专利名称：具有圆形地对称于溅射靶材的rf及dc馈给的物理气相沉积反应器的制作方法
具有圆形地对称于溅射靶材的RF及DC馈给的物理气相沉
积反应器
背景技术：
等离子体增强物理气相沉积工艺(PEPVD)被用来在半导体晶片上沉积金属膜，例如铜膜，以形成电互连。在载气(例如，氩气)存在的情况下，施加高直流(D.C.)功率至位于晶片上方的铜靶材。PEPVD工艺通常依赖于极窄的离子速度角分布，以将金属沉积在高深宽比开孔的侧壁和底部上。其中一问题在于如何相对于沉积在开孔底部上的材料量将足够量的材料沉积在开孔侧壁上。另一问题是避免因为靠近开孔顶部边缘处的沉积作用较快而造成夹合情形(pinch-off)。当特征结构尺寸逐渐缩小，典型开孔的深宽比(深度/宽度)逐渐提高，目前微电子特征结构的尺寸已缩减至约22纳米(nm)。当缩小幅度越大时， 在各个开孔底部或底面上形成指定沉积厚度的情况下，要在开孔侧壁上达到最小沉积厚度这件事将更加困难。已通过使离子速度角分布更窄、增加从晶片到溅射靶材的距离(例如， 至300mm或更多)以及降低腔室压力(例如，低于ImT)的方式来解决开孔深宽比提高带来的问题。此做法会在靠近晶片边缘处的薄膜特征结构中观察到一个问题，就是当特征结构尺寸极小时，每个高深宽比开孔的一部份侧壁会被靶材的主要部份所遮蔽，因为较小的特征结构尺寸需要配合较大的“晶片至靶材”间距。此种遮蔽效应(大部份发生在靠近晶片边缘处)使在侧壁的被遮蔽部份上达到最小沉积厚度这件事虽非不可能达到，但却相当困难。随着尺寸更进一步缩小，可能需要进一步降低腔室压力(例如低于ImT)及增加晶片至溅射靶材的间距，却将使上述问题更加恶化。另一相关问题是必需以高直流功率(例如，千瓦的功率水平)来驱动溅射靶材 (例如，铜)，以确保适当的离子流跨越很大的“晶片至靶材”间距而流向晶片。这种高水平的直流功率会快速消耗靶材而提高成本，并且产生极高的沉积速度，使得整个处理过程在少于五秒的时间内完成。如此快的处理过程难以控制，也只能做极少调整或无法调整。此外，该短处理持续时间约为射频(RF)源功率阻抗匹配器用来稳定后续等离子体点火所需的时间的40%，使得该处理过程的约40%是在该阻抗匹配与所输送功率达到稳定之前执行的。
发明内容
本发明提供一种等离子体反应器的溅射靶材的射频馈给系统。该系统包括一导电外壳，该外壳位于顶壁上方且具有一顶盖，该顶盖面对着该顶壁。一旋转磁体组件被容纳在该外壳内，且包含一旋转轴、一径向手臂组件及一磁体，该径向手臂组件在其内端处耦合至该旋转轴，并且该磁体耦合至该径向手臂组件的外端。该外壳的顶盖具有一中央开口，该旋转轴轴向地延伸通过该中央开口。一导电中空圆筒位于该顶盖上且围绕着该旋转轴延伸在该顶盖上方的部份。一径向射频连接杆从该中空圆筒径向地延伸出。该射频连接杆连接至一射频功率源的一阻抗匹配器。一径向直流连接杆从该中空圆筒径向地延伸出。一直流功率源连接至该直流连接杆。该射频连接杆与该直流连接杆从该中空圆筒的多个位置延伸出，且这些位置彼此之间有一定的角度偏移，在一实施例中这些位置彼此偏移约180度。这些连接杆、该中空圆筒、该顶盖、该外壳以及该顶壁是导电的，并且提供至溅射靶材的电路径。
为了能详细了解并且获得本发明的示范实施例，参照绘示于附图中的数个本发明实施例对本发明做更具体描述，且概要整体如上。应了解，某本文中未对某些已知工艺进行讨论，以避免混淆本发明。图1是根据一实施例的等离子体反应器的简化正视图。图2是对应于图1的平面图。图3是图1的反应器中的上部外壳的实施例的详细放大图。图4是图1的反应器中的上部外壳的另一实施例的详细放大图。图5是显示射频和直流电流流至图1的反应器中的溅射靶材的简化视图。图6是对应于图5的平面图，其绘示流至该靶材的直流电流。图7是对应于图5的平面图，其绘示流至该靶材的射频电流。图8显示在源功率产生器处的电压波动测试数据的比较图。图9是对应于沉积膜厚度分布情形的测试数据比较图。为了便于了解，尽可能使用相同的组件符号来代表各图中共有的相同组件。无需进一步说明便能理解到一实施例中的特征结构和组件可有利地并入其它实施例中。然而， 需说明的是，附图中所显示的仅为本发明的代表性实施例，不应用来限制本发明范围，本发明可能允许其它等效实施例。
具体实施例方式发明人近来已解决上述与晶片上薄膜特征结构的遮蔽效应有关的问题。解决的技术方案包括提供一极窄的晶片至靶材间距(例如，约晶片直径的六分之一)、使用非常高的腔室压力(例如约IOOmT,或可使离子碰撞平均自由程约为该间距的1/20的压力)，以及通过施加VHF源功率至靶材并且提供一通过晶片的低阻抗VHF接地返回路径来提高晶片表面处的等离子体密度。此技术方案详载于Daniel Hoffman等人于2008年3月14日提交且发明名称为「PHYSICAL VAPOR DEPOSITION METHOD WITH A SOURCE OF ISOTROPIC ION VELOCITY DISTRIBUTION AT THE WAFER SURFACE」的同在申请中的美国专利申请序号 12/077067申请中，该申请受让于本发明的受让人，且其揭示内容以引用方式纳入本文中以供参考。实施此技术方案时，发明人发现，缩减晶片至靶材的间距容易使处理过程中输送至靶材的射频功率分布变得不对称。具体而言，由于中央轴被磁控管旋转设备占据，所以射频功率必需于偏离轴的连接处(off-axis connect)施加至位于溅射靶材上方的一顶部结构(例如，顶壁)。每当磁控管组件的旋转磁体通过该偏轴射频功率连结点的下方时，会短暂地提升耦合至等离子体的射频，同时改变等离子体条件(例如，呈现给VHF功率的等离子体负载阻抗)。连接在靶材上方另一偏轴位置处的直流功率可能受到这些改变的影响。此类波动现象伴随着该磁体每次通过偏轴射频功率连接处而发生。虽然此类波动在具有大的晶片至靶材间距(例如，300mm)的常规反应器中不会造成问题，然而发明人寻求以极小的晶片至靶材间距(如上所述约5cm)来进行操作，而在此种间距下，这些波动则与晶片密切相关。上述问题的一现象是晶片表面上呈现不均勻沉积的方位角图案，这反应出靶材上方的射频功率和直流功率连结的偏轴位置。在一实例中，在该方位角方向中的最小与最大沉积膜厚度之间的偏差量为26%。另一个现象是等离子体不稳定性或等离子体阻抗的波动，在较高腔室压力下VHF阻抗匹配器无法跟上等离子体阻抗波动，从而导致失去了工艺控制，并且在某些情况下，造成VHF产生器会自动停机。另一现象是在晶片支撑基座下方的等离子体穿透作用以及损害这些未受保护的构件，而造成污染。阻抗波动会使可用的腔室压力范围降至低于所期望的压力。一相关问题是，若直流(DC)功率水平降低，根据上述本发明的一方面，因磁体在靶材上方与射频连结点下方的通过动作所造成的等离子体条件波动(例如，电压突降)导致在直流电源中发生自动抗电弧特性(automatic anti-arcing features)，而造成直流电源停工。使用VHF产生器也可能发生类似效应，使得直流功率或射频功率任一者或两者可能随着磁体的每次旋转而震荡。这些问题导致难以在高腔室压力 (例如，约IOOmT)下采用发明人的方法执行一可实施工艺。通过在整个靶材上提供VHF功率及DC功率两者的圆形对称分布，可解决因晶片至靶材间距很小所带来的问题。一非磁性金属外壳罩住供磁体在腔室顶壁上方旋绕的空间。 磁体旋转驱动轴延伸通过位于该导电外壳的顶壁中的中央开口。一导电中空圆筒环绕着该轴并且从该导电外壳的顶壁向上延伸，该导电外壳顶壁与该磁体旋转驱动轴共轴心。该VHF 阻抗匹配器的输出端耦合至该中空圆筒的侧壁。该直流电源亦耦合至该中空圆筒的侧壁。 该直流与射频连接点则绕着该导电中空圆筒而互相偏移约180度。来自VHF阻抗匹配器以及来自直流电源的电流绕着该中空圆筒对称地循环，并且到达该金属外壳的顶壁时呈圆形对称分布，并且这些电流于该处以圆形对称的方式耦合至该腔室顶壁和溅射靶材。这些电流分布实质上不受该金属外壳内的磁体旋转动作与位置的影响。这是因为，圆形对称的射频和直流电流分布不会随着磁体旋转而波动。因而可避免发生上述的等离子体波动情形。 当无此类波动时，可克服对于腔室压力的诸多限制，且允许使用期望的高腔室压力(例如， IOOmT)而不会造成震荡或其它不稳定性。此外，尽管大幅减少晶片至靶材的间距(例如，对于300mm的晶片而言使用55mm的间距)，沉积厚度并没有因溅射靶材上方的射频或直流功率连接点的偏轴位置而产生不均勻的方位角图案。相较于使用常规不对称射频馈给所获得的27%的偏差，在一可实施的范例中，在方位角方向上的最大膜厚度和最小膜厚度之间的偏差量仅有0. %。此外，由于已消除因磁体旋转所造成的等离子体波动，因此可避免等离子体穿透至晶片下方的腔室区域中。围绕着该磁体旋转空间的导电中空圆筒及导电外壳皆是施加至靶材的VHF源功率的导体。使用一外导电遮蔽罩环绕着该导电外壳，以提供射频遮蔽作用。该遮蔽罩接地， 并且藉由一绝缘空间与该外壳隔开来，该绝缘空间可能含空气，或是填充绝缘材料，例如塑料。若该绝缘空间主要填充空气，则可通过沿该空间以一定周期间隔来放置多个小塑料间隔件来保持该隔开距离。可通过在该绝缘空间中提供具有低介电常数的材料(例如，空气) 来减小因寄生电容所造成的功率损失。还可在该遮蔽罩和该外壳之间提供大的隔开距离来进一步减少寄生电容。在一实施例中，该遮蔽罩所展现出的寄生电容约为14皮法拉第，并且表现出在60MHz约为0. 2 Ω的阻抗。
为了避免发生电弧或是绝缘材料击穿，该隔开距离要够大，使得该顶壁上的电压在整个绝缘空间中形成的电场不会超过该绝缘材料的电击穿临界值。若该外壳至该遮蔽罩的隔开空间内填充以空气，则该隔开距离要够大而足以将电场限制在30000伏特/厘米 (空气的电击穿临界值)。在一实例中，来自射频功率源约500伏特的VHF功率、来自直流功率源约500伏特的直流功率以及来自施加于晶片且通过顶壁返回的偏压电压的约100伏特射频功率可能在该顶壁上造成约1100伏特的电压。在此实例中，该隔开距离可能需要至少约0. 3mm。图1和2显示用以在一工件(例如，半导体晶片)上执行等离子体增强物理气相沉积的等离子体反应器。一圆筒状侧壁102、一顶壁104及底壁106圈围出一真空腔室100。 位于腔室100内的工件支撑基座108由位于腔室100内的举升组件110所支撑，并且该工件支撑基座108具有一工件支撑表面108a面对着该顶壁104。一工件(例如，半导体晶片 112)可固持在该支撑表面108a上。溅射靶材114置于该顶壁104的内表面上并且具有一主表面11 面对着该基座108的支撑表面108a。处理区域116定义在该支撑表面108a与该靶材主表面Ha之间。一环状陶瓷间隔件118围绕着该溅射靶材114的侧边缘114b。环形限定裙部120围绕着该处理区域116并且从该陶瓷间隔件轴向延伸至该支撑基座108的顶部周长边缘108b。气体注入喷嘴122在多个间隔开来的位置处延伸贯穿该侧壁102，且耦合至一中空气体分配环124。处理气体源1 透过一质量流量控制器或阀1 提供一处理气体至该气体分配环124。一真空泵130经由穿通该底壁106的一通道132而耦合至该腔室100。一真空控制阀133控制该腔室压力。该晶片支撑基座108可包含一内部电极134。若该基座108实施为一静电吸盘， 则一可控直流电压源135可连接至该基座的内部电极134。为了控制晶片122表面处的离子能量，一低频射频偏压功率产生器136可透过一射频阻抗匹配器137连接至该电极134。 此外，一中频或高频射频偏压功率产生器138可透过一阻抗匹配器139连接至该电极134。一包围件(enclosure) 140位于该顶壁104上方，且包含一磁控管组件142。该磁控管组件142含有一磁体144以及一轴148，该磁体144支撑在一径向手臂146上，以及该轴支撑着该手臂146。该径向手臂146具有分开的关节手臂区段146a和146b。一旋转致动器150旋转该轴148，而造成该磁体144在该顶壁104上方执行一轨道式旋转运动。该包围件140包含一包围件侧壁152及一包围件盖154。该盖具有一中央圆形开口 156，该轴 148穿过该中央圆形开口 156而延伸在该径向手臂146与位于该包围件140外部的旋转致动器150之间。当通过将射频源功率耦合至位于该腔室顶壁104上的一偏轴点(off-axis point)或位于该外壳盖巧4上的一偏轴点(其为两种可能的范例)而施加该射频源功率至靶材114时，会带来等离子体波动的问题。射频功率分布必然会集中在该施加点，导致不均勻的方位角射频功率分布。当磁体144通过对齐该射频功率施加点的旋转点时，耦合至该等离子体的功率会有短暂的高峰波动，而导致如说明书前述内容中讨论的工艺波动情形。为了避免此种射频功率的不对称分布，在该外壳140的顶部上提供一种与对称轴同心的对称导体，以用于施加射频功率和直流功率至靶材114。明确而言，一导电中空圆筒 158环绕着该轴148而从该圆形开口 156的边缘朝向远离该包围件140的方向延伸。一射频连接杆160从该中空圆筒158径向地向外延伸。一射频阻抗匹配器162耦合至该射频连接杆160的外端。一射频功率产生器164耦合至该射频阻抗匹配器162。一直流连接杆166 从该中空圆筒158朝着与该射频连接杆160相反的方向径向向外延伸。一直流功率源168 耦合至该直流连接杆166的外端。该直流连接杆166可能连接至该直流电源168的一射频阻隔滤波器169。该中空圆筒158、这些连接杆160和166、该包围件140以及该顶壁104是由非磁性导电材料制成，例如铝。这些连接杆160和166以及该圆筒158可由铜制成，以提供高导电性的电流路径。来自产生器164的射频电流以圆形方式绕着该中空圆筒158流动，以沿着该包围件140的周长均勻分布且均勻施加至靶材114。来自直流功率源168的直流电流以圆形方式绕着该中空圆筒158流动，以沿着该包围件140的周长均勻分布且均勻施加至靶材114。靶材114通常为金属，其将沉积在该工件112上。图3是铝包围件140的放大图。一接地射频遮蔽罩170环绕着该包围件140且其形状与该包围件140共形。该接地遮蔽罩170包含一圆筒状侧壁172及一环形顶部174，该环形顶部174具有一圆形通道176，且该圆筒158延伸通过该圆形通道。该接地遮蔽罩更包含一圆筒套178，其与该中空圆筒158共轴。该接地遮蔽罩170可由非磁性金属材料构成， 例如铝或铜。藉由一绝缘空间180将该遮蔽罩170与该包围件140隔开。在一实施例中， 以一具有低介电常数的介电材料来填充该空间180。适当材料的一范例是塑料材料，例如 G-IO塑料。图4显示一实施例，该实施例中，在该空间180中主要填充空气，并且以数个小间隔件182来保持该空间180。间隔件182可由介电材料形成，例如G-IO塑料。通过减小该空间180的介电常数，可减少寄生电容。举例而言，这些间隔件182可能占据该空间180 极小的体积百分比，并且以具有最小介电常数的物质(例如，空气)来填充剩余的空间180。 可通过提高跨该空间180的间隙距离D来进一步减少寄生电容。在一实施例中，这些连接杆160和166可通过位于该接地遮蔽罩170的圆筒套178中个别的开口 184。多个环形绝缘环186插入这些开口 184中，以在连接杆160、166与个别开口 184的边缘间提供绝缘。该空间180的间隙距离D足够大，使得跨越该间隙的电场不超过该空间180中的介电材料(例如，空气或塑料)的击穿临界值。举例而言，在跨越该绝缘空间180的间隙距离D中可能有1100至1200伏特的电压差。此现象可能发生在当该射频产生器164在该外壳140上施加约500伏特的平均射频电压，该直流功率源168在该外壳140上施加约500 伏特的直流电压，以及透过该外壳140返回的射频偏压功率则可能施加额外的500伏特时。 在此情况下，若以空气(击穿临界值为33000伏特/厘米)填充该空间180，则所需的间隙距离D的最小值将约为0. 3mm。图5的简化图显示来自该射频和直流导体连接杆160和166的射频电流与直流电流轴向流动，并且向下流至该圆筒158，通过该顶壁104而至该靶材114。图6是对应于图5 的平面图，其显示绕着该中空圆筒158的直流电流环形流动，以及在该外壳盖巧4上的径向直流电流。图7是对应于图5的另一平面图，其显示绕着该中空圆筒158的射频电流环形流动，以及在该外壳盖上的径向射频电流。绕着该中空圆筒158的环形电流有助于将该电流分布转换成圆形对称且均勻的分布。这可实质消除因磁体144旋转所造成的等离子体波动，并且此结果可由图8的测试数据比较图获得证实。图8的曲线图的纵轴表示在VHF靶材源功率产生器(例如，图1实施例中的产生器164)的输出点所测得的射频电压，同时水平轴代表时间。该虚线代表在射频功率施加至该外壳140的盖IM上的偏轴连接点时，于反应器中测得的数据。该虚线的最小和最大射频电压之间的偏差值超过沈％。该实线代表在图1的同轴射频馈给反应器中测得的数据，该实线的最小和最大射频电压之间的偏差值大幅减小至0. 7%。此结果反映出高稳定或平静运作情形可获得下列改善(1)该射频产生器与阻抗匹配器可在更广的腔室压力范围中(例如范围可至高于IOOmT的期望高压)保持稳定运作；( 不会周期性地激发等离子体而穿透至晶片支撑基座下方；C3)避免或降低电弧或击穿情形；(4)降低源功率电压的波动能提高效率；( 能降低直流功率水平，又不会使直流功率电弧保护电路做出错误警报；(6)可降低晶片至靶材间距(例如，降到约5cm)， 而不会使晶片上的沉积厚度分布产生方位角不均勻性。消除晶片上的方位角不均勻性这一最终结果，可从图9的比较测试数据来获得证实。图9的纵轴对应于薄层电阻，薄层电阻是沉积厚度的一种指标，同时水平轴代表在晶片上沿着一选定径向线的径向位置。图9的虚线代表使用如说明书先前所述的常规偏轴射频馈给方式提供射频功率至靶材所测得的数据。该虚线展现的方位角不均勻性表示该最小值与最大值的偏差量为25%。图9的实线代表使用图1反应器的同轴射频馈给方式所测得的数据，其中该最小与最大值之间的方位角偏差量已减小至5%。图9中清楚显示该虚线的不对称性，该虚线曲线显示出从左到右明显向上偏斜。该实线曲线则清楚呈现对称，代表使用图1的反应器能够达成方位角对称性。虽然以上内容揭示本发明的多个实施例，但在不偏离本发明基本范围的情况下， 当可做出本发明的其它或进一步实施例。本发明范围由后附权利要求书所界定。
权利要求
1.一种等离子体反应器，包括反应腔室，其包含顶壁、溅射靶材及晶片支撑基座，该溅射靶材邻近该顶壁，该晶片支撑基座位于该腔室中且面对该溅射靶材；导电外壳，位于该顶壁上方且具有顶盖，该顶盖面对该顶壁；旋转磁体组件，其被容纳在该外壳中并且包含旋转轴、径向手臂组件及磁体，该径向手臂组件在其内端处耦合至该旋转轴，且该磁体耦合至该径向手臂组件的外端，该外壳的顶盖包含中央开口，该旋转轴轴向地延伸通过该中央开口 ；导电中空圆筒，位于该顶盖上并且围绕着该旋转轴延伸在该顶盖上方的一部份； 径向射频连接杆，从该中空圆筒径向地延伸出；以及射频功率源，其包含射频产生器及射频阻抗匹配器，该阻抗匹配器连接至该射频连接杆的外端。
2.如权利要求1所述的反应器，更包括 径向直流连接杆，其从该中空圆筒径向地延伸出；直流功率源，其包含直流电源及射频阻隔滤波器，该射频阻隔滤波器连接至该直流连接杆的外端。
3.如权利要求2所述的反应器，其中该射频连接杆及该直流连接杆从该中空圆筒上的多个位置伸出，该些位置彼此之间呈角度偏移。
4.如权利要求3所述的反应器，其中这些位置偏移约180°。
5.如权利要求2所述的反应器，其中这些连接杆、该中空圆筒、该顶盖、该外壳及该顶壁是导电的，并且提供至该溅射靶材的电路径。
6.如权利要求1所述的反应器，更包括 电极，位于该晶片支撑基座中；射频偏压功率源，耦合至该晶片支撑基座。
7.如权利要求6所述的反应器，其中该射频偏压功率源包括 高频射频功率产生器及高频阻抗匹配器，连接至该电极；低频射频功率产生器及低频阻抗匹配器，连接至该电极。
8.如权利要求1所述的反应器，更包括射频遮蔽罩，该射频遮蔽罩包括 导电侧壁，其围绕着该外壳并且与该外壳隔开从而在两者之间形成第一间隙；导电遮蔽盖，位于该外壳的顶盖上方，并且与该外壳的顶盖隔开从而在两者之间形成第二间隙；以及导电套，其围绕该中空圆筒并且与该中空圆筒隔开从而在两者之间形成第三间隙，该第一、第二与第三间隙形成连续空间。
9.如权利要求8所述的反应器，其中用介电物质来填充该连续空间。
10.如权利要求9所述的反应器，其中该介电物质包括空气，该反应器更包括位于该空间中的多个低介电常数绝缘柱，用以维持这些间隙。
11.一种等离子体反应器中的射频馈给系统，该等离子体反应器具有顶壁以及邻近该顶壁的溅射靶材，该射频馈给系统包括导电外壳，位于该顶壁上方且具有顶盖，该顶盖面对该顶壁；旋转磁体组件，其被容纳在该外壳中且包含旋转轴、径向手臂组件以及磁体，该径向手臂组件在其内端处耦合至该旋转轴，且该磁体耦合至该径向手臂组件的外端，该外壳的顶盖包含中央开口，该旋转轴轴向地延伸通过该中央开口 ；导电中空圆筒，其位于该顶盖上并且围绕着该旋转轴延伸在该顶盖上方的一部份；以及径向射频连接杆，其从该中空圆筒径向地延伸出，该射频连接杆经调适用以连接至射频功率源。
12.如权利要求11所述的射频馈给系统，更包括径向直流连接杆，其从该中空圆筒径向地延伸出，该直流连接杆经调适用以连接至直流功率源，其中该射频连接杆与该直流连接杆从该中空圆筒上的多个位置伸出，且这些位置彼此之间呈角度偏移及这些位置偏移约180°。
13.如权利要求12所述的射频馈给系统，其中这些连接杆、该中空圆筒、该顶盖、该外壳与该顶壁是导电的，并且提供至该溅射靶材的电路径。
14.如权利要求11所述的射频馈给系统，更包括RF遮蔽罩，该RF遮蔽罩包括 导电侧壁，其围绕该外壳，并且与该外壳隔开从而在两者之间形成第一间隙；导电遮蔽盖，位于该外壳的顶盖上方，并且与该外壳的顶盖隔开从而在两者之间形成第二间隙；以及导电套，其围绕该中空圆筒，并且与该中空圆筒隔开从而在两者之间形成第三间隙，其中该第一、第二与第三间隙形成连续空间，且介电物质被容纳在该连续空间中。
15.如权利要求14所述的射频馈给系统，其中该介电物质包括空气，该系统更包括位于该空间中的多个低介电常数绝缘柱，用以维持这些间隙。
全文摘要
在顶壁处具有溅射靶材的PVD反应器中，包围旋转磁体组件的导电外壳具有一中央开口，以容纳该旋转磁体轴。该外壳的导电中空圆筒环绕着该轴的外部部份。射频功率源耦合至一径向射频(RF)连接杆，该射频连接杆从该中空圆筒径向地延伸出。直流功率源耦合至另一径向直流(DC)连接杆，该直流连接杆从该中空圆筒径向地延伸而出。
文档编号H01L21/203GK102203908SQ200980143935
公开日2011年9月28日 申请日期2009年10月2日 优先权日2008年10月17日
发明者L·霍雷查克 申请人:应用材料股份有限公司