专利名称：：切割模片接合膜和生产半导体器件的工艺的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种切割模片接合膜，其用于在切割前，通过将用于固定芯片形状(chip-shape)工件(如半导体芯片)和电极构件的粘结剂设置在工件(如半导体晶片)上来切割所述工件。
背景技术：
：根据需要通过背面抛光调节其厚度后，将形成了电路图案的半导体晶片(工件)切割成半导体芯片(芯片形状工件)(切割步骤)。在切割步骤中，半导体晶片通常用适合的液体压力(一般，约2kg/cm2)洗涤，以除去切割层。然后将半导体芯片用粘结剂固定在被粘物(adherend)如引线框上(安装步骤)，然后转移至接合(bonding)步骤。在常规安装步骤中，已经将粘结剂施加至引线框或半导体芯片上。然而，在该方法中，难于使得粘结剂层均匀，和需要专用设备和较长时间来施涂粘结剂。基于此原因，已经提出了切割模片接合膜，其在切割步骤中粘结保持半导体晶片，并同时赋予用于固定芯片的粘结剂层，这在安装步骤中是必要的(例如，参见JP-A-60-57642)。在JP-A-60-57642中描述的切割模片接合膜中，粘结剂层在支撑基材上形成，以使得粘结剂层可从支撑基材上剥离。即，制造切割模片接合膜，以致在保持在粘结剂层上的同时切割半导体晶片后，通过拉伸支撑基材将各半导体芯片与粘结剂层一起剥离，并独立回收，然后将其用粘结剂层固定在被粘物如引线框上。关于该类型切割模片接合膜的粘结剂层，期望不发生切割失败和尺寸错误等的对半导体晶片的良好保持力；切割后半导体芯片能够与粘结剂层一体地从支撑基材上剥离的良好剥离性；和剥离后没有粘合剂附着在半导体晶片和粘结剂层上的低污染性。然而，很难显示出良好均衡的这些性质。特别地，在如采用旋转圆形刮刀切割半导体晶片的方法中粘结剂层要求大的保持力的情况下，难以获得满足上述性质的切割模片接合膜。因此，为克服该问题，已经提出了多种改进方法(例如，参见JP-A-2-248064)。在JP-A-2-248064中，将可通过紫外线固化的压敏粘合剂层插入支撑基材和粘结剂层之间。在该方法中，切割后将压敏粘合剂层通过紫外线固化，如此降低了压敏粘合剂层与所述粘结剂层间的粘合力，然后将所述两层彼此剥离，以促进半导体芯片的拾取。然而，即使采用该改进的方法，有时也难以制备良好平衡了切割时的保持力与随后需要的剥离性的切割模片接合膜。例如，在获得具有lOmmXlOmm以上尺寸的大型半导体芯片的情况下，由于半导体芯片尺寸太大，不易于通过常规模片接合器拾取半导体芯片。
发明内容考虑到上述问题作出了本发明，其目的在于提供一种切割模片接合膜，所述切割模片接合膜在甚至切割薄工件时的保持力、将通过切割获得的半导体芯片与模片接合膜一体化剥离时的剥离性和剥离后没有压敏粘合剂组分附着于半导体晶片和粘结剂层上的低污染性之间的平衡性优良。为解决上述常规问题，本申请的发明人研究了切割模片接合膜。结果发现，当采用具有包含如下切割膜和模片接合膜形式的切割模片接合膜时，用于保持薄工件以有效切割所述工件的保持力、用于易于将通过切割获得的半导体芯片与模片接合膜一体化剥离的剥离性和剥离后抑制或防止压敏粘合剂组分附着于半导体晶片和模片接合膜(粘结剂层)上的低污染性之间的平衡性优异，其中所述切割膜的压敏粘合剂层具有热膨胀性压敏粘合剂层和活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的层压结构，所述模片接合膜由环氧树脂组合物构成。如此，完成了本发明。SP，本发明涉及切割模片接合膜，其包括具有在基材上设置的压敏粘合剂层的切割膜；禾口在所述压敏粘合剂层上设置的模片接合膜，其中，所述切割膜的压敏粘合剂层具有含发泡剂的热膨胀性压敏粘合剂层与活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的层压结构，所述热膨胀性压敏粘合剂层和所述活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层依次层压在基材上，禾口其中，模片接合膜由包含环氧树脂的树脂组合物构成。如上所述，由于本发明切割模片接合膜中切割膜的压敏粘合剂层为热膨胀性压敏粘合剂层和活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的层压体，所述切割模片接合膜具有热膨胀性和活性能量射线固化性。因此，剥离力的下降可由于热膨胀性而实现，如此使得剥离性良好和能够获得良好的拾取性。另外，由于活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层，可改进低污染性。当然，活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层具有压敏粘合性(保持力)，从而切割时可良好保持薄工件(半导体晶片)。另外，由于剥离后模片接合膜粘贴在半导体晶片上，在下一步骤，可采用模片接合膜将半导体芯片粘合并固定于预定被粘物上，所述下一步骤后，可随后通过有效进行适合处理等生产半导体器件。在本发明中，可适合地使用热膨胀性微球作为发泡剂。另外，优选切割膜的活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层由包含以下丙烯酸类聚合物B的活性能量射线固化型压敏粘合剂形成，以及切割膜的活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层具有在通过活性能量射线照射固化后的凝胶分数为90重量％以上。丙烯酸类聚合物B:具有下述构成的丙烯酸类聚合物由包含50重量％以上的CH2=CHC00R(其中R为具有6-10个碳原子的烷基)表示的丙烯酸酯和10重量％-30重量％的含羟基单体且不包括含羧基单体的单体组合物构成的聚合物与基于含羟基单体为50mol%_9511101%量的具有自由基反应性碳_碳双键的异氰酸酯化合物加成反应。如上所述，在作为活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层原料聚合物的丙烯酸类聚合物B中，采用CH2=CHC00R(其中R为具有6_10个碳原子的烷基)作为单体组合物中的丙烯酸酯。从而，可防止因过大剥离力导致的拾取性下降。另外，除将含羟基单体的比例调节至10重量％-30重量％范围内以外，还将具有自由基反应性碳_碳双键的异氰酸酯化合物的比例调节至基于含羟基单体为50mol%_95!1101%范围内，将通过活性能量射线照射而固化后的凝胶分数控制为90重量％以上。从而，可有效防止拾取性和低污染性降低。在本发明的切割模片接合膜中，优选切割膜的热膨胀性压敏粘合剂层由包含压敏粘合剂和发泡剂的热膨胀性压敏粘合剂形成，所述压敏粘合剂能够形成具有在23°C_1501:温度范围内的弹性模量为5X10乍a至lX106Pa的压敏粘合剂层；和优选模片接合膜具有在T。至T。+2(TC温度范围内的弹性模量为1X105Pa至1X101QPa，其中T。表示切割膜的热膨胀性压敏粘合剂层的发泡起始温度。通过将切割膜的热膨胀性压敏粘合剂层的弹性模量控制在上述范围内，热膨胀性变得良好，并可防止拾取性下降。此外，通过将模片接合膜的弹性模量控制在上述范围内，可防止抑制由热膨胀引起的切割膜与模片接合膜间接触面积下降，如此可有效降低切割膜与模片接合膜间的接触面积。另外，本发明提供了一种生产半导体器件的方法，其包括采用上述切割模片接合膜。本发明的切割模片接合膜在甚至切割薄工件时的保持力，在将通过切割获得的半导体芯片与模片接合膜一体化剥离时的剥离性，以及剥离后没有压敏粘合剂组分附着在半导体晶片和粘结剂层上的低污染性间的平衡性优异。另外，剥离后，由于模片接合膜粘贴在半导体芯片上，所述半导体芯片可在接下来的步骤中采用所述模片接合膜粘合并固定。本发明的切割模片接合膜可在切割工件时，以将用于使芯片形状工件如半导体芯片固定在电极构件上的粘结剂，在切割前预先设置在工件如半导体晶片上的状态使用。通过应用本发明的切割模片接合膜，可容易地生产将半导体芯片固定于电极构件上的半导体器件。图1为示出根据本发明一个实施方案的切割模片接合膜的横截面示意图。图2为示出根据本发明另一个实施方案的切割模片接合膜的横截面示意图。图3A-3E为示出其中半导体芯片通过模片接合膜安装在切割模片接合膜上的实例的横截面示意图。附图标记和符号说,明10、11切割模片接合膜la基材lbl热膨胀性压敏粘合剂层lb2活性能量射线固化型抗污,2切割膜3、31模片接合膜4半导体晶片5半导体芯片6被粘物7接合导线(bondingwire)8密封树脂9垫片具体实施例方式参考图1和2描述本发明的实施方案，但本发明不限于这些实施方案。图1为示出本发明切割模片接合膜一个实施方案的横截面示意图。图2为示出本发明切割模片接合膜另一个实施方案的横截面示意图。然而，对描述不必要的部分没有给出，为了便于描述，存在通过放大和縮小等示出的部分。如图1所示，本发明的切割模片接合膜为具有如下结构的切割模片接合膜10:所述结构包含其中在基材la上设置由热膨胀性压敏粘合剂层lbl和活性能量射线固化型抗污压敏粘结剂层lb2构成的压敏粘合剂层lb的切割膜2，和在活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层lb2上设置的模片接合膜3。此外，本发明的切割模片接合膜可以是具有未在活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层lb2的全部表面上形成模片接合膜31，而仅在如图2所示半导体晶片粘贴部分上形成模片接合膜31的结构的切割模片接合膜11。(切割膜)(基材)基材具有活性能量射线透过性是重要的。所述基材为切割模片接合膜的强度基质。对所述基材没有特别限定，只要其具有活性能量射线透过性即可。其实例包括聚烯烃，如低密度聚乙烯、直链聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚物聚丙烯、嵌段共聚物聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯和聚甲基戊烯；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；离聚物树脂；乙烯_(甲基)丙烯酸共聚物；乙烯_(甲基)丙烯酸酯(无规或交替)共聚物；乙烯-丁烯共聚物；乙烯-己烯共聚物；丙烯酸(酯)类树脂；聚氨酯；聚酯，如聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯；聚碳酸酯；聚酰亚胺；聚醚醚酮；聚醚酰亚胺；聚酰胺；全芳族聚酰胺；聚苯硫醚；芳族聚酰胺(纸)；玻璃；玻璃布；氟化树脂；聚氯乙烯；聚偏二氯乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纤维素树脂；硅酮树脂；金属(箔)；和纸。另外，关于基材的材料，还可使用聚合物如上述各树脂的交联体。可未拉伸地使用源自各种所述树脂的塑料膜，或可根据需要实施单轴或双轴拉伸处理后使用。根据通过拉伸处理等而被赋予热收縮性的树脂片，切割后通过基材的热收縮降低了活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层与模片接合膜间的粘合面积，从而可有效促进半导体芯片的收集。作为基材，可使用由透明树脂形成的片，具有网状结构的片，在其上开孔的片等。可在基材表面上实施常规采用的表面处理如化学或物理处理，例如铬酸盐处理、臭氧暴露、火焰暴露、暴露于高压电击和电离照射处理以及采用底漆剂的涂布处理(如下文所述的粘性物质)，以改进与邻接层的粘合性、保持性等。可适合地选择和使用相同类型或不同类型的树脂形成所述基材，根据需要可使用共混了多种树脂的共混树脂。此外，可在基材上设置由金属、合金及其氧化物等构成并具有厚度约30-500埃的导电性物质的气相沉积层，以赋予基材抗静电功能。所述基材可具有单层或由两种以上构成的多层的形式。可适合地确定基材的厚度，而没有特别限定，然而，其通常为约5-200iim。此外，所述基材可在不损害本发明优点等的范围内包含多种添加剂(着色剂、填料、增塑剂、防老剂、抗氧剂、表面活性剂、阻燃剂等)。(活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层)活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层(有时简称为"抗污层")具有压敏粘合性以及活性能量射线固化性，并可由活性能量射线固化型压敏粘合剂(组合物)形成。所述活性能量射线固化型压敏粘合剂通过借助活性能量射线照射来提高交联度，可容易地降低压敏粘合力。就此而言，在本发明中，通过采用活性能量射线照射仅对应于半导体晶片通过模片接合膜粘贴的部分的活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层部分(图1中的lbA部分)，还可提供与其它部分(半导体晶片未通过模片接合膜粘贴的部分)(图1中的lbB部分)的压敏粘合力差。另外，通过照射图2所示粘贴了模片接合膜31的部分，以预先固化活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层lb2，能够容易地形成显著降低压敏粘合力的部分。在此情况下，由于模片接合膜31粘贴在已经通过固化降低了压敏粘合力的部分上，活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层lb2的压敏粘合力降低部分(对应于图1中lbA部分的部分)与模片接合膜31之间的界面在拾取期间可显示出低污染和更易剥离(剥离性)的特性。另一方面，在活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层lb2中，未用活性能量射线照射的部分(对应于图1中lbB部分的部分)具有足够的压敏粘合力。如上所述，在图1所示的切割模片接合膜10的活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层lb2中，由未固化的活性能量射线固化型压敏粘合剂形成的lbB部分粘结在模片接合膜3上，并保证在切割时的保持力。采用该方式，活性能量射线固化型压敏粘合剂可支撑具有良好的粘附与剥离平衡的用于将半导体芯片固定在被粘物如基板上的模片接合膜3。在图2所示的切割模片接合膜11的活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层lb2中，对应于上述部分lbB的部分可固定切割环。可采用由例如金属如不锈钢或树脂制成的切割环。另外，通过向热膨胀性压敏粘合剂层lbl施加预定的热处理，发生压敏粘合剂层lb的形状变化，活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层与模片接合膜间的压敏粘合力显著下降，从而可将压敏粘合力降至几乎为0，并可赋予优异的拾取性。作为用于形成活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂，可适合地使用包含以下丙烯酸类聚合物B的活性能量射线固化型压敏粘合剂。丙烯酸类聚合物B:具有以下构成的丙烯酸类聚合物由包含50重量％以上的(^2=CHCOOR(其中R为具有6-10个碳原子的烷基)表示的丙烯酸酯和10重量％-30重量％的含羟基单体且不包括含羧基单体的单体组合物构成的聚合物与基于所述含羟基单体为50mol%_9511101%量的具有自由基反应性碳_碳双键的异氰酸酯化合物加成反应。作为活性能量射线固化型压敏粘合剂，可适合地使用包含丙烯酸类聚合物作为原料聚合物的活性能量射线固化型压敏粘结剂。所述丙烯酸类聚合物的实例包括采用丙烯酸酯作为主要单体组分的那些。所述丙烯酸酯的实例包括丙烯酸烷基酯、具有芳香环的丙烯酸酯(丙烯酸芳基酯如丙烯酸苯酯等)和具有脂环族烃基的丙烯酸酯(丙烯酸环烷酯如丙烯酸环戊酯和丙烯酸环己酯、丙烯酸异冰片酯等)。丙烯酸烷基酯和丙烯酸环烷酯是适合的，和特别地，适合使用丙烯酸烷基酯。所述丙烯酸酯可单独使用，或两种以上组合使用。丙烯酸烷基酯的实例包括具有包含1-30个碳原子的烷基的丙烯酸烷基酯(特别地，具有包含4-18个碳原子的烷基的丙烯酸烷基酯)，如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸异丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸仲丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸戊酯、丙烯酸异戊酯、丙烯酸己酯、丙烯酸庚酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸壬酯、丙烯酸异壬酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸异癸酯、丙烯酸十一烷酯、丙烯酸十二烷酯、丙烯酸十三烷酯、丙烯酸十四烷酯、丙烯酸十六烷酯、丙烯酸十八烷酯和丙烯酸二十烷酯。所述丙烯酸烷基酯可以为丙烯酸烷基酯的任意形式，如丙烯酸直链烷基酯或丙烯酸支链烷基酯。如上所述，上述例举的丙烯酸酯中，本发明中优选使用化学式CH2=CHC00R(其中R为具有6-10个碳原子的烷基)表示的丙烯酸烷基酯(有时称作"丙烯酸C6-10烷基酯")。当丙烯酸烷基酯的碳原子数不足6时，剥离力变得过大，存在拾取性下降的情况。另一方面，当丙烯酸烷基酯的碳原子数超过10个时，与模片接合膜的粘合性下降，从而存在切割时发生碎屑飞散的情况。关于丙烯酸C6-10烷基酯，特别优选具有包含8-9个碳原子的烷基的丙烯酸烷基酯。其中，最优选丙烯酸2-乙基己酯和丙烯酸异辛酯。此外，在本发明中，丙烯酸C6-10烷基酯的含量优选为50重量X(wt%)以上，更优选70-90wt^，基于单体组分的总量。当丙烯酸C6-10烷基酯的含量低于50wt^时，剥离力变得过大，存在拾取性下降的情况。丙烯酸类聚合物优选包括可与上述丙烯酸酯共聚的含羟基单体。含羟基单体的实例包括(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯和(甲基)丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯。所述含羟基单体可单独使用，或可两种以上组合使用。含羟基单体的含量优选在10wt%_3(^1%范围内，更优选在15wt%-25界1%范围内，基于单体组分的总量。当含羟基单体的含量基于单体组分总量低于10wt^时，存在活性能量射线照射后交联不充分，导致拾取性下降或在具有粘贴模片接合膜的半导体芯片上产生粘结剂残留物的情况。另一方面，当含羟基单体的含量基于单体组分总量超过30wt%时，压敏粘合剂的极性变高，其与模片接合膜的相互作用变高，从而拾取性下降。根据出于改进内聚力、耐热性等目的的需要，所述丙烯酸类聚合物可包含对应于可与丙烯酸酯如丙烯酸烷基酯共聚的其它单体组分的单元。此类单体组分的实例包括甲基丙烯酸酯如甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸异丙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸异丁酯、甲基丙烯酸仲丁酯和甲基丙烯酸叔丁酯；含羧基单体如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸和巴豆酸；酸酐单体如马来酸酐和衣康酸酐；含磺酸基单体如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺_2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；含磷酸基单体如2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯；苯乙烯类单体如苯乙烯、乙烯基甲苯和a-甲基苯乙烯；烯烃或二烯烃如乙烯、丁二烯、异戊二烯和异丁烯；含卤原子单体如氯乙烯；含氟原子单体如氟化(甲基)丙烯酸酯；丙烯酰胺；和丙烯腈。可使用一种或两种以上这些可共聚单体组分。这些可共聚单体的用量优选为单体组分总量的40wt^以下。然而，在含羧基单体的情况下，活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层与模片接合膜间的粘合性通过羧基与模片接合膜中环氧树脂的环氧基反应而变高，从而在一些情况下二者的剥离性会下降。因此，优选不使用含羧基单体。另外，丙烯酸类聚合物优选包含具有自由基反应性碳_碳双键的异氰酸酯化合物(有时称作"含双键异氰酸酯化合物")。即，丙烯酸类聚合物优选具有如下结构含双键异氰酸酯化合物通过加成反应结合入由包含丙烯酸酯、含羟基单体等的单体组合物构成的聚合物中。因此，丙烯酸类聚合物优选在其分子结构中具有自由基反应性碳-碳双键。从而，8所述聚合物可形成通过活性能量射线照射而固化的活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层(紫外线固化型抗污压敏粘合剂层等)，如此可降低模片接合膜与活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层间的剥离力。所述含双键异氰酸酯化合物的实例包括甲基丙烯酰基异氰酸酯、丙烯酰基异氰酸酯、2_甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、2-丙烯酰氧基乙基异氰酸酯和间异丙烯基-a，a_二甲基苄基异氰酸酯。含双键异氰酸酯化合物可单独使用，或可两种以上组合使用。含双键异氰酸酯化合物的用量优选在50-95mol^范围内，更优选在75-90mol%范围内，基于含羟基单体。当含双键异氰酸酯化合物的用量基于含羟基单体低于50mol%时，存在活性能量射线照射后交联不充分，导致拾取性下降或在其上粘贴有模片接合膜的半导体芯片上产生粘结剂残留物的情况。所述丙烯酸类聚合物如丙烯酸类聚合物B可通过聚合单一单体或两种以上的单体混合物得到。聚合可采用任意方法进行，例如溶液聚合(如自由基聚合、阴离子聚合、阳离子聚合等)、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合和光聚合(如紫外线(UV)聚合等)。基于防止污染洁净被粘物的观点，低分子量物质的含量优选较小。基于该观点，丙烯酸类聚合物的重均分子量优选为350，000-1，000，000，和更优选约450，000-800，000。另外，在活性能量射线固化型压敏粘合剂中，为控制活性能量射线照射前的压敏粘合力和活性能量射线照射后的压敏粘合力，可任选使用外部交联剂。作为用于外部交联法的具体方式，可提及添加所谓的交联剂如多异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物或三聚氰胺类交联剂并使之反应的方法。在使用外部交联剂的情况下，所述量根据与待交联原料聚合物的余量(balance)和进一步地作为压敏粘合剂的使用用途适合地确定。外部交联剂的用量为20重量份以下，优选0.1重量份-10重量份，基于100重量份原料聚合物。此外，所述活性能量射线固化型压敏粘合剂可与常规已知的各种添加剂如增粘剂和防老剂混合。此外，向活性能量射线固化型压敏粘合剂中，可添加活性能量射线固化型组分(活性能量射线固化型单体组分、活性能量射线固化型低聚物组分等)，以控制活性能量射线照射前的压敏粘合力等。活性能量射线固化型单体的实例包括氨基甲酸酯单体、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯和1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。此外，活性能量射线固化型低聚物组分包括多种低聚物组分，如聚氨酯类、聚醚类、聚酯类、聚碳酸酯类和聚丁二烯类低聚物，其分子量适合地在约100-30，000范围内。活性能量射线固化型单体组分或低聚物组分的混合量可根据活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的类型适合地确定。通常，活性能量射线固化型单体组分或低聚物组分的混合量例如为500重量份以下(如5-500重量份，优选40-150重量份)，基于100重量份构成活性能量射线固化型压敏粘合剂的原料聚合物如丙烯酸类聚合物。此外，作为活性能量射线固化型压敏粘合剂，除上述加成型活性能量射线固化型压敏粘合剂外，还可使用采用在聚合物侧链、在主链中或在主链末端具有自由基反应性碳-碳双键的丙烯酸类聚合物作为原料聚合物的内部供给型活性能量射线固化型压敏粘合剂。所述内部供给型活性能量射线固化型压敏粘合剂不需要包含作为低分子量组分的低聚物组分等，或不含大量的低聚物组分等。因此，这类压敏粘合剂是优选的，这是由于其可形成在压敏粘合剂中低聚物组分等不随时间迁移的具有稳定层结构的活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层。作为具有自由基反应性碳_碳双键的聚合物，可使用分子中具有自由基反应性碳-碳双键并具有粘性的丙烯酸类聚合物，而没有特别限定。作为所述丙烯酸类聚合物(丙烯酸类聚合物B等)的基本骨架，可提及上述例举的丙烯酸类聚合物。对将自由基反应性碳-碳双键引入丙烯酸类聚合物如丙烯酸类聚合物B中的方法没有特别限定，可采用各种方法。然而，基于分子设计的观点，易于将自由基反应性碳_碳双键引入聚合物侧链。例如，可提及包括预先使具有羟基的单体与丙烯酸类聚合物共聚，然后进行所述聚合物与具有能够与羟基反应的异氰酸酯基和自由基反应性碳_碳双键的异氰酸酯化合物的縮合或加成反应，同时保持自由基反应性碳_碳双键的活性能量射线固化性的方法。具有异氰酸酯基和自由基反应性碳-碳双键的异氰酸酯化合物的实例包括上述例举的那些。此外，作为丙烯酸类聚合物，可使用其中除上述例举的含羟基单体以外还共聚了含羟基醚基化合物如2-羟乙基乙烯基醚、4-羟丁基乙烯基醚或二甘醇单乙烯基醚等的聚合物。在内部供给型活性能量射线固化型压敏粘合剂中，可单独使用具有自由基反应性碳_碳双键的原料聚合物(特别是丙烯酸类聚合物)。然而，也可在不劣化特性的水平上混合活性能量射线固化型单体组分或低聚物组分。活性能量射线固化型低聚物组分等的量通常为50重量份以下，优选在0-30重量份范围内，基于100重量份原料聚合物。基于用活性能量射线固化的目的，在活性能量射线固化型压敏粘合剂中可使用光聚合引发剂。光聚合引发剂的实例包括a-酮醇类化合物如4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、a-羟基-a，a'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮和l-羟基环己基苯酮；苯乙酮类化合物如甲氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2-二乙氧基苯乙酮和2-甲基-1-[4_(甲基硫代)苯基]_2-吗啉基丙烷-1-酮；苯偶姻醚类化合物如苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚和茴香偶姻甲醚；縮酮类化合物如苄基二甲基縮酮；芳香族磺酰氯类化合物如2-萘磺酰氯；光活化肟类化合物如l-苯酮-l，l-丙二酮-2-(邻乙氧基羰基)后；二苯甲酮类化合物如二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸和3，3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮；噻吨酮类化合物如噻吨酮、2-氯代噻吨酮、2_甲基噻吨酮、2，4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2，4-二氯代噻吨酮、2，4-二乙基噻吨酮和2，4-二异丙基噻吨酮；樟脑醌；卤化酮；酰基氧化膦；和酰基膦酸酯。光聚合引发剂的混合量例如为20重量份以下(如0.05-20重量份)，基于100重量份构成压敏粘合剂的原料聚合物如丙烯酸类聚合物。另外，活性能量射线固化型压敏粘合剂的实例包括橡胶类压敏粘合剂和丙烯酰类(acryl-based)压敏粘合剂，所述橡胶类压敏粘合剂和丙烯酰类压敏粘合剂包含具有两个或多个不饱和键的加成聚合性化合物，光聚合性化合物如具有环氧基的烷氧基硅烷，和光聚合引发剂如羰基化合物、有机硫化合物、过氧化物、胺和鎗盐基化合物，其公开于JP-A-60-196956中，引入此处以作参考。通过活性能量射线照射而固化后，活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的凝胶分数优选为90重量％以上，更优选94重量％以上。当通过活性能量射线照射而固化后，活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的凝胶分数低于90重量％时，拾取性下降，或在一些情况下会在粘贴有模片接合膜的半导体芯片上产生粘结剂残留物。活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的凝胶分数可通过以下测量方法测量。凝胶分数的测量方法从活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层中选取约O.lg样品，并精确称重(样品重量)，所述活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层已采用NittoSeikiCo.，Ltd.制造的商品名为"UM-810"的紫外线(UV)照射装置，在300mJ/tf紫外线照射积分光强度下进行紫外线照射(波长365nm)。用网状片包裹后，将其在室温下浸入约50ml乙酸乙酯中1周。此后，从乙酸乙酯中取出溶剂不溶物(网状片中的内容物)，并在8(TC下干燥约2小时，称重所述溶剂不溶物(浸渍并干燥后的重量)，按照以下方程(1)计算凝胶分数(重量％)。凝胶分数(重量％)=K浸渍并干燥后的重量)/(样品重量MX100(1)对活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的活性能量射线照射可在粘贴切割膜和模片接合膜的步骤之前至之后(粘贴步骤前、粘贴步骤期间或粘贴步骤后)的任意时间进行，或将半导体晶片粘贴于模片接合膜的步骤之前至之后(粘贴步骤前、粘贴步骤期间或粘贴步骤后)的任意时间进行。此外，对活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的活性能量射线照射可在热膨胀所述热膨胀性压敏粘合剂层的热膨胀步骤之前至之后(热膨胀步骤前、热膨胀步骤期间或热膨胀步骤后)的任意时间进行。在本发明中，基于拾取性的观点，优选在热膨胀性压敏粘合剂层的热膨胀前进行活性能量射线照射。即，在通过采用活性能量射线照射活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层而进行活性能量射线固化后，加热所述热膨胀性压敏粘合剂层，以实现热膨胀是适合的。在上述切割步骤前(或切割步骤期间)进行活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的活性能量射线照射的情况下，采用活性能量射线照射仅对应于半导体晶片通过模片接合膜粘贴的部分的部分，不采用活性能量射线照射半导体晶片未通过模片接合膜粘贴的部分是重要的。当活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层中，半导体晶片未通过模片接合膜粘贴的部分不使用上述活性能量射线照射时，该部分具有足够的压敏粘合力，从而在切割步骤中切割半导体晶片时，其能够粘贴于模片接合膜或切割环等上，以有效保持半导体晶片。当然，由于半导体晶片通过模片接合膜粘贴的部分已经采用活性能量射线照射，该部分可显示出良好的剥离性，在拾取步骤中能够容易地拾取半导体芯片。另一方面，在上述切割步骤后采用活性能量射线照射活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的情况下，采用活性能量射线照射的部分可以是至少包括半导体晶片通过模片接合膜粘贴部分的部分，并可以是全部表面。所述活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层可例如通过采用将活性能量射线固化型压敏粘合剂与根据需要的溶剂和其它添加剂混合并将该混合物成形为片状层的常用方法形成。具体而言，活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层可例如通过如下方法形成，所述方法包括将包含活性能量射线固化型压敏粘合剂与根据需要的溶剂和其它添加剂的混合物施涂在热膨胀性压敏粘合剂层或下述橡胶状有机弹性中间层上的方法；包括将上述混合物施涂在适合的隔离体(隔离纸等)上，形成活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层，并将其转移(转换)至热膨胀性压敏粘合剂层或橡胶状有机弹性中间层上的方法等。对活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的厚度没有特别限定。然而，基于防止芯片切断面碎裂和保持粘结剂层固定的协调性等观点，其为约1-50iim，优选2-30iim，更优选3_25lim。此外，活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层可为单层或多层。在本发明中，所述活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层在不损害本发明的优点等范围内，可包含各种添加剂(如着色剂、增稠剂、增量剂(extender)、填料、增粘剂、增塑剂、防老剂、抗氧剂、表面活性剂、交联剂等)。活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层可采用活性能量射线照射来固化。作为该活性能量射线，可例如提及电离照射如a射线、|3射线、Y射线、中子束和电子束以及紫外线。特别地，紫外线是适合的。对照射活性能量射线时的照射能、照射时间和照射方法没有特别限定，可适合地选择，以能够活化光聚合引发剂引起固化反应。在采用紫外线作为活性能量射线的情况下，作为紫外照射，例如在300nm-400nm波长下亮度为lmW/Cm2-200mW/cm2的紫外线照射在约400mJ/Cm2-4000mJ/cm2光强度下进行。另外，作为紫外线的光源，可使用在180nm-460nm，优选300nm-400nm波长区域内具有光谱分布的那些。例如，可使用照射装置如化学灯、黑光灯、汞弧灯、低压汞灯、中压汞灯、高压汞灯、超高压汞灯或金属卤化物灯等。就此而言，作为紫外线光源，可使用能够产生具有大于或小于上述波长的波长的电离照射的照射装置。另外，在本发明中，活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层优选在形成模片接合膜一侧的表面上，特别是在与模片接合膜接触位置的表面上，具有30mJ/m2以下(如lmj/m2-30mj/m2)的表面自由能。活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的表面自由能进一步优选为15mJ/m2-30mJ/m2，和特别优选20mJ/m2-28mJ/m2。在活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的表面自由能超过30mJ/m2的情况下，在一些情况下，活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层与模片接合膜间的粘合性升高，拾取性下降。就此而言，活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的表面自由能(mj/m2)为活性能量射线固化前的活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的表面自由能。在本发明中，活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的表面自由能是指通过分别测量水和二碘甲烷与活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层表面的接触角9(rad)，并求解作为联立线性方程的两个方程测定的表面自由能值(Ys)，其中所述方程采用测量值和由文献获知的值作为接触角测量液体的表面自由能值{水(色散分量(Y。21.8(mJ/m2)，极性分量(Y):51.0(mJ/m2))，二碘甲烷(色散分量(Y。49.5(mJ/m2)，极性分量(YLP):1.3(mJ/m2))}以及以下方程(2a)-(2c)得到。Ys=Y/+Ysp(2a)Yl=YLd+YLp(2b)(l+cos9)Yl=2(YsdYLd)1/2+2(YsPYLp)1/2(2c)其中，方程(2a)-(2c)中各符号分别如下。9:采用水或二碘甲烷液滴测量的接触角(rad)Ys:压敏层(活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层)的表面自由能(mj/m2)Ysd:压敏层(活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层)的表面自由能中的色散分量(mj/m2)Ysp:压敏层(活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层)的表面自由能中的极性分量(mj/m2)Y。水或二碘甲烷的表面自由能(mj/m2)Y:水或二碘甲烷表面自由能中的色散分量(mj/m2):水或二碘甲烷表面自由能中的极性分量(mj/m2)另外，水或二碘甲烷与活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的接触角通过将约1pL水(蒸馏水)或二碘甲烷液滴在JISZ8703所述的测试位置环境(温度23士2t:，湿度50±5%RH)下，滴加至活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层表面上，并采用表面接触角仪"CA-X"(FACEcompany制造)在滴加30秒后通过三点法测量角度来测定。活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的表面自由能可通过调节压敏粘合剂的原料聚合物类型和添加剂等控制。(热膨胀性压敏粘合剂层)热膨胀性压敏粘合剂层可由包含聚合物组分和发泡剂的压敏粘合剂形成。作为聚合物组分(特别地，原料聚合物)，可适合地使用丙烯酸类聚合物(有时称作"丙烯酸类聚合物A")。关于丙烯酸类聚合物A，可提及其中使用(甲基)丙烯酸酯作为主要单体组分的丙烯酸类聚合物。(甲基)丙烯酸酯类的实例包括(甲基)丙烯酸烷基酯(如具有包含l-30个碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸酯，特别是具有包含4-18个碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯，例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯和(甲基)丙烯酸二十烷酯，和(甲基)丙烯酸环烷酯(如(甲基)丙烯酸环戊酯、(甲基)丙烯酸环己酯等)。这些(甲基)丙烯酸酯可单独使用，或两种以上组合使用。所述丙烯酸类聚合物A根据基于改进内聚力、耐热性、交联能力等目的的需要，可包含对应于可与所述(甲基)丙烯酸酯共聚的其它单体组分的单元。这类单体组分的实例包括含羧基单体，如丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸和丙烯酸羧乙酯；含酸酐基单体，如马来酸酐和衣康酸酐；含羟基单体，如(甲基)丙烯酸羟乙酯、(甲基)丙烯酸羟丙酯和(甲基)丙烯酸羟丁酯；(N-取代或未取代的)酰胺类单体，如(甲基)丙烯酰胺、N，N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺和N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺；乙烯基酯类单体，如乙酸乙烯酯和丙酸乙烯酯；苯乙烯类单体，如苯乙烯和a-甲基苯乙烯；乙烯基醚类单体，如乙烯基甲醚和乙烯基乙醚；氰基丙烯酸酯类单体，如丙烯腈和甲基丙烯腈；含环氧基的丙烯酸类单体，如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯；烯烃或二烯类单体，如乙烯、丙烯、异戊二烯、丁二烯和异丁烯；含(取代或未取代的)氨基的单体，如(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N，N-二甲基氨基乙酯和(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙酯；(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯类单体，如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯和(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯；具有含氮原子环的单体，如N-乙烯基吡咯烷酮、N-甲基乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基吡啶、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基嘧啶、N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基吡嗪、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑、N-乙烯基噁唑、N-乙烯基吗啉和13N-乙烯基己内酰胺；N-乙烯基羧酰胺；含磺酸基单体，如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙烷磺酸和(甲基)丙烯酸磺丙酯；含磷酸单体，如2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯；马来酰亚胺类单体，如N-环己基马来酰亚胺、N-异丙基马来酰亚胺、N-月桂基马来酰亚胺和N-苯基马来酰亚胺；衣康酰亚胺类单体，如N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺、N-丁基衣康酰亚胺、N-辛基衣康酰亚胺』-2_乙基己基衣康酰亚胺、N-环己基衣康酰亚胺和N-月桂基衣康酰亚胺；琥珀酰亚胺类单体，如N-(甲基)丙烯酰氧基亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰-6-氧基六亚甲基琥珀酰亚胺和N-(甲基)丙烯酰-8-氧基八亚甲基琥珀酰亚胺；二醇基丙烯酸酯单体，如聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯和聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯；具有含氧原子杂环的单体，如(甲基)丙烯酸四氢糠酯；含氟原子的丙烯酸酯类单体，如氟化(甲基)丙烯酸酯；含硅原子的丙烯酸酯单体，如硅酮基(甲基)丙烯酸酯；和多官能单体，如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯(urethaneacrylate)、二乙烯基苯、二(甲基)丙烯酸丁酯和二(甲基)丙烯酸己酯。所述丙烯酸类聚合物A通过聚合单一单体或两种以上单体的混合物得到。所述聚合可通过任意方法如溶液聚合(如自由基聚合、阴离子聚合、阳离子聚合等)、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合、光聚合(如紫外(UV)聚合等)进行。对丙烯酸类聚合物A的重均分子量没有限定，但优选约350，000-1，000，000，更优选约450，000-800，000。另外，在热膨胀性压敏粘合剂中，为了控制压敏粘合力，还可适合地采用外部交联剂。作为外部交联法的具体方式，可提及添加所谓的交联剂如环氧化合物、氮丙啶化合物或三聚氰胺交联剂并使之反应的方法。在使用外部交联剂的情况下，其量根据与待交联原料聚合物的余量以及进一步作为压敏粘合剂的使用用途适合地确定。外部交联剂的用量通常为20重量份以下，优选0.1重量份-10重量份，基于100重量份原料聚合物。如上所述，所述热膨胀性压敏粘合剂层包含用于赋予热膨胀性的发泡剂是重要的。从而，通过在任意时刻在使得被粘物(特别是多片被粘物)粘贴在切割模片接合膜的压敏粘合面上的状态下，至少部分加热切割模片接合膜，以发泡和/或膨胀包含在热膨胀性压敏粘合剂层的受热部分中的发泡剂，所述热膨胀性压敏粘合剂层至少部分膨胀，以及由于该热膨胀性压敏粘合剂层的至少部分膨胀，对应于膨胀部分的热膨胀性压敏粘合剂层的压敏粘合面不均匀形变，以减小在热膨胀性压敏粘合剂层的压敏粘合面上设置的活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的压敏粘合面与其上已经粘贴了被粘物的模片接合膜间的粘合面积。从而，不均匀形变的活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的压敏粘合面与其上粘贴了被粘物的模片接合膜间的粘附力下降，如此可从切割膜上剥离粘贴在压敏粘合面上的模片接合膜(其上粘贴有被粘物的模片接合膜)。在部分加热热膨胀性压敏粘结剂层的情况下，部分加热的部分可以是至少包含在其上通过模片接合膜粘贴了待剥离或拾取的半导体芯片的部分的部分。对在热膨胀性压敏粘合剂层中使用的发泡剂没有特别限定，可由已知的发泡剂中适合地选择。所述发泡剂可单独使用或两种以上组合使用。作为发泡剂，可适合地使用热膨胀性微球。对热膨胀性微球没有特别限定，可由已知热膨胀性微球(各种无机热膨胀性微球、有机热膨胀性微球等)适合地选择。作为热膨胀性微球，基于易混合操作等观点，可适合地使用微囊化发泡剂。此类热膨胀性微球的实例包括其中在具有弹性的壳内包含易于气化和膨胀的物质如异丁烷、丙烷或戊烷的微球。上述壳通常由热融性物质或通过热膨胀破坏的物质形成。形成所述壳的物质的实例包括偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯和聚砜。热膨胀性微球可通过常规采用的方法如凝聚法或界面聚合法等生产。就此而言，作为热膨胀性微球，可使用商购产品，例如MatsumotoYushi-SeiyakuCo.，Ltd.制造的商品名"MatsumotoMicrosphere"系列如商品名"MatsumotoMicrosphereF30，，、商品名"MatsumotoMicrosphereF30ID，，、商品名"MatsumotoMicrosphereF50D，，、商品名"MatsumotoMicrosphereF50ID，，、商品名"MatsumotoMicrosphereF80SD，，禾口商品名"MatsumotoMicrosphereF80VSD"，以及ExpancelCompany制造的商品名"051DU，，、商品名"053DU"、商品名"551DU"、商品名"551-20DU"和商品名"551-80DU"。在本发明中，作为发泡剂，还可使用除热膨胀性微球以外的发泡剂。作为此类发泡剂，可由各种发泡剂如各种无机和有机发泡剂中适合地选择并使用。典型无机发泡剂的实例包括碳酸铵、碳酸氢铵、亚硝酸铵、硼氢氧化钠(sodiumborohydroxide)和各种叠氮化物。另外，典型有机发泡剂的实例包括水；氯氟烷类化合物，如三氯单氟甲烷和二氯单氟甲烷；偶氮类化合物，如偶氮二异丁腈、偶氮二碳酰胺和偶氮二羧酸钡；肼类化合物，如对甲苯磺酰肼、联苯砜-3，3'-二磺酰肼、4，4'-氧双(苯磺酰肼)和烯丙基双(磺酰肼)；氨基脲类化合物，如对甲苯磺酰氨基脲和4，4'-氧双(苯磺酰氨基脲)；三唑类化合物，如5-吗啉基-l，2，3，4-噻三唑；N-亚硝基类化合物，如N，N'-二亚硝基五亚甲基四胺(dinitrosopentamethylenetetoramine)禾口N，N，_二甲基_N，N，_二亚石肖基X寸苯二甲酉先月安。在本发明中，由于热膨胀性压敏粘合剂层和/或活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的粘合力通过热处理有效且稳定地下降，优选具有适合强度的发泡剂，所述发泡剂直至体积膨胀比达到5倍以上、7倍以上，特别地10倍以上也不会胀破。发泡剂(热膨胀性微球等)的混合量可根据热膨胀性压敏粘合剂层的膨胀量和粘合力下降度适合地设定，但通常该量为例如1重量份-150重量份，优选10重量份-130重量份，和进一步优选25重量份-100重量份，基于100重量份形成热膨胀性压敏粘合剂层的原料聚合物。在使用热膨胀性微球作为发泡剂的情况下，热膨胀性微球的粒径(平均粒径)可根据热膨胀性压敏粘合剂层的厚度等适合地选择。热膨胀性微球的平均粒径可以例如在100iim以下，优选80iim以下，更优选1ym_50ym，特别优选1ym_30ym范围内选择。热膨胀性微球的粒径可在形成热膨胀性微球过程中控制，或可通过在形成后分级等方式控制。热膨胀性微球优选具有均匀的粒径。在本发明中，关于发泡剂，适合使用具有80°C-210°C，优选95°C_200°C，特别优选10(TC-17(TC的发泡起始温度(热膨胀起始温度T。)的发泡剂。当发泡剂的发泡起始温度低于8(TC时，在切割模片接合膜生产期间或其使用期间在一些情况下发泡剂可能会受热发泡，从而操控性和生产率下降。另一方面，当发泡剂的发泡起始温度超过21(TC时，要求切割膜和模片接合膜的基材具有过高的耐热性，从而基于操控性、生产率和成本考虑，该情况不是优选的。此外，发泡剂的发泡起始温度(T。)对应于热膨胀性压敏粘合剂层的发泡起始温度(T。)。作为发泡剂发泡的方法(即，热膨胀所述热膨胀性压敏粘合剂层的方法)，可由已知加热和发泡方法中适合地选择并采用任意方法。在本发明中，基于热处理前适合的粘合力与热处理后粘合力下降度之间平衡的观点，热膨胀性压敏粘合剂层优选具有5X104Pa_lX106Pa，更优选5X104Pa_8X105Pa，和特别优选5X104Pa-5X105Pa的在23°C_150"温度范围内的不含发泡剂形式的弹性模量。当不含发泡剂形式的热膨胀性压敏粘合剂层的弹性模量(温度23°C-150°C)低于5X10乍a时，在一些情况下热膨胀性变差和拾取性下降。此外，当不含发泡剂形式的热膨胀性压敏粘合剂层的弹性模量(温度23°C-150°C)高于lXl()6pa时，在一些情况下初始粘合性变差。不含发泡剂形式的热膨胀性压敏粘合剂层对应于由压敏粘合剂(不含发泡剂)形成的压敏粘合剂层。因此，不含发泡剂形式的热膨胀性压敏粘合剂层的弹性模量可采用压敏粘合剂(不含发泡剂)测量。就此而言，所述热膨胀性压敏粘合剂层可由热膨胀性压敏粘合剂和发泡剂形成，所述热膨胀性压敏粘合剂包含能够形成在23°C-IS(TC温度范围内的弹性模量为5X104Pa-lX106Pa的压敏粘合剂层的压敏粘合剂。不含发泡剂形式的热膨胀性压敏粘合剂层的弹性模量如下确定。生产未添加发泡剂形式的热膨胀性压敏粘合剂层(即，由不含发泡剂的压敏粘合剂形成的压敏粘合剂层)(样品)。然后，在频率lHz、升温速率为5t:/min和应变为0.1%(23tO或0.3%(150°C)条件下，以剪切模式，采用RheometricsCo.，Ltd.制造的动态粘弹性测量装置"ARES"测量样品的弹性模量，并将其作为在23t:或15(rC下获得的剪切贮能弹性模量(shearstorageelasticmodulus)G'的值。热膨胀性压敏粘合剂层的弹性模量可通过调节压敏粘合剂的原料聚合物种类、交联剂、添加剂等控制。所述热膨胀性压敏粘合剂层例如可通过将压敏粘合剂、发泡剂(热膨胀性微球等)和任选的溶剂以及其它添加剂混合，并利用常规使用的方法将该混合物成型为片状层来形成。具体地，热膨胀性压敏粘合剂层可例如通过如下方法形成包括将含有压敏粘合剂、发泡剂(热膨胀性微球等)和任选的溶剂以及其它添加剂的混合物施涂在基材或下述橡胶状有机弹性中间层上的方法；包括将上述混合物施涂在适合的隔离体如隔离纸上，形成热膨胀性压敏粘合剂层，并将其转移(转换)至基材或橡胶状有机弹性中间层上的方法等。对热膨胀性压敏粘合剂层的厚度没有特别限定，可根据粘合力的下降度适合地选择。例如，厚度为约5iim-300iim，和优选20iim-150iim。然而，在使用热膨胀性微球作为发泡剂的情况下，热膨胀性压敏粘合剂层的厚度大于其中包含的热膨胀性微球最大粒径是重要的。当热膨胀性压敏粘合剂层的厚度过小时，由于热膨胀性微球的不均匀性，表面平滑性受到损害，从而加热前(未发泡状态)的粘合性下降。另外，通过热处理的热膨胀性压敏粘合剂层的形变度较小，从而难以平稳地降低粘合力。另一方面，当热膨胀性压敏粘合剂层太大时，在通过热处理膨胀或发泡后的热膨胀性压敏粘合剂层中，趋于发生内聚失效，在一些情况下在被粘物上会产生粘结剂残留物。所述热膨胀性压敏粘合剂层可以是单层或多层。在本发明中，热膨胀性压敏粘合剂层可在不损害本发明优点等的范围内，包含多种添加剂(如着色剂、增稠剂、增量剂、填料、增粘剂、增塑剂、防老剂、抗氧剂、表面活性剂、交联剂等)。在本发明中，热膨胀性压敏粘合剂层可通过加热热膨胀。热处理可采用适合的加热装置如热盘、热风干燥器、近红外灯或空气干燥器进行。热处理时的加热温度可以是热膨胀性压敏粘合剂层中发泡剂(热膨胀性微球等)的发泡起始温度(热膨胀起始温度)以上。用于热处理的条件可根据通过发泡剂(热膨胀性微球等)类型等的粘合面积减少性(decreasingprofile)、基材模片接合膜等的耐热性和加热方法(热容、加热装置等)等适合地设定。热处理的通常条件如下10(TC-25(rC温度下进行1秒-90秒(热盘等)，或进行5分钟-15分钟(热风干燥器等)。热处理可根据使用的预期目的在适合的阶段进行。另外，存在使用红外灯或热水作为热处理时热源的情况。(中间层)本发明中，可在基材与压敏粘合剂层(活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层与热膨胀性压敏粘合剂层的层压体)间设置中间层。作为该中间层，可提及基于改进粘合力目的的底漆剂的涂层。另外，除底漆剂的涂层外，中间层的实例还包括基于提供良好形变性目的的层，基于增加与被粘物(半导体晶片等)的粘合面积目的的层，基于改进粘合力目的的层，基于获得对被粘物(半导体晶片等)表面形状良好追随能力目的的层，基于通过加热改进用于降低粘合力的加工性目的的层，和基于改进加热后从被粘物(半导体晶片等)剥离性目的的层。特别地，基于向具有活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层和热膨胀性压敏粘合剂层的切割膜提供形变性和改进其加热后剥离性的观点，优选在基材与压敏粘合剂层(活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层与热膨胀性压敏粘合剂层的层压体)间设置橡胶状有机弹性中间层。如上所述，通过设置橡胶状有机弹性中间层，在将切割模片接合膜粘合在被粘物上时，切割模片接合膜的表面能够良好追随被粘物的表面形状，从而可增大粘合面积。另外，在加热并从切割膜上剥离具有被粘物的模片接合膜时，能够高度(精确)控制热膨胀性压敏粘合剂层的热膨胀，从而能够在厚度方向上优先并均匀地膨胀热膨胀性压敏粘合剂层。即，所述橡胶状有机弹性中间层可起到当将切割模片接合膜粘合在被粘物上时，通过使表面追随被粘物表面形状来提供大粘合面积的作用；和当基于从切割膜上剥离具有被粘物的模片接合膜的目的通过加热来发泡和/或膨胀所述热膨胀性压敏粘合剂层时，通过降低沿切割膜平面方向发泡和/或膨胀的限定，促进通过活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层与热膨胀性压敏粘合剂层的三维结构变化的波纹结构形成的作用。此外，橡胶状有机弹性中间层为如上所述根据需要设置的层，其并不是必须设置。基于增强加工期间被粘物的固定性和其加热后的剥离性的目的，优选设置所述橡胶状有机弹性中间层。所述橡胶状有机弹性中间层优选以覆盖热膨胀性压敏粘合剂层的形式设置在基材侧的热膨胀性压敏粘合剂层表面上。就此而言，中间层还可作为不同于基材与热膨胀性压敏粘合剂层间的中间层的层设置。橡胶状有机弹性中间层可放置于基材的一个或两个表面上。所述橡胶状有机弹性中间层优选由例如具有按照ASTMD-2240的D型Shore硬度为50以下、特别是40以下的天然橡胶、合成橡胶或具有橡胶弹性的合成树脂形成。就此而言，即使当聚合物为基本上硬的聚合物如聚氯乙烯时，橡胶弹性也可与共混剂如增塑剂或软化剂组合来显示。该组合物也可用作橡胶状有机弹性中间层的组成材料。橡胶状有机弹性中间层可通过成形法形成，所述成形法例如包括施涂包含橡胶状有机弹性层形成材料如天然橡胶、合成橡胶或具有橡胶弹性的合成树脂的涂布液的方法(涂布法)；包括在基材上粘合由橡胶状有机弹性层形成材料构成的膜，或粘合其中预先在一层或多层热膨胀性压敏粘合剂层上形成由橡胶状有机弹性中间层组成材料构成的层的层压膜的方法(干法层压法)；或包括共挤出包含基材组成材料的树脂组合物与包含橡胶状有机弹性层形成材料的树脂组合物的方法(共挤出法)。此外，橡胶状有机弹性中间层可由包含天然橡胶、合成橡胶或具有橡胶弹性的合成树脂作为主要组分的压敏粘合物质形成，和可由主要包含此类组分的发泡膜形成。所述发泡可通过常规使用的方法实现，所述方法例如为采用机械搅拌的方法、采用反应形成的气体的方法、采用发泡剂的方法、除去可溶物的方法、喷雾法、形成复合泡沫的方法或烧结法等。中间层如橡胶状有机弹性中间层的厚度例如为约5iim-300ym，优选约20iim-150iim。在所述中间层为例如橡胶状有机弹性中间层的情况下，当橡胶状有机弹性中间层的厚度过小时，不能获得加热发泡后的三维结构变化，从而在一些情况下剥离性变差。所述中间层如橡胶状有机弹性中间层可以是单层，或可由两层或多层构成。另外，关于中间层如橡胶状有机弹性中间层，优选使用不会抑制活性能量射线透过的层。此外，中间层可在不损害本发明优点等的范围内包含各种添加剂(如着色剂、增稠剂、增量剂、填料、增粘剂、增塑剂、防老剂、抗氧剂、表面活性剂、交联剂等)。(模片接合膜)重要的是模片接合膜具有在加工压接于模片接合膜上的半导体晶片(如将其切割成芯片形式)期间粘合和支撑半导体晶片的功能，和当安装半导体晶片加工体时起到半导体晶片(如切割成芯片形式的半导体晶片)加工体与各种载体的接合层作用的功能。特别地，作为模片接合膜，在半导体晶片加工(例如加工如切割)期间具有使得切割片不会飞散的粘合性是重要的。本发明中，模片接合膜由包含环氧树脂的树脂组合物构成。在所述树脂组合物中，环氧树脂的比例可在5重量％以上，优选7重量％以上，更优选9重量％以上的范围内适合地选择，基于聚合物组分的总量。环氧树脂比例的上限没有特别限定，可以是100重量％以下，但优选50重量％以下，更优选40重量％以下，基于聚合物组分的总量。基于包含较少腐蚀半导体元件的离子杂质等的观点，优选环氧树脂。对环氧树脂没有特别限定，只要其通常用作粘结剂组合物即可。例如，可使用双官能环氧树脂或多官能环氧树脂，如双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘型环氧树脂、芴型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂和四苯基羟基乙烷型环氧树脂，或环氧树脂如乙内酰脲型环氧树脂、三縮水甘油基异氰脲酸酯型环氧树脂或縮水甘油基胺型环氧树脂。所述环氧树脂可单独使用，或可两种以上组合使用。作为环氧树脂，上述例举的那些中，特别优选酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂和四苯基羟基乙烷(tetr即henylolethane)型环氧树脂。这是因为这些环氧树脂具有与作为固化剂的酚醛树脂的高反应性，且耐热性等优异。另外，根据需要可将其它热固性树脂或热塑性树脂组合使用于模片接合膜中。热固性树脂的实例包括酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、硅酮树脂和热固性聚酰亚胺树脂。这些热固性树脂可单独使用，或可两种以上组合使用。此外，优选酚醛树脂作为环氧树脂的固化剂。此外，酚醛树脂起到环氧树脂的固化剂的作用，其实例包括酚醛清漆型酚醛树脂如苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂和壬基酚酚醛清漆树脂；酚醛树脂A型酚醛树脂；和聚氧化苯乙烯如聚对氧化苯乙烯。其可单独使用，或可两种以上组合使用。这些酚醛树脂中，特别优选苯酚酚醛清漆树脂和苯酚芳烷基树脂。这是因为可改进半导体器件的连接可靠性。环氧树脂与酚醛树脂的混合比优选使得例如酚醛树脂中的羟基为0.5-2.0当量，基于每当量环氧树脂组分中的环氧基。更优选0.8-1.2当量。S卩，当混合比超出该范围时，固化反应不能充分进行，环氧树脂固化产品的特性趋于劣化。热塑性树脂的实例包括天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯_乙酸乙烯酯共聚物、乙烯_丙烯酸共聚物、乙烯_丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂如尼龙6和尼龙6，6、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、饱和聚酯树脂如PET和PBT、聚酰胺酰亚胺树脂和氟树脂。这些热塑性树脂可单独使用，或两种以上组合使用。这些热塑性树脂中，离子杂质少、耐热性高和能够保证半导体元件可靠性的丙烯酸类树脂是特别优选的。对丙烯酸类树脂没有特别限定，其实例包括含有一种或两种以上具有30个以下碳原子，特别是4-18个碳原子的直链或支化烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯作为组分的聚合物。所述烷基的实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、2_乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基和十八烷基。另外，用于形成丙烯酸类树脂的其它单体(除具有30个以下碳原子的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯以外的单体)没有特别限定，其实例包括含羧基单体，如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸和巴豆酸；酸酐单体，如马来酸酐和衣康酸酐；含羟基单体，如(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟月桂酯和(甲基)丙烯酸(4-羟甲基环己基)酯；含磺酸单体，如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基_2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；和含磷酸单体，如2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯。本发明中，热塑性树脂(特别是丙烯酸类树脂)可以低于90重量％，例如1重量％_90重量％的比例使用，基于聚合物组分的总量。热塑性树脂如丙烯酸类树脂的比例优选为20重量％-85重量％，更优选40重量％-80重量％，基于聚合物组分的总量。由于模片接合膜的粘结剂层(由包含环氧树脂的树脂组合物构成的粘结剂层)预先交联至一定程度，优选将与聚合物分子链端部的官能团反应的多官能化合物作为交联剂在生产粘结剂层时加入。从而，改进高温下的粘合特性，并尝试改进耐热性。这里，根据需要可将其它添加剂适合地共混入模片接合膜的粘结剂层(由包含环氧树脂的树脂组合物构成的粘结剂层)中。所述添加剂的实例包括阻燃剂、硅烷偶联剂和离子捕集剂以及着色剂、增量剂、填料、防老剂、抗氧剂、表面活性剂、交联剂等。阻燃剂的实例包括三氧化锑、五氧化锑和溴化环氧树脂。阻燃剂可单独使用，或两种以上组合使用。硅烷偶联剂的实例包括P-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷和Y-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷。所述硅烷偶联剂可单独使用，或两种以上组合使用。离子捕集剂的实例包括水滑石和氢氧化铋。所述离子捕集剂可单独使用，或两种以上组合使用。所述模片接合膜可由包含环氧树脂的树脂组合物形成，并可具有包括例如仅由含环氧树脂的树脂组合物形成的粘结剂层(模片粘结剂层)的单层结构。此外，其可具有通过除环氧树脂外适合地组合具有不同玻璃化转变温度的热塑性树脂和具有不同热固化温度的热固性树脂的两层以上的多层结构。此外，由于在半导体晶片的切割步骤中使用切割水，存在模片接合膜吸收水分和水分含量变为常规状态以上的情况。当具有高水分含量的模片接合膜粘合于基板等上时，存在水蒸气在固化后的步骤中累积在粘合界面上并由此产生漂移的情况。因此，通过使模片接合膜具有采用模片粘合用粘结剂层包夹具有高透湿性的芯材料的结构，水蒸气在固化后的步骤中通过所述膜扩散，并由此可避免该问题。基于这一观点，模片接合膜可具有其中在芯材料的一个或两个表面上形成粘结剂层的多层结构。所述芯材料的实例包括膜(如聚酰亚胺膜、聚酯膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚碳酸酯膜等)、用玻璃纤维或塑料无纺纤维增强的树脂基板、硅基板和玻璃基板。所述模片接合膜优选具有在T。至T。+2(TC温度范围内的弹性模量(特别地，由包含环氧树脂的树脂组合物形成的粘结剂层的弹性模量)为1X105Pa至1Xl(TPa，其中T。表示切割膜的热膨胀性压敏粘合剂层的发泡起始温度(°C)。更优选模片接合膜在T。至T。+2(TC温度范围内的弹性模量(特别地，由含环氧树脂的树脂组合物形成的粘结剂层的弹性模量)更优选为1X105Pa至1X108Pa，和特别优选1X105Pa至1X107Pa。在模片接合膜(特别地，粘结剂层)的弹性模量(温度T。至T。+2(TC)低于lX10Spa的情况下，在通过热处理发泡并剥离热膨胀性压敏粘合剂层时，模片接合膜可追随热膨胀导致的压敏粘合剂的表面形状变化，从而在一些情况下会抑制剥离强度的下降。此外，模片接合膜的弹性模量(Pa)为通过热固化显示出粘合力前模片接合膜的弹性模量。模片接合膜的弹性模量通过如下方式测定在未将模片接合膜层压在切割膜上的情况下制备模片接合膜，并在拉伸模式中在样品宽度10mm、样品长度22.5mm、样品厚度O.2mm、频率1Hz和升温速率l(TC/min的条件下，在氮气气氛中在规定温度(T。°C，(T。+20)。C)下采用RheometricsCo.，Ltd.制造的动态粘弹性测量装置"SolidAnalyzer20RSA2"测量弹性模量，将其作为得到的拉伸贮能弹性模量E'的值。此外，热膨胀性压敏粘合剂层的发泡起始温度(T。)是指通过热处理能够将包含发泡剂(热膨胀性微球等)的热膨胀性压敏粘合剂层的粘合力降至加热前粘合力的10%以下的最小热处理温度。因此，发泡起始温度可通过测量能够将包含发泡剂(热膨胀性微球等)的热膨胀性压敏粘合剂层的粘合力(压敏粘合力)降至加热前粘合力的10%以下的最小热处理温度来确定。具体而言，将具有宽度20mm和厚度25iim的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(商品名"LumilarS10#25"(TorayIndustries,Inc.制)；有时称作"PET膜")，通过手动辊粘贴在切割膜的含发泡剂(热膨胀性微球等)的热膨胀性压敏粘合剂层表面上，以致不夹带气泡，从而制备测试片。关于该测试片，在所述PET膜粘贴30分钟后，将该PET膜以180°剥离角剥离，然后测量此时的压敏粘合力(测量温度23t:，拉伸速率300mm/min，剥离角180°)，将该压敏粘合力称作"初始压敏粘合力"。另外，将采用上述方法生产的测试片放置在设定于各温度(热处理温度)的热循环干燥器中l分钟，然后从热循环干燥器中取出，随后将其在23t:下放置2小时。此后，将PET膜以180。剥离角剥离，然后测量此时的压敏粘合力(测量温度23t:，拉伸速率300mm/min，剥离角180°)，并将该压敏粘合力称作"热处理后的压敏粘合力"。然后，将热处理后的压敏粘合力变为初始压敏粘合力10%以下的最小热处理温度称作发泡起始温度(T。)。这里，模片接合膜的弹性模量可通过调节模片接合膜或压敏粘合剂层的原料聚合物的种类以及交联或固化的状态来控制。模片接合膜的厚度没有特别限定。然而，其为约5iim-100iim，和优选约5iim_50iim。切割模片接合膜的模片接合膜优选通过隔离体(图中未示出)保护。所述隔离体具有作为保护模片接合膜直至其实际使用的保护材料的功能。此外，当将模片接合膜转移至活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层时，所述隔离体可用作支撑基材。当将工件粘贴在切割模片接合膜的模片接合膜上时，剥离所述隔离体。作为隔离体，还可使用聚乙烯膜或聚丙烯膜，以及表面用脱模剂如氟类脱模剂或长链烷基丙烯酸酯类脱模剂涂布的塑料膜(聚对苯二甲酸乙二醇酯)或纸。所述隔离体可采用常规已知的方法形成。另外，隔离体的厚度等没有特别限定。根据本发明，可使得切割模片接合膜具有抗静电功能。由于抗静电功能，可防止在切割模片接合膜粘合和剥离，或通过静电能使工件(半导体晶片等)充电时，因静电能产生而破坏电路。抗静电功能的赋予可通过适合方式进行，例如向基材、活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层、热膨胀性压敏粘合剂层和模片接合膜中添加抗静电剂或导电性物质的方法，或在基材上提供由电荷移动配合物或金属膜等构成的导电层的方法。作为这些方法，优选难以产生存在改变半导体晶片品质风险的杂质离子的方法。基于赋予导电性和改进导热性等目的而共混的导电性物质(导电性填料)的实例包括球形、针状、片状金属粉末如银、铝、金、铜、镍和导电合金；金属氧化物如氧化铝；无定形炭黑和石墨。然而，基于不具有漏电性的观点，模片接合膜优选为非导电性的。本发明的切割模片接合膜可具有适合的形式，如片状或带状。[OWO](切割模片接合膜的生产方法)21本发明的切割模片接合膜的生产方法采用切割模片接合膜10作为实例描述。首先，基材la可通过常规已知的膜生产方法形成。成膜法的实例包括压延成膜法、有机溶剂中的流延法、严格密闭体系中的膨胀挤出法、T-膜挤出法、共挤出法和干法层压法。接着，通过将含热膨胀性压敏粘合剂的热膨胀性压敏粘合剂组合物施涂在基材la上，并随后干燥(根据需要加热下交联)形成热膨胀性压敏粘合剂层lbl。施涂方式的实例包括辊涂、丝网涂布和凹印涂布。此外，热膨胀性压敏粘合剂组合物的施涂可直接在基材la上进行，以在基材la上形成热膨胀性压敏粘合剂层lbl，或可将热膨胀性压敏粘合剂组合物施涂在表面已进行脱模处理的隔离纸等上，并然后转移至基材la上，以在基材la上形成热膨胀性压敏粘合剂层lbl。随后，在热膨胀性压敏粘合剂层lbl上设置活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层lb2。活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层lb2的形成可以与热膨胀性压敏粘合剂层lbl情况中相同的方式进行。具体而言，活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层lb2通过施涂含活性能量射线固化型压敏粘合剂的活性能量射线固化型压敏粘合剂组合物，然后干燥(根据需要在加热下交联)形成。施涂方式的实例包括辊涂、丝网涂布和凹印涂布。此外，活性能量射线固化型压敏粘合剂组合物的施涂可直接在热膨胀性压敏粘合剂层lbl上进行，以在热膨胀性压敏粘合剂层lbl上形成活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层lb2，或可将活性能量射线固化型压敏粘合剂组合物施涂在表面已进行剥离处理的脱模纸等上，然后转移至热膨胀性压敏粘合剂层lbl上，以在热膨胀性压敏粘合剂层lbl上形成活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层lb2。另一方面，涂布层可通过在隔离纸上施涂用于形成模片接合膜3的形成材料以具有规定厚度，并在规定条件下进一步干燥来形成。模片接合膜3通过将该涂布层转移至活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层lb2上而在活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层lb2上形成。所述模片接合膜3还可通过在活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层lb2上直接施涂用于形成模片接合膜3的形成材料，并随后在规定条件下干燥，而在活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层lb2上形成。根据本发明的切割模片接合膜10可如上所述获得。(半导体晶片)对半导体晶片没有特别限定，只要其为已知的或常规使用的半导体晶片即可，并可由各种材料制成的半导体晶片中适合地选择。在本发明中，作为半导体晶片，可适合地使用硅晶片。(半导体器件的生产方法)用于生产本发明的半导体器件的方法没有特别限定，只要其为采用切割模片接合膜生产半导体器件的方法即可。例如，半导体器件可在适合地剥离在模片接合膜上任选设置的隔离体后，如下采用本发明的切割模片接合膜生产。下文中，参考图3A-3E，同时采用切割模片接合膜11作为实例描述所述方法。首先，将半导体晶片4压接在切割模片接合膜11中的模片接合膜31上以通过粘附和保持来固定半导体晶片(安装步骤)。在用加压装置如加压辊加压的同时实施该步骤。接着，进行半导体晶片4的切割。从而，将半导体晶片4切成规定尺寸并个体化(成形为小片)，以生产半导体芯片5。所述切割按照常规方法例如由半导体晶片4的电路面侧进行。另外，该步骤可采取例如形成达到切割模片接合膜11的切口的称作完全切断的切断法。对该步骤使用的切割装置没有特别限定，可使用常规已知的装置。此外，由于半导体晶片4通过切割模片接合膜11粘合并固定，从而可抑制芯片破裂和碎屑飞散，以及还可抑制半导体晶片破损。就此而言，由于模片接合膜采用包含环氧树脂的树脂组合物形成，因此即使当将其通过切割切断时，也可抑制或防止在切断面上产生源自模片接合膜的粘结剂层的粘结剂挤出物。从而，可抑制或防止切断面自身的再附着(粘连)，从而可更加方便地进行下述的拾取。在扩展(e邓anding)切割模片接合膜的情况下，扩展可采用常规已知的扩展装置进行。所述扩展装置具有能够推动切割模片接合膜向下通过切割环的环状外环，和直径小于外环并支撑切割模片接合膜的内环。由于该扩展步骤，其可防止邻近的半导体芯片在下述拾取步骤中通过相互接触而损坏。进行半导体芯片5的拾取，以收集粘合并固定于切割模片接合膜11上的半导体芯片。对拾取方法没有特别限定，可采用常规已知的各种方法。其实例包括用针状物从切割模片接合膜的基材la侧向上推动各半导体芯片5，并用拾取装置拾取推出的半导体芯片5的方法。这里，拾取在通过用活性能量射线照射来固化活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层lb2后，以及通过进行规定的热处理来热膨胀所述热膨胀性压敏粘合剂层lbl后实施。因此，活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层lb2与模片接合膜31的压敏粘合力(粘合力)下降，半导体芯片5的剥离变得容易。从而，可在不损坏半导体芯片5的情况下拾取。条件例如在活性能量射线照射时的照射强度和照射时间以及在热处理时的加热温度和热处理时间没有特别限定，其可根据需要适合地设定。另外，通过活性能量射线照射的活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的固化可在热膨胀性压敏粘合剂层热膨胀之前和之后的任意时刻进行，但基于拾取性考虑，优选在通过采用活性能量射线照射固化后进行通过热处理的热膨胀。此外，对可用于活性能量射线照射的照射装置没有特别限定，可提及上述例举的照射装置，如化学灯、黑光灯、汞弧灯、低压汞灯、中压汞灯、高压汞灯、超高压汞灯或金属卤化物灯等。采用活性能量射线照射的活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的活性能量射线固化可在拾取前的任意时刻进行。另外，对可用于热处理的加热装置没有特别限定，可提及上述例举的加热装置，如热盘、热空气加热器、近红外灯或空气干燥器。拾取的半导体芯片5通过插入其间的模片接合膜31粘合并固定在被粘物6上(模片接合)。所述被粘物6安装在加热垫片9上。被粘物6的实例包括引线框、TAB膜、基板和独立生产的半导体芯片。所述被粘物6例如是易于形变的可变形被粘物，或难于形变的不变形被粘物(半导体晶片等)。可使用常规已知的基板作为所述基板。此外，可使用金属引线框如Cu引线框和42合金引线框以及由玻璃纤维增强环氧树脂(glass印oxy)、BT(双马来酰亚胺-三嗪)或聚酰亚胺构成的有机基板作为引线框。然而，本发明不限于以上那些，并包括可使用安装半导体元件和与半导体元件电气连接后的电路基板。由于模片接合膜31由包含环氧树脂的树脂组合物形成，因此可通过热固化增强粘合力，并由此可将半导体芯片5粘合并固定在被粘物6上，以改进耐热强度。这里，可使其中半导体芯片5通过半导体晶片粘贴构件31粘合并固定在基板等上的产品进行重熔步骤。此后，通过用接合导线7电气连接基板端子部分(内部引线)前端与半导体芯片5上的电极片(pad)(未在图中示出)，进行引线接合，此外，将半导体芯片5用密封树脂8密封，随后固化该密封树脂8。从而，生产根据本发明实施方案的半导体器件。实施例以下将示例性地详细描述本发明的优选实施例。然而，除非另外说明，否则这些实施例中描述的材料和混合量等不意欲限定本发明的范围，其仅为解释性的实施例。另外，除非另外说明，否则各实施例中的份均为重量标准。实施例1〈切割膜的制造〉丙烯酸类聚合物乂通过将95份丙烯酸2_乙基己酯(以下有时称作"2EHA")、5份丙烯酸2-羟乙酯(以下有时称作"HEA")和65份甲苯加入装配有冷凝管、氮气导入管、温度计和搅拌装置的反应器中，然后在氮气流中在erc下进行聚合处理6小时。通过将3份多异氰酸酯化合物(NipponPolyurethanelndustryCo.，Ltd.制造的商品名"C0L0NATEL")和35份热膨胀性微球(MatsumotoYushi-SeiyakuCo.，Ltd.制造的商品名"MicrosphereF-50D";发泡起始温度12(TC)添加至100份丙烯酸类聚合物X中，制备热膨胀性压敏粘合剂的压敏粘合剂溶液。通过将上述制备的压敏粘合剂溶液施涂至厚度50iim的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(PET膜)上，接着在8(TC下进行热交联3分钟，以形成具有厚度40ym的压敏粘合剂层(热膨胀性压敏粘合剂层)来生产热膨胀性压敏粘合片。同样，丙烯酸类聚合物Y通过将80份丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)、20份丙烯酸2-羟乙酯(HEA)和65份甲苯添加至装有冷凝管、氮气导入管、温度计和搅拌装置的反应器中，然后在erc下在氮气流中进行聚合处理6小时得到。丙烯酸类聚合物Z通过将24.1份2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(M0I)(基于HEA为90mol%)添加至100份丙烯酸类聚合物Y中，然后在5(TC下在空气流中进行加成反应处理48小时得到。接着，通过将3份多异氰酸酯化合物(NipponPolyurethanelndustryCo.，Ltd.制造的商品名"C0L0NATEL")和5份光聚合引发剂(CibaSpecialtyChemicals制造的商品名"IRUGACURE651")添加至100份丙烯酸类聚合物Z中，制备抗污压敏粘合剂的压敏粘合剂溶液。厚度5m的活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层通过将上述制备的压敏粘合剂溶液施涂至已进行硅酮处理的厚度50iimPET膜表面上，然后在8(TC下进行热交联3分钟形成。然后，将活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的表面(暴露面)粘贴在热膨胀性压敏粘合片的热膨胀性压敏粘合剂层表面(暴露面)上，制造切割膜。〈模片接合膜的制造〉基于100份具有丙烯酸乙酯_甲基丙烯酸甲酯作为主要组分的丙烯酸酯类聚合物(NegamiChemicalIndustrialCo.，Ltd.制造的商品名"PARACR0NW-197CM")，将59份环氧树脂1(J即anEpoxyResins(JER)Co.，Ltd.制造的商品名"EPIC0AT1004")、53份环氧树脂2(J即anEpoxyResins(JER)Co.，Ltd.制造的商品名"EPICOAT827")、121份酚醛树脂(MitsuiChemicals,Inc.制造的商品名"MILEXXLC-4L")、222份球状二氧化硅(AdmatechsCo.，Ltd.制造的商品名"S0-25R")溶解在甲乙酮中，制备具有固体浓度23.6重量％的粘结剂组合物溶液。将所述粘结剂组合物溶液施涂在作为隔离衬垫(隔离体)的在由其上进行硅酮脱模处理的厚度38m的PET膜构成的脱模处理膜上，然后在13(TC下干燥2分钟。从而，制造具有厚度25ym的模片接合膜A。此外，通过将该模片接合膜A转移至上述切割膜的活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层侧上，得到本发明实施例1的切割模片接合膜。实施例2〈模片接合膜的制造〉基于100份具有丙烯酸乙酯_甲基丙烯酸甲酯作为主要组分的丙烯酸酯类聚合物(NegamiChemicalIndustrialCo.，Ltd.制造的商品名"PARACR0NW-197CM")，将102份环氧树脂1(J即anEpoxyResins(JER)Co.，Ltd.制造的商品名"EPICOAT1004")、13份环氧树脂2(J即anEpoxyResins(JER)Co.，Ltd.制造的商品名"EPICOAT827")、119份酚醛树脂(MitsuiChemicals，Inc.制造的商品名"MILEXXLC-4L")、222份球状二氧化硅(AdmatechsCo.，Ltd.制造的商品名"S0-25R")溶解在甲乙酮中，制备固体浓度为23.6重量％的粘结剂组合物溶液。将所述粘结剂组合物溶液施涂在作为隔离衬垫(隔离体)的由其上进行硅酮脱模处理的厚度38m的PET膜构成的脱模处理膜上，然后在13(TC下干燥2分钟。从而，制造厚度25iim的模片接合膜B。除了使用模片接合膜B代替模片接合膜A之外，以与实施例1相同的方式制造切割模片接合膜。实施例3-7除了将切割膜变为具有表1所示组成和含量的对应切割膜之外，以与实施例1相同的方式在实施例3-7中生产切割模片接合膜。比较例1除了将切割膜变为具有表1所示组成和含量的对应切割膜之外，以与实施例1相同的方式在比较例1中制造切割模片接合膜。比较例2除了将实施例1中切割膜的构成变为不具有活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层，和将模片接合膜粘贴在热膨胀性压敏粘合剂层表面上之外，以与实施例1相同的方式在比较例2中制造切割模片接合膜。因此，根据比较例2的切割模片接合膜包括具有基材/热膨胀性压敏粘合剂层和在热膨胀性压敏粘合剂层上设置的模片接合膜的层结构的切割膜。25<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>BA:丙烯酸正丁酯AA:丙烯酸HEA:丙烯酸2-羟乙酯MOI:2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯C/L:多异氰酸酯化合物(NipponPolyurethaneIndustryCo.，Ltd.制造的商品名"C0L0NATEL")Irg651:CibaSpecialtyChemicals制造的商品名"IRUGACURE651"G'(在23°C):23t:下切割膜中压敏粘合剂层的弹性模量G'(在150°C):15(TC下切割膜中压敏粘合剂层的弹性模量E'(在T。)T。下模片接合膜的弹性模量E'(在T。+20°C):T。+20。C下模片接合膜的弹性模量(评价)关于根据实施例1-7和比较例1和2的切割模片接合膜，通过以下评价或测量方法评价或测量各切割膜中活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的表面自由能、关于各切割膜中热膨胀性压敏粘合剂层的弹性模量、各模片接合膜的弹性模量、各切割膜中活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的凝胶分数、切割性、拾取性和污染性。评价和测量结果同样记载于表1中。由于比较例2不具有活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层，因此未评价或测量表面自由能和凝胶分数。〈表面自由能的评价方法>接触角e(rad)通过以下测定在按照JISZ8703的测试位置环境(温度23士2t:，湿度50±5%RH)下，在根据实施例1_7和比较例1的各切割膜的压敏粘合剂层(活性能量射线固化前和热膨胀前活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层)表面上，滴加约1PL水(蒸馏水)或二碘甲烷液滴，通过使用表面接触角仪"CA-X"(FACECompany制造)在滴加30秒后采用三点法测量。切割膜中压敏粘合剂层的表面自由能(Ys)通过求解作为采用得到的两个接触角和由文献获知的水和二碘甲烷的表面自由能值以及以下方程(2a)-(2c)得到的联立线性方程的两个方程计算。Ys=Y/+Ysp(2a)Yl=YLd+YLp(2b)(l+cos9)Yl=2(Y/YLd)1/2+2(YspYLp)1/2(2c)这里，方程(2a)-(2c)中各符号分别如下9:采用水或二碘甲烷液滴测量的接触角(rad)ys:压敏层的表面自由能(mj/m2)Ysd:压敏层表面自由能中的色散分量(mj/m2)Ysp:压敏层表面自由能中的极性分量(mj/m2)y^:水或二碘甲烷的表面自由能(mj/m2)Y:水或二碘甲烷表面自由能中的色散分量(mj/m2)yJ:水或二碘甲烷表面自由能中的极性分量(mj/m2)已知的水(蒸馏水)表面自由能的值[色散分量(Y。21.8(mj/m2)，极性分量(YLP):51.0(mJ/m2)]已知的二碘甲烷表面自由能的值[色散分量(Y。49.5(mj/m2)，极性分量(YLP):1.3(mJ/m2)]〈切割膜的压敏粘合剂层的弹性模量测量方法>关于切割膜的热膨胀性压敏粘合剂层的弹性模量通过制备除了不含发泡剂之外相同的压敏粘合剂层(样品)进行评价或测量。弹性模量以剪切模式，在频率lHz、升温速率5。C/min和应变0.1%(23°C)或0.3%(150°C)条件下，采用RheometricsCo.，Ltd.制造的动态粘弹性测量装置"ARES"测量，并作为在23t:或15(TC下得到的剪切贮能弹性模量G'的值。〈模片接合膜弹性模量的测量方法>模片接合膜的弹性模量通过在未层压模片接合膜情况下在切割膜上制备模片接合膜，并在拉伸模式中，在样品宽度10mm、样品长度22.5mm、样品厚度0.2mm、频率1Hz和升温速率10°C/分钟条件下，在氮气气氛中在规定温度(T。，(T。+20)。C)下，采用RheometricsCo.，Ltd.制造的动态粘弹性测量装置"SolidAnalyzerRSA2"测定弹性模量，并作为得到的拉伸贮能弹性模量E'的值。就此而言，T。如下测定。通过将具有厚度25iim的PET膜通过手动辊粘贴在切割膜的热膨胀性压敏粘合剂层表面上以致不夹带气泡来制造试验片。粘贴所述PET膜30分钟后，将PET膜以180°的剥离角剥离，然后测量此时(测量温度23t:，拉伸速率300mm/min，剥离角180°)的压敏粘合力，并将该压敏粘合力称作"初始压敏粘合力"。另外，将通过上述方法制备的试验片放置在设置为每个温度(热处理温度)的热循环干燥器中l分钟，然后从热循环干燥器中取出，随后将其在23t:下放置2小时。此后，将PET膜以180°的剥离角剥离，然后测量此时(测量温度23t:，拉伸速率300mm/min，剥离角18(T)的压敏粘合力，并将该压敏粘合力作为"热处理后的压敏粘合力"。将"热处理后的压敏粘合力"降至"初始压敏粘合力"的10%以下时的最小热处理温度作为发泡起始温度(T。)。根据实施例l-7和比较例2的各切割膜中热膨胀性压敏粘合剂层的发泡起始温度T。为12(TC。由于根据比较例1的切割膜的压敏粘合剂层不包含发泡剂，因此，该切割膜不具有发泡起始温度。然而，为了比较弹性模量，将比较例1的切割膜的发泡起始温度认为是120°C。因此，在此情况下，T。+20。C为140°C。〈凝胶分数的测量方法>从活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层中选取约0.lg样品，并精确称重，其中所述压敏粘合剂层已采用NittoSeikiCo.，Ltd.制造的商品名为"UM-810"的紫外线(UV)照射装置，在300mJ/tf紫外线照射积分光强度下进行紫外线照射(波长365nm)。用网状片包裹后，将其在室温下浸入约50ml乙酸乙酯中1周。此后，从乙酸乙酯中取出溶剂不溶物(网状片中的内容物)，并在8(TC下干燥约2小时。随后称重所述溶剂不溶物(浸渍并干燥后的重量)，根据以下方程(1)计算凝胶分数(重量％)。凝胶分数(重量％)=K浸渍并干燥后的重量)/(样品重量MX100(1)〈切割性/拾取性的评价方法>采用各实施例和比较例的切割模片接合膜，通过实际切割半导体晶片评价切割性，然后评价剥离性，分别将其作为对各切割模片接合膜的切割性能和拾取性能评价。将半导体晶片(直径8英寸、厚度0.6mm;硅镜面晶片)进行背面抛光处理，并使用厚度0.025mm的镜面晶片作为工件。从切割模片接合膜上剥离隔离体后，将镜面晶片(工件)在4(TC下通过辊压粘结粘贴在模片接合膜上，并进一步实施切割。这里，所述切割以完全切断形式进行，以获得10mm2的芯片尺寸。就此而言，用于半导体晶片的研磨条件、粘贴条件和切割条件如下。(半导体晶片的研磨条件)研磨装置DISCOCorporation制造的商品名"DFG-8560"半导体晶片8英寸直径(研磨反面至0.6mm-0.025mm厚度)(粘贴条件)粘贴装置NittoSeikiCo.，Ltd.制造的商品名"MA-3000II"粘贴速率10mm/min粘贴压力0.比MPa粘贴时的阶段温度40°C(切割条件)切割装置DISCOCorporation制造的商品名"DFD-6361"切割环"2-8-1"(DISCOCorporation生产)切割速率30mm/sec切割刮刀Zl;DISCOCorporation生产的"NBC-ZH226J27HAAA"切割刮刀旋转速率Zl;30，000rpm切割方法单步切割晶片芯片尺寸10.0mm2在切割中，证实了镜面晶片(工件)是否牢固保持在切割模片接合膜上而未剥离以实现令人满意的切割。将良好进行切割的情况评为"良好"，将未良好进行切割的情况评为"不良"，由此评价切割能力。然后，使用商品名"UM-810"(NittoSeikiCo.，Ltd.生产)作为紫外线(UV)照射装置，采用在300mJ/cn^的紫外照射积分光量下的紫外线(波长365nm)从PET膜侧照射切割模片接合膜。此后，将各切割模片接合膜放置在T。+20°C(在实施例1-7及比较例1和2中为140°C)的热盘上，如此使得基材侧切割模片接合膜表面与热盘表面接触，将压敏粘合剂层(热膨胀性压敏粘合剂层等)进行热处理l分钟。然后，翻转切割模片接合膜，以使得切割模片接合膜在空气中上面朝下(如此使得芯片向下)，和将具有模片接合膜的芯片通过自由落体方式剥离。确定在该情况下芯片(总片数400)剥离率(％)，以评价拾取性。从而，当剥离率越接近100%时，拾取性越好。〈污染性(低污染性或抗污性)的评价方法>将切割模片接合膜的隔离体在洁净室中剥离，并将所述片试件通过模片接合膜(压敏粘合剂层)粘贴在4英寸镜面晶片上。在23t:下保持l小时后，使该样品采用商品名"UM-810"(NittoSeikiCo.，Ltd.制造)作为紫外线(UV)照射装置在300mJ/cm2的紫外线照射积分光量下进行紫外线照射(波长365nm)。另外，将各切割模片接合膜放置在T。+20°C(实施例1-7及比较例1和2中为140°C)热盘上，以使得切割模片接合膜的基材与热盘表面接触1分钟，对切割模片接合膜的热膨胀性压敏粘合剂层进行热处理。然后，将所述片试件在23"C下以12m/min的剥离速率和180°剥离角剥离。通过KLA-TencorCorporation制造的商品名"SFS-6200"计数镜面晶片上具有0.28ym以上尺寸的颗粒数，以评价污染性(低污染性或抗污性)。因此，随着该值降低，抗污性越好。如表1所示，证实了根据实施例1-7的切割模片接合膜具有优异的切割性和拾取性，以及能够牢固保持被粘物如半导体晶片，和可良好地进行切割。另外，证实了在用活性能量射线如紫外线照射进行活性能量射线固化后，被粘物如半导体芯片在加热下能够通过热膨胀以优异的低污染性(抗污性)容易且良好地剥离和拾取。尽管本发明已经参考其具体实施方案进行了详细描述，但对于本领域技术人员显而易见的是，可在不脱离本发明范围内进行各种改进和改变。本申请基于2008年11月26日提交的日本专利申请2008-301558，将其全部内容引入此处以作参考。权利要求一种切割模片接合膜，其包括具有在基材上设置的压敏粘合剂层的切割膜；和在所述压敏粘合剂层上设置的模片接合膜，其中，所述切割膜的压敏粘合剂层具有包含发泡剂的热膨胀性压敏粘合剂层和活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的层压结构，所述热膨胀性压敏粘合剂层和所述活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层依次层压在所述基材上，和其中所述模片接合膜由包含环氧树脂的树脂组合物构成。2.根据权利要求1所述的切割模片接合膜，其中所述发泡剂为热膨胀性微球。3.根据权利要求1所述的切割模片接合膜，其中所述切割膜的活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层由包含丙烯酸类聚合物B的活性能量射线固化型压敏粘合剂形成，所述丙烯酸类聚合物B为具有以下构成的丙烯酸类聚合物由包含50重量％以上的由CH2=CHC00R(其中R为具有6-10个碳原子的烷基)表示的丙烯酸酯和10重量％至30重量％的含羟基单体且不包括含羧基单体的单体组合物构成的聚合物与基于所述含羟基单体为50mol^至95mol^量的具有自由基反应性碳-碳双键的异氰酸酯化合物进行加成反应；和其中，所述切割膜的活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层具有90重量％以上的在通过活性能量射线照射而固化后的凝胶分数。4.根据权利要求1所述的切割模片接合膜，其中所述切割膜的热膨胀性压敏粘合剂层由热膨胀性压敏粘合剂形成，所述热膨胀性压敏粘合剂包含能够形成具有5X104Pa至1X106Pa的在23t:至15(TC温度范围内的弹性模量的压敏粘合剂层的压敏粘合剂和所述发泡剂；和其中，所述模片接合膜具有1X105Pa至1X101QPa的在T。至T。+2(TC温度范围内的弹性模量，其中T。表示所述切割膜中的热膨胀性压敏粘合剂层的发泡起始温度。5.—种用于生产半导体器件的方法，其包括使用根据权利要求1所述的切割模片接合膜。全文摘要本发明涉及切割模片接合膜和生产半导体器件的工艺。本发明涉及一种切割模片接合膜，其包括具有在基材上设置的压敏粘合剂层的切割膜；和在压敏粘合剂层上设置的模片接合膜，其中，所述切割膜的压敏粘合剂层具有包含发泡剂的热膨胀性压敏粘合剂层和活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的层压结构，其依次层压在所述基材上，和其中模片接合膜由包含环氧树脂的树脂组合物构成。另外，本发明提供一种生产半导体器件的方法，包括采用上述切割模片接合膜。文档编号H01L21/68GK101740352SQ20091022484公开日2010年6月16日申请日期2009年11月26日优先权日2008年11月26日发明者大竹宏尚,村田修平,松村健,神谷克彦申请人:日东电工株式会社