专利名称：导电组合物以及用于制造半导体装置的方法
技术领域：
本发明涉及硅半导体装置，以及用于太阳能电池装置的正面上的导电浆料。导 电浆料可包含含铋添加剂、含铜添加剂、以及含磷添加剂中的一种或多种。发明
背景技术：
常规的具有ρ型基板的太阳能电池结构具有通常位于电池的正面或光照面上的 负极和位于背面上的正极。众所周知，在半导体的p-n结上入射的合适波长的辐射充当 在该半导体中产生空穴-电子对的外部能源。由于p-n结处存在电势差，因此空穴和电 子以相反的方向跨过该结移动，从而产生能够向外部电路输送电力的电流。大部分太阳 能电池为金属化的硅片形式，即，具有导电的金属触点。尽管存在用于形成太阳能电池的多种方法和组合物，但是仍然需要具有改善的 电性能、粘接性能的组合物、结构和装置、以及制造方法。
发明内容
本发明的一个实施方案涉及厚膜导电组合物，该组合物包含a)导电粉末；b) —种或多种添加剂，其中所述添加剂选自ω含铋添加剂、含铜添加剂、和 含磷添加剂；(ii)铋、铜和磷中的一种或多种的金属氧化物；(iii)在焙烧时能够生成(ii) 中的金属氧化物的任何化合物；以及Gv)它们的混合物；c) 一种或多种玻璃料；d)有机介质，所述a)、b)和C)分散于d)中。添加剂可选自Bi203、树脂酸铋、铜粉、氧化铜、P205、含磷表面活性剂和有机磷。在该实施方案的一个方面，玻璃料可包含(按总玻璃组合物的重量百分比计) SiO2 1-36、Al2O3 0-7、B2O3 1.5-19、PbO 20-83、ZnO 0-42, CuO 0-4, ZnO 0-12, Bi2O3 0-35、ZrO20-8、TiO20-7、PbF2 3-34 该组合物可包含其他金属/金属氧化物添加剂，所述金属/金属氧化物添加剂选 自(a)金属，其中所述金属选自锌、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬； (b) 一种或多种金属的金属氧化物，所述一种或多种金属选自钆、铈、锆、钛、锰、锡、 钌、钴、铁、铜和铬；(c)在焙烧时能够生成(b)的金属氧化物的任何化合物；以及(d) 它们的混合物。在该实施方案的一个方面中，含锌添加剂为ZnO。本发明的一个实施方案涉及结构，其中所述结构包括厚膜组合物和基板。基板 可以为一个或多个绝缘层。基板可是一个或多个半导体基板。在一个方面，厚膜组合 物可在一个或多个绝缘层上形成。在一个方面，一个或多个绝缘层可在半导体基板上形 成。在另一个方面，焙烧时，有机介质被移除并且银和玻璃料被烧结。在本发明的一个实施方案中，电极由组合物形成，并且对所述组合物进行焙烧以便移除有机介质和烧结所述玻璃颗粒。本发明的一个实施方案涉及制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤(a)提供一个或多个半导体基板、一个或多个绝缘膜、和厚膜组合物，其中所述 厚膜组合物包含a)导电银，b) —种或多种玻璃料，c)有机介质，所述a)和b)分散于 c)中。(b)将绝缘膜施加在半导体基板上，(c)将厚膜组合物施加在半导体基板上的绝缘膜上，以及(d)焙烧半导体、绝缘膜以及厚膜组合物，其中在焙烧时，有机载体被移除，银和玻璃料被烧结，并且绝缘膜被厚膜组合 物中的组分穿透。在该实施方案的一个方面，绝缘膜包含选自下列的一种或多种组分氧化钛、 氮化硅、SiNx:H、氧化硅、以及氧化硅/氧化钛。另一个实施方案涉及包括厚膜导电组合物的结构。所述结构可包括绝缘层。所 述结构可包括半导体基板。本发明的一个方面涉及包括该结构的半导体装置。本发明的 另一个方面涉及包括该结构的光伏器件。本发明的另一个方面涉及包括该结构的太阳能 电池。本发明的另一个方面涉及包括该结构的太阳能电池板。附图简述
图1为示出半导体装置制造过程的工艺流程图。图1中所示的附图标号说明如下。10 ρ型硅基板20 η型扩散层30 氮化硅膜、氧化钛膜或氧化硅膜40 ρ+层(背表面区域，BSF)60背面上形成的铝浆料61 铝背电极(通过烧制背面铝浆料获得)70 背面上形成的银浆料或银/铝浆料71 银或银/铝背电极(通过烧制背面银浆料获得)500 根据本发明在正面上形成的银浆501 根据本发明的银正面电极(通过焙烧正面银浆获得)图2示出了表2中的浆料组合物的粘附性能。粘附力值为12个数据点的平均 值。发明详述本发明致力于对具有改善的电性能的半导体组合物、半导体装置、制造所述半 导体装置的方法等的需求。本发明的一个实施方案涉及厚膜导体组合物。在所述实施方案的一个方面，厚 膜导体组合物可包含导电粉末、焊剂材料、和有机介质。焊剂材料可为玻璃料或玻璃 料的混合物。厚膜导体组合物也可包含添加剂。厚膜导体组合物可包含附加添加剂或组 分。本发明的一个实施方案涉及结构，其中所述结构包括厚膜导体组合物。在一个方面，所述结构也包括一个或多个绝缘膜。在一个方面，所述结构不包括绝缘膜。在一 个方面，所述结构包括半导体基板。在一个方面，厚膜导体组合物可在一个或多个绝缘 膜上形成。在一个方面，厚膜导体组合物可在半导体基板上形成。在其中厚膜导体组合 物可在半导体基板上形成的方面中，所述结构可以不包括施加的绝缘膜。在一个实施方案中，厚膜导体组合物可印刷在基板上以形成母线。所述母线可 为两条以上的母线。例如，所述母线可为三条或更多条母线。除了母线之外，厚膜导体 组合物还可印刷在基板上以形成连接线。所述连接线可接触母线。接触母线的连接线可 在接触第二条母线的连接线之间叉合。在一个示例性实施方案中，三条母线可在基板上相互平行。母线可为矩形形 状。中间母线的每一个侧边可接触连接线。在两侧母线的每一个上，仅仅矩形的一侧可 接触连接线。接触两侧母线的连接线可与接触中间母线的连接线叉合。例如，接触一侧 母线的连接线可与接触中间母线的连接线在一侧叉合，并且接触另一侧母线的连接线可 与接触中间母线的连接线在中间母线的另一侧叉合。在一个实施方案中，在基板上形成的母线可由以平行排列布置的两条母线组 成，其中导线垂直于母线形成并以叉合平行线图案排列。作为另外一种选择，母线可为 三条或更多条母线。在三条母线的情况中，中间母线可用作每侧平行排列的母线之间的 共同部分。在该实施方案中，三条母线的区域范围可调整至与使用两条母线的情况大约 相同。在三条母线的情况中，将垂直线调整至适于成对母线之间的空间的较短尺寸。在一个实施方案中，厚膜导体组合物的组分为电功能银粉、一种或多种添加 剂，其中所述添加剂选自ω含铋添加剂、含铜添加剂、和含磷添加剂；Gi)铋、铜 和磷中一种或多种的金属氧化物；Gii)在焙烧时能够生成(ω的金属氧化物的任何化合 物；以及Gv)它们的混合物，以及分散于有机介质中的玻璃料。玻璃料可为无铅的。 附加的添加剂可包括金属、金属氧化物或任何在焙烧时能够生成这些金属氧化物的化合 物。本文下面开始讨论各个组分。无机组分本发明的一个实施方案涉及厚膜导体组合物。在所述实施方案的一个方面，厚 膜导体组合物可包括导电材料、焊剂材料、和有机介质。导电材料可包括银。在一个 实施方案中，导电材料可为导电粉末。焊剂材料可包括一种玻璃料或多种玻璃料。玻璃 料可为无铅的。厚膜导体组合物也可包含添加剂，其中所述添加剂选自ω含铋添加 剂、含铜添加剂、和含磷添加剂；Gi)铋、铜和磷中一种或多种的金属氧化物；Gii)在 焙烧时能够生成Gi)中的金属氧化物的任何化合物；以及Gv)它们的混合物。可包含 其他添加剂。其他添加剂可为金属/金属氧化物添加剂，所述金属/金属氧化物添加剂 选自(a)金属，其中所述金属选自锌、镁、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜 和铬；(b)—种或多种金属的金属氧化物，所述一种或多种金属选自锌、镁、钆、铈、 锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；(c)在焙烧时能够生成(b)的金属氧化物的任何 化合物；以及(d)它们的混合物。厚膜导体组合物可包含附加组分。如本文所用，“母线”是指用于集合电流的共连接。在一个实施方案中，母线 可为矩形形状。在一个实施方案中，母线可平行。如本文所用，“焊剂材料”是指用于促进熔合的物质或熔合的物质。在一个实施方案中，熔合可在等于或低于形成液相的所需工艺温度下发生。在一个实施方案中，本发明的无机组分可包括(1)电功能银粉；(2) —种或 多种添加剂，其中所述添加剂选自ω含铋添加剂、含铜添加剂、和含磷添加剂；( ) 铋、铜和磷中一种或多种的金属氧化物；Gii)在焙烧时能够生成( )的金属氧化物的任 何化合物；以及Gv)它们的混合物；(3)玻璃料；以及可任选的⑷附加金属/金属氧 化物添加剂，所述金属/金属氧化物添加剂选自(a)金属，其中所述金属选自锌、钆、 铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；(b) —种或多种金属的金属氧化物，所述 一种或多种金属选自锌、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；(C)在焙烧时 能够生成(b)的金属氧化物的任何化合物；以及(d)它们的混合物。在一个非限制性实 施方案中，添加剂可选自Bi203、树脂酸铋、铜粉、氧化铜、P205、含磷表面活性剂和 有机磷。在一个实施方案中，玻璃料可以不含铅。A.导电的功能件材料导电材料可包括银、铜、钯、以及它们的混合物。在一个实施方案中，导电颗 粒为银。然而，这些实施方案旨在为非限制性的。设想并包括了其中利用其他导电材料 的实施方案。银可为颗粒形式、粉末形式、薄片形式、球形形式、以胶态悬浮液提供、它们 的混合物等。银可为例如银金属、银合金、或它们的混合物。银可包括例如氧化银 (Ag2O)或银盐，例如AgCl、AgNO3>或AgOOCCH3 (乙酸银)、正磷酸银、Ag3P04、或 它们的混合物。可利用与其他厚膜组分相容的银的任何形式，并且将由本领域的技术人 员认识到。银可为厚膜组合物的多个组成百分比中的任何一种。在一个非限制性实施方案 中，银可为厚膜组合物中固体组分的约70%至约99%。在另一个实施方案中，银可为厚 膜组合物中固体组分的约80至约95重量％。在另一个实施方案中，银可为厚膜组合物 中固体组分的约87至约93重量％。在一个实施方案中，厚膜组合物的固体部分可包括约80至约90重量％的银粒子 和约1至约10重量％的银薄片。在一个实施方案中，厚膜组合物的固体部分可包括约75 至约90重量％的银粒子和约1至约10重量％的银薄片。在另一个实施方案中，厚膜组 合物的固体部分可包括约75至约90重量％的银薄片和约1至约10重量％的胶态银。在 另一个实施方案中，厚膜组合物的固体部分可包括约60至约90重量％的银粉或银薄片和 约0.1至约20重量％的胶态银。在一个实施方案中，厚膜组合物包括赋予组合物适当电功能性质的功能相。功 能相可包括分散在有机介质中的电功能粉，所述有机介质充当用于形成组合物的功能相 的载体。在一个实施方案中，可将组合物施用到基板上。在另一个实施方案中，可焙烧 组合物和基板以烧掉有机相、以活化无机粘结剂相、以及赋予电功能性质。在一个实施方案中，组合物的功能相可以是涂覆的或未涂覆的导电银粒子。在 一个实施方案中，银粒子可被涂覆。在一个实施方案中，银可涂覆有诸如磷的多种材 料。在一个实施方案中，银粒子可至少部分地涂覆有表面活性剂。表面活性剂可选自但 不限于硬脂酸、棕榈酸、硬脂酸盐、棕榈酸盐以及它们的混合物。可利用其他表面活性 剂，包括月桂酸、棕榈酸、油酸、硬脂酸、癸酸、肉豆蔻酸以及亚油酸。抗衡离子可以为但不限于氢离子、铵离子、钠离子、钾离子、以及它们的混合物。银的粒度不受任何特定限制。在一个实施方案中，平均粒度小于10微米；在另 一个实施方案中，平均粒度小于5微米。在另一个实施方案中，氧化银可在玻璃熔融/制造工艺期间溶解于玻璃中。B.添加剂本发明的一个实施方案涉及厚膜组合物，所述厚膜组合物包含一种或多种添加 剂。该添加剂选自ω含铋添加剂、含铜添加剂、和含磷添加剂；Gi)铋、铜和磷中一 种或多种的金属氧化物；Gii)在焙烧时能够生成(ω中的金属氧化物的任何化合物；以 及Gv)它们的混合物。在一个非限制性实例中，添加剂可选自Bi203、树脂酸铋、铜 粉、氧化铜、p205、含磷表面活性剂和有机磷。本发明的一个实施方案涉及可包含其他添加剂的厚膜组合物。另一个实施方案 涉及包含两种或更多种添加剂的厚膜组合物。在该实施方案的一个方面，其他添加剂可 为金属/金属氧化物添加剂，所述金属/金属氧化物添加剂选自(a)金属，其中所述金 属选自锌、镁、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；(b) —种或多种金属 的金属氧化物，所述一种或多种金属选自锌、镁、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、 铁、铜和铬；(c)在焙烧时能够生成(b)的金属氧化物的任何化合物；以及(d)它们的混 合物。在一个实施方案中，添加剂的粒度不受任何特定限制。在一个实施方案中，平 均粒度可小于10微米；在一个实施方案中，平均粒度可小于5微米。在一个实施方案 中，平均粒度可为0.1至1.7微米。在另一个实施方案中，平均粒度可为0.6至1.3微米。 在一个实施方案中，平均粒度可为7至lOOnm。在另一个实施方案中，当使用有机金属 化合物(例如树脂酸金属)时，添加剂的粒度可为原子级或分子级。在一个实施方案中，金属/金属氧化物添加剂的粒度可在7纳米(nm)至125nm 的范围内。在一个实施方案中，金属/金属氧化物添加剂的粒度可在7纳米(nm)至 IOOnm的范围内。在一个实施方案中，具有7纳米(nm)至125nm的平均粒度范围(d50) 的MnO2与TiO2可用于本发明中。在另一个实施方案中，当使用有机金属化合物(例如 树脂酸金属)时，添加剂的粒度可为原子级或分子级。在一个实施方案中，含铋、含铜、或含磷添加剂所占总厚膜组合物的比例范围 可以为O至20重量％ ；在另一个实施方案中为0.05至10重量％ ；在另一个实施方案中 为0.1至5重量％ ；在另一个实施方案中为0.1至2重量％ ；在另一个实施方案中为0.1 至1重量在另一个实施方案中为0.15至0.5重量％。在一个实施方案中，附加的添加剂可为含锌添加剂。含锌添加剂可选自例如(a) 锌，(b)锌的金属氧化物，(C)在焙烧时能够生成锌的金属氧化物的任何化合物，以及 (d)它们的混合物。在一个实施方案中，含锌添加剂为ZnO，其中ZnO可具有在10纳米至10微米范 围内的平均粒度。在另一个实施方案中，ZnO可具有40纳米至5微米的平均粒度。在 另一个实施方案中，ZnO可具有60纳米至3微米的平均粒度。在另一个实施方案中，含 锌添加剂可具有小于0.1 μ m的平均粒度。具体地讲，含锌添加剂可具有在7纳米至小于 100纳米范围内的平均粒度。
在另一个实施方案中，含锌添加剂(例如锌、树脂酸锌等)在总厚膜组合物中的 含量在2至16重量％的范围内。在另一个实施方案中，含锌添加剂可以总组合物的4至 12重量％范围内的含量存在。在一个实施方案中，ZnO可以总组合物的2至10重量％ 的范围存在于组合物中。在一个实施方案中，ZnO可以总组合物的4至8重量％范围内 的含量存在。在另一个实施方案中，ZnO可以总组合物的5至7重量％范围内的含量存 在。在一个实施方案中，附件的添加剂可为含镁添加剂。含镁添加剂可选自例如(a) 镁，(b)镁的金属氧化物，(c)在焙烧时能够生成镁的金属氧化物的任何化合物，以及 (d)它们的混合物。在一个实施方案中，含镁添加剂为MgO，其中MgO可具有在10纳米至10微米 范围内的平均粒度。在另一个实施方案中，MgO可具有40纳米至5微米的平均粒度。 在另一个实施方案中，MgO可具有60纳米至3微米的平均粒度。在另一个实施方案中， MgO可具有0.1至1.7微米的平均粒度。在另一个实施方案中，MgO可具有0.3至1.3微 米的平均粒度。在另一个实施方案中，含镁添加剂可具有小于0.1 μ m的平均粒度。具 体地讲，含镁添加剂可具有在7纳米至小于100纳米范围内的平均粒度。MgO可以总组合物的0.1至10重量％范围内的含量存在于组合物中。在一个实 施方案中，MgO可以总组合物的0.5至5重量％范围内的含量存在。在另一个实施方案 中，MgO可以总组合物的0.75至3重量％范围内的含量存在。在另一个实施方案中，含镁添加剂(例如镁、树脂酸镁等)在总厚膜组合物中的 含量可在0.1至10重量％的范围内。在另一个实施方案中，含镁添加剂可以总组合物的 0.5至5重量％范围内的含量存在。在另一个实施方案中，MgO可以总组合物的0.75至 3重量％范围内的含量存在。在另一个实施方案中，含镁添加剂可具有小于0.1 μ m的平均粒度。具体地讲， 含镁添加剂可具有在7纳米至小于100纳米范围内的平均粒度。在一个实施方案中，附加的添加剂可包括添加剂的混合物。附加的添加剂可为 金属/金属氧化物添加剂的混合物，所述金属/金属氧化物添加剂选自(a)金属，其 中所述金属选自锌、镁、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；(b) —种或 多种金属的金属氧化物，所述一种或多种金属选自锌、镁、钆、铈、锆、钛、锰、锡、 钌、钴、铁、铜和铬；(c)在焙烧时能够生成(b)的金属氧化物的任何化合物；以及(d) 它们的混合物。在焙烧时能够生成锌、镁、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜或铬的 金属氧化物的化合物包括但不限于树脂酸盐、辛酸盐、有机功能单元等。在一个实施方案中，附加的添加剂可包括ZnO与MgO的混合物。在一个实施方案中，添加剂可改善太阳能电池的多个功能。在一个实施方案 中，一种或多种添加剂可改善太阳能电池的电性能。在一个实施方案中，一种或多种添 加剂可改善硅基板的焊接性能。在一个实施方案中，一种或多种添加剂可改善硅基板的 粘附性能。在一个实施方案中，一种或多种添加剂可改善上述一种或多种性能。C.玻璃料在本发明的一个实施方案中，厚膜组合物可包含玻璃材料。在一个实施方案中，玻璃材料可包括三组组分中的一种或多种玻璃生成体、中间氧化物、和调节剂。 示例性玻璃生成体可具有高的键合配位和较小的离子尺寸；玻璃生成体在加热并由熔 体骤冷时可形成桥接共价键。示例性玻璃生成体包括但不限于Si02、B203、P205、 V2O5、 GeO2等。示例性中间氧化物包括但不限于Ti02、Ta2O5、 Nb2O5、 ZrO2、 CeO2、 Sn02、A1203、HfO2等。如本领域的技术人员所认识到的，中间氧化物可用于取代玻璃 生成体。示例性调节剂可具有更多离子性并且可终止键合。调节剂可影响具体性质 例如，调节剂可导致玻璃粘度的减小和/或诸如玻璃润湿性能的改性。示例性调节剂包 括但不限于氧化物，例如碱金属氧化物、碱土金属氧化物、PbO、CuO、 CdO、 ZnO、 Bi203、Ag2O、 MoO3、 WO3 等。在一个实施方案中，玻璃材料可由本领域的技术人员选择以有助于氧化物或氮 化物绝缘层的至少部分穿透。如本文所述，这种至少部分穿透可导致形成与光伏器件结 构的硅表面的有效电接触。配方组分不限于玻璃形成材料。在本发明的一个实施方案中，提供了玻璃料组合物(玻璃组合物)。玻璃料组合 物的非限制性实例列于下表1中并描述于本文。设想了附加玻璃料组合物。需要注意的是，列于表1中的组合物并非是限制性的，因为可以预料到，玻璃 化学领域内的技术人员可用其他成分进行小幅度地替代而不会显著改变本发明玻璃组合 物所需的性质。这样，玻璃生成体的替代物(如P205 0-3、GeO2 0-3、V2O5 0-3 (重 量％))可单独或组合使用以实现类似性能。还可以用一种或多种中间氧化物，例如 TiO2、 Ta2O5、 Nb205、ZrO2、 CeO2、 SnO2来替代存在于本发明玻璃组合物中的其他中间 氧化物(即，A1203、CeO2、 SnO2)。由数据观察到一般玻璃中的较高SiO2含量会降低性 能。可以认为SiO2能够增加玻璃粘度并降低玻璃润湿。尽管未示于表1组合物中，但 是可以预料不含SiO2的玻璃性能良好，因为其他玻璃生成体如&05、GeO2等可用于替代 低含量SiO2的功能。也可将碱土金属含量，CaO，部分地或全部地替换为其他碱土金属 组分，例如SrO、BaO和MgO。非限制性玻璃组合物在总玻璃组合物中的重量百分比示于表1中。在一个实 施方案中，玻璃组合物可包含具有以下组成范围的氧化物组分SiO2 1-36、Al2O3 0-7、 B2O3 1.5-19、PbO 20-83、ZnO 0-42, CuO 0-4, ZnOO-12, Bi2O3 0-35、ZrO2 0-8、TiO2 0-7、PbF2 3-34(按总玻璃组合物的重量百分比计)。在另一个实施方案中，玻璃组合物 可包含SiO2 20-24、Al2O3 0.2-0.5、B2O3 5-9、PbO 20-55、Bi2O3 0-33、TiO2 5-7、BiF3 4-22 (按总玻璃组合物的重量百分比计)。组合物中所用的氟化物可来自现有组合物(例 如PbF2、BiF3、AlF3)的化合物或其他此类化合物，这些化合物通过适当的计算能够保持 相同的目标组合物。这种计算等效性的实例以1号玻璃示出为SiO2 22.08、Al2O3 0.38、 PbO 56.44、B2O3 7.49、TiO2 5.86、Bi2O3 6.79、F 1.66 重量％，其中氟化物表达为元素氟 和相关氧化物。本领域的技术人员能够容易地进行此类转化计算。在一个实施方案中， 玻璃组合物可具有介于60-70重量％之间的总的PbO、Bi2O3和PbF2。在一个实施方案 中，玻璃组合物通常可用以下总玻璃组合物的重量％来描述SiO2 1-36、PbO 20-83、 B2O3 1.5-19、PbF2 4-22，并且任选的组分包括Al2O3 0-7、ZrO2 0-8、ZnO 0-12, CuO 0-4、Bi2O3 0-35、以及TiO2 0-7。还可以将组分范围描述为具有可任选添加量的A1203、 ZrO2> ZnO> CuO> Bi203、TiO2的SiO2、PbO> F和B2O3,并且氟化物作为来源化合物用于向组合物提供氟。表1 :桉总玻璃组合物重量百分比计的玻璃组合物
玻
权利要求
1.厚膜导电组合物，所述厚膜导电组合物包含a)导电粉末；b)两种或更多种添加剂，其中所述第一添加剂选自(i)含铋添加剂和含磷添加剂； (ii)铋和磷中的一种或多种的金属氧化物；(iii)在焙烧时能够生成Gi)中的金属氧化物的 任何化合物；以及(iV)它们的混合物；并且其中所述第二添加剂选自ω金属氧化物 添加剂；Gi)在焙烧时能够生成金属氧化物的化合物；C) 一种或多种玻璃料； d)有机介质；所述a)、b)和c)分散于d)中。
2.权利要求1的组合物，其中所述含铋添加剂选自Bi2O3和树脂酸铋；并且其中所 述含磷添加剂选自P205、含磷表面活性剂、和有机磷。
3.权利要求1的组合物，其中所述第一添加剂为含铋添加剂。
4.权利要求1的组合物，其中所述第一添加剂为所述厚膜组合物的0.05重量％至10重量％。
5.权利要求1的组合物，其中所述第一添加剂为所述厚膜组合物的0.15重量％至0.5重量％。
6.权利要求1的组合物，其中所述第二添加剂为所述厚膜组合物的4重量％至8重量％。
7.权利要求1的组合物，其中所述导电粉末包括银。
8.权利要求1的组合物，其中所述第二添加剂选自a)金属，其中所述金属选自 锌、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；(b) 一种或多种金属的金属氧化物，所述一种或多种金属选自锌、钆、铈、锆、钛、 锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；(c)在焙烧时能够生成(b)的所述金属氧化物的任何化合 物；以及(d)它们的混合物。
9.权利要求8的组合物，其中所述含锌添加剂为ZnO。
10.权利要求1的组合物，其中所述银为所述厚膜组合物的总固体组分的70重量％至99重量％。
11.制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤(a)提供一个或多个半导体基板、一个或多个绝缘膜、和权利要求1的所述厚膜组合物；(b)将所述绝缘膜施加在所述半导体基板上，(c)将所述厚膜组合物施加在所述半导体基板上的绝缘膜上，以及(d)焙烧所述半导体、绝缘膜和厚膜组合物，其中在焙烧时，有机载体被移除，所述银和玻璃料被烧结，并且所述绝缘膜被所述 厚膜组合物中的组分穿透。
12.权利要求11的方法，其中所述绝缘膜包含选自下列的一种或多种组分氧化 钛、氮化硅、SiNx:H、氧化硅、和氧化硅/氧化钛。
13.由权利要求11的方法制备的半导体装置。
14.包括电极的半导体装置，其中所述电极在焙烧前包括权利要求1的组合物。
15.包括权利要求14的半导体装置的太阳能电池。
全文摘要
本发明的实施方案涉及硅半导体装置，以及用于太阳能电池装置的正面上的导电浆料。
文档编号H01B1/22GK102017011SQ200980115743
公开日2011年4月13日 申请日期2009年4月22日 优先权日2008年4月28日
发明者C·A·弗雷德里克, Y·王 申请人:E.I.内穆尔杜邦公司