专利名称：一种改良型多芯片双基岛的sot封装结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及集成电路封装技术领域，具体为一种改良型多芯片双基岛的 SOT封装结构。
(二)
背景技术：
现有的SOT(小外形晶体管)封装结构，见图l，其在一个塑封体上有一个基 岛，当其需要两种芯片组合的时候，现有技术是将两块芯片分别封装在两个的 塑封体上，然后两个塑封体通过外部连线连接，其性能稳定性不强，制造成本 高，且不能满足电子行业小型化、微型化的发展需求。
(三)
发明内容
针对上述问题，本发明提供了一种改良型多芯片双基岛的SOT封装结构， 其性能稳定性强，制造成本低，满足电子行业小型化、微型化的发展需求。
一种改良型多芯片双基岛的SOT封装结构，其技术方案是这样的其包括 塑封体、外引脚、芯片、基岛，其特征在于所述塑封体上有两个基岛，所述 芯片分别安装于所述两个基岛上，所述两个基岛对应连接所述外引脚。
本发明的上述结构中，由于所述塑封体上有两个基岛，所述芯片分别安装 于所述两个基岛上，所述两个基岛对应连接所述外引脚，由于其将两个相关联 的芯片安装在一个塑封体内部的两个基岛上，其性能的稳定性得到增强，其由 原来的两个塑封体縮减为一个塑封体，故其制造成本得到降低，且其满足电子 行业小型化、微型化的发展需求。
(四)
图1为现有SOT封装结构主视图的示意图； 图2为本发明主视图的左视图。
(五)
具体实施例方式
见图2，其包括塑封体l、外引脚2、芯片3、基岛4,塑封体l上有两个基 岛4、 5，芯片3、 6分别安装于两个基岛4、 5上，两个基岛4、 5对应连接外引 脚2。
权利要求
1、一种改良型多芯片双基岛的SOT封装结构，其包括塑封体、外引脚、芯片、基岛，其特征在于所述塑封体上有两个基岛，所述芯片分别安装于所述两个基岛上，所述两个基岛对应连接所述外引脚。
全文摘要
本发明为一种改良型多芯片双基岛的SOT封装结构。其性能稳定性强，制造成本低，且其能满足电子行业小型化、微型化的发展需求。其包括塑封体、外引脚、芯片、基岛，其特征在于所述塑封体上有两个基岛，所述芯片分别安装于所述两个基岛上，所述两个基岛对应连接所述外引脚。
文档编号H01L23/48GK101504941SQ20091002576
公开日2009年8月12日 申请日期2009年3月9日 优先权日2009年3月9日
发明者董育智 申请人:无锡红光微电子有限公司