其尺寸可以根据目的或用途适当决定，通常直径为520mm左右，优选515mm左右。电介质层10在本发明的第l观点中，电介质层IO含有本发明第l观点的电介质陶瓷组合物。本发明的第1观点的电介质陶瓷组合物是具有用通式(BLyCa,yUTi^Zr》03表示的主成分，包含选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y的至少1种元素的化合物的第1副成分，和包含选自Si和Ag的至少1种元素的化合物的第2副成分的电介质陶瓷组合物。在上述第l观点的通式中，0.995《m《1.015，优选0.997《m《1.007。在本发明的第2观点中，电介质层10含有本发明的第2观点的电介质陶瓷组合物。本发明的第2观点的电介质陶瓷组合物是具有用通式(Bai—x—yCa,yUTiLzZrz)03表示的主成分，包含选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y的至少1种元素的化合物的第1副成分，和包含选自Si和Ag的至少1种元素的化合物的第2副成分的电介质陶瓷组合物。并且，在本发明的第2观点的电介质陶瓷组合物的主成分中，杂质以氧化物换算含有103000ppm。杂质可以列举例如Nb、P、Fe、Al或者Si的化合物(例如氧化物)。在上述第2观点的通式中，1.010《m《1.035，优选1.011《m《1.026。在上述第1观点和第2观点的通式中，x表示Ca的比例，0.02^c幼.3，优选0.05^c幼.2。Ca的含有在提高烧结性和交流击穿电压方面具有效果，但其含量如果过于少，则烧结性有变差的倾向，如果含量过于多，则有相对介电常数降低的倾向。在上述第1观点和第2观点的通式中，y表示Sr的比例，0《y幼.05，优选0《y《0.03。Sr的含有在提高相对介电常数方面具有效果，但如果含量过于多，则高温侧的容量温度特性有变差的倾向。在上述第1观点和第2观点的通式中，z表示Zr的比例，0.06。《0.2，优选0.06。幼.15。Zr的含有在提高低温侧的容量温度特性和交流击穿电压方面具有效果，但如果含量过于少，则低温侧的容量温度特性有变差的倾向，如果过于多，则高温侧的容量温度特性有变差的倾向。通过含有上述第l副成分，具有改善相对介电常数、低温侧的容量温度特性和交流击穿电压的效果。在上述第l副成分中，特别优选Y、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho，进而优选Y、Tb、Dy的化合物。上述第1副成分的含量相对于上述主成分100摩尔％，对于每种金属元素为4摩尔％以下(但不含零)，优选13.5摩尔％。当上述第l副成分的含量过于多时，烧结性有变差的倾向，当过于少时，低温侧的容量温度特性有变差的倾向。6另外，本发明的电介质陶瓷组合物的第l副成分优选包含选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y的2种元素的化合物，进而优选Y的化合物和La的化合物。在作为第l副成分选择的、选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y的2种元素中，如果将离子半径小的元素以元素换算的含量记作A摩尔、并将离子半径大的元素以元素换算的含量记作B摩尔，B/A的值优选为0.27，更优选0.24。当B/A的值小时，ACVB的值变小，当B/A的值大时，介电常数降低。通过含有上述第2副成分，具有提高高温侧的容量温度特性和烧结性的效果。在上述第2副成分中，特别优选Si的化合物。上述第2副成分的含量相对于上述主成分100摩尔％，对于每种金属元素为3摩尔％以下(但不含零)，优选0.32摩尔％。当上述第2副成分的含量过于多时，有相对介电常数变差的倾向，当过于少时，有烧结性变差的倾向。本发明的电介质陶瓷组合物优选进而含有选自Fe、Co、Ni、Cu和Zn的至少l种元素的化合物作为第3副成分。在上述第3副成分中，特别优选Fe、Ni、Cu，进而优选Fe、Cu的化合物。通过含有第3副成分，具有提高低温侧的容量温度特性的效果。另外，含有上述第3副成分还具有提高烧结性的效果。上述第3副成分的含量相对于上述主成分100摩尔％，对于每种金属元素为0.6摩尔％以下，优选0.3摩尔％以下。当上述第3副成分的含量过于多时，有高温侧的容量温度特性变差的倾向。本发明的电介质陶瓷组合物优选进而含有选自Nb、Ta、W、Ga、Ge和Hf的至少l种元素的化合物作为第4副成分。在上述第4副成分中，特别优选Nb、Ta、W，进而优选Nb、W的化合物。通过含有第4副成分，具有提高相对介电常数和低温侧的容量温度特性的效果。上述第4副成分的含量相对于上述主成分，以各金属元素换算为0.01摩尔以上、1摩尔％以下。即使以比上述量多的量添加，特性的提高也少，因此从增加原料价格的观点考虑，不是优选的。并且，本发明的电介质陶瓷组合物基本上不含有铅。"基本上不含有铅"是指不含有超过不能说是杂质水平的量的铅的意思，如果是杂质水平的量(例如，电介质陶瓷组合物中的含量为100ppm以下)，也可以含有。如果在上述电介质陶瓷组合物中含有超过不能说是杂质水平的量的铅，则从保护环境的角度考虑不是优选的。电介质层10的厚度没有特别地限定，可以根据用途等适当决定，优选为0.32mm。通过使电介质层10的厚度在该范围内，可以优选用于中高压用途。端子电极12，14端子电极12，14由导电材料构成。在端子电极12，14中使用的导电材料可以列举例如Cu、Cu合金、Ag、Ag合金、In-Ga合金等。陶瓷电容器的制备方法其次，对于本实施方案的陶瓷电容器的制备方法进行说明。首先，制备在烧成后将形成如图1所示的电介质层10的电介质陶瓷组合物粉末。首先，准备主成分的原料和各副成分的原料。主成分的原料可以列举Ba、Sr、Ca、Ti、Zr的各氧化物和/或通过烧成形成氧化物的原料，或它们的复合氧化物等，例如可以使用BaCC^、SrC03、CaC03、Ti02、ZrC^等。其他还可以使用例如氢氧化物等、在烧成后形成氧化物或钛化合物的各种化合物。此时，可以适当改变含量，以使金属元素的元素数相配。另外，主成分的原料可以通过固相法制备，也可以通过水热合成法或草酸盐法等的液相法来制备，从制备成本的角度考虑，优选通过固相法制备。各副成分的原料没有特别地限定，可以从上述各副成分的氧化物或复合氧化物、或者通过烧成形成这些氧化物或复合氧化物的各种化合物、例如碳酸盐、硝酸盐、氢氧化物、有机金属化合物等中适当选择使用。其次，将主成分和副成分的原料以形成上述规定组成的方式配合，并使用球磨机等进行湿式混合。然后将所得混合物进行造粒、成型，通过将得到的成型物在空气氛围中进行煅烧，可以得到煅烧粉。接着，将得到的煅烧粉进行粗粉碎，进而进行湿式粉碎，制成电介质陶瓷组合物粉末。作为煅烧条件，例如煅烧温度优选为1000130(TC，煅烧时间优选为0.54小时。并且，也可以将主成分的原料和副成分的原料分别煅烧后，进行混合来制成电介质陶瓷组合物粉末，也可以不煅烧副成分的原料，而使其与主成分的原料混合，来制成电介质陶瓷组合物粉末。如上所述，通过利用固相法来制备电介质陶瓷组合物粉末，可以实现期望的特性，同时能够谋求制备成本的降低。其次，将得到的电介质陶瓷组合物粉末使用粘合剂等进行造粒，将所得造粒物成型为具有规定尺寸的圆板状，由此制成生片成型体。然后通过将所得生片成型体进行烧成来得到电介质陶瓷组合物的烧结体。并且，烧成的条件没有特别地限定，保持温度优选为12001400°C，更优选12501350°C，优选烧成氛围为在空气中烧成。在所得电介质陶瓷组合物的烧结体的主表面上印刷端子电极，根据需要进行烧结，由此形成端子电极12，14。然后在端子电极12，14上通过钎焊焊接等接合管脚6，8，最后用保护树脂4覆盖元件主体，由此得到如图1(A)、图1(B)所示的单板型陶瓷电容器。这样制备的本发明的陶瓷电容器通过管脚6，8安装在印刷基板上等，在各种电子仪器等中使用。以上对于本发明的实施方案进行了说明，但本发明不受这种实施方案的任何限定，在不脱离本发明宗旨的范围内，当然能够以各种不同的方式进行实施。例如，在上述实施方案中，本发明的电子部件可以列举电介质层为单层的单板型陶瓷电容器，但本发明的电子部件不限定于单板型陶瓷电容器，也可以是通过使用了含有上述电介质陶瓷组合物的电介质糊状物和电极糊状物的普通印刷法或片材法()一卜法)进行制备的叠层型陶瓷电容器。实施例进而详细地说明本发明，但本发明不限定于这些实施例。实施例1首先，分别准备BaC03、SrC03、CaC03、Ti02和Zr02作为主成分原料。将准备的这些原料分别称量以形成表l、3和5所示的组成(摩尔％)，通过使用水作为溶剂的球磨机进行湿式混合。并且，表l、3和5所示的各副成分的含量以各金属元素换算为表中所述。其次，将所得混合物干燥后，添加5重量％的水进行造粒、成型。然后将所得成型物在空气中、1150°C、2小时的条件下进行煅烧。用研磨机(6^力>^機)将煅烧后的粉体粗粉碎并通过筛网(乂'7*-"》)后，进而进行湿式粉碎。通过将其干燥，可以得到具有表1、3和5所示的各组成(样品编号172的各组成)的电介质陶瓷组合物粉末。接着，相对于所得电介质陶瓷组合物粉末100重量％，添加聚乙烯醇水溶液10重量％，接着进行造粒，并通过筛网后，将得到的造粒粉在3t/cm2的压力下进行成型，由此得到直径为12mm、厚度约为1.2mm的圆板状的生片成型体。接着，通过将得到的生片成型体在空气中、13001350°C、2小时的条件下进行烧成，可以得到圆板状的烧结体。然后在得到的烧结体的主表面上涂布Ag电极，进而在空气中、65(TC下进行20分钟的烧结处理，由此得到如图l所示的圆板状的陶瓷电容器的样品(样品编号172)。所得电容器样品的电介质层10的厚度约为lmm。然后对于得到的各电容器样品，通过以下方法分别评价相对介电常数、介电损耗、绝缘电阻、容量温度特性、和交流击穿电压。评价结果示于表2、4和6。相对介电常数e相对介电常数e由静电容量算出(没有单位)，所述静电容量如下述那样测定，即，对于电容器样品，在2(TC的标准温度下，通过数字LCR计(YHP社制4274A)在频率数为lkHz，输入信号水平(测定电压)为l.OVrms的条件下进行测定。相对介电常数越高，越是优选的，在本实施例中，相对介电常数为8000以上为良好。介电损耗(tan5)介电损耗(tanS)如下述那样测定，g卩，对于电容器样品，在2(TC的标准温度下，通过数字LCR计(YHP社制4274A)在频率数为lkHz，输入信号水平(测定电压)为l.OVrms的条件下进行测定。介电损耗越低越是优选的，在本实施例中，介电损耗为3%以下为良好。绝缘电阻(IR)绝缘电阻(IR)如下述那样测定，S卩，对于电容器样品，使用绝缘电阻计(7K">于^卜社制R8340A)在20。C下测定外加60秒的DC100V之后的绝缘电阻IR。绝缘电阻越高越是优选的，在本实施例中，绝缘电阻为1X1(^MQ以上为良好。容暈温度特性对于电容器样品，在-2585t:的温度范围测定静电容量，算出相对于2(TC时静电容量的-251:和85t:的静电容量的变化率(单位％)。在本实施例中，容量变化率在+20%-55%的范围(JIS规格的E特性)为良好。交流击穿电压(ACVB)9[OO98]交流击穿电压(ACVB)如下述那样测定，g卩，对于电容器的样品，在电容器的两端以100V/s的速度缓慢施加交流电压，测定100mA的漏电流流动时的电压作为交流击穿电压。交流击穿电压越高越是优选的，在本实施例中，交流击穿电压为4.0kV/mm以上为良好。实施例2与实施例1同样来得到各电容器样品，分别评价相对介电常数、介电损耗、绝缘电阻、容量温度特性、和交流击穿电压。各样品的组成和评价结果示于表710。并且，对于实施例1的样品1"的组成(表i、3和5)，假设没有杂质、即纯度为100%这样来表述各组成。相对于此，实施例2的样品ls80s、82s88s的组成(表7和9)是考虑在主成分中含有的纯度而形成的数值。本实施例中使用的电介质陶瓷组合物的各主成分的纯度约为"％。杂质主要为Nb的化合物。表l红.]第l副成分第2副成分第3副成分1-x-vx卜zzm含^(mo伐:'n("由，0,12001謂0."l扁Y03/22-Si02UCuO※200，u,幼0-111膽u0-，30-9G國0.010-89o，u1000Y03/22Si02，■，CliOo,，40,720.27auiO.的o'"1哪Y03/2SM1.1CljOtu※50.67。,M0.0，0.890,"I.O加Y03/22SiO1,，CuOo.，0.840，0[J50加0,"1,,Y03/22Si021-1GuO0.1※？0.810".0做0.890.11〗咖2Si021.，GuOo.，(U2aoi095l細Y03/:1.1CuOo.，9,CM20-010.820.1Bl細額/22Si021.1CuOO.l,00.370120.010,78。■"〗0002Si021.1C"O(M※1，0-370.120.010,89a"C卯JY03/22"0JJ20.870,120.010.890,995Y03"2Si02CuOo.，130.120.010.89au1.005Y03/22Si02，。1CuOcuH額0.120.01O,的0."1細Y03/22S〗021.1CuOo.，i50.870.12o川O.的0,"1,015Y03/2Si02GtiOo.t※16as0-10,010,S80."[咖Y03/22S咖1—1CuO0.1糸，70.120.010卵0.1，1扁Y03/2Si02CiiO(U180.87o川0.89cni1.000Y03/20.4Si02CuO0,1CU2O力l0,890,"1扁Y03/2Si02CkiOo.，鄉0.87(M2o,cn0-890,"Y03/2Si02CljOG.，210,870.12aoi0.89an^.固Y03/2Si021.，CiiOC90-870"om0.890.11咖2Si02，,lCuO0,0523as70.12aoi,a"賴o2Si02uCuO0,&240.120.01089a."1.000Y03/22Si021'1cuo1as10表2样品<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>表4<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>表8<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>表中的"*"表示权利要求l的比较例。表中的表示权利要求3的比较例。<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>满足容量变化率+20%-55%。由此可知，含有Sr具有提高相对介电常数的效果，当含量过于多时，高温侧的容量温度特性有变差的倾向。样品编号1、810对于样品编号l、810，除了作为Zr的比率的z值以外，其它组成相等。样品编号l和9在本发明的范围内，z值较大的样品编号9与样品编号l相比，低温侧的容量温度特性表现为良好的数值，交流击穿电压也高。另一方面，对于z值比本发明范围小的样品编号8，低温侧的容量温度特性不满足容量变化率+20%-55%，对于z值比本发明范围大的样品编号IO，高温侧的容量温度特性不满足容量变化率+20%-55%。由此可知，含有Zr具有提高低温侧的容量温度特性的效果，当含量过于少时，有低温侧的容量温度特性变差的倾向，当过于多时，有高温侧的容量温度特性变差的倾向。样品编号1和1116对于样品编号1和1116，x、y、z的值和第l副成分、第2副成分的量相等，仅表示(Bai-x-yCaxSry)与(Ti^ZrJC^的比例m的值不同。在样品编号1和1116中，对于m值在本发明范围内含有的样品编号1和1215，满足相对介电常数为8000以上、介电损耗为3%以下、-251:851:范围下的容量变化率为+20%-55%、交流击穿电压为4.0kV/mm以上的范围。样品编号1和1720对于样品编号1和1720，除了第l副成分的含量以外，其它组成相等。样品编号l、18和19在本发明的范围内，第l副成分的含量越多，相对介电常数和交流击穿电压越高。另一方面，对于第1副成分的含量比本发明范围多的样品编号20，形成烧结不足，对于第1副成分的含量少的样品编号17，不满足在低温侧的容量变化率+20%-55%。由此可知，含有第1副成分具有提高相对介电常数、交流击穿电压和低温侧的容量温度特性的效果，当含量过于多时，有烧结性变差的倾向。样品编号1和2531对于样品编号1和2531，除了第2副成分的含量以外，其它组成相等。样品编号1和2630在本发明的范围内，第2副成分的含量越多，高温侧的容量温度特性表现越良好的数值。另一方面，对于第2副成分的含量比本发明范围多的样品编号31，相对介电常数不满足8000以上，对于第2副成分的含量比本发明范围小的样品编号25，形成烧结不足。由此可知，含有第2副成分具有提高高温侧的容量温度特性和烧结性的效果，当含量过于多时，有相对介电常数降低的倾向，当过于少时，有烧结性变差的倾向。样品编号1和2531与样品编号3236样品编号1和2531与样品编号3236在第2副成分为Si02或者Ag20这方面有所不同。对于绝缘电阻、高温侧的容量温度特性，&02表现比较良好的数值，对于介电损耗、低温侧的容量温度特性、交流击穿电压，AfeO表现比较良好的数值。样品编号1和2124对于样品编号1和2124，除了第3副成分的含量以外，其它组成相等。样品编号1、22和23与完全不含有第3副成分的样品编号21相比，低温侧的容量温度特性表现良好的数值。另一方面，对于第3副成分的含量比本发明范围多的样品编号24，高温侧的容量温度特性不满足容量变化率+20%-55%。由此可知，第3副成分具有提高低温侧的容量温度特性的效果，当含量过于多时，高温侧的容量温度特性有变差的倾向。样品编号1与样品编号5572对于样品编号1与样品编号5572，在样品编号5572含有第4副成分而样品编号1不含有这一方面有所不同。当将样品编号1和样品编号5572进行比较时，样品编号5572有相对介电常数高的倾向，另外对于低温侧的容量温度特性表现良好的数值。由此可知，含有第4副成分具有提高低温侧的容量温度特性的效果。由表16可知，当电介质陶瓷组合物的组成在本发明的范围内时，相对介电常数为8000以上，介电损耗为3%以下，-251:851:范围下的容量变化率为+20%-55%，交流击穿电压为4.0kV/mm以上。g卩，可以确认，通过使作为主成分的电介质氧化物的组成在本发明的范围内，可以良好地保持相对介电常数和容量温度特性，同时降低介电损耗，提高绝缘电阻和交流击穿电压。相对于此，当电介质陶瓷组合物的组成在本发明的范围外时，可以确认相对介电常数、容量温度特性、介电损耗、绝缘电阻和交流击穿电压的至少l者变差。样品编号64s和74s80s对于样品编号64s和74s80s，除了在第1副成分中含有的稀土类元素中离子半径较大的元素的含量(B)以外，其它组成相等。样品编号74s与含有Y元素化合物(A)、但完全不含有La元素化合物(B)的样品编号64s相比，交流击穿电压表现良好的数值，通过第1副成分含有2种元素，可以确认具有提高交流击穿电压的效果。另外，可以确认当La元素化合物(B)的含量相对于Y元素化合物(A)的比例(B/A)为0.27、更优选为0.24时，相对介电常数与交流击穿电压的平衡是良好的。20权利要求电介质陶瓷组合物，其具有用通式(Ba1-x-yCaxSry)m(Ti1-zZrz)O3表示的主成分，包含选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y的至少1种元素的化合物的第1副成分，和包含选自Si和Ag的至少1种元素的化合物的第2副成分，其特征在于，在上述通式中，0.02≤x≤0.3、0≤y≤0.05、0.06≤z≤0.2，且0.995≤m≤1.015，相对于上述主成分100摩尔％，上述第1副成分以各金属元素换算含有4摩尔％以下(但不含零)，相对于上述主成分100摩尔％，上述第2副成分以各金属元素换算含有3摩尔％以下(但不合零)。2.电介质陶瓷组合物，其具有用通式(BLyCaxSryUTi^Zig03表示的主成分，包含选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu禾口Y的至少1种元素的化合物的第1副成分，和包含选自Si和Ag的至少1种元素的化合物的第2副成分，其特征在于，在上述通式中，0.02《x《0.3、0gy復05、0.06《z《0.2、且1.010《m《1.035，相对于上述主成分100摩尔％，上述第1副成分以各金属元素换算含有4摩尔％以下(但不含零)，相对于上述主成分100摩尔％，上述第2副成分以各金属元素换算含有3摩尔％以下(但不含零)。3.如权利要求1或2所述的电介质陶瓷组合物，其特征在于，上述第l副成分包含选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y的2种元素的化合物。4.如权利要求1或2所述的电介质陶瓷组合物，其特征在于，上述电介质陶瓷组合物含有第3副成分，该第3副成分包含选自Fe、Co、Ni、Cu和Zn的至少1种元素的化合物，该第3副成分相对于上述主成分100摩尔％，以各金属元素换算含有0.6摩尔％以下。5.如权利要求2所述的电介质陶瓷组合物，其中，上述杂质包含Nb、P、Fe、Al或者Si的化合物。6.如权利要求1或2所述的电介质陶瓷组合物，其特征在于，上述电介质陶瓷组合物还含有第4副成分，该第4副成分包含选自Nb、Ta、W、Ga、Ge和Hf的至少1种的化合物，该第4副成分相对于上述主成分100摩尔％，以各金属元素换算含有0.01摩尔％以上且1摩尔％以下。7.电子部件，其使用了如权利要求1或2所述的电介质陶瓷组合物。全文摘要本发明涉及电介质陶瓷组合物和电子部件。本发明的电介质陶瓷组合物具有用通式(Ba1-x-yCaxSry)m(Ti1-zZrz)O3表示的主成分；包含选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y的至少1种元素的化合物的第1副成分；和包含选自Si和Ag的至少1种元素的化合物的第2副成分。文档编号H01G4/12GK101691298SQ200910006620公开日2010年4月7日申请日期2009年2月5日优先权日2008年2月5日发明者佐佐木则夫,梅田裕二,阿部贤申请人:Tdk株式会社