专利名称：Cmp研磨装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种化学机械平坦化装置，具体涉及一种CMP研磨装置。
背景技术：
在化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization，简称CMP)的制作工艺 过程中，硅片表面的氧化膜与研磨垫接触，并和研磨垫上承载的研磨液接触反应，通过物理 和化学的作用，将硅片表面的突起磨平。 但是当研磨垫使用一段时间后，研磨垫的表面微孔隙会被研磨下来的碎屑和反映 副产物填充，形成釉化层，研磨垫的表面粗糙度降低，使得研磨垫与硅片表面的摩擦系数发 生变化，从而影响到硅片的研磨效果。 为保证硅片表面被磨平，需要使研磨垫始终保持粗糙的状态。为此，需要使用研磨 盘打磨研磨垫表面，而研磨盘的打磨效果主要取决于两点第一是研磨盘与研磨垫的相对 转速；第二是研磨盘对研磨垫的接触压力，研磨盘对研磨垫的接触压力过小不能起到打磨 的效果，而压力过大则对研磨垫的磨损过大，造成浪费。 而目前使用的研磨盘无法调节对研磨垫的接触压力，当研磨垫与硅片表面的摩擦 系数变小后，该接触压力就无法满足研磨垫的研磨要求。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种CMP研磨装置，它可以自动调节研磨 盘对研磨垫的接触压力，保证研磨垫的研磨效果。 为解决上述技术问题，本实用新型CMP研磨装置的技术解决方案为 包括研磨台、研磨垫、研磨盘，研磨垫固定于研磨台顶部，研磨盘在马达的驱动下
运动，在研磨垫的表面摩擦研磨；所述研磨盘的马达设置电流监控及反馈装置，电流监控及
反馈装置对监控的电流值进行处理并将反馈信号传递至研磨盘的压力供给模块。 本实用新型可以达到的技术效果是 本实用新型通过对马达电流的监控，实现对研磨垫的摩擦力的监控，并通过电流 监控及反馈装置向研磨盘的压力供给模块反馈，自动调节研磨盘对研磨垫施加的压力，使 马达电流保持稳定，从而保证研磨盘对研磨垫的打磨效果，保证研磨速率的稳定。
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步详细的说明
图1是本实用新型CMP研磨装置的示意图。 图中附图标记说明 l为研磨台，2为研磨垫， 3为研磨盘，10为电流监控及反馈装置， 20为硅片。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型CMP研磨装置，包括研磨台1、研磨垫2、研磨盘3，研磨垫 2固定于研磨台1顶部，研磨盘3在马达的驱动下运动，在研磨垫2的表面摩擦研磨；研磨 盘3的马达设置电流监控及反馈装置10，电流监控及反馈装置对监控的电流值进行处理并 将反馈信号传递至研磨盘3的压力供给模块。 工作时，硅片20在背面加压力F的作用下在研磨垫上研磨，与此同时，研磨盘3接 触研磨垫2，并在马达的驱动下旋转，研磨盘3与研磨垫2之间产生摩擦力，该摩擦力的大 小，与驱动研磨盘3旋转的马达电流成正比。 通过电流监控及反馈装置对马达的电流进行监控，当马达电流变大，表示研磨盘3 与研磨垫2之间的摩擦力变大，为避免研磨盘3对研磨垫2的过度磨损，此时通过研磨盘3 的压力供给模块减小研磨盘3对研磨垫2的压力，使二者之间的摩擦力变小，则马达电流随 之减小。 本实用新型根据研磨盘3的马达电流的大小来自动调节研磨盘3对研磨垫2的压 力，马达电流变小，表示摩擦力变小，此时应增大压力；当马达电流变大，表示摩擦力过大， 此时应减小压力。 本实用新型通过调节研磨盘3对研磨垫2的压力，维持马达电流的稳定，从而维持 研磨盘3与研磨垫2之间的摩擦力稳定，以保证单位时间内研磨盘3对研磨垫2的损耗量
权利要求一种CMP研磨装置，包括研磨台、研磨垫、研磨盘，研磨垫固定于研磨台顶部，研磨盘在马达的驱动下运动，在研磨垫的表面摩擦研磨；其特征在于所述研磨盘的马达设置电流监控及反馈装置，电流监控及反馈装置对监控的电流值进行处理并将反馈信号传递至研磨盘的压力供给模块。
专利摘要本实用新型公开了一种CMP研磨装置，包括研磨台、研磨垫、研磨盘，研磨垫固定于研磨台顶部，研磨盘在马达的驱动下运动，在研磨垫的表面摩擦研磨；所述研磨盘的马达设置电流监控及反馈装置，电流监控及反馈装置对监控的电流值进行处理并将反馈信号传递至研磨盘的压力供给模块。本实用新型通过对马达电流的监控，实现对研磨垫的摩擦力的监控，并通过电流监控及反馈装置向研磨盘的压力供给模块反馈，自动调节研磨盘对研磨垫施加的压力，使马达电流保持稳定，从而保证研磨盘对研磨垫的打磨效果，保证研磨速率的稳定。
文档编号H01L21/302GK201544116SQ20092021480
公开日2010年8月11日 申请日期2009年12月15日 优先权日2009年12月15日
发明者张震宇, 赵正元 申请人:上海华虹Nec电子有限公司