专利名称：：变阻器及其制造方法
技术领域：
：本发明涉及一种在具有变阻器特性的半导体瓷器上形成了欧姆电极的结构的电压非线性电阻组件即变阻器及其制造方法。
背景技术：
：关于氧化钛(Ti02)系半导体瓷器、钛酸锶(SrTi03)系半导体瓷器及氧化锌(ZnO)系半导体瓷器等，瓷器自身具有变阻器特性。当使用此种具有变阻器特性的半导体瓷器来构成变阻器时，为了获得良好的变阻器特性，较理想的是在半导体瓷器的表面形成欧姆电极。具有变阻器特性的半导体瓷器的电极的先前的代表性的形成方法，例如，如日本专利特开平2-304909号公报(专利文献l)中所公开的那样，包含如下步骤于半导体瓷器的表面涂布含有银(Ag)及锌(Zn)的浆料，并进行干燥，由此形成第一电极材料涂膜(欧姆电极层)；于该第一电极材料涂膜之上涂布银(Ag)浆料，并进行干燥，由此形成第二电极材料涂膜(非欧姆电极层)；其后于大气中烘烤第一电极材料涂膜及第二电极材料涂膜，由此形成第一导电体层(欧姆电极层)与第二导电体层(非欧姆电极层)。因所述第一导电体层含有容易被氧化的锌(Zn)，所以焊接性差。然而，通过以不含有锌(Zn)的第二导电体层来覆盖含有锌(Zn)的第一导电体层，对变阻器电极的焊接性便得以提高。所述专利文献l中进一步公开了如下内容为了解决第一导电体层(欧姆电极层)的锌(Zn)的氧化的问题，而向形成第二导电体层(非欧姆电极层)的银浆料中添加比锌(Zn)更容易氧化的物质(Si、B、W)。然而，利用先前的包含银(Ag)及锌(Zn)的欧姆电极材料来形成平坦性或平滑性及致密性优良的第一导电体层(欧姆电极层)是较为困难的。图1表示如下状态依据后述的比较例3，于钛酸锶(SrTi03)系半导体瓷器l的表面上涂布先前的含有银(Ag)、锌(Zn)及玻璃料的欧姆电极材料的浆料，进行干燥后而形成了第一电极材料涂膜2。另外，图l及图5是基于以扫描型电子显微镜(FE-SEM日立制造)对半导体瓷器的表面上形成了第一电极材料涂膜的切剖面进行拍摄所得的照片而作成，而且，图2及图6是基于以扫描型电子显微镜(FE-SEM日立制造)对半导体瓷器的表面上形成了第一及第二导电体层的切剖面进行拍摄所得的照片而作成。图1中，第一电极材料涂膜2上存在粒径相对较大的Zn粒子3，且Zn粒子3的分散性差。其结果，第一电极材料涂膜2的表面成为具有相对较大的高低差H1的非平坦，且第一电极材料涂膜2的最大厚度Tl变得相对较大。此外，在如下情况下，即于图1的第一电极材料涂膜2的表面上涂布含有银(Ag)的非欧姆电极材料的浆料，进行烘烤后，如图2所示，于第一导电体层2'上形成第二导电体层4，从而完成了变阻器电极5的情况下，第二导电体层4的表面成为具有相对较大的高低差H2的非平坦。而且，在第二导电体层4中产生相对较大的空隙6。其结果，电极烘烤后的第一导电体层2'与第二导电体层4合计的最大厚度T2变得相对较大。而且，图2中虽未明确表示，但在第一导电体层2'的表面附近层状地偏析出锌，从而第二导电体层4对第一导电体层2'的粘接强度降低。而且，因无法再现性良好地形成第一导电体层2'及第二导电体层4，所以变阻器的电气特性的差异变得相对较大。尤其是因变阻器电极的烘烤温度的变化而引起的变阻器电压的变化会增大。而且，伴随近年来的电子设备等的小形化及薄型化，也要求变阻器薄形化。然而，如图2所示，如果变阻器电极5的最大厚度T2变得相对较大，则变阻器的最大厚度也会变大，从而无法提供所要求的较薄的变阻器。作为半导体瓷器的其它的欧姆电极，例如，众所周知的是如日本专利特公昭58-201201号公报(专利文献2)所公开的那样，于半导体瓷器的表面涂布含有银(Ag)及铝(Al)的浆料并进行烘烤而成的欧姆电极。然而，无法使所述欧姆电极对于半导体瓷器进行良好的欧姆接触。专利文献1:日本专利特开平2-304909号公报专利文献2:日本专利特开昭58-201201号公报
发明内容本发明想要解决的问题为因变阻器电极的烘烤温度的变化而引起变阻器电压发生相对较大的变化、及第二导电体层对第一导电体层的粘接性差，而本发明的目的在于提供一种可解决该问题的变阻器及其制造方法。用以解决所述问题的本发明是一种变阻器(电压非线性电阻组件)，其特征在于包含具有变阻器特性的半导体瓷器、及配置在该半导体瓷器的表面上的电极，所述电极包含第一导电体层，其配置在所述半导体瓷器的表面上，且由含有银粉末、锌粉末、铝粉末及玻璃料的第一电极材料所形成；以及第二导电体层，其配置在所述第一导电体层之上，且由含有银粉末的第二电极材料所形成。较理想的是，所述变阻器是利用如下步骤而形成于具有变阻器特性的半导体瓷器的表面上，涂布含有银粉末、锌粉末、铝粉末、玻璃料及媒剂的第一电极材料浆料，其后进行干燥而形成第一电极材料涂膜；于所述第一电极材料涂膜之上涂布含有银粉末及媒剂的第二电极材料浆料，形成第二电极材料涂膜；以及通过进行所述第一电极材料涂膜及所述第二电极材料涂膜的烘烤，形成第一导电体层与第二导电体层。而且，较理想的是，所述第一电极材料浆料是在银粉末100重量份、锌粉末2080重量份、铝粉末0.15.0重量份中添加了玻璃料及媒剂而成，所述第一电极材料涂膜及所述第二电极材料涂膜的烘烤温度为540°C620°C。而且，较理想的是，所述第一电极材料浆料的所述锌粉末的中值粒径D50为1.22.7um。而且，较理想的是，所述第一电极材料浆料的所述铝粉末以激光衍射散射式粒度分析仪测定出的中值粒径D50比所述锌粉末的中值粒径D50小。[发明的效果]本发明具有如下的效果。(a)依据本发明，如果对于含有银粉末、锌粉末及玻璃料的第一电极材料浆料进一步添加铝粉末，则烘烤后的第一导电体层内的锌粒子的分布将变得均匀。由此，可形成对于半导体瓷器进行欧姆接触的小形的电极。换句话说，当批量生产出小形或薄形变阻器时，特性差异减小。(b)因变阻器电极的烘烤温度的变化而引起的变阻器电压的变化变得相对较小，所以当批量生产出变阻器时，特性差异减小。(c)因烘烤后的第一导电体层内的锌粒子的分布变得均匀，所以第二导电体层对第一导电体层的粘接性变佳。图1是表示依据比较例3的将第一电极材料浆料涂布于半导体瓷器上并进行了干燥的状态的剖面图。图2是表示依据比较例3的将第一及第二电极材料浆料涂布于半导体瓷器上并进行了烘烤的状态的剖面图。图3是表示实施例1的变阻器的俯视图。图4是图3的A-A线剖面图。图5是表示依据实施例1的将第一电极材料浆料涂布于半导体瓷器上并进行了干燥的状态的剖面图。图6是表示依据实施例1的将第一及第二电极材料浆料涂布于半导体瓷器上并进行了烘烤的状态的剖面图。图7是表示实施例1、2及比较例1、2、3、4的电极的烘烤温度与变阻器电压的关系的图。[符号的说明]11半导体瓷器12第一电极材料涂膜12'第一导电体层14第二导电体层15变阻器电极具体实施例方式接着，说明本发明的实施例及比较例。[实施例1]为了制造用以保护电子零件不受异常高电压影响的环形变阻器，形成了如图3及图4所示的环形半导体瓷器11。半导体瓷器11可选自瓷器自身具有变阻器特性的氧化钛(Ti02)系半导体瓷器、钛酸锶(SrTi03)系半导体瓷器及氧化锌(Zn0)系半导体瓷器等。本实施例中，准备周知的变阻器瓷器材料，该变阻器瓷器材料是向包含钛酸锶(SrTi03)与钛酸钙(CaTi03)的主成分中微量混合有包含氧化铌(Nb205)及氧化钇(Y203)的副成分(添加剂)而成，进而向该变阻器瓷器材料中添加PVA(PolyvinylAlcohol，聚乙烯醇)作为有机粘合剂并制成粒状，从而获得用以形成半导体瓷器ll的瓷器材料粉末。接着，将该瓷器材料粉末填充于环形状的模板中，并利用压制装置而加压成形为环形状。然后，对环形状的瓷器材料成形体施以周知的还原煅烧与再氧化煅烧从而获得表面再氧化型的变阻器素体即具有变阻器特性的半导体瓷器11。接着，于具有环形状的半导体瓷器11的一方的主面上，分别形成包含第一导电体层12'(欧姆电极层)与第二导电体层14(非欧姆电极层)的三个变阻器电极15。接着，详细说明依据本发明的变阻器电极15的形成方法。首先，作为用以获得变阻器电极15的第一导电体层12'即欧姆电极层的第一电极材料桨料，准备包含银粉末100重量份、锌粉末40重量份、铝粉末0.25重量份、玻璃料l重量份、媒剂57重量份的混合物的浆料。关于所述银粉末，较理想的是以激光衍射散射式粒度分析仪测定出的中值粒径D50为1.2iim2.7iim的球状粉末。本实施例1中是使用中值粒径D50为1.0ym的球状粉末来作为所述银粉末。如果所述银粉末的中值粒径D50小于1.2ym，则所形成的导电体层的导电性会降低，而如果大于2.7ym，则电极材料涂膜的表面的平坦性会降低。锌粉末对于100重量份的银粉末的比例并不限于40重量份，可优选设为2080重量份，更优选设为3070重量份。当锌粉末小于20重量份时，第一导电体层12'对半导体瓷器11的欧姆性变差，且第一导电体层12'对半导体瓷器ll的粘接性变差，从而变阻器电压低的组件的制作将变得困难。另一方面，当锌粉末超过80重量份时，第一导电体层12'对半导体瓷器11的粘接性、及第一导电体层12'与第二导电体层14之间的粘接性变差，进而第一导电体层12'变脆。对于锌粉末而言，以激光衍射散射式粒度分析仪测定出的中值粒径D50优选为1.2iim2.7iim，更优选为1.5ym2.5ym。该锌粉末较理想的是球状粉末。实施例1的锌粉末的中值粒径D50为1.6iim的球状粉末。如果锌粉末的中值粒径D50小于1.2ym，则容易凝集且电极材料浆料的适用期减少，进而金属锌成分量也降低。而且，如果锌粉末的中值粒径D50大于2.7iim，则第一电极材料浆料的印刷性变差、膜厚变得不均匀，且烘烤后的第一导电体层12'对半导体瓷器11的粘接性变差，且第一导电体层12'的平坦性及致密性变差，变阻器电极15的最大厚度Tb增大。对于锌粉末而言，较理想的是其80体积％以上具有0.6iim至3.5iim的范围的粒径，且具有明显的粒度分布。通过将锌粉末的粒度分布设得明显，锌粉末均匀地分布于第一电极材料浆料中，因此第一导电体层12'的平坦性及致密性变佳。而且，对于锌粉末而言，较理想的是作为杂质的Pb(铅)及Cd(镉)的含量小于50ppm。如果锌粉末的杂质变多，则将不利于环境方面。铝粉末对于100重量份的银粉末的比例并不限于0.25重量份，可优选设为0.165.0重量份，更优选设为0.22.0重量份。当铝粉末小于0.1重量份时，延迟第一电极材料中的锌的氧化的效果、使锌均匀地分布于烘烤后的第一导电体层中的效果、及使变阻器电压E1Q值稳定化的效果等会降低。另一方面，如果铝粉末超过5.0重量份，则会导致第一导电体层12'对半导体瓷器ll的粘接性的降低、及变阻器的电压非线性系数(a)的降低。对于铝粉末而言，较理想的是如下的球状粉末，即以激光衍射散射式粒度分析仪测定出的中值粒径D50小于锌粉末的中值粒径D50，中值粒径D50优选为0.1ym3.0ym、更优选为0.2iim2.0iim。本实施例1的铝粉末的中值粒径D50为1.0ym。如果铝粉末的中值粒径D50小于0.1iim，则其处理起来将变得麻烦，而且如果大于3.0iim，则无法良好地获得铝粉末的本来的效果，从而会于第一导电体层内会产生锌的偏析。对于玻璃料而言，较理想的是Bi-B-Si系、Ba-Si系、Na-Si-Al系、Zn_Bi_Si系的无Pb(铅)的、已考虑到环境因素的玻璃料。本实施例1中，使用的是Bi-B-Si系玻璃料。玻璃料对于100重量份的银粉末的比例并不限于1重量份，可设为第一电极材料浆料所要求的适当量，优选为0.15.0重量份，更优选为0.22.0重量份。如果玻璃料对于100重量份的银粉末的比例少于0.1重量份，则烘烤后的第一导电体层的粘接强度会降低，而如果多于5重量份则电气特性会劣化。媒剂是第一电极材料浆料的浆成分，优选含有有机粘合剂(树脂)及有机溶剂。对于媒剂中所使用的树脂而言，可使用热塑性、热固性树脂等。而且，作为树脂，因进行烘烤后导电体层中树脂或其分解生成物的残存量较少，所以更优选为热塑性树脂。作为热塑性树脂，列举丙烯酸系树脂、乙基纤维素、硝化纤维素、聚酯、聚砜、苯氧树脂、及聚酰亚胺等。作为热固性树脂，优选如尿素树脂、三聚氰胺树脂、三聚氰二胺树脂这样的氨基树脂；双酚A型、双酚F型、苯酚酚醛清漆型、脂环式等的环氧树脂；氧杂环丁烷树脂；如可溶酚醛型、酚醛清漆型这样的酚树脂等。即便在为环氧树脂的情况、使用了自固化型树脂的情况下，也可使用如胺类、咪唑类、酸酐或鎗盐这样的固化剂或固化促进剂，从而可使氨基树脂或酚树脂作为环氧树脂的固化剂而发挥功能。树脂可单独使用或组合使用两种以上。媒剂中所使用的有机溶剂未作特别限制，优选根据树脂的种类来进行选择。作为有机溶剂，例如列举芳香族烃类；酮类；内酯类；醚醇类；如与所述醚醇对应的醋酸酯这样的酯类；以及二羧酸的二酯类。有机溶剂可单独使用或组合使用两种以上。本实施例1的媒剂包含对于100重量份的银粉末为4重量份的乙基纤维素、及为53重量份的丁基卡必醇。媒剂(有机溶剂与有机粘合剂的合计)对于100重量份的银粉末的比例并不限于57重量份，可设为第一电极材料浆料所要求的适当量，优选为2080重量份，更优选为3070重量份。第一电极材料浆料可通过将银粉末、锌粉末、铝粉末、玻璃料及媒剂例如以辊磨机进行均匀捏合而获得。另外，可视需要将塑化剂或后述的添加剂等添加于第一电极材料浆料中。作为添加剂，例如列举分散助剂、均化剂、触变剂、消泡剂、硅烷偶联剂等。作为分散助剂，列举脂肪族多元羧酸酯；不饱和脂肪酸胺盐；如山梨糖醇酐单油酸酯这样的界面活性剂；及聚酯胺盐；如聚酰胺这样的高分子化合物等。作为硅烷偶联剂，列举取代丙基三烷氧基硅烷、取代丙基甲基二烷氧基硅烷等，可根据使电极材料、树脂、及电极粘接的半导体瓷器等的种类来进行选择。接着，利用丝网印刷法将所述第一电极材料浆料以特定图案涂布于半导体瓷器ll的一方的主面上，以15(TC进行干燥后而获得图5所示的烘烤前的第一电极材料涂膜12。第一电极材料涂膜12的最大厚度Ta为20i！m，比图1的先前的第一电极材料涂膜2的最大厚度T1薄。第一电极材料涂膜12的表面的高低差Ha为2ym，比图1的先前的第一电极材料涂膜2的高低差H1小。而且，当利用扫描型电子显微镜进行观察时，Zn粒子13均匀地分布于第一电极材料涂膜12中，而并不存在如图1所示的较大的Zn粒子。Zn粒子13的粒度分布及中值粒径D50是使用Microtrack公司制造的激光衍射散射式粒度分析仪MicrotrackHRAMODEL9320-X100而测定。另外，第一电极材料浆料的干燥温度并不限定于15(TC，例如，可于100°C300°C的范围进行改变。而且，可根据变阻器的要求来改变第一电极材料涂膜12的最大厚度Ta。接着，作为用以在第一电极材料涂膜12之上形成第二电极材料涂膜的第二电极材料浆料即非欧姆性电极材料浆料，是将包含使银粉末分散于媒剂中所得的银浆料的周知的银浆料，利用丝网印刷法涂布于第一电极材料涂膜12之上。另外，以不仅覆盖第一电极材料涂膜12的上面也覆盖侧面的方式涂布着第二电极材料浆料。关于第二电极材料浆料的银粉末，使用的是具有以所述激光衍射散射式粒度分析仪测定出的粒径为0.053.0iim的分布的球状粉末。当然，可将第二电极材料浆料的银粉末的粒径变为与第一电极材料浆料相同。作为第二电极材料浆料的媒剂，与第一电极材料浆料同样使用乙基纤维素及丁基卡必醇。然而，作为第二电极材料浆料的媒剂的有机溶剂，使用的是选自a-松油醇、BCA(ButylCarbitolAcetate,丁基卡必醇乙酸酯)、丁基溶纤剂(ButylCellusolve)等的化合物，作为有机粘合剂(树脂)，也可使用选自甲基纤维素、丁基纤维素、PVA(聚乙烯醇)等的化合物。第二电极材料浆料中的媒剂相对于100重量份的银粉末的比例优选为2080重量份。接着，将具有第一电极材料涂膜12及第二电极材料涂膜的半导体瓷器11放入烘烤炉(隧道窑炉)中，保持为大气环境，且以58(TC的温度实施60分钟的烘烤处理，从而获得图4及图6所示的烘烤处理后的第一导电体层12'及第二导电体层14。第一导电体层12'基于第一电极材料浆料而形成，第二导电体层14基于第二电极材料浆料而形成。第一及第二电极材料涂膜的烘烤温度优选为设定于54(TC62(TC的范围，更优选为设定于56(TC60(TC的范围。而且，所述烘烤时间优选为设定于30120分钟的范围。另外，当所述烘烤时间中有温度变化时，较理想的是将峰值温度保持35分钟。而且，烘烤时的环境并不限于大气环境，可变为与大气环境类似的氧化性环境、或非氧化性环境。图6是表示基于以扫描型电子显微镜(FE-SEM日立制造)对依据实施例1制作的变阻器的一部分进行拍摄所得的照片而作成的剖面图。包含第一导电体层12'及第二导电体层14的变阻器电极15的最大厚度Tb为35iim，第二导电体层14的表面的最大高低差Hb为2iim。因此，图6的依据实施例1所制作的变阻器电极15的最大厚度Tb比图2所示的先前的变阻器电极5的最大厚度T2薄。而且，图6的依据实施例1所制作的变阻器电极15的表面的最大高低差Hb比图2所示的先前的变阻器电极5的最大高低差H2小。而且，图6的变阻器电极15的第二导电体层14中，并不存在相当于图2所示的先前的第二导电体层4中的相对较大的空隙6的空隙。因此，对于致密性及平滑性(平坦性)而言，图6的电极15要优于图2的先前的变阻器电极5。如果变阻器电极15的最大厚度Tb较薄，则可达成变阻器的薄型化或小形化。如果变阻器电极15的平滑性(平坦性)优良，则可容易且良好地达成外部电路对变阻器电极15的连接。依据实施例1的变阻器的变阻器电压E1Q为5.IV。另外，变阻器电压E1Q是10mA的电流流经变阻器时的变阻器的一对端子间的电压。依据实施例1的变阻器的电压非线性系数(a)为4.0。另外，电压非线性系数(a)表示1/1og&。/E》。此处，E1Q表示变阻器电流为10mA时的变阻器电压，El表示变阻器电流为1mA时的变阻器电压。利用被称作剥离试验的方法，测定出依据实施例1的变阻器的第二导电体层14对第一导电体层12'的图4的箭头20的方向即与半导体瓷器11的主面垂直的方向的粘接强度。如果进一步说明该粘接强度的测定，则是将拉伸片焊接在第二导电体层14上，并测定出经由拉伸片将第二导电体层14朝图4的箭头20的方向进行拉伸、将第二导电体层14从第一导电体层12'剥离时的力，并将该力作为粘接强度。将粘接强度为特定值(例如2.5kg)以上的变阻器作为合格品。依据本实施例1的变阻器的第二导电体层14对第一导电体层12'的粘接强度为特定值以上。为了调查变阻器电极15的烘烤温度与变阻器电压Ew的关系，制作将烘烤温度以外的条件设为与实施例1相同、而仅将烘烤温度改为58(TC、60(TC、62(rC的三种试样，测定出该变阻器电压E1Q之后，获得如下的结果。580°C的试样的变阻器电压E1Q为5.10(V)600°C的试样的变阻器电压E1Q为5.15(V)620°C的试样的变阻器电压为5.20(V)。另外，如以上所说明的那样，实施例1的变阻器电压Ew即56(TC的变阻器电压E10为5.10(V)。实施例1及与其类似的试样的烘烤温度T与变阻器电压E1Q的关系如图7的线A所示。此处，为了便于说明，将58(TC、60(TC、62(rC的试样均设为属于实施例1。图7中线B表示依据后述的实施例2的变阻器电极的烘烤温度T与变阻器电压E1Q的关系，而线C、D、E、F则表示依据后述的比较例1、2、3、4的先前的变阻器电极的烘烤温度T与变阻器电压E^的关系。根据图7的线A可知，在依据实施例1的变阻器中，因变阻器电极的烘烤温度的变化而引起的变阻器电压Ew的变化，比线C、D、E、F的先前的变阻器小。上述情况的含义为，通过使用对于Ag与Zn进一步添加了Al的依据实施例1的第一电极材料浆料，可縮小因变阻器电极的烘烤温度的差异而引起的变阻器电压Ew的差异。由此，可容易地批量生产出具有所期望范围的变阻器电压E1Q的变阻器。根据所述内容可知，依据实施例1的变阻器及其制造方法具有如下的效果。(1)用以获得欧姆电极层的第一电极材料浆料中所添加的铝粉末有助于烘烤后的第一导电体层内的银、锌、铝各自的分布的均匀化。由此，即便在变阻器电极15的面积较小的情况下，也可获得具有所期望的特性且具有所期望的粘接强度的变阻器电极15。而且，可实现变阻器电极15的小形化或薄形化。换句话说，当批量生产出小形或薄形变阻器时，特性的差异减小。(2)第一电极材料浆料的铝粉末在烘烤时Ag与Zn的烧结状态为良好，且使Zn的氧化延迟。由此，变阻器电压Ew稳定。而且，第二导电体层14对第一导电体层12'的粘接强度提高。并且，当批量生产出变阻器时，特性的差异减小。(3)因使铝粉末的粒径比锌粉末的粒径小，所以可更好地获得铝粉末的效果。[实施例2]除了将实施例1的变阻器的第一电极材料浆料的1重量份的Bi-B-Si系玻璃料变为1重量份的Zn-Bi-Si系玻璃料之外，利用与实施例1相同的方法制作实施例2的变阻器，并进行与实施例1相同的评估。本实施例2的变阻器电极的粘接强度、平滑性、致密性与实施例l大致相同。而且，实施例2的变阻器的变阻器电压Ew及电压非线性系数(a)也与实施例1大致相同。并且，实施例2中的烘烤温度T与变阻器电压E1Q的关系如图7的线B所示，与实施例1的该关系大致相同。另外，当代替实施例1的变阻器的第一电极材料浆料的Bi-B-Si系玻璃料而使用Ba-Si系玻璃料及Na-Si-Al系玻璃料时，也可获得与实施例1及2相同的效果。[实施例3]除了将实施例1的变阻器的第一电极材料浆料的锌粉末变为20重量份之外，利用与实施例1相同的方法制作实施例3的变阻器，并进行与实施例1相同的评估。根据本实施例3也可获得与实施例1大致相同的效果。[实施例4]除了将实施例1的第一电极材料浆料的锌粉末变为80重量份之外，利用与实施例1相同的方法制作实施例4的变阻器，并进行与实施例1相同的评估。根据本实施例4也可获得与实施例1大致相同的效果。[OO"][实施例5]除了将实施例1的第一电极材料浆料的锌粉末的中值粒径D50变为1.2ym之外，利用与实施例1相同的方法制作实施例5的变阻器，并进行与实施例1相同的评估。根据本实施例5也可获得与实施例1大致相同的效果。[实施例6]除了将实施例1的第一电极材料浆料的锌粉末的中值粒径D50变为2.7iim之外，利用与实施例1相同的方法制作实施例6的变阻器，并进行与实施例1相同的评估。根据本实施例6也可获得与实施例1大致相同的效果。[实施例7]除了将实施例1的第一电极材料浆料的铝粉末变为0.1重量份之外，利用与实施例1相同的方法制作实施例7的变阻器，并进行与实施例1相同的评估。根据本实施例7也可获得与实施例1大致相同的效果。然而，因变阻器电极的烘烤温度T的变化而引起的变阻器电压E1Q的变化则要大于图7的线A。[实施例8]除了将实施例1的第一电极材料浆料的铝粉末变为3.0重量份之外，利用与实施例1相同的方法制作实施例8的变阻器，并进行与实施例1相同的评估。根据本实施例8也可获得与实施例1大致相同的效果。10另外，实施例18中，即便在540°C62(TC的范围改变变阻器电极的烘烤温度，也可获得具有所期望的特性的变阻器。(比较例1)为了进行比较，除了从实施例1的第一电极材料浆料中省去了铝粉末之外，利用与实施例1相同的方法制作比较例1的变阻器，并进行与实施例1相同的评估。本比较例1的变阻器电压E1Q为5.2V，电压非线性系数(a)为4.1，变阻器电极的粘接强度、平滑性及致密性虽与实施例1大致相同，但变阻器电压E1Q的稳定性稍低于实施例1。因本比较例1的变阻器电极的烘烤温度的变化而引起的变阻器电压E1Q的变化为图7的线C所示。(比较例2)为了进行比较，除了将实施例1的第一电极材料浆料的铝粉末变为5.0重量份之外，利用与实施例1相同的方法制作比较例2的变阻器，并进行与实施例1相同的评估。本比较例2的变阻器电压E1Q为低于实施例1的4.8V，电压非线性系数(a)为低于实施例1的3.5，变阻器电极的平滑性及致密性虽与实施例1大致相同，但变阻器电极的粘接强度及变阻器电压E1Q的稳定性稍低于实施例1。因本比较例2的变阻器电极的烘烤温度的变化而引起的变阻器电压E1Q的变化为图7的线D所示。(比较例3)为了进行比较，除了从实施例1的第一电极材料浆料中省去了铝粉末且将锌粉末的中值粒径D50变为4.5ym之外，利用与实施例1相同的方法制作比较例3的变阻器，并进行与实施例1相同的评估。本比较例3的变阻器电压E1Q为5.0V，电压非线性系数(a)为4.O，变阻器电极的粘接强度低于实施例1，变阻器电极的平滑性、致密性及变阻器电压E1Q的稳定性均劣于实施例1。因本比较例3的变阻器电极的烘烤温度的变化而引起的变阻器电压E1Q的变化为图7的线E所示。(比较例4)为了进行比较，除了将实施例2的第一电极材料浆料的Zn-Bi-Si系玻璃料变为6.0重量份之外，利用与实施例2相同的方法制作比较例4的变阻器，并进行与实施例2相同的评估。本比较例4的变阻器电压Ew为4.7V，电压非线性系数(a)为3.5，变阻器电极的粘接强度低于实施例l，变阻器电极的平滑性及致密性虽然与实施例1及2大致相同，但变阻器电压E1Q的稳定性劣于实施例1及2。因本比较例4的变阻器电极的烘烤温度的变化而引起的变阻器电压E1Q的变化为图7的线F所示。(比较例5)为了进行比较，除了从实施例2的第一电极材料浆料中省去了铝粉末之外，利用与实施例2相同的方法制作比较例5的变阻器，并进行与实施例2相同的评估。本比较例5的变阻器电压E1Q为5.2V，电压非线性系数(a)为4.l，变阻器电压E1Q的稳定性劣于实施例1及2。为了便于理解，将实施例1及2、比较例15的变阻器的诸特性示于如下的表中。另外，下表中，O表示与实施例1相同或大致相同的特性，A表示稍劣于实施例1的特性，X表示大幅劣于实施例1的特性。表E10(V)<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>比较例55.24.1〇_Q_^根据所述表及图7，考察第一电极材料浆料中的Zn的粒径与Al的含量对E1Q、a、变阻器电极的平滑性、致密性及粘接强度所造成的影响。使用了中值粒径D50为1.6iim的Zn的比较例1，比起使用了中值粒径D50为4.5m的Zn的比较例3，电极粘接强度高，且平滑性及致密性优良。可知相对于AglOO重量份，含有Zn40重量份、A10.25重量份的实施例1比起含有A15重量份的比较例2，并无E1Q、a的降低，粘接强度高，且E1Q相对于烘烤温度的变动幅度小而显得较为稳定。而且，可知不含有A1的比较例l虽然粘接强度与致密性良好，但Ew相对于烘烤温度的变动增加。相对于AglOO重量份，含有Zn40重量份、A10.25重量份、Zn_Bi_Si系玻璃料1重量份的实施例2，比起比较例3，粘接强度高且平滑性及致密性良好。而且，含有Zn-Bi-Si系玻璃料6重量份的比较例4虽然平滑性及致密性良好，但可看出Ew与a的降低，且粘接强度也降低。此外，不含有Al且使用了Zn-Bi-Si系玻璃料的比较例5，虽然粘接强度高且平滑性与致密性良好，但E1Q相对于烘烤温度的变动的稳定性较差，从而有可能会导致合格率降低。可知Zn的平均粒径为1.6iim、且含有0.25重量份的A1、且含有1重量份的Zn-Bi-Si系玻璃料的实施例2，比起玻璃料为6重量份的比较例4，并无E『a的降低，且E1Q相对于烘烤温度的变动幅度小而显得稳定。本发明并不限定于所述的实施例，例如可进行如下的变形。(1)如图4中的虚线所示，可在环状半导体瓷器的下面设置环状的辅助电极21。(2)在半导体瓷器的一方的主面与另一方的主面上分别设置电极的板状变阻器也可适用本发明。(3)可将玻璃料及媒剂置换为实施例所示以外的具有与其相同功能的物质。(4)可将第二导电体层14仅设置在第一导电体层12'之上。(5)可将半导体瓷器11设为实施例以外的氧化钛(Ti02)系半导体瓷器、钛酸锶(SrTi03)系半导体瓷器、及氧化锌(Zn0)系半导体瓷器等。(6)在不会阻碍本发明的目的的范围，可向第一及第二电极材料浆料中添加其它的金属。(7)可向第二电极材料浆料中添加玻璃料。作为玻璃料的组成，优选如Bi-B-Si系玻璃及Si-B-Zn系玻璃这样的Si-B系玻璃等。关于玻璃料的调配量，相对于金属粉末100重量份通常为0.0120重量份，通过电极材料涂膜的烘烤所获得的导电体层未表现出界面剥离，而且，不会产生玻璃成分向第二导电体层表面附近偏析或伴随此的焊接不良，因此优选为0.015.0重量份，更优选为0.013.0重量份。权利要求一种变阻器，其特征在于包含具有变阻器特性的半导体瓷器、及配置在该半导体瓷器的表面上的电极，所述电极包含第一导电体层，其配置在所述半导体瓷器的表面上，且由含有银粉末、锌粉末、铝粉末及玻璃料的第一电极材料所形成；以及第二导电体层，其配置在所述第一导电体层之上，且由含有银粉末的第二电极材料所形成。2.—种变阻器的制造方法，其包含如下步骤于具有变阻器特性的半导体瓷器的表面上，涂布含有银粉末、锌粉末、铝粉末、玻璃料及媒剂的第一电极材料浆料，其后进行干燥而形成第一电极材料涂膜；于所述第一电极材料涂膜之上涂布含有银粉末及媒剂的第二电极材料浆料，形成第二电极材料涂膜；以及通过进行所述第一电极材料涂膜及所述第二电极材料涂膜的烘烤，形成第一导电体层与第二导电体层。3.根据权利要求2所述的变阻器的制造方法，其特征在于所述第一电极材料浆料是在银粉末100重量份、锌粉末2080重量份、铝粉末0.15.0重量份中添加了玻璃料及媒剂而成，所述第一电极材料涂膜及所述第二电极材料涂膜的烘烤温度为540°C620°C。4.根据权利要求2或3所述的变阻器的制造方法，其特征在于所述第一电极材料浆料的所述锌粉末以激光衍射散射式粒度分析仪测定出的中值粒径D50为1.22.7iim。5.根据权利要求2或3所述的变阻器的制造方法，其特征在于所述第一电极材料浆料的所述铝粉末以激光衍射散射式粒度分析仪测定出的中值粒径D50比所述锌粉末的中值粒径D50小。6.根据权利要求4所述的变阻器的制造方法，其特征在于所述第一电极材料浆料的所述铝粉末以激光衍射散射式粒度分析仪测定出的中值粒径D50比所述锌粉末的中值粒径D50小。全文摘要本发明的变阻器是针对抑制因变阻器电极的烘烤温度的变化而引起的变阻器电压的变化、及使变阻器电极的粘接性提高等要求。本发明的变阻器包含具有变阻器特性的半导体瓷器11、及配置在该半导体瓷器11的表面上的电极15。电极15包含第一导电体层12′，其由含有银粉末、锌粉末、铝粉末及玻璃料的第一电极材料所形成；及第二导电体层14，其配置在第一导电体层之上且由含有银粉末及玻璃料的第二电极材料所形成。文档编号H01C1/142GK101740187SQ20091022143公开日2010年6月16日申请日期2009年11月10日优先权日2008年11月10日发明者田边秀雄,篠田正义申请人:太阳诱电株式会社;纳美仕有限公司