专利名称：沉积仪器及利用该沉积仪器的沉积方法
技术领域：
本发明关于一种沉积仪器(exposition apparatus)及利用该沉积仪器的一沉积方法，更具体而言，关于一种能够实时地监测沉积于一基板的一层的一实际厚度的沉积仪器及方法。
背景技术：
有机发光装置(organic light emitting device ；OLED)为继诸如液晶显示器 (liquid crystal display ；LCD) ,S.^^iiIl/^fflIS. (plasma display panel ；PDP)
器之后出现的下一代显示器。该有机发光装置利用以下方案依序形成一正电极、一有机材料层及一负电极于一基板上，供应一电压于正电极与负电极之间，以使电子(electron)及空穴(hole)移动至该有机材料层，然后使电子与空穴复合(recombine)而发光。此处，有机材料层通常利用热沉积方法形成。一种用于形成该典型有机材料层的传统沉积仪器采用一传感器以监测沉积于该基板的一层的一厚度。该传感器被设置成暴露于一沉积源，该沉积源加热并蒸发一有机材料。藉此，该传感器检测附着至其的有机材料的一总量，并将该有机材料的总量转换成沉积于基板的层的厚度。亦即，利用传感器间接地检测沉积于基板的层的厚度。然而，因该方案为一种间接方案，而非用于实际测量沉积于基板的层的厚度的一方案，故厚度测量的精确度降低且难以实时地监测沉积于基板的层的一实际厚度。而且，因不存在用于验证沉积于基板的层的实际厚度的方法，在沉积工序结束后评价装置的特征时，可发现厚度缺陷， 故此可能降低装置的良率(yield rate)。
发明内容
本发明提供一种沉积仪器，该沉积仪器采用能够测量沉积于一基板的一层的一实际厚度的一厚度测量部件，以及提供一种利用该沉积仪器的沉积方法。根据一实例性实施例，一种沉积仪器包含一处理腔室，该处理腔室中具有一反应空间；一传送腔室，连接至该处理腔室；一基板承放部件，位于该处理腔室中，以于该基板承放部件上承放一基板；一沉积源，面对该基板承放部件并储存一来源材料；以及一厚度测量部件，安装于该传送腔室中，以直接地测量形成于该基板上的一沉积层的一实际厚度。该厚度测量部件可利用一椭圆测厚仪(ellipsometer)。—透光板可安装于该传送腔室的设置有该椭圆测厚仪的一侧。该沉积仪器可还包含一传感器，该传感器安装于该处理腔室内的一侧，以感测自该沉积源蒸发的该来源材料的一总量并计算该沉积层的一转换厚度。可准备多个处理腔室及多个传送腔室并沿一方向相互连接，各该处理腔室包含安装于其中之一沉积源，且各该传送腔室包含安装于其中之一厚度测量部件。该沉积仪器可还包含一监测单元，该监测单元连接至该传感器，以调整形成于该基板的沉积层的一厚度。
该监测单元可连接至一控制单元，该控制单元连接至该沉积源，以控制供应至该沉积源的功率及一沉积处理时间。该沉积仪器可还包含一屏蔽支架(mask holder)，该屏蔽支架连接至该基板承放部件的一下部，其中一阴影屏蔽(shadow mask)可安装于该屏蔽支架中。该沉积仪器可还包含一辅助屏蔽，该辅助屏蔽包含至少一屏蔽图案并面对位于该阴影屏蔽的开口区域之间的该基板的一无源区域。多个驱动单元可设置于该辅助屏蔽的二端，以通过移动该辅助屏蔽而改变该屏蔽图案的位置，这些驱动单元连接至该屏蔽支架。根据另一实例性实施例，一种沉积方法包含准备一基板于一腔室中；通过沉积一来源材料而形成一第一沉积层于该基板上；移动该基板至一传送腔室中并直接测量该第一沉积层的一实际厚度；比较该第一沉积层的该实际厚度与一目标厚度；以及根据该比较结果，调整多个处理条件。于调整这些处理条件后，可于这些已调整的处理条件下形成一第二沉积层。于形成该第一沉积层前，该沉积方法可还包含确定该目标厚度及一沉积控制厚度。通过于形成该第一沉积层过程中于一传感器处感测该来源材料的一总量，可计算该第一沉积层的一转换厚度。当该第一沉积层的该转换厚度达到该沉积控制厚度时，可停止该沉积工序。当根据该比较结果调整这些处理条件时，可改变该沉积控制厚度。该基板可包含一有源区域及一无源区域，并可测量形成于该无源区域的该第一沉积层的该实际厚度。可将于这些已调整的处理条件下形成的该第二沉积层的该实际厚度与该第一沉积层的该实际厚度的一平均值与该目标厚度相比较。通过比较该第一沉积层的实际厚度与该目标厚度而调整这些处理条件后，该沉积方法可还包含于该基板上连续沉积不同的来源材料。可通过将承放该基板的一基板承放部件移动至沿一方向相互连接的多个处理腔室至少其中之一中，连续地沉积这些不同的来源材料于该基板上。于沉积这些不同的来源材料前，该沉积方法可还包含改变一辅助屏蔽的一屏蔽图案的位置，以改变该屏蔽图案所暴露的该基板的该无源区域的位置。本发明可达到的功效如上所述，利用采用厚度测量部件的沉积仪器，可直接测量及监测形成于沉积有一薄膜的基板上的沉积层的一实际厚度。因此，通过实时地监测形成于该基板上的沉积层的实际厚度及修正用于控制该沉积层的实际厚度的沉积控制厚度，可准确地控制该沉积层的厚度，因此可提高制作于该基板上的器件的可靠性及良率。
通过阅读结合附图对本发明的说明，可更详尽地理解本发明的实例性实施例，附图中图1为根据本发明的一实施例的一沉积仪器的示意图2为一流程图，用于阐释一种利用图1所述沉积仪器以控制一沉积层的一厚度的程序；图3为根据图1所述实施例的一变型，一沉积仪器的一主要部件的示意图；图4为图3所述沉积仪器的一区域A的平面图；图5为沿图4所述的线B-B’截取的剖视图；图6为根据图3所述的变型，一辅助屏蔽的概念图；以及图7为利用图3所述的沉积仪器制成的一有机发光装置的立体图。
具体实施例方式以下，将参照附图详细说明本发明的具体实施例。然而，本发明可实施为不同的形式，而不应被视为仅限于本文所述的实施例。提供这些实施例旨在使本发明的揭露内容透彻且完整，并向熟悉本技术的人员全面传达本发明的范围。此外，相同或相似的标号表示相同或相似的组成组件，尽管这些标号可出现于本发明的不同实施例或附图中。图1为根据本发明的一实施例的一沉积仪器的示意图。参见图1，该沉积仪器包含一处理腔室100 ； —传送腔室110，连接至处理腔室 100的一上侧部；一基板承放部件300，连接至处理腔室100的一上部的一内壁，其中该基板承放部件300中承放一基板200 ；—屏蔽支架320，连接至基板承放部件300的一下部； 一阴影屏蔽330，安装于屏蔽支架320内；一沉积源400，被设置成面对基板承放部件300 ； 一厚度测量部件500，安装于传送腔室110的一下部的一外壁上；以及一机械手臂(robot arm) 150，安装于传送腔室110内以移动处理腔室100内的基板200至传送腔室110。此外， 该沉积仪器包含一传感器600，设置于处理腔室100的一内侧的，以感测自沉积源400蒸发的一来源材料401的一总量；以及一百叶窗(图未示出)，设置于基板承放部件300及沉积源400之间的一空间内。根据本发明的实施例，该沉积仪器还包含一真空控制部件700， 设置于处理腔室100的一侧；一第一基板闸801，设置于处理腔室100的一外侧壁上；一门 (图未示出)，设置于处理腔室100与传送腔室110之间；以及一第二基板闸802，设置于传送腔室110的一侧壁中。处理腔室100大体上形成由为一圆柱形状或一矩形盒形状所形成，并包含用于处理基板200的一预定反应空间。尽管于本实施例中处理腔室100形成为由圆柱形状或矩形盒形状所形成，然而本发明不仅限于本实施例。例如，处理腔室100可成形为对应于基板 200的一形状。第一基板间801形成于处理腔室100的一外侧壁上，其中基板200经由第一基板闸801进出处理腔室100。基板闸801可形成于处理腔室100的另一外侧壁上。安装于处理腔室100的真空控制部件700包含一闸710，与处理腔室100的一侧相组合；一管子720，连接至闸710 ；以及一真空泵730，连接至管子720。闸710起到遮蔽或打开处理腔室100的内部的作用，且管子720与真空泵730连接至闸710。故，通过打开闸710及利用真空泵730，可对处理腔室100抽真空。基板承放部件300被安装成连接至处理腔室100的上部的内壁，以支撑进入处理腔室100的基板200。基板承放部件300包含用于支撑基板200的一支架301以及连接至支架301的一上部以旋转支架301的一驱动轴302。此处，驱动轴302连接至使其旋转的一动力单元(图未示出)。
屏蔽支架320连接至基板承放部件300的下部且阴影屏蔽330承放于屏蔽支架 320上。阴影屏蔽330用于使来源材料401图案化并置于基板200上。沉积源400被设置成面对基板承放部件300且起如下作用蒸发容纳于沉积源 400的一内部空间的来源材料401及提供所蒸发的来源材料于基板200的一侧上。此处， 本实施例的沉积源400为一点沉积源(spot deposition source)，但不仅限于此。亦即， 沉积源400可为一线型沉积源(line type deposition source) 0沉积源400包含一熔炉 411及用于加热熔炉411的一加热器412。熔炉411形成有一形状，该形状的上部为开口的且其内部空间储存来源材料401。加热器412设置于熔炉411的一侧、一下部或同时设置于该二位置。通过利用加热器412加热熔炉411，可加热及蒸发储存于熔炉411的内部空间的来源材料401，例如一有机材料。加热器412连接至对其供电的一温度调整单元130。此处，熔炉411的内部空间的温度端视自温度调整单元130供应至加热器412的功率而改变。 温度调整单元130连接至一控制单元120。控制单元120根据沉积于基板200上的一层的一实际厚度而调整自温度调整单元130供应至加热器412的功率。一百叶窗(图未示出)可还设置于基板承放部件300与沉积源400之间。该百叶窗起到控制已蒸发的来源材料的一传送路径的作用。此处，该百叶窗可具有各种各样的形状。传感器600设置于处理腔室100的一内侧，以感测自沉积源400蒸发的来源材料的总量。若来源材料401蒸发，则传感器600会感测到此种蒸发且将该来源材料的总量转换为一沉积厚度。亦即，计算传感器600所感测的来源材料的总量作为沉积于传感器600 的一层的一转换厚度。因此，当执行该沉积工序时，根据实时地沉积于传感器600的该层的转换厚度，间接地检测沉积于基板200上的层的厚度。然而，因传感器600所检测的沉积于基板200的层的厚度为自传感器600所感测的来源材料的总量所检测的一间接厚度，该间接厚度可不同于沉积于基板200上的层的实际厚度。传感器600可为任何能够感测自沉积源400蒸发及散发的来源材料的总量的传感器。例如，传感器600可包含一晶体振荡器 (crystal oscillator)。传感器600连接至一监测单元140。监测单元140实时地显示于执行该沉积工序时所获得的沉积于传感器600上的层的厚度，并且控制沉积于传感器600上的层的厚度。提供欲沉积于基板200上的层的一目标厚度及一沉积控制厚度予监测单元140， 该沉积控制厚度用于控制沉积于传感器600上的层的厚度。监测单元140连接至控制单元 120，控制单元120控制供应至沉积源400的功率。于加热沉积源400并因而沉积来源材料401于基板200上的过程中，传感器600将其自身所感测的来源材料的总量转换为沉积于传感器600的该层的沉积厚度，并且，若该沉积厚度达到该沉积控制厚度，则沉积工序停止。亦即，若监测单元140发送一信号至控制单元120，则控制单元120控制温度调整单元 130以停止供电给加热器412，俾停止该沉积工序。传送腔室110连接至执行该沉积工序的处理腔室100的一侧。传送腔室110形成为一圆柱形状或一矩形盒形状。尽管在本实施例中，传送腔室110形成为圆柱形状或矩形盒形状，然而本发明不仅限于本实施例。举例而言，传送腔室Iio可成形为对应于基板200 的形状。第二基板闸802形成于传送腔室110的一侧壁中，基板200经由第二基板闸802 传送出传送腔室110。此外，尽管图未示出，一真空控制单元(图未示出)连接至该传送腔室110。该真空控制单元将传送腔室110内的压力变为真空或大气压。机械手臂150设置于处理腔室100内，以移动沉积有来源材料401的基板200至传送腔室Iio内。此处，机械手臂150可为任何能够将处理腔室100内的基板200移动至传送腔室110的装置。于本实施例中，机械手臂150利用可伸缩的一天线。利用机械手臂 150将设置于处理腔室100内的基板200移动至面对设置于传送腔室110的下部的外壁上的厚度测量部件500。然后，于基板200承放于机械手臂150上的一状态下，厚度测量部件 500测量沉积于基板200上的层的实际厚度。利用机械手臂150，经由安装于传送腔室110 的一侧壁中的第二基板间802将基板200排送至外面。根据本发明的本实施例的沉积仪器包含厚度测量部件500，厚度测量部件500能够测量沉积于基板200上的层的实际厚度。参见图1，厚度测量部件500安装于传送腔室 110的下部的外壁上。厚度测量部件500直接测量沉积于基板200上的层的厚度，并由此计算该沉积层的实际厚度。根据本实施例的厚度测量部件500为利用光测量该沉积层的实际厚度的一椭圆测厚仪。该椭圆测厚仪发射光(例如激光)于一测量目标层上，并分析反射自该测量目标层的一表面的光的偏振的变化，藉此测量该沉积层的厚度。因此，厚度测量部件500包含用于发射光(例如激光)的一光发射组件511及用于检测反射自该沉积层的光的一检测组件512。一第一板521及一第二板522设置于设置有厚度测量部件500的传送腔室110的下部。第一板521透过发自光发射组件511的光，第二板522则透过自该沉积层朝设置有检测组件512的位置反射的光。第一板521及第二板522形成一透光材料。被光所照射的一测量点可处于基板200的一无源区域内，并测量沉积于基板200上的层的厚度。为测量厚度，机械手臂150移动基板200，俾使设置于机械手臂150上的基板200的无源区域的位置对应于厚度测量部件500。因此，通过测量沉积于基板200的无源区域上的一层的一实际厚度，可计算沉积于基板200的一有源区域中的一层的一实际厚度。厚度测量部件500连接至监测单元140。图2为一流程图，用于阐释一种利用图1所述沉积仪器以控制一沉积层的一厚度的程序；以下，将参照图1及图2描述利用根据本发明的实施例的沉积仪器控制沉积层的
厚度的程序。首先，于步骤SlOO中，于监测单元140处确定欲沉积的层的目标厚度及该沉积控制厚度。该沉积控制厚度的一初始值等于该目标厚度。然后，于步骤S200中，经由温度调整单元130供电至加热器412，且通过加热储存有来源材料401的熔炉411，形成沉积层于基板200上。于步骤S300中，于形成该沉积层的同时，传感器600实时地感测已蒸发的来源材料的总量并计算所感测的来源材料总量作为该沉积层的一转换厚度。监测单元140实时地显示该沉积层的该转换厚度。于步骤S400中，连续比较传感器600所计算的该沉积层的转换厚度与在监测单元140中所确定的沉积控制厚度，并且若该转换厚度达到该沉积控制厚度，该沉积工序停止。沉积工序停止后，于步骤S500中，厚度测量部件500测量形成于基板200的该沉积层的实际厚度。此时，于打开设置于处理腔室100与传送腔室110间的一门(图未示出)及利用机械手臂150移动基板200至传送腔室110后，利用厚度测量部件500测量该沉积层的实际厚度，厚度测量部件500设置于传送腔室110的下部的外壁上。接着，于步骤S600中，比较该沉积层的实际厚度与该目标厚度或比较实际厚度的一平均值与该目标厚度。例如，若一第一基板(一沉积层于该第一基板后形成于该第一基板上)进入处理腔室100，则比较形成于该第一基板的沉积层的一实际厚度与该目标厚度。 然后，若一沉积层形成于一第二基板上，则比较形成于该第一及第二基板上的这些沉积层的实际厚度的一平均值与该目标厚度。接着，若这些沉积层继续形成于第三至第十基板上， 则比较形成于该第一至第十基板上的这些沉积层的实际厚度的各平均值与每一沉积工序的目标厚度。于本实施例中，计算形成于10个基板上的这些沉积层的实际厚度的各平均值并比较这些平均值与该目标厚度。举例而言，若一沉积层形成于居于该第十基板之后的一第十一基板上，则比较形成于该第二至第十一基板上的这些沉积层的实际厚度的一平均值与该目标厚度。本发明不仅限于本实施例。因此，可计算形成于不同数量的基板上的这些沉积层的实际厚度的一平均值并将其与该目标厚度相比较。如上所述，于本实施例中，对于每一沉积工序，于步骤S600中比较形成于基板200上的沉积层的实际厚度与该目标厚度或比较这些沉积层的实际厚度的一平均值与该目标厚度后，于步骤S700中修正沉积控制厚度。 然后，于步骤S800中，通过已修正的沉积控制厚度调整形成于下一沉积工序的一沉积层的一厚度。因此，可通过测量每一沉积工序中形成于基板200上的沉积层的一实际厚度、比较该所测量实际厚度与该沉积控制厚度且修正该沉积控制厚度，形成具有一可靠厚度的一沉积层于基板200上。于本实施例中，尽管通过利用于传感器600处计算的沉积层的转换厚度以调整形成于基板200上的沉积层的厚度，然而本发明不仅限于本实施例，且无需利用该沉积层的转换厚度即可控制形成于基板200上的沉积层的厚度。亦即，于监测单元140处确定该目标厚度。然后，通过供电给加热器412且加热熔炉411，形成沉积层于基板200上。于该沉积工序结束后，利用厚度测量部件500测量形成于基板200上的沉积层的实际厚度，并比较该所测量实际厚度与该目标厚度。若该实际厚度不等于该目标厚度，则改变处理条件，例如沉积速度及供应至加热器412的功率。然后，于下一工序中，于这些已改变的处理条件下形成沉积层。图3为根据图1所述实施例的一变型，一沉积仪器的一主要部件的示意图；以下，将参照图3描述根据该变型的沉积仪器。参见图3，根据该变型的该沉积仪器为一直列式沉积仪器(in-line deposition apparatus)，并因而形成有一如下形状其中沿一方向排列有多个处理腔室IOOaUOOb及 IOOc及多个传送腔室IlOaUlOb及110c。例如，于本实施例中，可准备于图1中所描述的处理腔室100及传送腔室110作为沿一方向相互连接的多个腔室。因此，利用根据该变型的沉积仪器，这些沉积层可连续形成于单一基板200上。于该变型中，该直列式沉积仪器被制成为包含三处理腔室100a、IOOb及IOOc及三传送腔室110a、IlOb及110c，但是本发明不仅限于此。亦即，该直列式沉积仪器可包含不同数量的处理腔室及传送腔室。参见图3，处理腔室IOOaUOOb及IOOc分别包含沉积源400a、400b及400c。沉积源400a、400b及400c可储存互不相同的来源材料。此外，各该传送腔室IlOaUlOb及IlOc 设置于二相邻处理腔室(例如处理腔室100a、IOOb及100c)之间。厚度测量部件500a、 500b及500c分别设置于传送腔室IlOaUlOb及IlOc的下部的外壁上。根据该变型的沉积仪器还包含一导向构件310，被设置成面对沉积源400a、400b及400c及厚度测量部件 500a、500b及500c ；—基板承放部件300，连接至导向构件310 ；—屏蔽支架320，连接至基板承放部件300的一下部；一阴影屏蔽330，安装于屏蔽支架320内；以及一辅助屏蔽340， 连接至屏蔽支架320且被设置成对应于阴影屏蔽330的开口区域之间基板200的一无源区域200b。一门(图未示出)安装于各该处理腔室IOOaUOOb及IOOc与传送腔室110a、 IlOb及IlOc其中之一对应者之间的一空间中。当门打开时，将基板承放部件300移动至面对传送腔室IlOaUlOb及IlOc其中之一对应者或处理腔室100a、IOOb及IOOc其中之一对应者。导向构件310起到使承放基板200的基板承放部件300移动至面对各该处理腔室 100a、IOOb及IOOc及各该传送腔室110a、IlOb及110c。此处，导向构件310形成有对应于沉积源400a、400b及400c及厚度测量部件500a、500b及500c的一排列方向的一形状。因此，连接至导向构件310的基板承放部件300可沿导向构件310移动至面对各该处理腔室 100a、IOOb及IOOc及各该传送腔室110a、IlOb及110c。图4为图3所述沉积仪器的一区域A的平面图。图5为沿图4所述的线B-B’截取的剖视图。图6为根据本发明的变型，辅助屏蔽340的概念图。如图4及图5所述，辅助屏蔽340被设置成对应于阴影屏蔽330的开口区域之间的基板200的无源区域200b。辅助屏蔽340包含一屏蔽图案341。屏蔽图案341可包含不同数量的图案。参见图5，辅助屏蔽340的屏蔽图案341暴露出阴影屏蔽330的开口区域的某一区域。因此，于基板200的无源区域200b中，来源材料沉积于由辅助屏蔽340的屏蔽图案341所暴露的一区域。如图4所示，可改变辅助屏蔽340的屏蔽图案341的位置。因此，于基板200的无源区域200b中，改变由屏蔽图案341所暴露的区域的位置。参见图6， 齿轮构件342沿一较长的方向连接至辅助屏蔽340的二端，且一驱动马达343连接至齿轮构件342。齿轮构件342如图3及第4图所示连接至屏蔽支架320。驱动马达343可包含能精确地控制辅助屏蔽340的移动的一冲压马达及一微动马达其中之一。多个孔(图未示出)设置于辅助屏蔽340的一下部，其中这些孔与齿轮构件342的一精密齿轮相结合以移动辅助屏蔽340。于本实施例中，利用齿轮构件342及驱动马达343移动辅助屏蔽340，但本发明不仅限于此。亦即，可利用任何能够改变辅助屏蔽340的屏蔽图案341的位置的装置。当连续沉积分别储存于沉积源400a、400b及400c中的来源材料401、402及403 于单一基板200上时，于利用第一沉积源400a沉积来源材料401后，移动辅助屏蔽340的屏蔽图案341。然后，利用第二沉积源400b沉积来源材料402。如此一来，将利用第一沉积源400a形成的一第一沉积层与利用第二沉积源400b形成的一第二沉积层相互分离地设置于基板200的无源区域200b中。图7为利用图3所述的沉积仪器制成的一有机发光装置的图式。下文，将参照图3及图7描述根据该变型的沉积仪器的一操作。首先，于监测单元140a、140b及140c处确定目标厚度及沉积控制厚度。然后，经由第一基板间801移动基板200至第一腔室IOOa内，且承放基板200于基板承放部件300 的支架301上。此时，第一沉积源400a、第二沉积源400b及第三沉积源400c储存不同的粉末类型的有机材料作为来源材料。阴影屏蔽330安装于连接至基板承放部件300的下部的屏蔽支架320中，且辅助屏蔽340设置于与阴影屏蔽330的开口区域之间基板200的无源区域200b相对应的位置。基板承放部件300的驱动轴302沿导向构件310移动，因而，连接至驱动轴302的支架301位于第一沉积源400a的正上方。然后，通过加热及蒸发储存于一第一熔炉411a中的第一有机材料401，形成沉积层于基板200上。于形成该沉积层的过程中，一第一传感器600a实时地感测所蒸发的第一有机材料401的一总量及计算一第一有机材料层401a的一厚度，其中第一传感器600a设置于第一腔室IOOa的一侧的一内壁上。 若通过第一传感器600a所获得的第一有机材料层401a的计算厚度达到该沉积控制厚度， 则该沉积工序停止。通过这些工序，如图7所示，第一有机材料层401a形成于基板200的一有源区域200a及无源区域200b中。然后，移动形成有第一有机材料层401a的基板200 以面对第一传送腔室110a，且利用第一厚度测量部件500a测量沉积于基板200的无源区域 200b中的第一有机材料层401a的一实际厚度，其中第一厚度测量部件500a安装于第一传送腔室IlOa的下部的外壁上。接着，比较第一有机材料层401a的实际厚度与该目标厚度或比较第一有机材料层401a的实际厚度的一平均值与该目标厚度。亦即，若为进入处理腔室IOOa且形成有第一有机材料层401a的第一基板，则比较形成于该第一基板的第一有机材料层401a的实际厚度与该目标厚度。此外，若为连续进入处理腔室IOOa的多个基板中的一第M基板(M为一整数)，其中第一有机材料层401a形成于该第M基板上，则比较形成于该多个基板上的第一有机材料层401a的实际厚度的平均值及形成于第M基板上的第一有机材料层401a的实际厚度的平均值与该目标厚度。然后，于修正在监测单元140中确定的该沉积控制厚度后，通过该已修正的沉积控制厚度调整欲形成于下一沉积工序的第一有机材料层401a的一厚度。接着，于移动形成有第一有机材料层401a的基板200进入第二处理腔室IOOb及第二传送腔室110b、接着再进入第三处理腔室IOOc及第三传送腔室IlOc后，重复在第一处理腔室IOOa及第一传送腔室IlOa中所执行的工序。但是，于沉积第二有机材料402及第三有机材料403前，通过旋转连接至辅助屏蔽340的齿轮构件342，以改变辅助屏蔽340的屏蔽图案341的位置。亦即，如图7所示，改变辅助屏蔽340的位置，俾使该第一有机材料层401a、一第二有机材料层402a及一第三有机材料层403a相互分离地形成于基板200的无源区域200b中。然后，将形成有第一有机材料层401a、第二有机材料层402a及第三有机材料层403a的基板200经由第二基板间802载送出。根据该变型的沉积源400a、400b及400c利用一点沉积源，但是本发明不仅限于此，亦即，沉积源400a、400b及400c亦可利用一直线型沉积源。厚度测量部件500通过改变该有机材料层的测量点的位置，多次测量该有机材料层的厚度。藉此，相互比较在测量点的不同位置所测量的有机材料层的厚度。因此，无论构成该直线型沉积源的每一开口是否闭合以及无论沉积速率如何，皆可验证形成于基板200上的沉积层的均勻性。于本实施例中，尽管使用有机材料作为来源材料，然而本发明不仅限于此。可使用例如无机材料及金属等各种各样的材料作为来源材料。如上所述，根据本发明的实施例，利用采用厚度测量部件的沉积仪器，可直接测量及监测形成于沉积有一薄膜的基板上的沉积层的一实际厚度。因此，通过实时地监测形成于该基板上的沉积层的实际厚度及修正用于控制该沉积层的实际厚度的沉积控制厚度，可准确地控制该沉积层的厚度。因此，可提高制作于该基板上的器件的可靠性及良率。尽管上文参照具体实施例描述该沉积仪器，但并不仅限于此。因此，熟悉本技术的人员将容易理解，于不背离随附申请专利范围所界定的本发明的精神及范围的条件下，可
11对其作出各种各样的修改及改动。
权利要求
1.一种沉积仪器，其特征在于，包含一处理腔室，该处理腔室中具有一反应空间；一传送腔室，连接至该处理腔室；一基板承放部件，位于该处理腔室中，以于该基板承放部件上承放一基板；一沉积源，面对该基板承放部件并储存一来源材料；以及一厚度测量部件，安装于该传送腔室中，以直接测量形成于该基板上的一沉积层的一实际厚度。
2.根据权利要求1所述的沉积仪器，其特征在于，该厚度测量部件利用一椭圆测厚仪。
3.根据权利要求2所述的沉积仪器，其特征在于，一透光板安装于该传送腔室的设置有该椭圆测厚仪的一侧。
4.根据权利要求1所述的沉积仪器，其特征在于，更包含一传感器，该传感器安装于该处理腔室内的一侧，以感测自该沉积源蒸发的该来源材料的一总量并计算该沉积层的一转换厚度。
5.根据权利要求1所述的沉积仪器，其特征在于，多数处理腔室及多数传送腔室被准备并沿一方向相互连接，各该处理腔室包含安装于其中之一沉积源，且各该传送腔室包含安装于其中的一厚度测量部件。
6.根据权利要求4所述的沉积仪器，其特征在于，更包含一监测单元，该监测单元连接至该传感器，以调整形成于该基板的该沉积层的一厚度。
7.根据权利要求6所述的沉积仪器，其特征在于，该监测单元连接至该厚度测量部件及一控制单元，该控制单元连接至该沉积源，以控制供应至该沉积源的功率及一沉积处理时间。
8.根据权利要求1所述的沉积仪器，其特征在于，还包含一屏蔽支架，该屏蔽支架连接至该基板承放部件的一下部，其中一阴影屏蔽安装于该屏蔽支架中。
9.根据权利要求8所述的沉积仪器，其特征在于，还包含一辅助屏蔽，该辅助屏蔽包含至少一屏蔽图案，并且该辅助屏蔽面对位于该阴影屏蔽的开口区域之间的该基板的一被动区域。
10.根据权利要求9所述的沉积仪器，其特征在于，多个驱动单元设置于该辅助屏蔽的二端，以通过移动该辅助屏蔽而改变该屏蔽图案的位置，这些驱动单元连接至该屏蔽支架。
11.一种沉积方法，其特征在于，包含准备一基板于一腔室中；通过沉积一来源材料而形成一第一沉积层于该基板上；移动该基板至一传送腔室中并直接测量该第一沉积层的一实际厚度；比较该第一沉积层的该实际厚度与一目标厚度；以及根据该比较结果，调整多个处理条件。
12.根据权利要求11所述的沉积方法，其特征在于，于调整这些处理条件后，于这些已调整的处理条件下形成一第二沉积层。
13.根据权利要求11所述的沉积方法，其特征在于，于形成该第一沉积层前，还包含建立该目标厚度及一沉积控制厚度。
14.根据权利要求11所述的沉积方法，其特征在于，通过于形成该第一沉积层期间于一传感器处感测该来源材料的一总量，以计算该第一沉积层的一转换厚度。
15.根据权利要求14所述的沉积方法，其特征在于，当该第一沉积层的该转换厚度达到一沉积控制厚度时，停止该沉积工序。
16.根据权利要求16中任一项所述的沉积方法，其特征在于，当根据该比较结果调整这些处理条件时，改变该沉积控制厚度。
17.根据权利要求11所述的沉积方法，其特征在于，该基板包含一有源区域与一无源区域，且测量形成于该无源区域中的该第一沉积层的该实际厚度。
18.根据权利要求12所述的沉积方法，其特征在于，将于这些已调整的处理条件下形成的该第二沉积层的该实际厚度与该第一沉积层的该实际厚度的一平均值与该目标厚度相比较。
19.根据权利要求11所述的沉积方法，其特征在于，于通过将该第一沉积层的该实际厚度与该目标厚度相比较而调整这些处理条件后，还包含连续地沉积不同的来源材料于该基板上。
20.根据权利要求19所述的沉积方法，其特征在于，通过将承放该基板的一基板承放部件移动至沿一方向相互连接的多个处理腔室至少其中之一中，而连续地沉积这些不同的来源材料于该基板上。
21.根据权利要求20所述的沉积方法，其特征在于，于沉积这些不同的来源材料前，还包含改变一辅助屏蔽的一屏蔽图案的位置，以改变该屏蔽图案所暴露的该基板的一无源区域的位置。
全文摘要
一传送腔室，连接至处理腔室；一基板承放部件，位于该处理腔室中，以承放一基板；一沉积源，面对该基板承放部件并储存一来源材料；以及一厚度测量部件，安装于该传送腔室中，以直接测量形成于该基板上的一沉积层的一实际厚度。利用采用该厚度测量部件的该沉积仪器可直接测量及监测该沉积层的实际厚度。因此，通过实时地监测该沉积层的实际厚度并修正用于控制该沉积层的实际厚度的沉积控制厚度，可准确地控制该沉积层的一厚度，进而可提高制作于该基板的一器件的可靠性及良率。
文档编号H01L21/203GK102217038SQ200980135093
公开日2011年10月12日 申请日期2009年9月1日 优先权日2008年9月5日
发明者南宫晟泰, 姜敞晧, 孙成官, 权铉九 申请人:韩商Snu精密股份有限公司