专利名称：表面贴装双芯片二极管整流器件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种整流器件，尤其是双芯片二极管整流器件。
背景技术：
针对一个小电流(一般^ 1 A)的由交流到直流的变换几乎在所有的微 型设备中是必需的。这个过程称为整流，其目的是为了提供一个供该设备 工作之用的直流稳定电源。实现整流途径有三个 一是利用整流二极管在 PCB板上组成整流电路实现整流变换，可以是半波整流，也可以是全波整 流，但这样的电路使用的器件太多，焊点也多，不利于微型化；二是使用 桥式全波整流器直接实现整流变换，这种器件可以依据输出电流的不同而 满足相应的微型化要求；三是使用单个双芯片二极管实现半波整流或使用 两个双芯片二极管实现全波整流。这种方式(图l)也可以更灵活的方式 实现微型化。但由于结构上的原因，现有产品只适用于很小的电流的场合。 现有产品主要由芯片、引线框架、铝(或金)线和塑壳封体构成。其主要 工艺过程为用Die Bonding技术将芯片焊接在框架上；用Wire Bonding 技术通过铝(或金)丝将芯片的另一面分别与另两个框架相连，注塑成型， 引线冲切整形后形成鷗翅形引脚的外形(见图2)。
显然，现有产品只能通过下引线框架散热，对于限定的最高结温，只 能通过很小的电流， 一般不大于O. 3A;细而长的导线端子在制造、使用过 程中容易变形。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种电流容量较大、散热效率高且适合于高密度灵活安装的表面贴装双芯片二极管整流器'件。
为达到上述目的，本实用新型的技术方案是
表面贴装双芯片二极管整流器件，包括釆用绝缘材料制成的壳封体、 金属引线框架和双芯片二极管半导体芯片。其中，金属引线框架分为上引 线框架和下引线框架。上引线框架包含若干个单元，每个单元包括2个带 凸点的焊盘和2个电极端子。下引线框架包含若干个单元，每个单元包括 2个平面焊盘和1个电极端子。三个电极端子从所述壳封体的底部平直伸 出不作任何弯折，且三个电极端子的底端位于同一平面上。
作为上迷方案的进一步设置，半导体芯片位于所述壳封体之中，平铺 设置于上金属引线框与下引线框架之间。
带凸点的焊盘上的凸点形状为圆台或方台。 平面焊盘的形状为方形、矩形、菱形或圓形中的一种。 半导体芯片是玻璃钝化普通整流芯片、玻璃钝化快恢复整流芯片、玻 璃钝化瞬变电压抑制二极管芯片、玻璃钝化稳压二极管芯片或者肖特基整 流芯片中的一种。
表面贴装双芯片二极管的整流器件，半导体芯片与所述金属引线框的 连接方式可以为以下形式之一
a) 共阴连接，两个半导体芯片的阴极与同一电极端子连接，阳极分别 与另外两个电极端子连接；
b) 共阳连接，两个半导体芯片的阳极与同一电极端子连接，阴极分别 与另外两个电极端子连接；
c) 阴阳连接， 一个半导体芯片的阳极和另一个半导体芯片的阴极与同 一电极端子连4^,半导体芯片的另一极分别与另外两个电极端子连接。
本实用新型的积极进步效果在于提高了散热效率，而且也提高了其额定电流，扩大了使用范围。导线端子在贴'装5t程中'更加容勢定位，在回 流焊过程中，不易形成虚焊、假焊。
图l是表面贴装双芯片二极管的整流器件的电路图； 图2是现有产品的外形示意图； 图3a是本实用新型一种实施例的外形示意图； 图3b是本实用新型一种实施例的内部结构示意图。
具体实施方式
如图3a、图3b所示，本实用新型表面贴装双芯片二极管整流器件包 括用塑胶件制成的壳封体3、上引线框架1、下引线框架2和半导体芯片 5a、 5b。上引线框架1、下引线框架2的一部分位于壳封体3内， 一部分 在壳封体3外面，且从壳封体3底部平直引出，引出部分为导线端子，也 叫电极端子。
上引线框架包含若干个单元，每个单元包括两个带凸点的焊盘和两个 导线端子。所述下引线框架包含若干个单元，所述每个单元包括2个平面 焊盘和1个导线端子。
半导体芯片5a、 5b包裹在壳封体3的内部，半导体芯片5a、 5b为玻 璃钝化普通整流芯片、玻璃钝化快恢复整流芯片、玻璃钝化瞬变电压抑制 二极管芯片，玻璃钝化稳压二极管芯片，肖特基整流芯片。
半导体芯片5a、 5b与引线框架的连接方式可以为以下形式之一a) 共阴连接，两个半导体芯片的阴极与同一导线端子连接，阳极分别与另外 两个导线端子连接；b)共阳连接，两个半导体芯片的阳极与同一导线端子 连接，阴极分别与另外两个导线端子连接；c)阴阳连接， 一个半导体芯片 的阳极和另一个半导体芯片的阴极与同一导线端子连接，每个半导体芯片的另 一极分别与另外两个导线端子连接。
通过钎焊技术，将半导体芯片5a、 5b的一个面与下引线框架2的焊盘 用焊锡6连接，再通过钎焊技术，将半导体芯片5a、 5b的另一个面与上引 线框架1的焊盘用焊锡6连接，半导体芯片5a、 5b平铺设置于上引线框架 l和下引线框架2之间。
经过焊接炉加热处理后，半导体芯片5a、 5b与上引线框架l、下引线 框架2之间的焊锡熔化，将半导体芯片5a、 5b与上引线框架l、下引线框 架2直接钎焊在一起。
钎焊在一起的半导体芯片5a、 5b和上引线框架l、下引线框架2经注 塑成型、切筋就形成了本实用新型的最终外形。
当本实用新型焊接到PCB板上后，由于采用了钎焊技术，将半导体芯 片5a、 5b与上引线框架l、下引线框架2直接钎焊在一起，半导体芯片5a、 5b到PCB板上焊点的垂直距离比现有技术约缩短了 50%、.横向距离基本保 持不变，其间的热阻非常小，大大提高了散热效率，使其工作的性能更加 稳定可靠。本实用新型用钎焊技术取代烧结键合技术，降低了工艺技术难 度、加工过程由逐个加工变为批加工，提高了生产效率，通过对半导体芯 片的双面钎焊，不但提高了散热效率而且也提高了额定电流容量，扩大了 其使用范围。
权利要求1.表面贴装双芯片二极管整流器件，包括采用绝缘材料制成的壳封体、金属引线框架和双芯片二极管半导体芯片；所述金属引线框架分为上引线框架和下引线框架，其特征在于所述上引线框架包含若干个单元，每个单元包括2个带凸点的焊盘和2个电极端子；所述下引线框架包含若干个单元，每个单元包括2个平面焊盘和1个电极端子；所述三个电极端子从所述壳封体的底部平直伸出不作任何弯折，且三个电极端子的底端位于同一平面上。
2. 根据权利要求1所述的表面贴装双芯片二极管的整流器件，其特征在于所述半导体芯片位于所述壳封体之中，平铺设置于上金属引线框与下引线框架之间。
3. 根据权利要求1所述的表面贴装双芯片二极管整流器件，其特征在于所述带凸点的焊盘上的凸点形状为圆台或方台。
4. 根据权利要求1所述的表面贴装双芯片二极管整流器件，其特征在于所述平面焊盘的形状为方形、矩形、菱形或圆形中的一种。
5. 根据权利要求1所述的表面贴装双芯片二极管整流器件，其特征在于所述半导体芯片是玻璃钝化普通整流芯片、玻璃钝化快恢复整流芯片、玻璃钝化瞬变电压抑制二极管芯片、玻璃钝化稳压二极管芯片或者肖特基整流芯片中的一种。
6. 根据权利要求1至5中的任一种所述的表面贴装双芯片二极管的 旨，其特征在于所迷半#芯片与所述金属引线框的连接方式可以为以下形式之一a) 共阴连接，两个半导体芯片的阴极与同一电极端子连接，阳极分别与另外两个电极端子连接；b) 共阳连接，两个半导体芯片的阳极与同一电极端子连接，阴极分别与另外两个电极端子连接；c) 阴阳连接， 一个半导体芯片的阳极和另一个半导体芯片的阴极与同 一电极端子连接，半导体芯片的另 一极分别与另外两个电极端子连接。
专利摘要一种表面贴装双芯片二极管整流器件，包括采用绝缘材料制成的壳封体、金属引线框架和双芯片二极管半导体芯片。其中，金属引线框架分为上引线框架和下引线框架。上引线框架包含若干个单元，每个单元包括2个带凸点的焊盘和2个电极端子。下引线框架包含若干个单元，每个单元包括2个平面焊盘和1个电极端子。三个电极端子从所述壳封体的底部平直伸出不作任何弯折，且三个电极端子的底端位于同一平面上。本实用新型可以通过较大的工作电流。
文档编号H01L23/48GK201413823SQ200920120400
公开日2010年2月24日 申请日期2009年5月21日 优先权日2009年5月21日
发明者傅剑锋 申请人:绍兴旭昌科技企业有限公司