专利名称：一种温度补偿衰减片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种微波射频领域内使用的标准元器件，尤其涉及一种温度补偿
衰减片。
背景技术：
高频及微波有源器件的温度特性会跟随外围环境温度的变化产生漂移，如高频及 微波功率放大器，其增益会跟随温度的变化而变化，功率放大器的输出功率也相应地发生 变化，进而影响整个系统的特性指标。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种用于高频及微波领域中的温度补偿衰减片。 本实用新型所采用的技术方案为一种温度补偿衰减片，包括陶瓷基体；导体浆 料形成的输入端、输出端和接地端连接在所述陶瓷基体上；电阻浆料形成的膜状电阻包括 第一、第二和第三膜状电阻，所述第一膜状电阻电连接于所述输入端和输出端之间，所述第 二膜状电阻电连接于所述输入端和接地端之间，所述第三膜状电阻电连接于所述输出端和 接地端之间；所述膜状电阻上连接有介质浆料形成的封盖层。 优选地，所述第一膜状电阻与所述输入端和输出端为面接触；所述第二膜状电阻 与所述输入端和接地端之间为面接触；所述第三膜状电阻与所述输出端和接地端之间为面 接触。 优选地，所述输入端和输出端均有两条相交的直角边与所述陶瓷基体的外边缘平 齐，所述接地端有三条直角边与所述陶瓷基体的外边缘平齐。 优选地，所述第一、第二和第三膜状电阻均有一条边与所述陶瓷基体的外边缘平齐。 优选地，所述第一、第二和第三膜状电阻之间彼此不相接触。 优选地，所述第一膜状电阻与第二和第三膜状电阻的温度系数相反。 本实用新型的有益效果为利用电阻浆料形成的膜状电阻，形成一种宽频带的衰
减量随温度变化而变化的温度补偿衰减片，通过将该温度补偿衰减片接入高频或者微波有
源电路中，可以补偿由于温度变化而带来的高频或者微波有源器件的增益的变动，可以在
温度变化较大的环境内保证高频或者微波有源器件的频率特性。
图1为本实用新型所述温度补偿衰减片的爆炸结构示意图； 图2为本实用新型所述温度补偿衰减片的内部连接关系示意图； 图3为本实用新型所述温度补偿衰减片的封盖层的位置关系示意图。
具体实施方式现结合附图对本实用新型的具体实施方式
进行详细的说明。[0015] —种温度补偿衰减片，如图l所示，包括陶瓷基体4。导体浆料形成的连接端3包 括如图2所示的输入端31、输出端31和接地端33，连接端3连接在所述陶瓷基体4上。电 阻浆料形成的膜状电阻2包括如图2所示的第一膜状电阻21、第二膜状电阻23和第三膜状 电阻22，所述第一膜状电阻21电连接于所述输入端32和输出端31之间，所述第二膜状电 阻23电连接于所述输入端32和接地端33之间，所述第三膜状电阻22电连接于所述输出 端31和接地端33之间。所述膜状电阻3上连接有介质浆料形成的封盖层1。 如图2所示，所述第一膜状电阻21与所述输入端32和输出端31可以为面接触； 所述第二膜状电阻23与所述输入端32和接地端33之间可以为面接触；所述第三膜状电阻 22与所述输出端31和接地端33之间可以为面接触。 如图2所示，所述输入端32和输出端31可以均有两条相交的直角边与所述陶瓷
基体4的外边缘平齐，所述接地端33可以有三条直角边与所述陶瓷基体4的外边缘平齐，
在输入端32、输出端31和接地端33在陶瓷基体4上形成一个倒"T"形间隙。 所述第一膜状电阻21、第二膜状电阻23和第三膜状电阻22之间彼此不相接触，即
不相连通。 所述第一膜状电阻21、第二膜状电阻23和第三膜状电阻22可以均有一条边与所 述陶瓷基体4的外边缘平齐。 所述第一膜状电阻21与第二膜状电阻23和第三膜状电阻22的温度系数相反，如 第一膜状电阻21为负温度系数，而第二膜状电阻23和第三膜状电阻22为正温度系数，如 此可以提供较强的隔离度。 如图3所示，所述封盖层1可以完全覆盖所述的膜状电阻2，起到保护作用，而输入 端32、输出端31和接地端33均有一部分裸露在外。 综上所述仅为本实用新型较佳的实施例，并非用来限定本实用新型的实施范围。 即凡依本实用新型申请专利范围的内容所作的等效变化及修饰，皆应属于本实用新型的技 术范畴。
权利要求一种温度补偿衰减片，包括陶瓷基体；其特征在于，导体浆料形成的输入端、输出端和接地端连接在所述陶瓷基体上；电阻浆料形成的膜状电阻包括第一、第二和第三膜状电阻，所述第一膜状电阻电连接于所述输入端和输出端之间，所述第二膜状电阻电连接于所述输入端和接地端之间，所述第三膜状电阻电连接于所述输出端和接地端之间；所述膜状电阻上连接有介质浆料形成的封盖层。
2. 根据权利要求1所述的一种温度补偿衰减片，其特征在于所述第一膜状电阻与所 述输入端和输出端为面接触；所述第二膜状电阻与所述输入端和接地端之间为面接触；所 述第三膜状电阻与所述输出端和接地端之间为面接触。
3. 根据权利要求1所述的一种温度补偿衰减片，其特征在于所述输入端和输出端均 有两条相交的直角边与所述陶瓷基体的外边缘平齐，所述接地端有三条直角边与所述陶瓷 基体的外边缘平齐。
4. 根据权利要求l所述的一种温度补偿衰减片，其特征在于所述第一、第二和第三膜 状电阻均有一条边与所述陶瓷基体的外边缘平齐。
5. 根据权利要求1所述的一种温度补偿衰减片，其特征在于所述第一、第二和第三膜 状电阻之间彼此不相接触。
6. 根据上述权利要求中任一项所述的一种温度补偿衰减片，其特征在于所述第一膜 状电阻与第二和第三膜状电阻的温度系数相反。
专利摘要本实用新型公开了一种温度补偿衰减片，属于微波射频领域内使用的标准元器件，包括陶瓷基体；导体浆料形成的输入端、输出端和接地端连接在所述陶瓷基体上；电阻浆料形成的膜状电阻包括第一、第二和第三膜状电阻，所述第一膜状电阻电连接于所述输入端和输出端之间，所述第二膜状电阻电连接于所述输入端和接地端之间，所述第三膜状电阻电连接于所述输出端和接地端之间；所述膜状电阻上连接有介质浆料形成的封盖层。本实用新型所述温度补偿衰减片可以补偿由于温度变化而带来的高频或者微波有源器件的增益的变动，可以在温度变化较大的环境内保证高频或者微波有源器件的频率特性。
文档编号H01P1/22GK201490310SQ20092016329
公开日2010年5月26日 申请日期2009年7月2日 优先权日2009年7月2日
发明者刘汛 申请人:深圳市禹龙通电子有限公司