专利名称：真空处理设备、真空处理方法、电子装置及其制造方法
技术领域：
在多个室之中，布置在一端处的一个室是装载锁定室11，所 述装载锁定室11在基板9装载到其中时通向大气，并且布置在另一端处 的一个室是卸载锁定室12，所述卸载锁定室12在从其卸载基板9时通向 大气。根据本发明的第一方面，提供一种真空处理设备，其包括处理室，其构造成在真空中处理目标物体；第一装载锁定室，其构造 成存储所述目标物体以便将所述目标物体装载至所述处理室中；第二 装载锁定室，其构造成存储所述目标物体以便从所述处理室卸载处理 过的目标物体；以及至少两个带阀管道，其构造成将所述第一装载锁 定室连接至所述第二装载锁定室。第二装载锁定室IIR用作基板卸载口，并且存储处理过的基 板以将其从处理室卸载至第二装载锁定室IIR之外。类似地，闸阀102L和102R分别布置在中间室7和第一装载 锁定室11L之间以及中间室7和第二装载锁定室11R之间。闸阀101L 和101R分别布置在第一装载锁定室11L的基板装载口处和第二装载锁 定室IIR的基板卸载口处。更具体地，当下一个基板装载到通向大气的第一装载锁定室 IIL中时，闸阀101L关闭，并且第一装载锁定室11L将4皮抽空至预定真 空度，通过利用第二装载锁定室IIR的真空度可以缩短排气时间。
ii[0067根据第一和第二装载锁定室11L和11R的探测的真空度的比 较结果以及基板处理过程的状态适当地选择待操纵的带阀管道6a和6b 以及选择所选带阀管道的阀的关闭/打开状态。而且，才艮据该实施例，可以防止在基板装载侧装载锁定室或 基板卸载侧装载锁定室中的灰尘散开，从而可以维持电子装置的高处理质量。
[0071示例1
使用在处理室中布置有Mo靶的真空处理设备100对具有 730mmx920mm尺寸的基板进行处理。从而制造作为电子装置的太阳能 电池。
0072通过沉积相应的薄膜制造包括化合物半导体的太阳能电池， 这些薄膜为在基板上用作下表面电极(正电极)的Mo电极层、在Mo 电极层上的光吸收层、以及通过由ZnS、 CdS等制成的緩冲层在光吸收 层上用作负电极且由ZnO: Al等制成的透明电极层。
[0073在处理室中通过使用磁控管式阴极进行'减射而执行膜的形成。
[00741采用Ar作为Mo溅射气体。以上所述的基板设置在用作处 理室的溅射室中。在抽空溅射室的内部之后，在抽空室时Ar以90sccm 的流量供应至室中，以便使压力维持在0.4Pa 。
[007560KW的溅射功率从DC可变电源供应至磁控管式阴极，由 此形成具有150nm的平均厚度的Mo膜。[0076类似地，通过形成相应的薄膜制造太阳能电池，即，Mo电极层上的光吸收层、光吸收层上的緩冲层、以及在緩沖层上用作负电极的透明电极层。溅射之后，在良好地没有散布灰尘的情况下，将基板从装载锁定室卸载。
[0077由该实施例的真空处理设备处理的基板除了以上所述用于制
造太阳能电池的基板以外，还包括用于制造半导体器件的半导体晶片、
用于诸如液晶显示器或等离子体显示器的显示器装置的基板、用于诸如
硬盘的信息存储介质的基板、以及用于印刷线路板的a。
[00781本发明不限制于这种基板处理，而可以应用至任何目标物体，只要其需要在真空气氛中处理。
[0079虽然已经参照典型实施例说明本发明，但应理解本发明不限制于所公开的典型实施例。下述权利要求的范围将与最广泛解释一致，从而包含所有这些修改和等同结构以及功能。
1权利要求
1.一种真空处理设备，其包括处理室，其构造成在真空中处理目标物体；第一装载锁定室，其构造成存储所述目标物体以便将所述目标物体装载至所述处理室中；第二装载锁定室，其构造成存储所述目标物体以便从所述处理室卸载处理过的目标物体；以及至少两个带阀管道，其构造成将所述第一装载锁定室连接至所述第二装载锁定室。
2. 根据权利要求1所述的设备，其中所述至少两个带阀管道之一的连接至所述第一装载锁定室的连接 口对着所述第一装载锁定室的底面，以及所述至少两个带阀管道之一的连接至所述第二装载锁定室的连接 口对着所述第二装载锁定室的底面。
3. 根据权利要求1所述的设备，还包括与抽空所述第一装载锁定 室的内部和所述第二装载锁定室的内部的排气泵相通的排气系统，所述排气系统布置在所述第一装载锁定室的底面以及所述第二装 载锁定室的底面。
4. 根据权利要求1所述的设备，还包括用于装载和卸载所述目标 物体的多个装载锁定室，所述多个装载锁定室包括所述第 一装载锁定 室和所述第二装载锁定室。
5. —种使用真空处理设备的真空处理方法，所述真空处理设备包 括处理室，其构造成在真空中处理目标物体；第一装载锁定室，其第二装载锁定室，其构造成存储所述目标物体以便从所述处理室卸载 处理过的目标物体；以及至少两个带阀管道，其构造成将所述第一装 载锁定室连接至所述第二装载锁定室，所述方法包括比较步骤，比较所述第一装载锁定室的真空度与所述第二装载锁定室的真空度；以及连通步骤，根据所述比较步骤中的比较结果通过操纵所述至少两 个带阀管道的阀而使所述第一装载锁定室与所述第二装载锁定室相连 通。
6. 根据权利要求5所述的方法，其中当处在真空状态中的所述第 一装载锁定室通向大气时，操纵所述带阀管道的阀，使得处在真空状 态中的所述第一装载锁定室与处在比所述第一装载锁定室更接近大气 压的状态中的所述第二装载锁定室相连通。
7. 根据权利要求5所述的方法，其中当通过抽空而减少通向大气 的所述笫一装载锁定室中的压力时，操纵所述带阀管道的阀，使得通 向大气的所述笫一装载锁定室与处在真空状态中的所述第二装载锁定 室相连通。
8. —种电子装置，其包括由根据权利要求1所述的真空处理设备 处理过的目标物体。
9. 一种电子装置制造方法，其使用根据权利要求5所述的真空处 理方法。
全文摘要
本发明提供一种真空处理设备、真空处理方法、电子装置及其制造方法，该真空处理设备包括处理室，其构造成在真空中处理目标物体；第一装载锁定室，其构造成存储目标物体以便将该目标物体装载至处理室中；第二装载锁定室，其构造成存储目标物体以便从处理室卸载处理过的目标物体；以及至少两个带阀管道，其构造成将第一装载锁定室连接至第二装载锁定室。
文档编号H01L21/00GK101567311SQ20091013691
公开日2009年10月28日 申请日期2009年4月24日 优先权日2008年4月24日
发明者吉冈胜也 申请人:佳能安内华股份有限公司